CN104167356B - 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 - Google Patents
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104167356B CN104167356B CN201410356503.2A CN201410356503A CN104167356B CN 104167356 B CN104167356 B CN 104167356B CN 201410356503 A CN201410356503 A CN 201410356503A CN 104167356 B CN104167356 B CN 104167356B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diffusion
- region
- collector
- buffer layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N arsenic(5+) Chemical compound [As+5] HAYXDMNJJFVXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/441—Vertical IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/01—Manufacture or treatment
- H10D12/031—Manufacture or treatment of IGBTs
- H10D12/032—Manufacture or treatment of IGBTs of vertical IGBTs
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、背N+集电极区、N+发射极区、栅氧化层、发射极、P‑缓冲层、栅电极和集电极，N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N‑基区和N+缓冲层组成，N+扩散残留层和N+缓冲层从N‑基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N‑基区上设置了N+残留层，有效地提高了N型正面的离子掺杂浓度，有效地提高了器件对电流的处理能力，从而降低了器件的导通饱和压降；而在背面依上而下设置的N+缓冲层、P‑缓冲层、背P+集电极区、背N+集电极区构成了嵌入的NPN晶体管，起到了一个少子的快速通道的作用，帮助少子能尽快地扫出N‑基区，从而减少了器件的关断时间与关断损耗。
Description
技术领域
本发明涉及高压功率半导体器件领域，尤其涉及一种绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。
背景技术
作为最新一代的复合全控型功率半导体器件，绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGate Bipolar Transistor，简称IGBT）将功率MOSFET和双极晶体管的优点集于一身，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点，是国际公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，电机控制、新能源、高铁、智能电网、电动汽车等领域当中必不可少的功率“芯脏”。小到PDP开关，大到高铁建设，无一例外的都有IGBT身影的出现。IGBT功率大、耐压高、节能效果好等特点决定了其不但是现在，也是未来相当长的一段时间之内高端功率半导体的主流技术，市场前景十分广阔。
自IGBT器件研制成功以来，经过三十多年的发展，其工艺技术和各项指标不断改进和提高，IGBT器件已经由第一代发展到第六代，其各种性能参数也日趋成熟。但是在向高频大功率化的发展方面，仍需在减小通态压降和提高开关速度之间进行折衷。
IGBT根据背面分布的不同，可以分为穿通型（PT-IGBT）与非穿通型（NPT-IGBT）两种结构。PT-IGBT会在均匀掺杂的P+衬底上通过外延生长的方式形成N+缓冲层与N-基区，然后再在N-基区上制作所需的正面结构即可。NPT-IGBT则是在均匀掺杂的厚度为数百微米的N-单晶衬底上先制作正面结构，然后对背面通过研磨刻蚀等工艺方法将N-基区减薄至正向阻断电压所需的厚度，再采用离子注入的方式在背面形成背P+集电极。与PT-IGBT有区别的是，NPT型IGBT不需要厚层外延，适合制造高正向阻断电压的IGBT，但由于没有N+缓冲层，因此达到相同的正向阻断电压所需的N-基区要比PT-IGBT更厚，这会导致其正向导通压降比PT-IGBT更大。但是由于PT-IGBT的集电极掺杂浓度过高，使得其在开启时电导调制效应相对于NPT型要更明显，即关断时，在漂移区中的空穴会更多，因此在关断过程中，大量的空穴不能及时得到复合，使其关断时间更长，关断功耗也会更大。为此，必须通过少子寿命控制技术来降低少子寿命，这样才使器件在关断过程中电流拖尾的幅度与持续时间都减小，而NPT-IGBT的透明集电极可以使少子在关断时迅速到达金属电极，因此无需采用辐照等技术减小载流子寿命。
中国专利申请CN201010290339.1公开了一种IGBT的新结构，如图1所示。其中包括背面的集电极10、背P+集电极区11、背N+缓冲层12、N-基区13、栅氧化层14、栅电极15、N+发射极区16、发射极17、P+发射极区18、N+残留层19。此发明所述的结构通过在正面使用N+扩散残留层可以有效地减弱JFET电阻的影响，从而使器件的导通压降降低，集电极电流得到提高。但是该结构对于器件的关断时间性能没有任何改善，在导通压降与关断时间之间没有形成一个有效的折衷。
发明内容
本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其通过在正面高温深结扩散、再减薄后形成的扩散残留层能够有效的提高正面载流子浓度；在背面嵌入的NPN管则起到了一个少子的快速通道的作用，帮助少子能够尽快地扫出N-基区。器件得以在导通压降与关断时间形成一个更好的折衷，更适用于快速开关应用领域。
一种绝缘栅双极型晶体管，包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、N+发射极区、栅氧化层、发射极、栅电极和集电极；所述的N型基区包括依次层叠的N+扩散残留层、N-基区和N+缓冲层，所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从N-基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加，所述的绝缘栅双极型晶体管进一步设有P-缓冲层、背N+集电极区，所述的P-缓冲层位于N+缓冲层和背P+集电极区之间，所述的背N+集电极区位于背P+集电极区的两端。
所述的N-基区为掺杂浓度恒定区，其厚度和掺杂浓度由器件所需的正向阻断电压决定，正向阻断电压与其厚度正相关，与掺杂浓度负相关。
所述的N+扩散残留层，若厚度过小，表面的杂质掺杂浓度会较低，电导调制作用较弱，导通压降下降程度较低；若厚度过大，表面的杂质掺杂浓度会较高，电导调制作用较强，导通压降虽然下降的较多，但这也会引起正向阻断电压的降低，同时也会导致关断时间的增加。因此，N+扩散残留层的厚度以5~15um为宜。
所述的P-缓冲层，若厚度过小，则P型集电极区域将会被压缩，因此导通时集电极的注入就会减少，因此导通压降将有所增加；若厚度过大，则P型集电极区域将会有所扩展，此时电导调制效应将会加强，导通压降将会有所降低，但是另一方面，由于在背面嵌入的NPN管基区的扩展会限制少子的抽取，关断时间也会相应的上升，因此P-缓冲层的厚度以1~5um为宜。
本发明还提供了该绝缘栅双极型晶体管的制备方法，包括：
（1）在N型单晶硅两侧通过高温扩散分别形成第一N+扩散区和第二N+扩散区；
（2）分别对第一N+扩散区和第二N+扩散区进行加工形成N+扩散残留层和N+
缓冲层；
（3）在N+扩散残留层上形成P型基区、N+发射极区、发射极；
（4）在N+缓冲层上通过注入离子形成P-缓冲层、背P+集电极区、背N+集电极区，背P+集电极区与背N+集电极区金属化后形成集电极。
本发明绝缘栅双极型晶体管，由于其特殊的制备方法：N+扩散残留层和N+缓冲层是在同一步双面高温深结扩散，并分别经过减薄而形成的扩散残留层；在N-基区上面的N+扩散残留层，提高了N型基区正面的杂质离子掺杂浓度，形成了较强的电导调制作用，从而有效地降低了IGBT的导通压降，提高IGBT的电流能力。同时，通过在背面N+缓冲层通过一系列工艺步骤形成的嵌入NPN晶体管，则起到了一个少子的快速通道的作用，在关断时，帮助少子能够尽快地扫出N-基区，从而减少了器件的关断时间。
本发明绝缘栅双极型晶体管的N+扩散残留层与背面的N+缓冲层的形成均为同一次高温深结扩散后，再经过研磨、抛光等减薄工艺形成，这些均属于原有的正常工艺，不需要额外增加工艺步骤形成，从而降低了制造成本。而背面的扩散残留层在经过减薄后形成的N+缓冲层，可以使IGBT在达到相同的正向阻断电压时所需的N-基区的厚度更小，而背面嵌入的NPN晶体管又可以减少器件的关断时间与关断损耗。
附图说明
图1为现有IGBT的剖面结构示意图。
图2为本发明IGBT的剖面结构示意图。
图3a-3g为本发明IGBT制造过程示意各结构剖面图；其中，图3a为原始N-型硅片的剖面图，图3b为图3a所示硅片高温扩散形成两扩散区后的剖面图；图3c为图3b所示硅片正面扩散区经加工后的剖面图；图3d为图3c所示硅片形成IGBT正面结构后的剖面图；图3e为图3d所示硅片背面扩散区加工后的结构示意图；图3f为图3e所示硅片背面注入离子形成背P+集电极区的剖面图；图3g为图3f所示硅片背P+集电极区背面金属化形成集电极后剖面图。
图4为传统PT-IGBT器件和本发明IGBT器件的导通压降仿真对比图。
图5为传统PT-IGBT器件和本发明IGBT器件的关断仿真波形图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案和改进效果更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步的详细说明。
如图2所示，绝缘栅双极型晶体管，包括N型基区、P型基区30、背P+集电极区22、背N+集电极区21、N+发射极区28、栅氧化层26、发射极29、栅电极27和集电极20；所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层31、N-基区25和N+缓冲层24组成，该绝缘栅双极型晶体管制造过程如图3a-3g所示，具体如下：
选用如图3a所示的晶向为<100>的N型单晶衬底32，其掺杂浓度为4.2×1013cm-3,衬底厚度为400um，根据正向阻断电压即耐压的需求（比如1700V，下同），可调整掺杂浓度至1×1013cm-3~1×1014cm-3。
如图3b所示，N型单晶衬底经一次双面高温深结扩散后形成依次层叠的第一N+扩散区34、N-基区25和第二N+扩散区33，其中N-基区25厚度根据正向阻断电压的要求可调整到100~300um，第一N+扩散区34与第二N+扩散区33均为非均匀掺杂。
如图3c所示，第一N+扩散区34经研磨和抛光等工艺步骤后形成N+扩散残留层31，该层厚度控制在数微米之内（5~15um之间为佳）。减薄后衬底厚度不低于280um，这样可以保证后期加工中，硅片不易碎裂。
如图3d所示，在N+扩散残留层31上先通过氧化、P+基区光刻、刻蚀、硼离子注入、扩散等工艺步骤形成P型基区30，接着在其表面氧化形成栅氧化层26，然后在栅氧化层上淀积多晶硅形成栅电极27，再通过N+发射极区光刻、刻蚀、砷离子注入、扩散等步骤形成N+发射区28，最后再通过光刻、刻蚀之后在N+集电极区上淀积金属形成发射极29，这样IGBT的正面结构基本就形成了。
如图3e、3f所示，第二N+扩散区33经背面研磨和抛光等减薄之后形成了背面的N+缓冲层24，其厚度控制在数十微米左右（8~20um为宜），先通过硼离子注入、扩散等工艺步骤分别形成P-缓冲层23，P-缓冲层厚度厚度控制在数微米之内（1~5um为宜），再通过硼离子注入、激活等工艺步骤形成背P+集电极区22，然后再通过光刻、刻蚀、磷离子注入、扩散等工艺步骤形成背N+集电极区21。
如图3g所示，在背P+集电极区22与背N+集电极区21上淀积金属后形成集电极20，至此，一个完整的IGBT就已经完成了。
本发明使用了器件仿真软件Medici对本实施方式进行了仿真验证。
图4比较了传统PT-IGBT与本实施方案器件的电流处理处理能力，从图中可以看出，在集电极电流密度同为100A/cm2时，传统PT-IGBT的导通压降为1.65V，本实施方案器件的导通压降为1.52V。本实施方案器件的导通压降降低了9%，这是因为正面的N+残留层增加了表面的电子浓度，从而改善了电导调制效应。
图5比较了传统PT-IGBT与本实施方案器件的关断时间，从图中可以看出，以电流密度下降到10%为判断依据，NFS-IGBT与传统的PT-IGBT的关断时间分别为0.33u和0.7us。也就是说，NFS的关断速度要比传统的PT-IGBT快1倍以上，也更好地实现了导通压降与关断时间的折衷关系，特别适用于快速开关应用领域。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，凡是本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于：
所述的绝缘栅双极型晶体管，包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、N+发射极区、栅氧化层、发射极、栅电极和集电极；所述的N型基区包括依次层叠的N+扩散残留层、N-基区和N+缓冲层，所述的N+扩散残留层和N+缓冲层从N-基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加，其特征在于：所述的绝缘栅双极型晶体管进一步设有P-缓冲层、背N+集电极区，所述的P-缓冲层位于N+缓冲层和背P+集电极区之间，所述的背N+集电极区位于背P+集电极区的两端；所述的N-基区掺杂浓度为恒定的；
所述的制备方法包括：
（1）在N型单晶硅两侧通过高温扩散分别形成第一N+扩散区和第二N+扩散区；
（2）分别对第一N+扩散区和第二N+扩散区进行加工形成N+扩散残留层和N+
缓冲层；
（3）在N+扩散残留层上形成P型基区、N+发射极区、发射极；
（4）在N+缓冲层上通过注入离子形成P-缓冲层、背P+集电极区、背N+集电极区，背P+集电极区与背N+集电极区金属化后形成集电极；
所述的N+缓冲层是对第二N+扩散区使用减薄工艺制得的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410356503.2A CN104167356B (zh) | 2014-07-25 | 2014-07-25 | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410356503.2A CN104167356B (zh) | 2014-07-25 | 2014-07-25 | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104167356A CN104167356A (zh) | 2014-11-26 |
| CN104167356B true CN104167356B (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=51911128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410356503.2A Active CN104167356B (zh) | 2014-07-25 | 2014-07-25 | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104167356B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105514148A (zh) * | 2015-10-22 | 2016-04-20 | 温州墨熵微电子有限公司 | 绝缘栅双极型晶体管 |
| CN108630749A (zh) * | 2018-05-09 | 2018-10-09 | 西安理工大学 | 一种超高压碳化硅晶闸管及其制备方法 |
| CN111952173A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-11-17 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种基于外延工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT |
| CN113451399A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-09-28 | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239466B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-05-29 | General Electric Company | Insulated gate bipolar transistor for zero-voltage switching |
| CN102439725A (zh) * | 2010-09-25 | 2012-05-02 | 浙江大学 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 |
| CN103872113A (zh) * | 2012-12-13 | 2014-06-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种隧穿型逆导igbt及其制造方法 |
| CN103872053A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-06-18 | 上海联星电子有限公司 | 一种ti-igbt器件 |
-
2014
- 2014-07-25 CN CN201410356503.2A patent/CN104167356B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239466B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-05-29 | General Electric Company | Insulated gate bipolar transistor for zero-voltage switching |
| CN102439725A (zh) * | 2010-09-25 | 2012-05-02 | 浙江大学 | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 |
| CN103872113A (zh) * | 2012-12-13 | 2014-06-18 | 中国科学院微电子研究所 | 一种隧穿型逆导igbt及其制造方法 |
| CN103872053A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-06-18 | 上海联星电子有限公司 | 一种ti-igbt器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104167356A (zh) | 2014-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102439725B (zh) | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | |
| CN108122971B (zh) | 一种rc-igbt器件及其制备方法 | |
| CN105789269A (zh) | 沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | |
| CN107731898B (zh) | 一种cstbt器件及其制造方法 | |
| CN109065607B (zh) | 一种双极型功率半导体器件及其制备方法 | |
| CN108461537B (zh) | 一种沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 | |
| CN113571415B (zh) | Igbt器件及其制作方法 | |
| CN101393928A (zh) | 一种阳极短路的隧道泵igbt | |
| CN105742346A (zh) | 双分裂沟槽栅电荷存储型rc-igbt及其制造方法 | |
| CN104167356B (zh) | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | |
| CN103022099A (zh) | 一种igbt集电极结构及其制备方法 | |
| CN103681811A (zh) | 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN110416295B (zh) | 一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN104992968B (zh) | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | |
| CN101436542A (zh) | 变缓冲层浓度内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法 | |
| CN107845673A (zh) | 逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备 | |
| CN105702578A (zh) | Igbt中形成电荷存储层的方法 | |
| CN110459596A (zh) | 一种横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN108091567A (zh) | 半超结fs iegt结构及其制造方法 | |
| CN103219371B (zh) | 一种带有双面扩散残留层的沟槽栅型igbt及其制造方法 | |
| CN108520857B (zh) | 一种快恢复二极管及其制作方法 | |
| CN103219236A (zh) | 集电区碳注入内透明集电极igbt制造技术 | |
| CN103178101B (zh) | 绝缘栅双极晶体管及制造方法 | |
| CN102931223B (zh) | Igbt集电极结构 | |
| CN103855204B (zh) | 逆导型igbt的集电极结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |