CN104241066A - 对带电粒子设备中的样品成像的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种对带电粒子设备中的样品成像的方法。本发明涉及配备有离子束柱(102)和电子束柱(101)的双束设备，电子束柱包含静电浸没透镜(116)。当倾斜样品(104)时，静电浸没场失真并且失去绕电子光轴的对称。结果倾斜引入有害影响，诸如横向色像差和束位移。另外在样品的非倾斜位置中检测二次电子或后向散射电子的柱内检测器(141)将在当倾斜样品时归因于失去浸没场对称而表现出这些电子的混合。本发明示出如何通过关于最靠近样品的接地电极对平台进行偏置来消除或至少减少这些缺点。
Description
技术领域
本发明涉及对带电粒子设备中的样品成像的方法，所述带电粒子设备配备有：
· 可抽真空的样品室，
· 用于沿着电子束轴线产生精细聚焦电子束的电子束柱，所述电子束柱配备有包含静电浸没透镜的物镜，
· 用于沿着离子束轴线产生精细聚焦离子束的聚焦离子束柱，
· 所述聚焦离子束柱和扫描电子束柱被安装在样品室上，以使得电子束轴线和离子束轴线在交点位置处相交，
· 示出配备有用于支承样品的部件的导电平面的样品操纵器，所述样品操纵器能够在所述平面垂直于电子束轴线所成的第一倾斜角度和所述平面垂直于离子束轴线所成的第二倾斜角度之间倾斜所述平面，
所述方法包括
· 把样品安装在样品操纵器的平面上，
· 利用电子束柱把精细聚焦电子束导向样品，
· 利用聚焦离子束柱把离子束导向样品。
这样的方法例如用于利用充当聚焦离子束(FIB)的离子束柱来机加工样品或者从工件（诸如半导体晶片）凿刻样品，以及用于利用充当扫描电子显微镜(SEM)的电子束柱来检查样品。
背景技术
已知的专利描述一种具有扫描电子显微镜柱的系统，所述SEM柱配备有包含静电浸没透镜和磁透镜的物镜。所描述的系统进一步配备有具有静电非浸没透镜的聚焦离子束柱。
对于良好的SEM图像来说，要求浸没电场示出绕电子光轴的对称，因为否则将发生电子束的横向色像差和若干几何像差。因此优选地将样品平台垂直于电子束轴线定向，因而以类似标准SEM的位置配置来操作设备。
当使用FIB时，离子通常需要几乎垂直地撞击在样品或晶片上，并且因此电子束斜向地撞击到样品或晶片。
在任何情况下，离子必须从离子柱物镜行进到交叉点，并且离子因而必须行进通过浸没电场。这造成离子束的横向色像差和若干几何像差。对于良好的离子定位/成像来说，SEM柱的静电浸没场应被关闭。
已知的专利找到一种解决方案，该解决方案在于在SEM柱和FIB柱之间的屏蔽电极，以及关于样品和离子束柱对最靠近样品的静电浸没透镜的电极进行偏置和/或对屏蔽进行偏置。
已知的专利的解决方案依赖于当样品被倾斜时通过关于样品对最靠近样品的SEM物镜的电极进行偏置来恢复绕电子束轴线的静电浸没场的旋转对称、以及利用屏蔽电极对必须由离子束穿过的那部分场进行定形以允许“针对电子束还有离子束这两者的良好聚焦和束引导”。
这种已知的解决方案的缺点在于必须在样品附近的区域中添加屏蔽电极。如本领域的技术人员已知的那样，该区通常堆放有附件，比如辐射检测器(二次电子检测器，后向散射电子检测器，X-射线检测器)，一个或更多个气体注入系统，用于附接样品的操纵器等。
发明内容
本发明意图提供一种不添加屏蔽电极的替换的解决方案。
为此，根据本发明的方法的特征在于电子束柱和聚焦离子束柱的每一个示出最靠近交点位置的电极，所述电极连接到公共电位，并且对安装有样品的平面关于这些电极进行偏置而达到取决于倾斜角度离子束和电子束在不示出横向色像差的情况下相交于交点位置这样的程度，以及对于两个倾斜位置而言束的交点在同一样品位置处。
根据本发明，两个物镜的电极被连接到公共电位(优选为接地)，而没有额外的电极附接到两个物镜中的一个或者两个。平台被连接到电压源，所述电压源能够关于各柱对平台和安装在平台上的样品进行偏置。其结果是能够应对下面的问题：
· 能够补偿起因于样品倾斜和电子柱的静电透镜的激励的束偏移，
· 能够补偿两个柱的色像差，
当电子束垂直地撞击到样品时，电极关于样品的偏置优选为0。
在优选的实施例中，两个柱关于彼此成在45度和60度之间的倾斜角度。
具有关于彼此成角度的电子束柱和离子束柱的设备是众所周知的，示出了例如两个柱之间为52度的角度。
在另一个实施例中，真空室包含一个或更多个导电部分，所述一个或更多个导电部分配备成被关于样品和电极偏置。
在进一步的实施例中，可以关于电极和样品定位所述一个或更多个导电部分中的至少一个。
在另一个实施例中，所述一个或更多个部分包含来自如下的组的部分：气体注入系统、二次电子检测器、后向散射电子检测器、带电粒子检测器、X射线检测器或照相机。
当使用例如气体注入系统(GIS)或显微操纵器时，气体注入系统(GIS)或显微操纵器在操作中被关于样品和柱移动。通过对样品进行合适的偏置，针对由这些金属的(因而是导电的)部分的变化的位置引起的干扰的一阶修正是可能的。
在优选的实施例中，电子束柱包含柱内带电粒子检测器，更具体地，包含透镜内带电粒子检测器。
这样的柱内检测器用于达成高效率。本发明人发现所述方法的使用造成在没有不利偏转的情况下的二次电子(SE)和后向散射电子(BSE)的检测。偏转会导致更低的检测效率。另外，还可以构造检测器以检测绕电子光轴的角对称，偏转会妨碍这样的取决于角度的检测。应注意，归因于静电场的极性，这样的检测器典型地用于检测BSE和SE，对于检测带正电的离子来说并不有效。
附图说明
现在使用附图阐述本发明，附图中相同的附图标记提及对应的特征。为此：
图1示意性地示出被配备成执行根据本发明的方法的双束系统。
图2示意性地示出图1的双束系统的一部分。
图3A、3B、3C、3D、3E和3F示出在利用根据本发明的方法进行实验期间获得的显微照片。
具体实施方式
图1描绘被配备成执行根据本发明的方法的示例性双束SEM/FIB系统100。合适的双束系统在商业上例如可从本申请的受让人FEI 公司（俄勒冈州希尔巴罗）获得。尽管以下提供了合适的硬件的示例，但是本发明并不被限制于以任何特定类型的硬件来实现。
双束系统100在可抽真空的样品室103上具有垂直安装的电子束柱101和与垂向成近似为52度的角度安装的聚焦离子束(FIB)柱102。可利用例如涡轮分子泵，或者其它已知的泵浦部件(诸如油扩散泵、离子吸气器泵、涡旋泵等(未示出))对样品室抽真空。
电子束柱101包含用于产生电子束112的电子源110。电子-光学聚束器透镜114a, 114b和物镜116用于精细地把电子束聚焦在样品104上。物镜116包含静电浸没透镜，并且优选地还包含磁透镜，从而电子束112被静电浸没场和磁场这两者聚焦。电子束可被定位在样品(还已知为基底)104的表面上，并且可以借助偏转线圈118a和118b在样品的表面上扫描。应注意透镜和偏转单元可以使用电场来操纵电子束，或者可以使用磁场，或者使用它们的结合。
双束系统100还包括聚焦离子束(FIB)柱102，聚焦离子束(FIB)柱102包含用于产生离子束的离子源120。离子-光学聚束器透镜124a, 124b和物镜126用于精细地把离子束聚焦到样品104上。离子束可被定位在样品104的表面上，并可以借助偏转器128a和128b在样品的表面上扫描。归因于离子的性质(质量-电荷比)，透镜和偏转器典型地在本质上是静电的。
电子束112和离子束122可被聚焦到样品104上，样品104被安装在真空室103内的采用可移动X-Y-Z平台105形式的样品操纵器的平坦侧。
柱101和102被对准以在离子束122和电子束112之间形成交点106。优选地将样品定位在该交点处。
(可伸缩的)气体注入系统(GIS)142安装在真空室上。GIS包含用于保存前体材料的储存器(未示出)，和用于把前体材料导向基底的表面的针状物144。GIS进一步包含用于调节前体材料向基底的供给的部件。在该示例中，调节部件被描绘为调节阀143，但是调节部件还可以采取例如前体材料的受控加热的形式。
进一步将可伸缩的位置显微操纵器145安装在真空室上，可伸缩的位置显微操纵器145包含具有位于真空室中的远端端部的尖端146。尖端146的远端部分例如用于探测样品，或者用于使用例如束诱导沉积(使用离子、电子或激光束)来附着样品(的一部分)。
当电子束中的电子冲击样品104时，发出二次电子(SE)和后向散射电子(BSE)。SE通常被定义为从样品发出的具有小于50 eV的能量的电子，而BSE通常被定义为从样品发出的具有超过50 eV的能量的电子。SE和BSE的至少一部分被电子检测器140(诸如Everhard-Thornley检测器，或者柱内安装的、更优选地安装在物镜116内的柱内检测器)检测到，所述检测器能够检测低能量电子和后向散射电子。应注意，这样的检测器可以是基于闪烁体的检测器，或者可以被形成为半导体器件，并且这样的检测器可以是分段的或者不是分段的。
应注意除了SE和BSE之外，还发出其它类型的辐射，诸如X-射线、可见光等。还可以使用适当的检测器检测这些类型的辐射。
检测器的信号被给送至系统控制器130。所述系统控制器还控制偏转器信号、各透镜、电子源、GIS、平台和（多个）泵，以及仪器的其它项，包括GIS系统142和显微操纵器145。系统控制器因此能够使用扫描模式或更多地使用稳态偏转，来把离子束和电子束这两者导向样品上的特定部位。使用束的位置信息以及使用检测器的信息，控制器能够在监视器上形成样品的图像。
应注意系统控制器还控制检测器，例如，通过控制检测器的增益。
应注意柱内检测器141示出用于使电子束112通过的中央通孔。
应注意，诸如检测器140的检测器可以位于真空室中，以便优化检测效率或者在某些观测期间为其它部分让出空间，所述观测例如要求另一类型的检测器。
平台105可支撑样品和/或一个或更多个TEM样品支承器，从而可以从样品中提取出样品的一小部分，并将该一小部分移动到TEM样品支承器。平台105优选地可在水平平面(X轴和Y轴)中移动并且垂直(Z轴)移动。平台105还可倾斜近似六十(60)度或者更大，并且绕Z轴旋转。在一些实施例中，可以使用分离的TEM样品平台(未示出)。
泵被用于对电子束柱101、离子束柱102和真空室103抽真空。真空泵典型地在室103内提供近似3×10-6 mbar的真空。当合适的前体气体被引入到样品表面上时，室背景压力可能升高，典型地升高到约5×10-5 mbar。然而，已知使用如1～10 mbar那么高的压力，使得能够进行湿样品的观测和“机加工”。
显微操纵器145(诸如Omniprobe公司(德克萨斯州达拉斯)的AutoProbe 200TM，或者Kleindiek Nanotechnik(德国罗伊特林根)的Model MM3A)能够在真空室内精确地移动物体。显微操纵器可包含位于真空室外部的精密电马达，以提供位于真空室内的远端端部的X、Y、Z和θ控制。显微操纵器可以适合不同的端部执行器以操纵小物体。在在此描述的实施例中，端部执行器是细探针。如现有技术中已知那样，显微操纵器(或微探针)可用于把TEM样品(典型地已经通过离子束从基底脱离)转移到TEM样品支承器以用于便分析。
电压源134连接到平台105，使平台能够关于真空室的电位和各个柱最靠近平台的电极以预定的电压电“浮动”。该电压源受系统控制器130控制，并且因此能够设定到适当的电压，以优化绕电子束112的物镜116的静电部分的电对称，由此不取决于样品和平台的倾斜而将横向色像差最小化、把交点位置106保持在固定位置等。
图2示意性地示出两个柱的物镜，以及离子束和电子束的交点。
电子柱101终止于物镜116中，物镜116包含由电极202形成的浸没透镜、形成电子柱的最靠近交点的端帽的接地电极204、和由平台105的平坦表面形成的电极201。接地电极204也是由线圈206磁激励的磁路的一部分。检测器141具有例如由金属化层形成的、面向样品且形成电极202的一部分的导电平面。
聚焦离子束柱102终止于物镜126中，物镜126由电极208、210和212形成，电极208和212连接至地，并且电极210典型地处在使离子束减速的电压。应注意已知当使用低能量离子时使用加速电压。接地电极212是聚焦离子束柱的最靠近样品的电极。
应提及可具有在电子的能量或者电子进入电子柱的物镜的角度之间进行区分的柱内检测器。应注意低能量SE归因于浸没场而沿电子束轴线是平行的，并且被保持在轴线附近，而对于BSE来说，归因于其更高的初始能量，发生这种情况的程度更低。通过分开地获得两种信号的信息，能够得到主要具有SE信息或者主要具有BSE信息的图像。发明人用可获得这样的图像的装置进行了实验。
图3A、3B、3C、3D、3E和3F示出在利用根据本发明的方法进行实验期间获得的显微照片。
· 图3A示出使用透镜内SE检测器获得的锡球的图像。
· 图3B示出使用透镜内BSE检测器获得的锡球的图像。
· 图3C示出当使样品平台倾斜52度时，使用透镜内SE检测器获得的锡球的图像。
· 图3D示出当使样品平台倾斜52度时，使用透镜内BSE检测器获得的锡球的图像。
· 图3E示出当使样品平台倾斜52度，并且施加234伏的平台偏置时，使用透镜内 SE检测器获得的锡球的图像。
· 图3F示出当使样品平台倾斜52度，并且施加234伏的平台偏置时，使用透镜内 BSE检测器获得的锡球的图像。
应提及锡球通常用作参考样本。所述图像是在如下情况下获得的：样品(锡球)在交点位置处，交点这此情况下从电极204离开10mm；电极202上的电压近似为8 kV；以及电子在样品上的着陆能量为1 keV。
图3A和3B中所示的图像是有经验的人员可分别从SE或BSE图像期待的内容。
图3C和3D的图像看起来分别与图3A和3B相当不同。这些图像含有混合信息(BSE+SE)，并且在信号中示出各向异性，SE和BSE信号的量取决于所显示的样品表面关于倾斜轴的定向。例如，锡球上的边缘效应在不同方向表现不同。因此所述倾斜引起图像变化和信号失真。信号失真由最初被垂直于平台的平面加速、并且之后仅被朝着检测器加速的SE引起。当朝着检测器导引SE时，它们因而已具有妨碍平行化的大的能量。
尽管由于倾斜的结果(图像变化)而看起来和图3A和3B不同的图3E和3F的图像又是有经验的人员可分别从SE或BSE图像期待的内容(不再有信号失真)。
通过恢复绕电子光轴的对称，不仅横向色像差和束位移被减少或消除，而且还从而减少了BSE和SE的信息的纠缠。
Claims (9)
1. 一种对带电粒子设备(100)中的样品成像的方法，所述带电粒子设备配备有
· 可抽真空的样品室(103)，
· 用于沿着电子束轴线产生精细聚焦的电子束(112)的电子束柱(101)，所述电子束柱配备有包含静电浸没透镜的物镜(116)，
· 用于沿着离子束轴线产生精细聚焦的离子束(122)的聚焦离子束柱(102)，
· 所述聚焦离子束柱(102)和所述电子束柱(101)被安装在所述样品室(103)上，以使得电子束轴线和离子束轴线在交点位置(106)处相交，
· 示出配备有用于支承样品(104)的部件的导电平面(201)的样品操纵器(105)，所述样品操纵器能够在所述平面垂直于电子束轴线所成的第一倾斜角度和所述平面垂直于离子束轴线所成的第二倾斜角度之间倾斜所述平面，
所述方法包括
· 把样品(104)安装在所述样品操纵器(105)的平面上，
· 利用所述电子束柱(101)把精细聚焦电子束(112)导向样品(104)，
· 利用所述聚焦离子束柱(102)把离子束(122)导向样品(104)，
其特征在于
所述电子束柱(101)示出最靠近交点位置(106)的电极(204)，并且所述聚焦离子束柱(102)示出最靠近交点位置(106)的电极(212)，所述电极(204，212)连接到公共电位，以及对安装有样品(104)的所述平面(201)关于所述电极（104，212）进行电偏置而达到取决于倾斜角度离子束(122)和电子束(112)在不示出横向色像差的情况下相交于交点位置(106)这样的程度，以及对于两个倾斜位置而言束的交点在同一位置处。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中如果所述平面垂直于电子束轴线，则取决于倾斜角度的偏置为0。
3. 根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一倾斜角度和所述第二倾斜角度之间的差在45度和60度之间。
4. 根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中真空室包含一个或更多个导电部分，所述一个或更多个导电部分配备成被关于样品和电极偏置。
5. 根据权利要求4所述的方法，其中能够关于电极和样品定位所述一个或更多个导电部分中的至少一个。
6. 根据权利要求4或5所述的方法，其中所述一个或更多个部分包含来自如下的组的部分：气体注入系统(142)、操纵器(145)、二次电子检测器(140)、后向散射电子检测器(141)、带电粒子检测器、X射线检测器或照相机。
7. 根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中所述电子束柱包含柱内带电粒子检测器(141)。
8. 根据权利要求7所述的方法，其中柱内检测器(141)是透镜内检测器。
9. 根据权利要求7或8所述的方法，其中配备柱内检测器以在二次电子和后向散射电子之间进行区别。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101787379B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2017-10-18 | 한국표준과학연구원 | 모노크로미터의 제조방법 |
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| CZ2018157A3 (cs) * | 2018-03-29 | 2019-10-09 | Tescan Brno, S.R.O. | Zařízení pro vytvoření a uložení lamely |
| CN109037016A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-18 | 常焱瑞 | 一种基于复合场的带电体运动轨迹控制装置 |
| DE102018131614B3 (de) * | 2018-12-10 | 2020-02-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines Partikelstrahlsystems |
| DE102020112220B9 (de) * | 2020-05-06 | 2022-05-25 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlgerät zum Abtragen mindestens eines Materials von einer Materialeinheit und Anordnen des Materials an einem Objekt |
| US11373839B1 (en) * | 2021-02-03 | 2022-06-28 | Fei Company | Method and system for component analysis of spectral data |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020109089A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-08-15 | Krans Jan Martijn | SEM provided with an adjustable final electrode in the electrostatic objective |
| US20090230299A1 (en) * | 2007-04-23 | 2009-09-17 | Hiroyasu Shichi | Ion source, ion beam processing/observation apparatus, charged particle beam apparatus, and method for observing cross section of sample |
| US20090309025A1 (en) * | 2006-12-14 | 2009-12-17 | Dirk Preikszas | Particle optical arrangement |
| CN102064077A (zh) * | 2010-12-02 | 2011-05-18 | 北京航空航天大学 | 一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法 |
| JP2011175969A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-09-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 粒子ビーム装置および粒子ビーム装置の動作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3323021B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡及びそれを用いた試料像観察方法 |
| US6897442B2 (en) * | 2003-04-25 | 2005-05-24 | Applied Materials Israel, Ltd. | Objective lens arrangement for use in a charged particle beam column |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020109089A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-08-15 | Krans Jan Martijn | SEM provided with an adjustable final electrode in the electrostatic objective |
| US20090309025A1 (en) * | 2006-12-14 | 2009-12-17 | Dirk Preikszas | Particle optical arrangement |
| US20090230299A1 (en) * | 2007-04-23 | 2009-09-17 | Hiroyasu Shichi | Ion source, ion beam processing/observation apparatus, charged particle beam apparatus, and method for observing cross section of sample |
| JP2011175969A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-09-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 粒子ビーム装置および粒子ビーム装置の動作方法 |
| CN102064077A (zh) * | 2010-12-02 | 2011-05-18 | 北京航空航天大学 | 一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104914119A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-09-16 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种匹配束流为平行束的带电粒子照相装置 |
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| CN112189248B (zh) * | 2018-05-22 | 2024-04-02 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置及其轴调整方法 |
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