CN104218166A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104218166A CN104218166A CN201310208084.3A CN201310208084A CN104218166A CN 104218166 A CN104218166 A CN 104218166A CN 201310208084 A CN201310208084 A CN 201310208084A CN 104218166 A CN104218166 A CN 104218166A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- hole
- auxiliary layer
- evaporation
- biphenyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述第一空穴注入辅助层的材质为二氧化钛或者五氧化钽,所述第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍。本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。本发明提供的一种有机电致发光器件的制备方法通过在导电阳极与空穴传输层中加入双层空穴注入辅助层,用于提高空穴的注入能力,使得利用该有机电致发光器件的制备方法制得的有机电致发光器件的驱动电流小和发光效率高。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(Organic light-emitting DeVices,简称OLEDs)是一种使用有机发光材料的多层发光器件,包括依次层叠的导电阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从导电阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO),电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。OLED因其具有发光效率高、制作工艺简单,以及易实现全色和柔性显示等特点,在照明和平板显示领域引起了越来越多的关注。
到目前为止,尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计,已使器件性能的各项指标得到了很大的提升,但是目前由于驱动发光器件的电流较大,导致了有机电致发光器件发光效率低,器件寿命低,为了实现有机电致发光器件的实用化,人们急于寻找一种驱动电流小,发光效率高的发光器件结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种驱动电流小和发光效率高的有机电致发光器件。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述第一空穴注入辅助层的材质为二氧化钛或者五氧化钽,所述第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍;所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺;所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
其中,所述第一空穴注入辅助层的厚度为3~10nm。
其中,所述第二空穴注入辅助层的厚度为5~15nm。
其中,所述发光层的材质为客体材料以质量比为1:100~15:100的比例掺杂在主体材料中的混合材料,或者荧光材料;所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱,二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、或者三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱;所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺;所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮;所述发光层的厚度为1~20nm。
其中,所述导电阳极的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物;所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
提供基板,在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极;
在所述导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层,所述第一空穴注入辅助层的材质为二氧化钛或者五氧化钽,所述第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s;
在所述第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层,所述第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍,所述第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s;
在所述第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极,得到有机电致发光器件,其中,
所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺;
所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;
所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
其中,所述第一空穴注入辅助层的厚度为3~10nm。
在所述提供基板,在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极的步骤中,溅镀制备所述导电阳极时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,加速电压为300~800V,功率密度10~40W/cm2。
其中,所述第二空穴注入辅助层的厚度为5~15nm。
其中,所述发光层的材质为客体材料以质量比为1:100~15:100的比例掺杂在主体材料中的混合材料、或者荧光材料;所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱,二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、或者三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱;所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺;所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮;所述发光层的厚度为1~20nm;所述发光层的蒸镀条件为:蒸镀压强为1×10-5~1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
其中,在所述提供基板,在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极的步骤中,所述导电阳极的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物,溅镀制备所述导电阳极时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,加速电压为300~800V,功率密度10~40W/cm2;所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
本发明提供的一种有机电致发光器件的制备方法通过在导电阳极与空穴传输层中加入双层空穴注入辅助层,用于提高空穴的注入能力,使得利用该有机电致发光器件的制备方法制得的有机电致发光器件的驱动电流小和发光效率高。其中,采用双层空穴注入辅助层结构,用双层空穴注入辅助层结构,第一空穴注入辅助层如TiO2和Ta2O5功函分别达到了5.1eV 和4.7eV,其与常用的ITO薄膜的功函4.7eV相当或者稍高,使空穴比较容易注入到这两种材料当中而不需要克服较多的势垒,因而注入效率较高。第二空穴注入辅助层采用P型半导体材料NiO,其功函达到了5.3eV,其与常用的空穴传输材料如NPB的HOMO能级5.4eV非常接近,因此有利于空穴从NiO注入到有机材料中。由于NiO与TiO2或者Ta2O5同属于金属氧化物,并且其晶型结构比较接近,且NiO属于P型半导体,空穴传输能力强,因此空穴从第一空穴注入辅助层传输到第二空穴注入辅助层比较容易,因而能够实现将空穴从导电阳极较高效的注入到有机材料中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图;
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图,对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极,导电阳极选用铟锡氧化物(ITO),在基板表面真空溅镀制备导电阳极,其中,
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-3 Pa,加速电压为300V,功率密度10W/cm2,溅镀厚度为70nm。
(2)在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层,第一空穴注入辅助层的材质为二氧化钛(TiO2),第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为3nm。
(3)在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层,第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍(NiO),第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为5nm。
(4)在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层,发光层,电子传输层,电子注入层以及阴极,得到有机电致发光器件,其中,
空穴传输层材质为NPB,蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为20nm。
发光层材质为Ir(ppy)3和TPBi的混合物,Ir(ppy)3与TPBi的质量比为10:100,蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为12nm;
电子传输层的材质为TPBi,蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为20nm;
电子注入层的材质为LiF,蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为0.5nm;
阴极的材质为Ag,蒸镀时采用的压强为1×10-3Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为70nm。
图1是本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图,本实施例制备的有机电致发光器件10,包括依次层叠的基板1、导电阳极2、第一空穴注入辅助层3、第二空穴注入辅助层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8和阴极9。具体结构表示为:
玻璃/ITO/TiO2 /NiO/NPB/ Ir(ppy)3:TPBi/TPBi/LiF/Ag。
制备得到有机电致发光器件10后,采用高真空镀膜系统测试,当启动电压为3.2V,有机电致发光器件10的发光亮度为1000cd/m2时,有机电致发光器件10的发光效率为12.1 lm/W。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极,导电阳极选用铟锌氧化物(IZO),在基板表面真空溅镀制备导电阳极,其中,
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-5Pa,加速电压为800V,功率密度40W/cm2,溅镀厚度为200nm。
(2)在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层,第一空穴注入辅助层的材质为五氧化钽(Ta2O5),第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为10nm。
(3)在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层,第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍(NiO),第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为15nm。
(4)在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层,发光层,电子传输层,电子注入层以及阴极,得到有机电致发光器件,其中,
空穴传输层材质为TPD,蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为60nm。
发光层材质为Ir(MDQ)2(acac)和NPB的混合物,Ir(MDQ)2(acac)与NPB的质量比为15:100,蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为20nm;
电子传输层的材质为Bphen,蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为60nm;
电子注入层的材质为CsF,蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa,蒸镀速率为5nm/s,蒸镀厚度为2nm;
阴极的材质为Ag,蒸镀时采用的压强为1×10-5Pa,蒸镀速率为5nm/s,蒸镀厚度为200nm。
本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电
子注入层和阴极。具体结构表示为:
玻璃/IZO/Ta2O5/NiO/TPD/ Ir(MDQ)2(acac):NPB/Bphen/CsF/Al。
制备得到有机电致发光器件后,采用高真空镀膜系统测试,当启动电压为3.5V,有机电致发光器件的发光亮度为1000cd/m2时,有机电致发光器件的发光效率为10.4 lm/W。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极,导电阳极选用铝锌氧化物(AZO),在基板表面真空溅镀制备导电阳极,其中,
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-4Pa,加速电压为600V,功率密度20W/cm2,溅镀厚度为100nm。
(2)在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层,第一空穴注入辅助层的材质为五氧化钽(Ta2O5),第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为5nm。
(3)在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层,第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍(NiO),第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为10nm。
(4)在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层,发光层,电子传输层,电子注入层以及阴极,得到有机电致发光器件,其中,
空穴传输层材质为2-TNATA,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为40nm。
发光层材质为DCJTB和Alq3的混合物,为DCJTB与Alq3的质量比为1:100,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为1nm;
电子传输层的材质为BCP,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为40nm;
电子注入层的材质为CsF,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为1nm;
阴极的材质为Al-Mg合金,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为100nm。
本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为:
玻璃/AZO/WO3/HAT-CN/2-TNATA/DCJTB: Alq3/BCP/CsF/Al-Mg。
制备得到有机电致发光器件后,采用高真空镀膜系统测试,当启动电压为3.5V,有机电致发光器件的发光亮度为1000cd/m2时,有机电致发光器件的发光效率为9.0lm/W。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供玻璃基板,在玻璃基板表面采用真空溅镀制备导电阳极,导电阳极选用镓锌氧化物(GZO),在基板表面真空溅镀制备导电阳极,其中,
溅镀制备导电阳极时的压强为1×10-4Pa,加速电压为600V,功率密度20W/cm2,溅镀厚度为120nm。
(2)在导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层,第一空穴注入辅助层的材质为二氧化钛(TiO2),第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为6nm。
(3)在第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层,第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍(NiO),第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为8nm。
(4)在第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层,发光层,电子传输层,电子注入层以及阴极,得到有机电致发光器件,其中,
空穴传输层材质为TCTA,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为40nm。
发光层材质为DPVBi,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为15nm;
电子传输层的材质为Alq3,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为0.5nm/s,蒸镀厚度为25nm;
电子注入层的材质为LiF,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为1nm;
阴极的材质为Ag-Mg合金,蒸镀时采用的压强为1×10-4Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为120nm。
本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为:
玻璃/GZO/TiO2/NiO/TCTA/DPVBi/Alq3/LiF/ Ag-Mg。
制备得到有机电致发光器件后,采用高真空镀膜系统测试,当启动电压为3.3V,有机电致发光器件的发光亮度为1000cd/m2时,有机电致发光器件的发光效率为7.21lm/W。
对比实施例
为体现为本发明的创造性,本发明还设置了对比实施例,对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中用材质为CuPc的空穴注入层取代第一空穴注入辅助层和第二空穴注入辅助层,对比实施例有机电致发光器件的具体结构为:
玻璃/ITO/CuPc/NPB/ Ir(ppy)3:TPBi/TPBi/LiF/Ag,依次与基板、导电阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极对应。
采用高真空镀膜系统测试,启动电压3.5V时,有机电致发光器件的发光亮度为1000cd/m2时的发光效率为8.7 lm/W。
效果实施例
采用电流-电压测试仪(美国Keithly公司,型号:2400)、色度计(日本柯尼卡美能达公司,型号:CS-100A)测试有机电致发光器件的电流密度随电压变化曲线,以考察器件的发光效率,测试对象为实施例1与对比实施例有机电致发光器件。
请参照图2,图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图。
从图中可以看出,在相同的驱动电压下,实施例1即采用双空穴注入辅助层,其驱动电流高于采用单有机材料CuPC作为空穴注入层的器件,如电压在6V时,实施例1得到的驱动电流密度为68.7 mA/cm2,而采用CuPc只得到了53.7 mA/cm2的驱动电流。使用双空穴注入辅助层更有利于空穴的注入过程。
以上是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的基板、导电阳极、第一空穴注入辅助层、第二空穴注入辅助层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述第一空穴注入辅助层的材质为二氧化钛或者五氧化钽,所述第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍;所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺;所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴注入辅助层的厚度为3~10nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二空穴注入辅助层的厚度为5~15nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材质为客体材料以质量比为1:100~15:100的比例掺杂在主体材料中的混合材料,或者荧光材料;所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱,二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、或者三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱;所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺;所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮;所述发光层的厚度为1~20nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述导电阳极的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物;所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下操作步骤:
提供基板,在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极;
在所述导电阳极表面真空蒸镀第一空穴注入辅助层,所述第一空穴注入辅助层的材质为二氧化钛或者五氧化钽,所述第一空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s;
在所述第一空穴注入辅助层表面真空蒸镀第二空穴注入辅助层,所述第二空穴注入辅助层的材质为氧化镍,所述第二空穴注入辅助层蒸镀时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s;
在所述第二空穴注入辅助层表面依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极,得到有机电致发光器件,其中,
所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、或者 4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺;
所述电子传输层的材质为 (8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉或者1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲;
所述电子注入层的材质为氟化锂或者氟化铯。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一空穴注入辅助层的厚度为3~10nm,在所述提供基板,在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极的步骤中,溅镀制备所述导电阳极时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,加速电压为300~800V,功率密度10~40W/cm2。
8.如权利要求4所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第二空穴注入辅助层的厚度为5~15nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述发光层的材质为客体材料以质量比为1:100~15:100的比例掺杂在主体材料中的混合材料、或者荧光材料;所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱,二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、或者三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱;所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、或者N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺;所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或5,6,11,12-四苯基萘并萘、或者二甲基喹吖啶酮;所述发光层的厚度为1~20nm;所述发光层的蒸镀条件为:蒸镀压强为1×10-5~1×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,在所述提供基板,在所述基板表面真空溅镀制备导电阳极的步骤中,所述导电阳极的材质为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物或者镓锌氧化物,溅镀制备所述导电阳极时的压强为1×10-5~1×10-3Pa,加速电压为300~800V,功率密度10~40W/cm2;所述阴极的材质为银、铝、 铝镁合金或者银镁合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310208084.3A CN104218166A (zh) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310208084.3A CN104218166A (zh) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104218166A true CN104218166A (zh) | 2014-12-17 |
Family
ID=52099465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310208084.3A Pending CN104218166A (zh) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104218166A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105140413A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-12-09 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、有机发光器件及其制备方法 |
WO2021029004A1 (ja) * | 2019-08-13 | 2021-02-18 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
US20220285646A1 (en) * | 2019-08-13 | 2022-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element and light emitting device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007005784A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 有機el素子 |
CN102315391A (zh) * | 2011-08-05 | 2012-01-11 | 创维液晶器件(深圳)有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN102769104A (zh) * | 2011-05-06 | 2012-11-07 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种柔性双面发光有机电致发光装置及其制备方法 |
-
2013
- 2013-05-30 CN CN201310208084.3A patent/CN104218166A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007005784A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 有機el素子 |
CN102769104A (zh) * | 2011-05-06 | 2012-11-07 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种柔性双面发光有机电致发光装置及其制备方法 |
CN102315391A (zh) * | 2011-08-05 | 2012-01-11 | 创维液晶器件(深圳)有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105140413A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-12-09 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、有机发光器件及其制备方法 |
CN105140413B (zh) * | 2015-09-11 | 2018-09-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、有机发光器件及其制备方法 |
WO2021029004A1 (ja) * | 2019-08-13 | 2021-02-18 | シャープ株式会社 | 発光素子及び発光装置 |
US20220285646A1 (en) * | 2019-08-13 | 2022-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element and light emitting device |
US20220352482A1 (en) * | 2019-08-13 | 2022-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103972413A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104218166A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104051639A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104218157A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104576954A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104218156A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104183718A (zh) | 有机电致发光装置及其制备方法 | |
CN104183763A (zh) | 倒置有机电致发光装置及其制备方法和应用 | |
CN104218153A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104733635A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104576943A (zh) | 有机电致发光装置及其制备方法 | |
CN104576949A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104183713A (zh) | 顶发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638164A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104183712A (zh) | 有机电致发光装置、显示屏及其终端 | |
CN104518145A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103904251B (zh) | 一种有机电致发光器件及制备方法 | |
CN104518106A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124384A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104218161A (zh) | 一种有机电致发光装置及其制备方法 | |
CN104218168A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638192A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103824954A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104733634A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104051661A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141217 |