[go: up one dir, main page]

CN104218180A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104218180A
CN104218180A CN201310210324.3A CN201310210324A CN104218180A CN 104218180 A CN104218180 A CN 104218180A CN 201310210324 A CN201310210324 A CN 201310210324A CN 104218180 A CN104218180 A CN 104218180A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light scattering
scattering layer
polymeric material
organic electroluminescence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310210324.3A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
冯小明
黄辉
王平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310210324.3A priority Critical patent/CN104218180A/zh
Publication of CN104218180A publication Critical patent/CN104218180A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件,包括基板和依次层叠设置在基板上的反射电极、光散射层、第一透射电极、发光功能层和第二透射电极,光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,光散射层的厚度为10~100μm,反射电极的材质为金属薄膜,金属薄膜包括金属金,银,铝,铜,镍,铂,镁单质或其任意组合形成的合金。该有机电致发光器件通过在反射电极表面设置光散射层,使得器件的反射率大大降低,从而提高了器件的对比度。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件,具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode),以下简称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,是一种极具潜力的显示技术和光源,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
在现有的顶发射的OLED发光器件中,一般通过底部的反射电极反射光线,然后从顶部的透射电极出射光线。由于底部的反射电极一般采用金属电极,具有较高的反射率,导致外部的环境光线在底部电极也会强烈的反射,这样使OLED器件具有较低的对比度和显示清晰度,并且顶发射器件采用半透明电极,出光亮度一般比较低。而现有的偏光膜虽然能够抵消这些环境光线,但是偏光膜容易受潮湿和环境温度的影响,并且制造成本较高。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷,本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。通过在反射电极表面制备光散射层,提高了有机电致发光器件的对比度。
一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括基板和依次层叠设置在基板上的反射电极、光散射层、第一透射电极、发光功能层和第二透射电极,所述光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光散射层的厚度为10~100μm,所述反射电极的材质为金属薄膜,所述金属薄膜包括金属金,银,铝,铜,镍,铂,镁单质或其任意组合形成的合金,所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜或金属金、银、铝、铂薄膜,所述第二透射电极的材质为金、银、铝、镁或其任意组合形成的合金薄膜,所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层。
优选地,所述第二透射电极表面进一步包括第二光散射层,所述第二光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述第二光散射层的厚度为10~100μm。
优选地,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂。
优选地,所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
优选地,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
优选地,所述反射电极的金属薄膜的厚度为70~500nm。
第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜或金属金、银、铝、铂薄膜。
优选地,导电氧化物薄膜为铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)或镓锌氧化物(GZO),厚度为100~500nm。
优选地,金属金、银、铝、铂薄膜的厚度为18~30nm。
第二透射电极的材质为金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)或其任意组合形成的合金薄膜,厚度优选为18~30nm。
所述基板可为透光材料,如透明玻璃或透明聚合物薄膜,也可为不透光材料,如金属片或硅片。
所述发光功能层至少包括依次层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层。为了提高器件的发光效率,可进一步设置空穴注入层和电子注入层。
空穴传输层、电子传输层和发光层的材质不作具体限定,本领域现有材料均适用于本发明。
优选地,空穴传输层的材质为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA),N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),厚度为20~60nm。
优选地,发光层的材料为主体材料掺杂客体材料形成的混合材料,所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),8-羟基喹啉铝(Alq3),1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB);所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6),二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)和三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种,客体材料与主体材料的质量比为1~20:100。
优选地,所述发光层的材料为荧光材料,所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi),4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)或二甲基喹吖啶酮(DMQA)。
优选地,所述发光层的厚度为10~30nm。
优选地,电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP),厚度为30~100nm。
优选地,空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc),酞菁锌(ZnPc),酞菁氧钒(VOPc),酞菁氧钛(TiOPc)或酞菁铂(PtPc),厚度为10~30nm。
优选地,电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF);厚度为0.5~10nm。
另一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
将洁净的基板置于真空度为1×10-3~1×10-5Pa的真空镀膜室中,采用真空热阻蒸发的方式在所述基板上制备反射电极,蒸发速度为0.2~2nm/s,所述反射电极的材质为金属薄膜,所述金属薄膜包括金属金,银,铝,铜,镍,铂,镁单质或其任意组合形成的合金;
采用丝网印刷的方式在所述反射电极表面制备光散射层,所述光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为陶瓷或高分子材料颗粒,粒径为50~1500nm,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光散射层的厚度为10~100μm;
在所述光散射层表面依次制备第一透射电极、发光功能层和第二透射电极,得到有机电致发光器件;所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜或金属金、银、铝、铂薄膜,所述第二透射电极的材质为金、银、铝、镁或其任意组合形成的合金薄膜,所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层,所述第一透射电极采用真空蒸发或磁控溅射的方式制备,所述发光功能层和第二透射电极采用真空蒸发的方式制备。
优选地,制备方法进一步包括,采用丝网印刷的方式在所述第二透射电极表面制备第二光散射层,所述第二光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为陶瓷或高分子材料颗粒,粒径为50~1500nm,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述第二光散射层的厚度为10~100μm。
优选地,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂。
优选地,所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
优选地,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
优选地,所述丝网印刷的丝网目数为200~1000目。
优选地,所述反射电极的金属薄膜的厚度为70~500nm。
第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜或金属金、银、铝、铂薄膜。
优选地,导电氧化物薄膜为铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)或镓锌氧化物(GZO),厚度为100~500nm。
所述导电氧化物薄膜采用磁控溅射的方式制备。优选地,溅射速度为0.2~2nm/s。
优选地,金属金、银、铝、铂薄膜的厚度为18~30nm。
所述金属薄膜采用真空蒸发的方式制备。优选地,蒸发速度为0.2~2nm/s。
第二透射电极的材质为金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)或其任意组合形成的合金薄膜,厚度优选为18~30nm。
所述第二透射电极的蒸发速度为0.1~1nm/s。
所述基板可为透光材料,如透明玻璃或透明聚合物薄膜,也可为不透光材料,如金属片或硅片。
所述发光功能层至少包括依次层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层。为了提高器件的发光效率,可进一步设置空穴注入层和电子注入层。
空穴传输层、电子传输层和发光层的材质不作具体限定,本领域现有材料均适用于本发明。
优选地,空穴传输层的材质为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA),N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB),4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),厚度为20~60nm。
优选地,发光层的材料为主体材料掺杂客体材料形成的混合材料,所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP),8-羟基喹啉铝(Alq3),1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB);所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6),二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)和三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种,客体材料与主体材料的质量比为1~20:100。
优选地,所述发光层的材料为荧光材料,所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi),4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)或二甲基喹吖啶酮(DMQA)。
优选地,所述发光层的厚度为10~30nm。
优选地,电子传输层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP),厚度为30~100nm。
优选地,空穴注入层的材料为酞菁铜(CuPc),酞菁锌(ZnPc),酞菁氧钒(VOPc),酞菁氧钛(TiOPc)或酞菁铂(PtPc),厚度为10~30nm。
优选地,电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF);厚度为0.5~10nm。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果:
(1)本发明提供的有机电致发光器件,在反射电极表面设置了光散射层,所述光散射层为加入了陶瓷或高分子材料的纳米微球的聚合物薄膜,由于纳米微球具有光散射作用,光散射层可使外部的环境光线在底部反射电极上形成散射,而不会直接反射回顶部的透射电极,从而降低环境光线在OLED器件内部的反射,提高器件对比度;
(3)位于顶部第二透射电极表面的第二光散射层,也能使外部的环境光线直接在顶部的透射电极表面直接进行散射,避免进入OLED器件内部发生反射,从而进一步提高器件的出光效率和对比度,此外,第二光散射层还能起到提高发光亮度的作用;
(3)本发明有机电致发光器件的制备工艺简单,易大面积制备,适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图;
图2是本发明实施例6制得的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为500nm的金属Ag薄膜作为反射电极;
(2)采用丝网印刷工艺在反射电极的表面上形成厚度为100μm的光散射层,光散射层的材质包括质量比为50:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为50nm,丝网印刷过程采用目数为200目的丝网印刷成膜;
(3)采用磁控溅射的方式在光散射层表面溅射制备一层厚度为200nm的ITO薄膜作为第一透射电极,溅射速度为0.2nm/s;再采用真空蒸发的方式在ITO薄膜表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用ZnPc,厚度为20nm;空穴传输层采用TPD,厚度为20nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用Bphen,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(4)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备第二透射电极,材质为金属Ag,蒸发速度为0.5nm/s,厚度为18nm,得到有机电致发光器件。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示,本实施例有机电致发光器件,依次包括玻璃基板10、反射电极11、光散射层12、第一透射电极13、发光功能层14和第二透射电极15。光散射层12中包含二氧化钛纳米微球120。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于,光散射层的材质包括质量比为20:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为100nm,丝网印刷过程采用目数为1000目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为80μm。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于,光散射层的材质包括质量比为20:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为250nm,丝网印刷过程采用目数为400目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为20μm。
实施例4
本实施例与实施例1的区别在于,光散射层的材质包括质量比为10:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为500nm,丝网印刷过程采用目数为500目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为10μm。
实施例5
本实施例与实施例1的区别在于,光散射层的材质包括质量比为10:100的二氧化钛纳米微球和光固化丙烯酸树脂,二氧化钛纳米微球的粒径为1000nm,丝网印刷过程采用目数为600目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为50μm。
实施例6
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为70nm的金属Pt薄膜作为反射电极;
(2)采用丝网印刷工艺在反射电极的表面上形成厚度为10μm的光散射层,光散射层的材质包括质量比为50:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为200nm,丝网印刷过程采用目数为400目的丝网印刷成膜;
(3)采用磁控溅射的方式在光散射层表面溅射制备一层厚度为100nm的AZO薄膜作为第一透射电极,溅射速度为2nm/s;再采用真空蒸发的方式在AZO薄膜表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用ZnPc,厚度为20nm;空穴传输层采用TPD,厚度为20nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用Bphen,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(4)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备第二透射电极,材质为金属Ag-Mg合金,蒸发速度为0.1nm/s,厚度为30nm;
(5)最后采用丝网印刷工艺在第二透射电极的表面上形成厚度为10μm的第二光散射层,得到有机电致发光器件;第二光散射层的材质与制备工艺与反射电极表面的光散射层相同。
图2是本实施例制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图2所示,本实施例有机电致发光器件,依次包括玻璃基板20、反射电极21、光散射层22、第一透射电极23、发光功能层24、第二透射电极25和第二光散射层26。
实施例7
本实施例与实施例6的区别在于,光散射层的材质包括质量比为20:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为400nm,丝网印刷过程采用目数为1000目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为60μm。
实施例8
本实施例与实施例6的区别在于,光散射层的材质包括质量比为20:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为800nm,丝网印刷过程采用目数为600目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为15μm。
实施例9
本实施例与实施例6的区别在于,光散射层的材质包括质量比为10:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为1000nm,丝网印刷过程采用目数为800目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为20μm。
实施例10
本实施例与实施例6的区别在于,光散射层的材质包括质量比为10:100的聚苯乙烯纳米微球和光固化丙烯酸树脂,聚苯乙烯纳米微球的粒径为1500nm,丝网印刷过程采用目数为1000目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为100μm。
实施例11
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为500nm的金属Ni薄膜作为反射电极;
(2)采用丝网印刷工艺在反射电极的表面上形成厚度为100μm的光散射层,光散射层的材质包括质量比为20:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为50nm,丝网印刷过程采用目数为600目的丝网印刷成膜;
(3)采用真空蒸发的方式在光散射层表面制备一层厚度为20nm的金属Au薄膜作为第一透射电极,蒸发速度为1nm/s;再采用真空蒸发的方式在金属Au薄膜表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用ZnPc,厚度为20nm;空穴传输层采用TPD,厚度为20nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用Bphen,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(4)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备第二透射电极,材质为金属Mg-Al合金,蒸发速度为1nm/s,厚度为20nm,得到有机电致发光器件。
实施例12
本实施例与实施例11的区别在于,光散射层的材质包括质量比为50:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为100nm,丝网印刷过程采用目数为400目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为10μm。
实施例13
本实施例与实施例11的区别在于,光散射层的材质包括质量比为15:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为250nm,丝网印刷过程采用目数为200目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为20μm。
实施例14
本实施例与实施例11的区别在于,光散射层的材质包括质量比为10:100的二氧化硅纳米微球和热固化环氧树脂,二氧化硅纳米微球的粒径为400nm,丝网印刷过程采用目数为200目的丝网印刷成膜,光散射层的厚度为50μm。
对比例1
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为500nm的金属Ag薄膜作为反射电极;
(2)采用磁控溅射的方式在反射电极表面溅射制备一层厚度为200nm的ITO薄膜作为第一透射电极,再采用真空蒸发的方式在ITO薄膜表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层采用ZnPc,厚度为20nm;空穴传输层采用TPD,厚度为20nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用Bphen,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备第二透射电极,材质为金属Ag,厚度为18nm,得到有机电致发光器件。
对比例2
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为70nm的金属Pt薄膜作为反射电极;
(2)采用磁控溅射的方式在反射电极表面溅射制备一层厚度为100nm的AZO薄膜作为第一透射电极,再采用真空蒸发的方式在AZO薄膜表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层采用ZnPc,厚度为20nm;空穴传输层采用TPD,厚度为20nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用Bphen,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备第二透射电极,材质为金属Ag-Mg合金,厚度为30nm,得到有机电致发光器件。
对比例3
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)将玻璃基板置于1×10-4Pa的真空镀膜室中,采用真空蒸发的方式在基板表面制备一层厚度为500nm的金属Ni薄膜作为反射电极;
(2)采用真空蒸发的方式在反射电极表面制备一层厚度为20nm的金属Au薄膜作为第一透射电极,再采用真空蒸发的方式在金属Au薄膜表面制备发光功能层,依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
其中,空穴注入层层采用ZnPc,厚度为20nm;空穴传输层采用TPD,厚度为20nm;发光层采用Ir(ppy)3掺杂在CBP中形成的混合材料,Ir(ppy)3与CBP的质量比为10:100,厚度为15nm;电子传输层采用Bphen,厚度为30nm;电子注入层采用LiF,厚度为1nm;
(3)采用真空蒸发的方式在电子注入层表面制备第二透射电极,材质为金属Mg-Al合金,厚度为20nm,得到有机电致发光器件。
效果实施例
本发明测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司),美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱,美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能,日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度,美国Filmetrics(美商菲乐)公司的F10-RT型反射率测试仪测试反射率。
将本发明实施例1~5和对比例1所制得的有机电致发光器件在6V驱动电压下进行发光亮度的测试,以及测试器件在波长380~780nm之间的反射率,测试结果如表1所示:
表1
由表1的数据可以看出,本发明的提供的有机电致发光器件,通过在反射电极表面设置光散射层,器件的反射率从对比例1的86%下降到了32%以下,说明环境光线在器件中的反射率大大降低了。这是由于光散射层包含有纳米微球,而纳米微球具有光散射作用,光散射层可使外部的环境光线在底部反射电极上形成散射,而不会直接反射回顶部的透射电极,从而降低环境光线在OLED器件内部的反射,提高器件出光效率和对比度;从发光亮度上看,虽然反射率大大降低,但是器件的发光效率降低幅度不是很大。
将本发明实施例6~10和对比例2所制得的有机电致发光器件在6V驱动电压下进行发光亮度的测试,以及测试器件在波长380~780nm之间的反射率,测试结果如表2所示:
表2
从表2的数据可以看出,本发明的提供的有机电致发光器件,通过在反射电极表面设置光散射层,以及在第二透射电极表面制备第二光散射层,器件的反射率从对比例2的88%下降到了25%以下,说明环境光线在器件中的反射率大大降低了。从发光亮度上看,虽然反射率大大降低,但是器件的发光亮度却能保持较高,这是由于第二透射电极上的第二光散射层,除了能降低外面的环境光线反射,还能起到光提取的作用,因此亮度更高。
将本发明实施例11~14和对比例3所制得的有机电致发光器件在6V驱动电压下进行发光亮度的测试,以及测试器件在波长380~780nm之间的反射率,测试结果如表3所示:
表3
从表3的数据可以看出,本发明的提供的有机电致发光器件,通过在反射电极表面设置光散射层,器件的反射率从对比例3的87%下降到了29%以下,说明环境光线在器件中的反射率大大降低了。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括基板和依次层叠设置在基板上的反射电极、光散射层、第一透射电极、发光功能层和第二透射电极,所述光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光散射层的厚度为10~100μm,所述反射电极的材质为金属薄膜,所述金属薄膜包括金属金,银,铝,铜,镍,铂,镁单质或其任意组合形成的合金,所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜或金属金、银、铝、铂薄膜,所述第二透射电极的材质为金、银、铝、镁或其任意组合形成的合金薄膜,所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二透射电极表面进一步包括第二光散射层,所述第二光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为粒径为50~1500nm的陶瓷或高分子材料颗粒,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述第二光散射层的厚度为10~100μm。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂。
4.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
5.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将洁净的基板置于真空度为1×10-3~1×10-5Pa的真空镀膜室中,采用真空热阻蒸发的方式在所述基板上制备反射电极,蒸发速度为0.2~2nm/s,所述反射电极的材质为金属薄膜,所述金属薄膜包括金属金,银,铝,铜,镍,铂,镁单质或其任意组合形成的合金;
采用丝网印刷的方式在所述反射电极表面制备光散射层,所述光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为陶瓷或高分子材料颗粒,粒径为50~1500nm,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述光散射层的厚度为10~100μm;
在所述光散射层表面依次制备第一透射电极、发光功能层和第二透射电极,得到有机电致发光器件;所述第一透射电极的材质为导电氧化物薄膜或金属金、银、铝、铂薄膜,所述第二透射电极的材质为金、银、铝、镁或其任意组合形成的合金薄膜,所述发光功能层至少包括依次层叠的空穴传输层、发光层和电子传输层,所述第一透射电极采用真空蒸发或磁控溅射的方式制备,所述发光功能层和第二透射电极采用真空蒸发的方式制备。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,进一步包括,采用丝网印刷的方式在所述第二透射电极表面制备第二光散射层,所述第二光散射层的材质包括纳米微球和聚合物材料,所述纳米微球为陶瓷或高分子材料颗粒,粒径为50~1500nm,所述聚合物材料为热固化的聚合物或者光固化的聚合物材料,所述第二光散射层的厚度为10~100μm。
8.如权利要求6或7所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述热固化的聚合物材料为热固化环氧树脂,所述光固化的聚合物材料为光固化丙烯酸树脂;所述陶瓷材料颗粒为二氧化硅或二氧化钛,所述高分子材料颗粒为聚苯乙烯微球。
9.如权利要求6或7所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述纳米微球与聚合物材料的质量比为10~50:100。
10.如权利要求6或7所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述丝网印刷的丝网目数为200~1000目。
CN201310210324.3A 2013-05-30 2013-05-30 一种有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN104218180A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310210324.3A CN104218180A (zh) 2013-05-30 2013-05-30 一种有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310210324.3A CN104218180A (zh) 2013-05-30 2013-05-30 一种有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104218180A true CN104218180A (zh) 2014-12-17

Family

ID=52099479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310210324.3A Pending CN104218180A (zh) 2013-05-30 2013-05-30 一种有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104218180A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108470845A (zh) * 2018-04-09 2018-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种oled发光器件及其制备方法、显示装置
CN109585685A (zh) * 2018-12-07 2019-04-05 纳晶科技股份有限公司 光取出结构、其制作方法及发光器件
CN112382732A (zh) * 2020-11-25 2021-02-19 合肥福纳科技有限公司 一种制作具有低的电子传输性能的电子导体的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060250084A1 (en) * 2005-05-04 2006-11-09 Eastman Kodak Company OLED device with improved light output
CN1942308A (zh) * 2004-05-26 2007-04-04 日产化学工业株式会社 面发光体
US20070257608A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Eastman Kodak Company Electroluminescent device having improved light output
WO2010122913A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Fujifilm Corporation Fine particle dispersion for light extraction member, coating composition, light extraction member, and organic electroluminescence display device
CN102487128A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 三星移动显示器株式会社 光散射基底、有机发光显示装置及它们的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1942308A (zh) * 2004-05-26 2007-04-04 日产化学工业株式会社 面发光体
US20060250084A1 (en) * 2005-05-04 2006-11-09 Eastman Kodak Company OLED device with improved light output
US20070257608A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Eastman Kodak Company Electroluminescent device having improved light output
WO2010122913A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Fujifilm Corporation Fine particle dispersion for light extraction member, coating composition, light extraction member, and organic electroluminescence display device
CN102487128A (zh) * 2010-12-06 2012-06-06 三星移动显示器株式会社 光散射基底、有机发光显示装置及它们的制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108470845A (zh) * 2018-04-09 2018-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种oled发光器件及其制备方法、显示装置
US10916606B2 (en) 2018-04-09 2021-02-09 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED light emitting device, preparation method thereof and display device
CN109585685A (zh) * 2018-12-07 2019-04-05 纳晶科技股份有限公司 光取出结构、其制作方法及发光器件
CN109585685B (zh) * 2018-12-07 2021-06-01 纳晶科技股份有限公司 光取出结构、其制作方法及发光器件
CN112382732A (zh) * 2020-11-25 2021-02-19 合肥福纳科技有限公司 一种制作具有低的电子传输性能的电子导体的方法
CN112382732B (zh) * 2020-11-25 2023-01-24 合肥福纳科技有限公司 一种降低电子导体的电子传输性能的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104218154A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN102162870B (zh) 高透明性起偏振片和包括该起偏振片的有机发光装置
KR101956954B1 (ko) 유기 발광 부품
CN104465995A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104218173A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124383A (zh) 柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN104518117A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218180A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104466010A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104425720A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104979491A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104979478A (zh) 柔性有机电致发光装置及其制备方法
CN104183746A (zh) 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104218171A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104466008A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN110473975A (zh) 一种交流驱动的双微腔顶发射白光有机电致发光器件
CN104218155A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104576936A (zh) 一种白光有机电致发光装置及其制备方法
CN104183711A (zh) 有机电致发光装置、显示屏及其终端
CN104183722A (zh) 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104465996A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104425767A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218179A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104681739A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183589A (zh) 一种白光有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141217

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication