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CN104183606A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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CN104183606A
CN104183606A CN201410387601.2A CN201410387601A CN104183606A CN 104183606 A CN104183606 A CN 104183606A CN 201410387601 A CN201410387601 A CN 201410387601A CN 104183606 A CN104183606 A CN 104183606A
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emitting diode
electrode
light
pixel
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沈武林
李延钊
方金钢
郭如旺
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。所述显示基板包括至少一个像素单元，其特征在于，所述像素单元包括位于有源驱动电路背板中的像素驱动电路，和设置在所述有源驱动电路背板上的发光二极管芯片；所述发光二极管芯片与所述像素驱动电路电连接。本发明通过在有源驱动电路背板上直接设置LED，实现有源矩阵LED显示；且由于其充分利用了LED较优的显示特性，相较于AMOLED不受有机发光材料寿命的限制，并具有更佳的色彩还原度。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)显示器已经广泛地应用于仪器、仪表以及家用电器的显示面板上，而市面上常见的LED显示器都只是采用了LED作为背光源的液晶电视，由于液晶面板本身不发光，而是利用电压使液晶分子转动以产生灰度，通过操控滤光片的明暗来决定画面的色彩。所以LED背光的液晶电视只是采用了条状或者点状的LED灯来提供背光，并没有充分利用到LED具有很高的色彩还原度这一特点。
另一方面，现有的AMOLED(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode，有源矩阵/有机发光二极管)面板主要利用OLED的有机层自发光来实现高反应速度、高亮度、高对比度、较广可视角度的有机体发光显示，但其在RGB(Red/Green/Blue，红/绿/蓝)三种颜色的显示准确度上仍不及LED；加上其所采用的有机体发光在使用寿命方面存在缺陷，所以很难实现高色彩还原度、高色彩均匀度的持久显示。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，通过在有源驱动电路背板上直接设置LED，实现有源矩阵LED显示。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
一种显示基板，包括至少一个像素单元，所述像素单元包括位于有源驱动电路背板中的像素驱动电路，和设置在所述有源驱动电路背板上的发光二极管芯片；所述发光二极管芯片与所述像素驱动电路电连接。
优选地，所述像素驱动电路用于根据外部控制信号向所述发光二极管芯片的电极输出相应的驱动电流；
所述发光二极管芯片用于根据从所述发光二极管芯片的电极输入的电流以相应的亮度发光。
优选地，所述发光二极管芯片通过粘附剂粘附在所述有源驱动电路背板上。
优选地，所述发光二极管芯片与所述有源驱动电路背板之间还设置有反射层。
优选地，所述发光二极管芯片的尺寸为微米级，包括红色发光二极管、绿色发光二极管或蓝色发光二极管。
优选地，所述红色发光二极管的基底材料为GaAs；所述绿色发光二极管的基底材料为SiC；所述蓝色发光二极管的基底材料为GaN。
优选地，所述发光二级管芯片和所述像素驱动电路上设置有平坦层。
优选地，所述平坦层中设置有过孔，所述平坦层上设置有导电层，所述导电层用于通过所述过孔实现所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路的电连接。
优选地，所述像素驱动电路包括薄膜晶体管。
优选地，所述薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管或者有机薄膜晶体管。
优选地，所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和电容，
所述第一薄膜晶体管的栅极连接外部扫描信号、第一电极连接外部数据信号、第二电极连接所述第二薄膜晶体管的栅极及所述电容的第一端；
所述第二薄膜晶体管的第一电极连接所述电容的第二端及所述发光二极管芯片中发光二极管的阳极、第二电极连接电源电压；
所述第一电极与所述第二电极分别为薄膜晶体管的源极与漏极，或者，所述第一电极与所述第二电极分别为薄膜晶体管的漏极与源极。
一种显示装置，所述显示装置包括上述任意一种显示基板。
一种显示基板的制造方法，所述显示基板包括至少一个像素单元，所述像素单元包括像素驱动电路和发光二极管芯片，该方法包括：
形成有源驱动电路背板，所述有源驱动电路背板中包括所述像素驱动电路；
在所述有源驱动电路背板上形成粘附层，并对应所述像素单元的区域将所述发光二极管芯片粘结在所述有源驱动电路背板上；
形成所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路之间的电连接。
优选地，所述在所述有源驱动电路背板上形成所述粘附层之前，还包括：
在所述有源驱动电路背板上形成反射层。
优选地，在粘附好所述发光二极管芯片之后，还包括：
在不影响显示基板中的薄膜晶体管和发光二极管的特性的情况下，进行低温退火固化。
优选地，所述形成所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路之间的电连接包括：
在所述发光二极管芯片和所述像素驱动电路上形成平坦层；
在平坦层中形成过孔；
在所述平坦层上形成导电层，所述导电层用于通过所述过孔实现所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路的电连接。
(三)有益效果
本发明至少具有如下的有益效果：
通过在有源驱动电路背板上直接设置LED芯片，实现有源矩阵LED显示，基于LED电致发光的显示原理，显示基板和有源矩阵LED显示装置就可以具有由LED优异特性所带来较佳的显示效果。
另外，相比较OLED而言LED对RGB三色的显示更为准确，因而将LED作为显示器件时显示装置可以达到更高的色彩还原度；而且，无机LED不受有机发光材料寿命的限制，较为持久耐用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中一种显示基板的像素结构示意图；
图2是本发明一实施例中一种像素驱动电路的电路图；
图3(a)是本发明一实施例中一种显示基板上每个像素单元在像素驱动电路处的纵向截面图(第二薄膜晶体管附近)；
图3(b)是本发明一个实施例中一种显示基板上每个像素单元在像素驱动电路处的纵向截面图(第一薄膜晶体管附近)；
图4是本发明一个实施例中一种显示基板上每个像素单元在LED芯片处的纵向截面图；
图5是本发明一个实施例中一种显示基板的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明实施例提出了一种显示基板，参见图1，所述显示基板包括至少一个像素单元Pixel，所述像素单元Pixel包括位于有源驱动电路背板中的像素驱动电路A2，和设置在所述有源驱动电路背板上的发光二极管芯片(LED芯片)A1；所述LED芯片A1与所述像素驱动电路A2电连接。
其中，像素驱动电路A2用于根据外部控制信号(例如图中所示的Gate、Data和VDD)向所述LED芯片A1的电极(电极对应图1中A1区域内的实心点与空心点)输出相应的驱动电流。而所述LED芯片A1则用于根据从所述LED芯片A1的电极输入的电流以相应的亮度发光。
当然，图1中所示的4×4像素单元阵列仅是一种示例，其数量、形状、排列方式、像素驱动电路结构等等上面没有描述到的特征均可以参照本实施例进行等同替换，且这些替换并不使技术方案脱离本实施例的精神和范围。
可见，位于像素单元Pixel的LED芯片A1可以在从电极输入的驱动电流的驱动下以相应的亮度发光，即本实施例通过像素驱动电路A2来控制驱动LED发光的电流大小，利用显示基板实现了LED的发光控制，因而可以将其制作成有源矩阵LED显示面板或显示装置，且由于其充分利用了LED较优的显示特性，相较于AMOLED不受有机发光材料寿命的限制，并具有更佳的色彩还原度。
其中，如图1所示像素驱动电路A2在每个像素单元Pixel中的电路图如图2所示，可见所述像素驱动电路A2包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和电容C(另外图中以LED表示LED芯片A1中的LED发光元件)，其中：
所述第一薄膜晶体管T1的栅极连接外部扫描信号Gate、第一电极连接外部数据信号Data、第二电极连接所述第二薄膜晶体管T2的栅极及所述电容C的第一端；所述第二薄膜晶体管T2的第二电极连接电源电压VDD、第一电极连接所述电容C的第二端及所述LED芯片A1中发光二极管LED的阳极。
其中，所述第一电极与所述第二电极分别为薄膜晶体管的源极与漏极，对应于T1与T2属于N沟道型的薄膜晶体管的情形。在T1与T2属于P沟道型的薄膜晶体管时，所述第一电极与所述第二电极分别为薄膜晶体管的漏极与源极。
该2T1C的像素驱动电路A2可以在外部扫描信号Gate、外部数据信号Data和电源电压VDD的控制下向LED提供驱动电流，即完成显示基板对每个LED的发光控制，且该电路结构简单、易于实现。当然，为取得较佳的显示效果，还可以在像素驱动电路A2中添加如具有补偿TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阈值电压功能的模块或同等结构或采用其他结构的像素驱动电路，其在现有技术中有多种实现方式，在此不再赘述；当然这些添加或同等替换显然是不脱离本实施例的精神和范围的。
以该2T1C的像素驱动电路A2为例，显示基板上每个像素单元Pixel在像素驱动电路A2处的纵向结构如图3(a)(第二薄膜晶体管T2)和图3(b)(第一薄膜晶体管T1)所示。可见，有源驱动电路背板301上形成有栅极302、栅绝缘层303、半导体有源层304、刻蚀阻挡层305、T2的源极306、T2的漏极307、T1的漏极(或漏极引线)308、T1的源极312、钝化层309、平坦层310和导电层(例如可以采用透明导电材料氧化铟锡ITO形成)311。
优选地，所述薄膜晶体管的栅极308、源极或漏极(306、307、308、312)的形成材料为Cu、Al、Mo、Nd、Ag或者这几种元素以任意组合形成的合金，作为形成TFT栅极、源极和漏极的导电材料，其首先可以满足导电性能，其次易于成膜，耐久性良好，有利于制作工艺的简化和成本的降低。
优选地，所述栅绝缘层203和刻蚀阻挡层305的形成材料为Si的氧化物、氮化物或者氮氧化物。其可以阻挡电流从其中通过，即具有较好的绝缘特性，同时易于形成、成本较低。
优选地，所述半导体有源层304的形成材料为非晶硅、多晶硅、氧化物或者有机半导体。对应于不同的半导体形成材料，TFT也归属于不同的类型——氧化物薄膜晶体管(对应氧化物半导体)、非晶硅薄膜晶体管(对应于非晶硅a-Si)、低温多晶硅薄膜晶体管(对应于多晶硅p-Si)或者有机薄膜晶体管。对于不同种类的TFT，制作工艺和信号极性会会有所不同，其属于现有技术，在此不再赘述。进一步地，所述氧化物半导体为In、Ga、Zn、Sn、Tl中任意一种元素的氧化物或者氮氧化物，或者这几种元素以任意组合形成的氧化物或者氮氧化物。例如ZnO、CdO、SnO2、非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)、AlCaN、GaN、InAlN等等。
采用如上所述的像素驱动电路结构，可以实现对LED的驱动电流输出功能，同时其与现有的显示面板制作工艺相适应，易于实现。当然，在采用其他像素驱动电路时也可以参照该纵向结构进行TFT电路的纵向结构设计，其显然不脱离本发明实施例技术方案的精神和范围。
另一方面，像素单元Pixel中的LED芯片A1处的纵向结构参见图4，在有源驱动电路背板301上形成有反射层401、粘附层402、LED基底403、LED中的n型半导体404、n型半导体所接电极405、LED中的p型半导体406、p型半导体所接电极407、平坦层(310、408、409)和导电层(311、410)。图4中包括上述T2的源极306、平坦层310和导电层311，与图3(a)中的标注一致。其中，LED基底403、LED中的n型半导体404、n型半导体所接电极405、LED中的p型半导体406、p型半导体所接电极407组成了LED芯片A1。因此，图4中包括了像素驱动电路A2的一部分，也包括了LED芯片A1，意在展示一种像素驱动电路A2与LED芯片A1的电连接方式实例，其优选特征如下所述：
优选地，所述LED芯片A1通过粘附剂(位于所述粘附层402中)粘附在所述有源驱动电路背板301上。这样的设计可以使得在制作显示基板时直接将可以作为单独产品的LED芯片以阵列状粘附的方式形成，简单方便。
优选地，在所述LED芯片A1与所述有源驱动电路背板301之间还设置有反射层401。所述反射层401可以反射可见光波段的光线，该设计可以将LED向背光侧漏出的光线反射回出光侧，因而可以提高显示的亮度。
优选地，所述LED芯片A1的尺寸为微米级，包括红色LED、绿色LED或蓝色LED。这里将红色、绿色、蓝色LED芯片分别作为一个显色像素的三个单色子像素，并分别由三个像素驱动电路来进行驱动，因而可以完成RGB输入下的彩色显示。更优选地，所述红色LED的基底403材料为GaAs；所述绿色LED的基底403材料为SiC；所述蓝色LED的基底403材料为GaN。具体在形成LED结构时，三种颜色的LED的基底403材料和半导体(404、406)材料都不相同，因此要分别沉积形成。
在形成好LED结构(LED基底403、LED中的n型半导体404、n型半导体所接电极405、LED中的p型半导体406和p型半导体所接电极407)之后，需要实现所述LED芯片A1的电极(405、407)与所述像素驱动电路A2的电连接。因此，优选地在所述发光二级管芯片的两个电极之间(如409)、以及所述LED芯片A1与所述像素驱动电路A2之间(如408)设置有采用绝缘材料形成的平坦层。而且，在所述平坦层中设置有过孔(位置对应于LED的两个电极和像素驱动电路A2的引出位置，如405与306)，在所述像素单元Pixel的所述LED芯片A1与所述像素驱动电路A2之间的平坦层408上设有导电层311，用于通过上述过孔实现所述LED芯片A1的电极与所述像素驱动电路A2的电连接。
参见图3(a)中的平坦层310及导电层311可知，上述电连接主要是在电极上方或TFT的源/漏极上方形成过孔，并在过孔上设置导电层，使得电极与TFT的源/漏极通过该导电层实现电连接。该设计与现有显示面板制造工艺相适应，一般可以采用氧化铟锡ITO(透明导电材料)来形成该导电层，可以降低成本。需要指出的是，也可以先在LED芯片A1的电极和连接电极之间形成电连接，再使连接电极与TFT的源/漏极形成电连接，从而可以使LED芯片A1与TFT的源/漏极通过连接电极而形成电连接。
基于上述结构和连接关系，即可实现有源驱动电路背板通过像素驱动电路对每个LED的发光控制。可见，应用该显示基板就可以形成有源矩阵LED显示装置。由于采用了基于LED电致发光的显示原理，上述显示基板和有源矩阵LED显示装置就会具备LED优异特性所带来较佳的显示效果。
作为其中的一个方面，相比较OLED而言LED对RGB三色的显示更为准确，因而将LED作为显示器件时显示装置可以达到更高的色彩还原度；而且，无机LED不受有机发光材料寿命的限制，较为持久耐用。
实施例2
基于相同的发明构思，本发明实施例提出了一种显示装置，该显示装置包括实施例1中所述的任意一种显示基板，该显示装置可以为：AMLED(Active Matrix/Light Emitting Diode，有源矩阵/发光二极管)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
由于本发明实施例提供的显示装置与实施例1所提供的任意一种显示基板具有相同的技术特征，所以也能解决同样的技术问题，产生相同的技术效果。
实施例3
针对实施例1所提出的显示基板，本发明实施例提出一种显示基板的制造方法，所述显示基板包括至少一个像素单元，所述像素单元包括像素驱动电路和LED芯片，参见图5所示出的方法流程，该方法包括：
步骤501：形成有源驱动电路背板，所述有源驱动电路背板中包括所述像素驱动电路；
步骤502：在所述有源驱动电路背板上形成粘附层，并对应所述像素单元的区域将所述发光二极管芯片粘结在所述有源驱动电路背板上；
步骤503：形成所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路之间的电连接。
参见图4所示的纵向结构，该制造方法中形成有源驱动电路背板301，其中包括形成与像素单元Pixel对应的像素驱动电路A2(包括薄膜晶体管T1、T2的形成、电容C的形成以及各连接线的形成)，然后在所述有源驱动电路背板301上形成粘附层402，并对应所述像素单元Pixel的区域将所述LED芯片(包括LED基底403、LED中的n型半导体404、n型半导体所接电极405、LED中的p型半导体406和p型半导体所接电极407)粘结在所述有源驱动电路背板301上，最后一同进行封装(包括平坦层和导电层的形成)，该方法对应于实施例1所提出的显示基板，同时与现有制造工艺相适应，简便易行。
优选地，所述LED芯片包括红色LED、绿色LED或蓝色LED(即每个像素包括三色LED芯片的情形)，所述在有源驱动电路背板的像素单元中形成像素驱动电路包括：对应于红色LED、绿色LED和蓝色LED，分别形成像素驱动电路，用于根据外部控制信号分别红色LED、绿色LED和蓝色LED的电极输出对应的驱动电流，即分别设定像素驱动电路进行独立控制，以精确地实现特定颜色的显示。
优选地，所述步骤502中，在所述有源驱动电路背板上形成所述粘附层之前，还包括：在所述有源驱动电路背板上形成反射层。所述反射层可以反射可见光波段的光线，与上面描述的一致，该设计可以将LED向背光侧漏出的光线反射回出光侧，因而可以提高显示的亮度。
优选地，所述步骤502中，在粘附好所述LED芯片之后，还包括：在不影响显示基板中的薄膜晶体管和LED的特性的情况下，进行低温退火固化。
更优选地，所述步骤503：形成所述LED芯片的电极与所述像素驱动电路之间的电连接包括：在所述LED芯片和/或所述像素驱动电路上以绝缘材料形成平坦层；通过曝光显影在所述LED芯片的电极上方及像素驱动电路的对应位置上方的平坦层中形成过孔；在所述平坦层上形成导电层，用于通过所述过孔实现所述LED芯片的电极与所述像素驱动电路的电连接。具体结构可以参见图3(a)和图4中的平坦层310和导电层311，以及图4中的平坦层408和导电层311、图4中的平坦层409和导电层410。该设计与现有显示面板制造工艺相适应，一般可以采用例如为氧化铟锡ITO的透明导电材料来形成该导电层，可以降低成本。
可见，本发明实施例提出的显示基板的制造方法与实施例1所提出的任意一种显示基板的结构相对应，同时与现有显示面板制造工艺相适应，实现简单，造价低廉。
综上所述，本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，本发明主要通过在有源驱动电路背板上直接设置LED，实现对每个LED的单独控制，因而可以形成有源矩阵LED显示装置；且由于其充分利用了LED较优的显示特性，相较于AMOLED不受有机发光材料寿命的限制，并具有更佳的色彩还原度。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (16)

1.一种显示基板，包括至少一个像素单元，其特征在于，所述像素单元包括位于有源驱动电路背板中的像素驱动电路，和设置在所述有源驱动电路背板上的发光二极管芯片；所述发光二极管芯片与所述像素驱动电路电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路用于根据外部控制信号向所述发光二极管芯片的电极输出相应的驱动电流；
所述发光二极管芯片用于根据从所述发光二极管芯片的电极输入的电流以相应的亮度发光。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述发光二极管芯片通过粘附剂粘附在所述有源驱动电路背板上。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述发光二极管芯片与所述有源驱动电路背板之间还设置有反射层。
5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述发光二极管芯片的尺寸为微米级，包括红色发光二极管、绿色发光二极管或蓝色发光二极管。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述红色发光二极管的基底材料为GaAs；所述绿色发光二极管的基底材料为SiC；所述蓝色发光二极管的基底材料为GaN。
7.根据权利要求2至6中任意一项所述的显示基板，其特征在于，所述发光二级管芯片和所述像素驱动电路上设置有平坦层。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述平坦层中设置有过孔，所述平坦层上设置有导电层，所述导电层用于通过所述过孔实现所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路的电连接。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路包括薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管或者有机薄膜晶体管。
11.根据权利要求9或10所述的所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和电容，
所述第一薄膜晶体管的栅极连接外部扫描信号、第一电极连接外部数据信号、第二电极连接所述第二薄膜晶体管的栅极及所述电容的第一端；
所述第二薄膜晶体管的第一电极连接所述电容的第二端及所述发光二极管芯片中发光二极管的阳极、第二电极连接电源电压；
所述第一电极与所述第二电极分别为薄膜晶体管的源极与漏极，或者，所述第一电极与所述第二电极分别为薄膜晶体管的漏极与源极。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至11中任意一项所述的显示基板。
13.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板包括至少一个像素单元，所述像素单元包括像素驱动电路和发光二极管芯片，该方法包括：
形成有源驱动电路背板，所述有源驱动电路背板中包括所述像素驱动电路；
在所述有源驱动电路背板上形成粘附层，并对应所述像素单元的区域将所述发光二极管芯片粘结在所述有源驱动电路背板上；
形成所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路之间的电连接。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述在所述有源驱动电路背板上形成所述粘附层之前，还包括：
在所述有源驱动电路背板上形成反射层。
15.根据权利要求13或14所述的制造方法，其特征在于，在粘附好所述发光二极管芯片之后，还包括：
在不影响显示基板中的薄膜晶体管和发光二极管的特性的情况下，进行低温退火固化。
16.根据权利要求13或14所述的制造方法，其特征在于，所述形成所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路之间的电连接包括：
在所述发光二极管芯片和所述像素驱动电路上形成平坦层；
在平坦层中形成过孔；
在所述平坦层上形成导电层，所述导电层用于通过所述过孔实现所述发光二极管芯片的电极与所述像素驱动电路的电连接。
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