CN104170079A - 半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法,用于提高半导体装置的散热性。通过紧固连接半导体装置10与散热部件80,从而半导体装置10,相对于散热部件80以收纳区域51的边缘部52为支点,图中向下的力从金属基板40作用于散热部件80。据此,金属基板40与散热部件80之间的热传导材料81扩展得更薄,金属基板40与散热部件80之间的散热性提高。而且,扩展到金属基板40的外侧的热传导材料81填埋金属基板40的周围,金属基板40的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热部件80的半导体装置10的散热性提高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法。
背景技术
搭载了功率半导体芯片的电力转换用元件等的半导体模块(半导体装置)的散热片等散热部件被设置于半导体模块的金属基板,由半导体芯片产生的热通过散热部件被散放(例如,参照专利文献1)。如此能够抑制半导体模块的温度上升。
在针对半导体模块设置散热片时,预先在该散热片或半导体模块的金属基板涂布导热脂等热传导材料。热传导材料由有机物构成,若涂布厚度过厚,则散热性减弱,所以优选尽可能较薄地涂布。涂布这样的热传导材料后,如果利用螺钉将散热片紧固连接到半导体模块的金属基板,则能够在半导体元件的正下方,即在散热片的中心部产生使热传导材料的厚度变薄的力。据此,通过缩短金属基板与散热片之间的距离,从而热传导材料扩展得较薄,能够进一步提高由半导体元件产生的热的散热性(例如,参照专利文献2)。
另外,除了像专利文献2那样改变金属基板(金属基底)的厚度方向的形状而减薄热传导材料的技术以外,还可以利用金属掩模来控制形状、厚度而涂布热传导材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-363521号公报
专利文献2:日本特开2000-058727号公报
发明内容
技术问题
然而,在专利文献2中,为了改变金属基底的厚度方向的形状,对于金属基底,需要形成突起、安装孔等,另外,即便是使用金属掩模的方法也需要准备掩模。如此,这些方法耗费形成时间和准备时间,且制造成本增大。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,目的在于提供通过与上述不同的构成而提高了散热性的半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法。
技术方案
为了解决上述课题,提供一种半导体装置,是具备半导体元件且设置有散热部件的半导体装置,具有:电路基板,其在一侧的主面设置有上述半导体元件;金属基板,其被设置于上述电路基板的另一侧的主面;和收纳部件,其具备:具有凹状的主面和以使上述金属基板从上述凹状的主面突出的方式收纳上述电路基板的配置于上述凹状的主面的内侧的开口部的收纳区域,以及用于供螺钉部件通过的在上述凹状的主面开口的螺纹孔,所述螺钉部件被设置为隔着热传导材料与收纳的上述电路基板的上述金属基板对置的上述散热部件螺合。
为了解决上述课题,提供这样的向半导体装置安装散热部件的方法、这样的半导体装置的制造方法。
有益效果
根据这样的半导体装置、针对半导体装置的安装散热部件的方法和半导体装置的制造方法,半导体装置的散热性提高。
本发明的上述和其它目的、特征和优点通过与表示作为本发明的例子而优选的实施方式的附图相关的以下说明会变得清楚。
附图说明
图1是用于说明第一实施方式的半导体装置和针对半导体装置的安装散热部件的方法的图。
图2是用于说明第二实施方式的半导体装置的图。
图3是用于说明针对第二实施方式的半导体装置的安装散热片的方法的图。
图4是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
图5是用于说明第二实施方式的另一半导体装置的图。
符号说明
10 半导体装置
20 半导体元件
30 电路基板
40 金属基板
50 收纳部件
51 收纳区域
51a 主面
52 边缘部
53 螺纹孔
54 开口部
55 树脂
70 螺钉部件
80 散热部件
81 热传导材料
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行说明。
[第一实施方式]
图1是用于说明第一实施方式的半导体装置和针对半导体装置的安装散热部件的方法的图。
半导体装置10具备半导体元件20。半导体装置10被设置于散热部件80而被使用。在半导体装置10被设置于散热部件80时,热传导材料81在半导体元件20的下部的金属基板40与散热部件80之间被均匀地扩展得较薄。据此,在半导体装置10中,能够使半导体元件20的热从金属基板40传导到散热部件80,热传导性提高。
如图1(A)所示,这样的半导体装置10具备在一侧的主面设置有半导体元件20的电路基板30和被设置于电路基板30的另一侧的主面的金属基板40。
而且,半导体装置10具备收容电路基板30的收纳部件50。收纳部件50是框架(O字)状或框状的部件,具有收纳区域51,所述收纳区域51具备凹状的主面51a(图中下侧)和配置于该凹状的主面51a的内侧的开口部54。收纳部件50还具有贯穿凹状的主面51a和与其对置的主面(图中上侧)之间的螺纹孔53。开口部54使金属基板40从凹状的主面突出而收纳电路基板30。在螺纹孔53插入有螺钉部件70(后述),螺钉部件70被螺合到与收纳的电路基板30的金属基板40对置并隔着热传导材料81而设置的散热部件80。凹状的主面51a由相对于与主面51a对应的主面(图中上侧)倾斜的平面或曲面构成,配置于螺纹孔53的外侧的收纳区域51的边缘部52以朝向散热部件80突出的方式形成。螺纹孔53以轴与收纳部件50的上表面大致垂直的方式形成。应予说明,如此收纳于收纳部件50的收纳区域51的电路基板30与半导体元件20一起被树脂55密封。
对在散热部件80设置具有这样的构成的半导体装置10的安装方法进行说明。
首先,在散热部件80侧的金属基板40所接触的区域配置预定的量的热传导材料81(图1(A))。应予说明,热传导材料81也可以配置在金属基板40侧。另外,热传导材料81是通常使用的导热脂(导热膏)等。
将如此设置有热传导材料81的散热部件80与半导体装置10固定。此时,散热部件80被半导体装置10的收纳部件50的收纳区域51的边缘部52支撑。另外,热传导材料81被散热部件80与半导体装置10的金属基板40夹着而扩展(图1(B))。
从半导体装置10的收纳部件50的螺纹孔53插入螺钉部件70,将插入的螺钉部件70螺合于散热部件80而紧固连接半导体装置10与散热部件80(图1(C))。
此时,在半导体装置10中,相对于散热部件80而以收纳区域51的边缘部52为支点,向金属基板40的中心部施加力,图中向下的力从金属基板40作用于散热部件80。如此通过金属基板40与散热部件80的距离靠近,从而热传导材料81扩展得更薄。因此,金属基板40与散热部件80之间的散热性提高。而且,热传导材料81向金属基板40的外侧扩展而填埋金属基板40的周围。因此,金属基板40的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。
如此,在上述半导体装置10中,具有半导体元件20、在一侧的主面设置有半导体元件20的电路基板30、被设置于电路基板30的另一侧的主面的金属基板40、主面51a具备凹状的开口部的收纳区域51和螺纹孔53的收纳部件50。对于半导体装置10而言,在收纳部件50的收纳区域51使金属基板40从凹状的主面51a突出而收纳电路基板30,收纳的电路基板30与半导体元件20一起被树脂55密封。隔着热传导材料81而将该半导体装置10的金属基板40和散热部件80固定,从收纳部件50的螺纹孔53插入螺钉部件70,将插入的螺钉部件70螺合于散热部件80而紧固连接半导体装置10与散热部件80。
通过如此紧固连接半导体装置10与散热部件80,从而在半导体装置10中,以收纳区域51的边缘部52为支点,从收纳部件50向金属基板40的中心部施加力,图中向下的力从金属基板40作用于散热部件80。据此,金属基板40与散热部件80之间的热传导材料81扩展得更薄,金属基板40与散热部件80之间的散热性提高。而且,扩展到金属基板40的外侧的热传导材料81填埋金属基板40的周围,金属基板40的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热部件80的半导体装置10的散热性提高。
[第二实施方式]
在第二实施方式中,例举更具体的情况对第一实施方式的半导体装置进行说明。
图2是用于说明第二实施方式的半导体装置的图。
应予说明,图2(A)表示半导体装置100的背面(安装有散热片的一侧)的俯视图,图2(B)表示图2(A)的单点划线X-X处的半导体装置100的截面图,图2(C)表示图2(A)的单点划线Y-Y处的半导体装置100的截面图。
半导体装置100具备多个半导体元件200、设置有多个半导体元件200的电路基板300、设置于电路基板300的由铝构成的基底基板400。
电路基板300由绝缘基板310和电路层320构成,所述电路层320是由形成在绝缘基板310上的铜等金属箔形成的电路图案。
而且,半导体装置100具有收纳区域510,所述收纳区域510具备凹状的主面511和开口部540,并且在收纳区域510的上部具备形成有外部端子560的树脂壳体500。树脂壳体500的主面511为漏斗形或球形,并向内侧凹陷。应予说明,在图2(C)中省略外部端子560的图示。树脂壳体500例如由被玻璃纤维强化的环氧树脂、PPS(聚苯硫醚)树脂构成。另外,螺纹孔530被形成在从树脂壳体500的边缘部520到开口部540之间。螺纹孔530隔着开口部540而分别对置地形成。螺纹孔530的直径形成为比螺钉700的直径稍大。优选每个螺纹孔530的形状为长边或沿连结两个螺纹孔530的(单点划线X-X的)方向的长方形或长轴沿该方向的椭圆形。螺纹孔530的数目不限于两处,可以根据需要形成三处以上。在该树脂壳体500,在收纳区域510使基底基板400朝向图中下侧而收纳有电路基板300。另外,如此收纳的电路基板300的半导体元件200和电路层320与树脂壳体500的外部端子560通过铝线210进行电连接,它们被密封树脂550密封。密封树脂550例如可以使用柔软的凝胶状树脂。当在密封树脂550中使用凝胶状树脂时,需要有覆盖该凝胶状树脂的环氧树脂等高硬度的盖。另外,作为密封树脂550,也可以进行基于以环氧树脂为主成分的高硬度的树脂铸造的树脂密封。
应予说明,如图2(B)、(C)所示,基底基板400的最下部(顶点部)向下凸出,成为向图中下侧突出的形状(山型)。另外,基底基板400的顶点部的高度成为被完全收纳到树脂壳体500的凹状的收纳区域510内那样的高度尺寸。
利用图3说明针对这样的半导体装置100的安装散热片800的方法。
图3是用于说明针对第二实施方式的半导体装置的安装散热片的方法的图。
应予说明,图3(A)表示针对第二实施方式的半导体装置100安装散热片800,图3(B)表示针对半导体装置100a安装散热片800。另外,在图3中,省略配置于基底基板400与散热片800之间的热传导材料的记载。
首先,在散热片800侧的半导体装置100的固定侧的大致中心区域配置导热脂(省略图示)作为预定的量的热传导材料,在该散热片800以基底基板400与该导热脂对置的方式设置半导体装置100。
将螺钉700插入到半导体装置100的树脂壳体500的螺纹孔530,使螺钉700与散热片800螺合而紧固连接半导体装置100与散热片800(图3(A))。
此时,在半导体装置100中,当通过螺合于散热片800的螺钉700而朝向图中下方施加力时,支撑散热片800的收纳区域510的边缘部520成为支点,力朝向基底基板400的中心部施加。据此,图中向下的力从基底基板400作用于散热片800。
而且,因为半导体装置100的基底基板400的最下部(顶点部)形成朝向下方凸出的形状,所以能够对于基底基板400与散热片800之间的导热脂(的中心部附近)施加比周围大的压力。因此,能够进一步减薄与基底基板400的中心部的下方区域的导热脂的厚度,并且能够向外侧扩展导热脂。扩展后的导热脂能够在根据收纳区域510的边缘部520而不向收纳区域510外漏出的情况下在收纳区域510内填充而填埋基底基板400的周围。
应予说明,在用螺钉700连接半导体装置100与散热片800时,由于螺纹孔530的直径形成为比螺钉700的直径稍大,因此即使在散热片800对象产生位置偏移也能够可靠地用螺钉700螺合散热片800。
为了与针对这样的半导体装置100安装散热片800相比较,利用图3(B)对向树脂壳体的一侧的主面511不为凹状的半导体装置安装散热片进行说明。
对于半导体装置100a而言,如图3(B)所示,在半导体装置100中,针对一侧的主面511a不为凹状而为平坦的树脂壳体1500设有电路基板300。
对于这样的半导体装置100a,与半导体装置100同样地通过贯穿树脂壳体1500的螺纹孔1530的螺钉700来紧固连接散热片800。此时,半导体装置100a受到来自螺合的螺钉700的图中向下的力而基底基板400受到来自散热片800的图中向上的力。因此,对于半导体装置100a而言,图中向下的力作用于比基底基板400的中心部更靠近周边的周边部侧。
由这样的情况可知,与半导体装置100a相比,半导体装置100能够对散热片800通过图中向下而施加大的压力。因此,在半导体装置100中,能够向基底基板400的下方的导热脂施加大的压力,基底基板400与散热片800之间的导热脂能够扩展得较薄。
如此,在上述半导体装置100中,具备半导体元件200、在一侧的主面(图中上侧)设置有半导体元件200的电路基板300、被设置于电路基板300的另一侧的主面(图中下侧)的基底基板400、以及树脂壳体500。所述树脂壳体500具备一侧的主面511成为凹状而形成有开口部540的收纳区域510,且形成有螺纹孔530。对于半导体装置100,在树脂壳体500的收纳区域510使基底基板400从凹状的主面511突出而收纳电路基板300,收纳的电路基板300(的另一侧的主面(图中上侧)侧)与半导体元件200一起被密封树脂550密封。隔着导热脂而将该半导体装置100与基底基板400和散热片800固定,从树脂壳体500的螺纹孔530插入螺钉700,将插入的螺钉700螺合于散热片800而紧固连接半导体装置100与散热片800。
通过如此紧固连接半导体装置100与散热片800,在半导体装置100中,以收纳区域510的边缘部520为支点而从收纳部件500向基底基板400的中心部施加力,图中向下的力从凸状的基底基板400向下作用于散热片800。据此,基底基板400与散热片800之间的导热脂扩展得更薄,基底基板400与散热片800之间的散热性提高。而且,扩展到基底基板400的外侧的导热脂填埋基底基板400的周围,基底基板400的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热片800的半导体装置100的散热性提高。
另外,通过使螺纹孔530的形状为长方形或椭圆形,从而容易使从收纳部件500向基底基板400施加的力的方向一致。
接着,利用图4对这样的半导体装置100的制造方法进行说明。
图4是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的图。
应予说明,图4(A)是半导体装置100的背面(安装散热片800)侧的俯视图。图4(B)~(D)分别表示各制造工序中的图4(A)的树脂壳体500的虚线A-A(上侧的图)和基底基板400的双点划线B-B(下侧的图)处的弯曲量。图4(B)~(D)的纵轴表示弯曲量[μm],横轴与树脂壳体500的虚线A-A与基底基板400的长度方向的位置对应而表示。
首先,准备长43mm×宽26mm×厚3.6mm左右、螺纹孔530的间隔36mm的预先弯曲而底面侧的主面成为凹状的状态的树脂壳体500。另外,准备焊接有作为半导体元件200的例如开关元件(省略图示)等的长30mm×宽13mm左右的设置有同样预先弯曲的状态的基底基板400的电路基板300(省略图示)。组装准备好的树脂壳体500与电路基板300。组装时,在树脂壳体500的收纳区域510使基底基板400朝向外侧(设置有散热片800的一侧)。
此时,如图4(B)所示,树脂壳体500为凹状且其最大弯曲量(上侧的图中的箭头的范围)为153μm左右,基底基板400也与树脂壳体500同向地弯曲,其最大弯曲量(下侧的图中的箭头的范围)为23μm左右。
接着,用粘接剂粘接如此安装的电路基板300与树脂壳体500。应予说明,作为粘接剂,可以使用环氧树脂、有机硅树脂等。此时,如图4(C)所示,树脂壳体500的最大弯曲量为235μm左右弯曲,基底基板400也与树脂壳体500同向地弯曲,其最大弯曲量为30μm左右。
对于如此收纳于树脂壳体500的收纳区域510而粘接的电路基板300,用密封树脂550密封半导体元件200和铝线210(例如,参照图2(B))。此时的树脂壳体500的最大弯曲量如图4(D)所示为126μm左右。另一方面,对于基底基板400,通过利用密封树脂550向散热片800的安装侧进行按压,从而在与树脂壳体500相反的方向发生弯曲,其弯曲量为45μm左右。
如上所述,使预先在相同方向弯曲的树脂壳体500和基底基板400在制造过程中向期望的方向弯曲,能够容易地制造上述半导体装置100。
应予说明,在以上说明的半导体装置100的制造方法中,使预先产生弯曲的状态的树脂壳体500和基底基板400在制造过程中产生期望的弯曲。不限于这种情况,也可以在树脂壳体500加工而形成凹状的收纳区域,将基底基板400的形状加工而形成凸状,针对树脂壳体500来设置基底基板400而制造半导体装置100。
接着,利用图5对半导体装置的各种方式进行说明。
图5是用于说明第二实施方式的另一半导体装置的图。
应予说明,图5(A)表示半导体装置100b的截面图,如图5(A)所示,该半导体装置100b相对于半导体装置100,仅基底基板400a不同,其它构成是与半导体装置100相同的构成。另外,图5(B)示意地表示半导体装置100c的树脂壳体500b的背面侧,与图2(A)对应而图示单点划线X-X、Y-Y。
在上述的半导体装置100中,对基底基板400的顶点部被完全收纳于树脂壳体500的收纳区域510内那样的高度尺寸的情况进行说明。
另一方面,在半导体装置100b中,基底基板400a是未完全收纳于树脂壳体500的收纳区域510内,基底基板400a的顶点部从收纳区域510a突出几μm左右那样的高度尺寸。
通过预先使基底基板400a成为这样的尺寸,从而在隔着导热脂而将半导体装置100b设置于散热片800的时刻,该基底基板400a的顶点部按压导热脂。然后,在利用螺钉700紧固连接半导体装置100b与散热片800时,导热脂被基底基板400a的顶点部持续按压而稳定地扩展且较薄地延伸。
通过如此设定使基底基板400a的顶点部从收纳区域510a突出几μm左右那样的尺寸,从而能够通过半导体装置100b与散热片800的紧固连接而使导热脂稳定且较薄地延伸。
另外,在上述的半导体装置100中,基底基板400为凸状的山型,但不限于山型,只要为凸状即可,例如,如图5(B)所示,单点划线X-X处的截面可以为U字状,单点划线Y-Y处的截面可以为长方形(所谓半圆柱型)。
优选此时的螺纹孔530b为长边沿单点划线X-X的方向的长方形或长轴沿该方向的椭圆形。应予说明,在图5(B)中示出了长方形的情况。在将散热片800紧固连接到半导体装置100c时,散热片800可能沿基底基板400a的外表面移动。因此,通过使螺纹孔530b成为这样的形状,从而能够可靠地用螺钉700螺合移动的散热片800。例如,螺纹孔530b以相对于螺钉700的直径大0.5mm左右的3.5mm的圆形为基础,从而能够与考虑到尺寸公差±0.3mm左右的规格为M3的螺钉700紧固连接。而且,考虑到螺纹孔350b的间距的公差为±0.3mm左右而优选向该间距方向扩展±0.5mm左右的椭圆那样的形状。
如此,即使在图5所示的情况下,也与上述同样地,通过螺钉700固定连接有散热片800的半导体装置100b、100c相对于散热片800而以收纳区域510、510a的边缘部520为支点,图中向下的力从凸状的基底基板400a、400b向下作用于散热片800。据此,基底基板400a、400b与散热片800之间的导热脂扩展得更薄,基底基板400a、400b与散热片800之间的散热性提高。而且,扩展到基底基板400a、400b的外侧的导热脂填埋基底基板400a、400b的周围,基底基板400a、400b的周围的气密性增加而能够抑制气泡的混入等而防止散热性的降低。如此安装有散热片800的半导体装置100b、100c的散热性提高。
应予说明,上述实施方式示出了使本发明具体化的例子,因此,本发明不限于这些实施方式,可以在不偏离本发明的主旨的情况下进行各种变形。例如,作为电路基板300,可以使用在绝缘基板310的两面分别形成由金属箔构成的电路层(省略图示)的元件,在一侧的电路层接合半导体元件200,在另一侧的电路层接合金属基板。
以上仅示出了本发明的原理。而且,对本领域技术人员来说,能够进行大量变形、变更,本发明如上所示,不限定于所说明的正确的构成和应用例,对应的全部的变形例和等同物均可被视为基于权利要求及其等同物的本发明的范围。
Claims (10)
1.一种半导体装置,是具备半导体元件且设置有散热部件的半导体装置,其特征在于,具有:
电路基板,其在一侧的主面设置有所述半导体元件;
金属基板,其被设置于所述电路基板的另一侧的主面;和
收纳部件,其具备:具有凹状的主面和以使所述金属基板从所述凹状的主面突出的方式收纳所述电路基板的配置于所述凹状的主面的内侧的开口部的收纳区域,以及用于供螺钉部件通过的在所述凹状的主面开口的螺纹孔,所述螺钉部件与隔着热传导材料与所收纳的所述电路基板的所述金属基板对置而设置的所述散热部件螺合。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述凹状的主面以所述螺纹孔的外侧的所述收纳区域朝向所述散热部件突出的方式形成。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述螺纹孔在所述收纳部件中被形成于隔着所收纳的所述电路基板的所述金属基板而对置的位置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述金属基板的与所设置的所述散热部件对置的面成为凸状。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
所述金属基板为山型。
6.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
所述金属基板为半圆柱型。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
所述螺纹孔的直径的形状为椭圆形或长方形,以隔着所收纳的所述电路基板的所述金属基板且长轴一致的方式形成一组。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
对于收纳于所述收纳部件的所述收纳区域的所述电路基板,所述电路基板和设置于所述电路基板的半导体元件从所述主面的相反侧的主面被树脂密封。
9.一种针对半导体装置的安装散热部件的方法,是针对具备半导体元件的半导体装置的安装散热部件的方法,其特征在于,
所述半导体装置具有:
电路基板,其在一侧的主面设置有所述半导体元件;
金属基板,其被设置于所述电路基板的另一侧的主面;和
收纳部件,其具备:具有凹状的主面和以使所述金属基板从所述凹状的主面突出的方式收纳所述电路基板的配置于所述凹状的主面的内侧的开口部的收纳区域,以及用于供螺钉部件通过的在所述凹状的主面开口的螺纹孔,
以隔着热传导材料与收纳于所述收纳部件的所述收纳区域的所述电路基板的所述金属基板对置的方式将所述散热部件设置于所述收纳部件,向所述螺纹孔插入所述螺钉部件,使所述散热部件螺合于所述收纳部件。
10.一种半导体装置的制造方法,是具备半导体元件且设置有散热部件的半导体装置的制造方法,其特征在于,
在具备具有凹状的主面和开口部的收纳区域和供螺钉部件通过的螺纹孔的收纳部件的所述收纳区域,使所述金属基板从凹状的所述主面突出而收纳有具有与所述收纳部件同向的凹状的弯曲,在一侧的主面设置有所述半导体元件,在另一侧的主面配置有金属基板的电路基板,
用树脂密封收纳于所述收纳部件的所述收纳区域的所述电路基板上的所述半导体元件而使所述电路基板向与所述收纳部件相反的方向弯曲。
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