CN104078596A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，所述封装层包括依次叠层设置的第一封装单元和第二封装单元，所述第一封装单元依次包括第一有机阻挡层、第二有机阻挡层和第一无机阻挡层，所述第二封装单元依次包括第三有机阻挡层、第四有机阻挡层和第二无机阻挡层，该有机电致发光器件采用多层材料层交替封装，综合有机材料与无机材料各自优势，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在透明阳极和阴极层之间夹有多层有机材料薄膜（空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送层和电子注入层），当电极间施加一定的电压后，发光层就会发光。近年来，有机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以及节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注，并被认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。
目前，有机电致发光器件存在寿命较短的问题，这主要是因为有机材料薄膜很疏松，易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。在实际工作时，阴极层被腐蚀10％就会严重影响器件的工作。因此，有机电致发光器件进入实际使用之前必须进行封装，封装的好坏直接关系到有机电致发光器件的寿命。
传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。
薄膜封装能够有效地阻隔水氧、降低器件厚度及成本。薄膜封装不再使用金属或玻璃盖板、密封胶和干燥剂，可降低器件的重量和厚度，用薄膜湿气隔离层来替代机械封装件，还可降低成本。
薄膜封装按材料类型主要分为无机材料封装、有机材料封装、有机/无机材料封装。芬兰倍耐克公司开发的nClear封装层封装效果优秀，但是封装层全是无机材料，在柔性封装应用上有一定难度；单一的有机材料封装很难有效阻隔水氧；有机和无机材料组合的薄膜封装效果优秀，适合在柔性上应用。
为解决上述问题，目前多采用塑料基片并配合多层封装的方法以防止水汽和氧气的渗入，但该方法会带来发光器件散热不良而导致器件寿命降低的问题。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件的无机阻挡层选取具有良好导热性的材质，且采用多层有机与无机阻挡层交替封装，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，能实现快速热传导疏散热量，从而显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明方法适用于以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件，也适用于以塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，所述封装层包括依次叠层设置的第一封装单元和第二封装单元，所述第一封装单元依次包括第一有机阻挡层、第二有机阻挡层和第一无机阻挡层，所述第二封装单元依次包括第三有机阻挡层、第四有机阻挡层和第二无机阻挡层，
所述第一无机阻挡层材质为金属氟化物掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述金属氟化物为氟化锂（LiF)、氟化铈（CeF2)、氟化镁（MgF2)、氟化铝（AlF3)、氟化钙（CaF2)或氟化钡（BaF2)，所述金属氧化物为三氧化钼(MoO3)、五氧化二钒（V2O5)、三氧化钨（WO3)、氧化铯（Cs2O)、氧化镍（NiO）或二氧化锰（MnO2)，
所述第二无机阻挡层材质为金属氧化物掺杂硒化物形成的混合材料，所述氮化物为氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、氮化铪（HfN）、氮化钽（TaN）或氮化钛（TiN），所述硒化物为三硒化二锑（Sb2Se3）、硒化钼（MoSe2）、硒化铋（Bi2Se3）、硒化铌（NbSe2）、二硒化钽（TaSe2）或硒化亚铜（Cu2Se）；
所述第一有机阻挡层和第三有机阻挡层的材质均选自1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的一种，
所述第二有机阻挡层和第四有机阻挡层的材质均选自4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）和3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）中的一种。
优选地，所述第一无机阻挡层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10～30%；所述第二无机阻挡层的材质中，所述硒化物的掺杂质量分数为10～30%。
优选地，所述第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第三有机阻挡层和第四有机阻挡层的厚度均为200nm～300nm，所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的厚度均为100nm～200nm。
优选地，所述第一封装单元和第二封装单元依次交替重复设置2～4次。
阳极基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。
优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
阴极层可以为非透明金属阴极层（铝、银、金等），也可以为透明阴极层（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）。
优选地，阴极层为非透明金属阴极层，采用真空蒸镀方法设置。
所述封装层采用第一封装单元和第二封装单元依次交替叠层设置方式沉积在阴极层表面，可以保护发光功能层和阴极层在后续操作过程中免遭破坏。所述封装层中的无机阻挡层结构致密，能够有效地阻隔水氧渗透进入器件内部，且构成无机阻挡层的金属氧化物、金属氟化物和硒化物具有良好的导热性能和吸水能力，能有效防止器件内部过热而导致寿命降低的情况；其有机阻挡层能够有效地弥补无机阻挡层的脆性缺点，提高了器件的柔韧性，也能延长水、氧渗透路径，有效阻挡外界水汽和氧气对有机电致发光器件的侵蚀，从而延长器件寿命。
另一方面，本发明提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在洁净的导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上制备发光功能层和阴极层；
（2）在阴极层上制备封装层，制备方法如下：
（a）第一封装单元的制作：
通过真空蒸镀的方式在所述阴极层表面依次蒸镀第一有机阻挡层、第二有机阻挡层和第一无机阻挡层，所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
（b）第二封装单元的制作：
采用真空蒸镀的方式在所述第一无机阻挡层上依次蒸镀第三有机阻挡层和第四有机阻挡层，所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
通过磁控溅射的方法在所述第四有机阻挡层上制备第二无机阻挡层，所述磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa；
所述第一有机阻挡层和第三有机阻挡层的材质均选自1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；所述第二有机阻挡层和第四有机阻挡层的材质均选自4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝和3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的一种；
所述第一无机阻挡层的材质为金属氟化物掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述金属氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡，所述金属氧化物为三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、氧化铯、氧化镍或二氧化锰；所述第二无机阻挡层的材质为金属氧化物掺杂硒化物形成的混合材料，所述金属氧化物为氧化镁、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或氧化二钽，所述硒化物为三硒化二锑、硒化钼、硒化铋、硒化铌、二硒化钽或硒化亚铜。
优选地，所述第一无机阻挡层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10～30%；所述第二无机阻挡层的材质中，所述硒化物的掺杂质量分数为10～30%。
优选地，所述第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第三有机阻挡层和第四有机阻挡层的厚度均为200nm～300nm，所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的厚度均为100nm～200nm。
优选地，所述第一封装单元和第二封装单元依次交替重复设置2～4次。
阳极基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。
优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
优选地，发光功能层为通过真空蒸镀的方法设置。
阴极层可以为非透明金属阴极层（铝、银、金等），也可以为透明阴极层（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）。
优选地，阴极层为非透明金属阴极层，采用真空蒸镀方法设置。
通过上述步骤制得所述有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层。
所述有机电致发光器件采用多层材料层交替封装，综合了有机材料与无机材料的各自优势，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而具有较高的寿命。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明有机电致发光器件的第一封装单元和第二封装单元的存在可以保护发光功能层和阴极层，采用多层材料层交替设置，致密性高，可有效地减少氧气和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，并且能够实现快速热传导疏散热量，显著地提高有机电致发光器件的寿命；
（2）本发明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）达到10－4g/m2·day，寿命达6,400小时以上（T701000cd/m2：即起始亮度为1000cd/m2，亮度衰减到70%所用的时间）；
（3）本发明方法适用于封装以导电玻璃为阳极基板制备的有机电致发光器件，也适用于封装以塑料或金属为阳极基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件；
（4）本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极层
a.导电玻璃基板的前处理
取ITO玻璃基板，依次进行丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO厚度为100nm；
b.发光功能层和阴极层的制备
采用真空蒸镀的方法在ITO玻璃基板上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；采用蒸镀制作阴极层；
空穴注入层的制备：在ITO玻璃基板上蒸镀由NPB掺杂MoO3形成的混合材料，MoO3的掺杂质量分数30%，该层厚度为10nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
空穴传输层的制备：在空穴注入层上蒸镀空穴传输层，采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
发光层的制备：在空穴传输层上蒸镀发光层，发光层的主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，掺杂质量分数5%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
电子传输层的制备：在发光层上蒸镀一层4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
电子注入层的制备：在电子传输层上蒸镀电子注入层，将CsN3掺入Bphen中，掺杂质量分数30%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
阴极层的制备：在电子注入层上蒸镀制备阴极层，金属阴极层采用铝（Al），厚度为100nm，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
（2）在阴极层上制备封装层
a.第一封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在阴极层上制作一层厚度为200nm的TPBi膜作为第一有机阻挡层，真空度1×10-3，蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第一有机阻挡层上制作一层厚度为220nm的TAZ膜作为第二有机阻挡层，真空度1×10-3Pa，蒸发速度
采用真空共蒸发的方式在第二有机阻挡层上制作一层厚度为150nm的第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层由MnO2和BaF2构成，MnO2所占质量比为20%，蒸发速率真空度1×10-3；
b.第二封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在第一无机阻挡层上制作一层厚度为200nm的TPBi膜作为第三有机阻挡层，真空度1×10-3，蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第三有机阻挡层上制作一层厚度为220nm的TAZ膜作为第四有机阻挡层，真空度1×10-3Pa，蒸发速度
采用磁控溅射的方式在第四有机阻挡层上制作一层厚度为120nm的第二无机阻挡层，以Cu2Se和Ta2O5为靶材，Cu2Se所占质量比为10%，真空度1×10-3Pa；
交替重复制备第一封装单元和第二封装单元2次，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，g/m2·day）为3.0×10-4，寿命为6,373小时。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板1、发光功能层2、阴极层3、封装层4，所述封装层为第一封装单元41和第二封装单元42的叠层组合重复2次而成，其中，所述第一封装单元包括依次叠加的厚度皆为200nm的TPBi膜411、TAZ膜412和第一无机阻挡层413，所述第二封装单元包括厚度皆为200nm的TPBi膜421、TAZ膜422和第二无机阻挡层423。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层、发光层和阴极层
同实施例一；
（2）在阴极层上制备封装层
a.第一封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在阴极层上制作一层厚度为300nm的NPB膜作为第一有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第一有机阻挡层上制作一层厚度为300nm的BCP膜作为第二有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用真空共蒸发的方式在第二有机阻挡层上制作一层厚度为100nm的第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层由V2O5和CeF2构成，V2O5所占质量比为10%，蒸发速率真空度1×10-5；
b.第二封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在第一无机阻挡层上制作一层厚度为300nm的NPB膜作为第三有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第三有机阻挡层上制作一层厚度为300nm的BCP膜作为第四有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用磁控溅射的方式在第四有机阻挡层上制作一层厚度为150nm的第二无机阻挡层，以MoSe2和Al2O3为靶材，MoSe2所占质量比为20%，真空度1×10-4Pa；
交替重复制备第一封装单元和第二封装单元3次，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，g/m2·day）为2.1×10-4，寿命为6,480小时。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层、发光层和阴极层
同实施例一；
（2）在阴极层上制备封装层
a.第一封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在阴极层上制作一层厚度为250nm的Alq3膜作为第一有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第一有机阻挡层上制作一层厚度为250nm的TPBi膜作为第二有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用真空共蒸发的方式在第二有机阻挡层上制作一层厚度为160nm的第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层由WO3和MgF2构成，WO3所占质量比为20%，蒸发速率真空度5×10-5；
b.第二封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在第一无机阻挡层上制作一层厚度为250nm的Alq3膜作为第三有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第三有机阻挡层上制作一层厚度为250nm的TPBi膜作为第四有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用磁控溅射的方式在第四有机阻挡层上制作一层厚度为140nm的第二无机阻挡层，以Bi2Se3和TiO2为靶材，Bi2Se3所占质量比为20%，真空度1×10-4Pa；
交替重复制备第一封装单元和第二封装单元3次，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，g/m2·day）为2.2×10-4，寿命为6,459小时。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层、发光层和阴极层
同实施例一；
（2）在阴极层上制备封装层
a.第一封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在阴极层上制作一层厚度为220nm的m-MTDATA膜作为第一有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第一有机阻挡层上制作一层厚度为240nm的Alq3膜作为第二有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用真空共蒸发的方式在第二有机阻挡层上制作一层厚度为150nm的第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层由Cs2O和AlF3构成，Cs2O所占质量比为20%，蒸发速率真空度5×10-5；
b.第二封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在第一无机阻挡层上制作一层厚度为220nm的m-MTDATA膜作为第三有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第三有机阻挡层上制作一层厚度为240nm的Alq3膜作为第四有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用磁控溅射的方式在第四有机阻挡层上制作一层厚度为120nm的第二无机阻挡层，以NbSe2和ZrO2为靶材，NbSe2所占质量比为10%，真空度1×10-4Pa；
交替重复制备第一封装单元和第二封装单元2次，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，g/m2·day）为2.3×10-4，寿命为6,421小时。
实施例5
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层、发光层和阴极层
同实施例一；
（2）在阴极层上制备封装层
a.第一封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在阴极层上制作一层厚度为260nm的BCP膜作为第一有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第一有机阻挡层上制作一层厚度为200nm的Balq膜作为第二有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用真空共蒸发的方式在第二有机阻挡层上制作一层厚度为150nm的第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层由NiO和CaF2构成，NiO所占质量比为20%，蒸发速率真空度5×10-5；
b.第二封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在第一无机阻挡层上制作一层厚度为260nm的BCP膜作为第三有机阻挡层，真空度1×10-4蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第三有机阻挡层上制作一层厚度为200nm的Balq膜作为第四有机阻挡层，真空度1×10-4Pa，蒸发速度
采用磁控溅射的方式在第四有机阻挡层上制作一层厚度为100nm的第二无机阻挡层，以TaSe2和HfO2为靶材，TaSe2所占质量比为15%，真空度1×10-4Pa；
交替重复制备第一封装单元和第二封装单元2次，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，g/m2·day）为2.6×10-4，寿命为6,405小时。
实施例6
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层、发光层和阴极层
同实施例一；
（2）在阴极层上制备封装层
a.第一封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在阴极层上制备一层厚度为200nm的TAPC膜作为第一有机阻挡层，真空度1×10-5蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第一有机阻挡层上制作一层厚度为200nm的Bphen膜作为第二有机阻挡层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
采用真空共蒸发的方式在第二有机阻挡层上制作一层厚度为200nm的第一无机阻挡层，所述第一无机阻挡层由MoO3和LiF构成，MoO3所占质量比为30%，蒸发速率真空度1×10-5；
b.第二封装单元的制作：
采用真空蒸发的方式在第一无机阻挡层上制作一层厚度为200nm的TAPC膜作为第三有机阻挡层，真空度1×10-5，蒸发速度
采用真空蒸发的方式在第三有机阻挡层上制作一层厚度为200nm的Bphen膜作为第四有机阻挡层，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
采用磁控溅射的方式在第四有机阻挡层上制作一层厚度为200nm的第二无机阻挡层，以Sb2Se3和MgO为靶材，Sb2Se3所占质量比为30%，本底真空度1×10-5Pa；
交替重复制备第一封装单元和第二封装单元4次，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，g/m2·day）为1.8×10-4，寿命为6,516小时。
综上，本发明提供的有机电致发光器件的制备方法可有效地减少水汽和氧对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命，并且能够保护阴极层免遭破坏。
封装膜层致密性至关重要，根据器件测试结果可选择合适的工艺条件。以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，其特征在于，所述封装层包括依次叠层设置的第一封装单元和第二封装单元，所述第一封装单元依次包括第一有机阻挡层、第二有机阻挡层和第一无机阻挡层，所述第二封装单元依次包括第三有机阻挡层、第四有机阻挡层和第二无机阻挡层，
所述第一无机阻挡层材质为金属氟化物掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述金属氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡，所述金属氧化物为三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、氧化铯、氧化镍或二氧化锰，所述第二无机阻挡层材质为金属氧化物掺杂硒化物形成的混合材料，所述金属氧化物为氧化镁、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或氧化二钽，所述硒化物为三硒化二锑、硒化钼、硒化铋、硒化铌、二硒化钽或硒化亚铜；
所述第一有机阻挡层和第三有机阻挡层的材质均选自1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；
所述第二有机阻挡层和第四有机阻挡层的材质均选自4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝和3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机阻挡层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10～30%；所述第二无机阻挡层的材质中，所述硒化物的掺杂质量分数为10～30%。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第三有机阻挡层和第四有机阻挡层的厚度均为200nm～300nm，所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的厚度均为100nm～200nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一封装单元和第二封装单元依次交替重复设置2～4次。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在洁净的导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基板；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上制备发光功能层和阴极层；
（2）在阴极层上制备封装层，制备方法如下：
（a）第一封装单元的制作：
通过真空蒸镀的方式在所述阴极层表面依次蒸镀第一有机阻挡层、第二有机阻挡层和第一无机阻挡层，所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
（b）第二封装单元的制作：
采用真空蒸镀的方式在所述第一无机阻挡层上依次蒸镀第三有机阻挡层和第四有机阻挡层，所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
通过磁控溅射的方法在所述第四有机阻挡层上制备第二无机阻挡层，所述磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa；
所述第一有机阻挡层和第三有机阻挡层的材质均选自1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；所述第二有机阻挡层和第四有机阻挡层的材质均选自4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝和3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的一种；
所述第一无机阻挡层的材质为金属氟化物掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述金属氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡，所述金属氧化物为三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、氧化铯、氧化镍或二氧化锰；所述第二无机阻挡层的材质为金属氧化物掺杂硒化物形成的混合材料，所述金属氧化物为氧化镁、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或氧化二钽，所述硒化物为三硒化二锑、硒化钼、硒化铋、硒化铌、二硒化钽或硒化亚铜。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一无机阻挡层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10～30%；所述第二无机阻挡层的材质中，所述硒化物的掺杂质量分数为10～30%。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第三有机阻挡层和第四有机阻挡层的厚度均为200nm～300nm，所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的厚度均为100nm～200nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一封装单元和第二封装单元依次交替重复设置2～4次。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
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|---|---|---|---|---|
| CN1348609A (zh) * | 1999-04-28 | 2002-05-08 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 具有改进的抗氧和抗湿降解性的挠性有机电子器件 |
| CN102064278A (zh) * | 2009-09-21 | 2011-05-18 | 乐金显示有限公司 | 有机发光设备的制造方法 |
| US20110198627A1 (en) * | 2008-09-30 | 2011-08-18 | Tony Maindron | Organic Optoelectronic Device And A Method For Encapsulating Said Device |
| US20120146492A1 (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
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2013
- 2013-03-27 CN CN201310102362.7A patent/CN104078596A/zh active Pending
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