CN104051486B - 用于半导体器件的具有圆角的密封环结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供了具有圆形角结或包括多边形的角结的密封环结构。密封环环绕诸如集成电路、图像传感器和其他器件的通常为矩形的半导体器件。密封环包括两组通常平行的相对放置的边的结构，且角结是结，邻近的垂直密封环边在该结处连接。在不同的实施例中，密封环是沟槽结构或填充的沟槽结构。通过弯曲的弧线或多条以不同的角度连接在一起的线段形成圆形的角结。包括一个或多个封闭的多边形的角结包括多边形，该多边形的至少一条多边形边由密封环边中的一条形成。

Description

用于半导体器件的具有圆角的密封环结构

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年3月13日提交的美国临时专利申请第61/780,154号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明通常涉及半导体器件和图像传感器及其制造方法，并且更具体地，涉及在这种器件中所使用的密封环结构。

背景技术

密封环结构通常用于环绕集成电路器件、包括前照式和背照式图像传感器件的图像传感器件、以及形成在硅或其他半导体芯片上的其他半导体器件。密封环结构在内部或外部环绕包括半导体器件的硅或其他半导体芯片，从而隔离半导体器件并保护其不受其他部件的应力能的影响。如果不存在密封环，则在半导体芯片之外的部件中的应力能可以扩散到半导体芯片上的半导体器件并且破坏半导体芯片上的半导体器件。

密封环结构的一个实例是在芯片的外围周围延伸的沟槽，另一个实例是在半导体芯片的外围周围延伸的沟槽，但是填充该沟槽的材料与衬底的材料（其通常是硅或其他合适的材料）不同。

在半导体衬底上制造半导体芯片，并且该半导体芯片具有矩形形状。这种矩形形状使单个芯片能够在垂直方向上沿着直线通过划切进行分离。沿着芯片之间的划线进行划切。由于半导体芯片的形状为矩形并且由于密封环在半导体芯片周围延伸，所以密封环的形状也是矩形。在这些矩形形状的密封环的拐角处是垂直拐角。由于它们的形状和结构，这些直角拐角容易受到应力和电荷集中的影响。当密封环结构暴露于应力和电荷集中时，应力和电荷集中可以导致密封环结构在这些拐角处发生断裂。密封环中的任何断裂或空隙都向外部应力和电荷提供了到达半导体芯片自身的路径。这可以导致器件破坏。

期望提供不受应力效应和局部电荷集中增强影响的密封环结构。

发明内容

为解决现有技术中的问题，本发明提供了一种结构，包括：半导体器件，设置在衬底上；以及密封环，至少部分地环绕包括所述半导体器件的管芯，所述密封环的形状通常为矩形，所述矩形具有位于所述矩形的垂直边之间的至少一个角结，其中，拐角的最外边缘与所述垂直边形成非直角。

在上述结构中，其中，所述密封环完全环绕所述管芯。

在上述结构中，其中，所述至少一个角结包括：连接所述密封环的所述垂直边的多条直线段。

在上述结构中，其中，所述至少一个角结包括：连接所述密封环的所述垂直边的多条直线段；所述多条直线段的邻近的直线段在包括钝角结的结处彼此连接。

在上述结构中，其中，所述密封环完全环绕所述管芯；所述密封环的所述至少一个角结中的每一个角结均包括非直角结。

在上述结构中，其中，所述至少一个角结包括：连接所述密封环的所述垂直边的多条直线段；所述多条直线段的邻近的直线段在结处彼此连接，并且其中，至少一个所述结是向内延伸形成钝角的第一结，并且至少一个所述结是向外延伸的第二结。

在上述结构中，其中，所述至少一个角结包括：连接所述密封环的所述垂直边的多条直线段；所述多条直线段的邻近的直线段在结处彼此连接，并且其中，至少一个所述结是向内延伸形成钝角的第一结，并且至少一个所述结是向外延伸的第二结；所述向外延伸的第二结形成钝角。

在上述结构中，其中，所述至少一个角结包括：连接所述密封环的所述垂直边的多条直线段；所述多条直线段形成所述角结的外周界，并且至少一条所述线段形成为设置在所述角结处的封闭的多边形的一条边。

在上述结构中，其中，每个所述角结均是弧线。

在上述结构中，其中，所述密封环是延伸至所述衬底内的沟槽结构。

在上述结构中，其中，所述衬底由第一材料形成，并且所述密封环由第二材料形成。

在上述结构中，其中，所述半导体器件包括图像传感器。

根据本发明的另一个方面，提供了一种结构，包括：半导体器件，设置在半导体衬底上，密封环，环绕所述半导体器件，所述密封环是延伸至所述衬底内的沟槽结构，并且所述密封环具有形成所述密封环的边并在角结处连接在一起的两组相对放置的平行线结构，其中，至少一个所述角结包括作为所述角结的一部分的至少一个封闭的多边形，所述封闭的多边形的至少一条多边形边由所述边中的一条形成。

在上述结构中，其中，所述角结的第一角结将所述边的第一边连接至所述边的第二边，所述第一边和所述第二边通常垂直，并且所述至少一个封闭的多边形的至少一个包括延伸至所述第一边的一端的至少一条所述多边形边。

在上述结构中，其中，所述密封环环绕管芯，所述管芯包括所述半导体器件，并且所述角结的至少第一角结包括多条直线段，所述多条直线段将所述边的第一边连接至所述边的第二边且形成所述密封环的周界。

在上述结构中，其中，所述密封环环绕管芯，所述管芯包括所述半导体器件，并且所述角结的至少第一角结包括多条直线段，所述多条直线段将所述边的第一边连接至所述边的第二边且形成所述密封环的周界；所述第一角结包括至少一个所述多边形，至少一个所述多边形的一条多边形边由所述线段中的一条形成。

根据本发明的又一个方面，提供了一种结构，包括：图像传感器，建立在管芯上，所述管芯形成为半导体衬底的一部分；以及密封环，环绕所述图像传感器，所述密封环通常为具有四条边的矩形形状，所述四条边的邻近的边通常垂直并且在角结处连接在一起，每个所述角结具有周界，其中，所述邻近的边连接为非直角。

在上述结构中，其中，所述图像传感器是背照式图像传感器，并且每个所述角结包括彼此连接的多条线段。

在上述结构中，其中，所述图像传感器是背照式图像传感器，并且每个所述角结包括彼此连接的多条线段；所述线段在结处连接在一起，并且每个所述结均包括钝角结。

在上述结构中，其中，所述图像传感器是背照式图像传感器，并且每个所述角结包括彼此连接的多条线段；所述线段在结处连接在一起，并且每个所述结均包括钝角结；至少一个所述结包括向内延伸的结，并且至少一个所述结包括向外延伸的结，并且所述角结还包括至少一个多边形，所述至少一个多边形的多边形边由所述线段中的一条形成。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从下面的详细描述可以更好地理解本发明。应该强调，根据普遍实践，附图中的各个部件无需按比例绘制。相反，为了清楚的目的，各个部件的尺寸可以任意增大或缩小。在整个说明书和附图中，相似的标号表示相似的部件。

图1是示出了关于半导体器件、芯片和划线的密封环实施例的半导体衬底的一部分的平面图；

图2是具有形成在划线中的密封环沟槽的图像传感器的实施例的截面图；以及

图3A至图3G是示出了根据本发明的各个实施例的密封环的圆角的顶视图。

具体实施方式

本发明提供了可用于诸如集成电路、图像传感器（包括背照式和前照式图像传感器）以及各种其他半导体器件的各种半导体器件中的密封环结构。密封环通常环绕半导体器件且在通常为矩形的半导体芯片的外围周围延伸，在该半导体芯片上形成半导体器件且通过划线分离该半导体芯片。在一些实施例中，在划线中形成密封环结构，且在其他实施例中，在向内邻近划线的位置形成密封环结构。各个半导体器件和芯片（在其上形成半导体器件）与通常环绕半导体器件的密封环一样在形状上通常是矩形。虽然在一些实施例中，本发明的密封环也包括具有多个分离部分的密封环，但是大多数密封环包括多组相对放置的通常平行的边和在角结（corner junctions）处相交的邻近的边。甚至在密封环实施例中，密封环包括多个分离的部分，该分离的部分包括邻近的、在角结处连接的通常垂直边。然而，本发明的密封环的特征在于，具有由密封环的两条基本上垂直的、邻近的线性边相交形成的并非简单的直角拐角的角结。更确切地说，本发明提供的各个密封环实施例的密封环的邻近边之间的结的特征在于，密封环的两条通常垂直的边具有结为弯曲的结，由在各个结处连接的多条线段形成结和/或由在角结处形成的一个或多个封闭多边形结构形成结。

图1是示出了芯片2的平面图，芯片2通常为矩形且形成在衬底的一部分上，并且芯片2通过划线4进行分离。每个芯片2包括半导体器件6，且芯片2可选地称为管芯。在各个实施例中，半导体器件6占据了芯片2的所有或大部分面积。在一些实施例中，半导体器件6是集成电路或其他半导体电路，且在其他实施例中，半导体器件6是包括像素阵列的图像传感器。在一些实施例中，图像传感器芯片是具有图像元素（即，像素）阵列的前照式图像传感器，且在其他实施例中，图像传感器是背照式图像传感器。背照式图像传感器（也称为背侧照明（BSI或BI）传感器）是一种类型的数字图像传感器，其使用成像元件的布置以增加光捕获量并从而提高低光性能。背照式图像传感器件包含许多与前照式图像传感器相同的元件，但是在制造期间通过翻转硅衬底将布线定向在光阴极层（photocathode layer）后面，然后削薄其背侧，从而使得光可以撞击光阴极层而不会穿过布线层。这种改变提高了捕获输入光子的效率。

在一个实施例中，密封环是形成在衬底中或形成在芯片2的基底材料中的沟槽结构。在另一个实施例中，密封环是材料结构，且形成密封环的材料与通过密封环环绕的芯片的材料（例如，硅）不同。

仍参考图1，芯片2通常为矩形且在行和列中排列并具有相同的尺寸。划线4在芯片2之间延伸。每个芯片2包括半导体器件6。在实施例“A”中，由完全环绕半导体器件6和芯片2且设置在划线4内的密封环10环绕半导体器件6。虽然密封环10包括两组相对放置的平行的边和通常与另一边垂直的邻近的边，但是每个角结13并非是由密封环10的邻近的线性边14相交形成的简单的直角。在一些实施例中（其将在随后的图中示出），角结13包括连接在一起的多条线段，且在一些实施例中（其将在随后的图中示出），角结13包括封闭的多边形。在其他实施例中，角结13是弯曲的、圆形的部件。在一些实施例中，角结13包括连接在一起以产生圆角效果（rounding effect）的多条线段且也包括封闭的多边形。

在一个实施例中，角结13通常可以描述为具有一个或多个弧形部分的圆形结。在一些实施例中，圆形实质上是由于许多短段在多个结处连接在一起以连接密封环10的邻近的边14，从而产生圆角。换句话说，在角结13处的密封环的外周界（即，外缘）包括多个拐点。在另一个实施例中，角结13包括一个或多个多边形结构，且根据每个实施例，结果是从一条邻近的边14到另一条邻近的边14的更平滑过渡，从而通过消除由单个直角连接的邻近的垂直边14而降低了应力和电荷集中。在一些实施例中，角结13具有通常为圆形的周界且包括位于角结13处的一个或多个封闭的结构或其他多边形结构。

在实施例“B”中，芯片2包括半导体器件6，密封环10环绕半导体器件6但是位于芯片2内而不环绕芯片2。密封环10基本上在半导体器件6周围延伸且包括由两组相对放置的平行的边限定的形状，并且密封环10包括四个角结13，密封环10的邻近的边14在角结13处连接。每个角结13代表一种结构，这种结构不同于在密封环10的通常垂直的邻边14之间形成的单个直角。

在实施例“C”中，芯片2包括半导体器件6。然而，在实施例“C”中，密封环12包括共同地完全环绕半导体部件6和芯片2的内部和外部。芯片2和半导体器件6的每个外围位置都包括密封环12的至少一个外围地设置的部分。在其他实施例中，密封环12包括诸如密封环10的两个密封环，且每个均完全环绕芯片2。在又一个实施例中，一个密封环10设置在半导体器件6周围及芯片2内，而诸如密封环10的另一个密封环外围地设置在芯片2周围和划线4中。密封环12的每个角结13（即，并非是密封环12的两条边之间的简单的直角结）均如前文所述。在随后的图中将示出角结13的进一步的细节。

图2是半导体器件6的一个实施例的截面图。图2示出了半导体器件6是背照式图像传感器的实施例。背照式图像传感器包括芯片2内的像素阵列20和黑电平校准部分22。在硅26上的芯片2中形成半导体器件6，硅26也延伸到划线4内。在一些实施例中，硅26是硅晶圆（即，衬底）的部分，并且硅26表示形成在半导体衬底上方的层，但是现在其用作半导体器件6的基底层。在这个实施例中，硅26形成芯片2的基底材料，但是在其他实施例中，将与硅不同的材料用作基底材料。仍参考图2，像素阵列20包括形成在相应的像素30上方的透镜28。在一些实施例中，像素30包括红色、绿色和蓝色滤色镜，但是在其他实施例中，也可以使用其他布置。在示出的实施例中，像素阵列20包括ARC（抗反射涂布）层32、缓冲层34和电介质36。在其他实施例中，使用其他材料层和其他布置。在电介质36内的是像素阵列20内的金属栅格38的部分，且金属屏蔽40位于黑电平校准部分22中。硅26设置在层间电介质（ILD44）上方，ILD44延伸穿过半导体器件6和划线4。在其他实施例中，使用其他材料和其他布置。

在示出的实施例中，划线4内是硅26和沟槽46，沟槽46向下延伸至ILD44。在一些实施例中，沟槽46的深度与硅26的厚度27同样大，厚度27表示半导体器件6和芯片2的基底材料的厚度。在平面图中，沟槽46完全或至少部分地在划线4内的芯片2和半导体器件6周围延伸且用作密封环。在其他实施例中，用与硅26不同的材料填充沟槽46，并且沟槽46完全或至少部分地在划线4内的芯片2和半导体器件6周围延伸且用作密封环。在一些实施例中，不同的材料是介电材料，但是在其他实施例中，也可以使用诸如聚合物或空气（即，不填充沟槽46）的各种其他合适的材料。在示出的实施例中，半导体器件6和芯片2表现为占据了相同的基板面（real estate），但是在其他实施例中，将半导体器件6形成在芯片2内，且芯片2包括外围缓冲区，该外围缓冲区不包括半导体器件6。

虽然结合图2中的硅26进行了描述，但是在其他实施例中，芯片2可以由诸如在半导体制造中使用的硅锗或其他材料的其他基底材料形成，且半导体器件6可以形成在诸如在半导体制造中使用的硅锗或其他材料的其他基底材料上。

虽然半导体器件6是图像传感器，特别是结合划线4和沟槽46示出的背照式图像传感器，其中，沟槽46形成图2的视图中的密封环，但是在其他实施例中，半导体器件6表示其他图像传感器或诸如各种集成电路的其他半导体器件。

图3A至图3G示出了不同拐角（即，图1的角结13）的实施例。实施例3A至3G的每个均示出了角结（即，密封环的邻边连接的位置）的平面图。图3A至图3G表示各种类型的密封环，包括但不限于沟槽和用与半导体器件（即，芯片2）的材料不同的材料填充的沟槽。虽然图3A至图3G的每个中仅示出了一个角结13，但是每个密封环可以包括一个、两个、三个或四个角结，该角结为图3A至图3G中示出或本文描述的圆形或多边形拐角中的任意一个。

图3A示出了实施例，其中，至少部分地环绕半导体器件的密封环的邻近且通常垂直的边50在结（即，角结13）处连接。每条边50均是线性的且通过在相应的结处连接的三条线段52连接，且在示出的实施例中，拐角54、56、58和60表示在结（形成在线段52之间）处形成的拐角。在这个示出的实施例中，每条线段52均是直线段，但是线段52的布置产生圆角效果且形成密封环的周界。相反，应当注意，边50并非连接在点62处，点62处表示为90°（即，如虚线64所示，如果延长边50，则在相邻的边50之间形成的直角结）。在图3A中，每个拐角54、56、58和60均大约相同，但是在其他实施例中，线段52在具有不同角度的结处彼此连接。在示出的实施例中，每个线段52均具有大约相同的长度，但是在其他实施例中，每个线段52包括不同的长度。

图3B根据本发明示出了密封环的非垂直角结13的另一个实施例。通过形成密封环外周界的三条线段70、72和74将边50连接在一起。三条线段70、72和74包括不同的长度且彼此连接并且在相应的结处连接至边50。拐角76、78、80和82表示在线段70、72和74以及边50之间形成的结处形成的拐角。拐角78和80是在向内延伸的结处形成的钝角。该布置产生角结13，该角结13并非简单地表示为邻近的线性边50的直接垂直连接的拐角。

图3C示出了通过形成密封环的外周界的五条线段90、92、94、96和98在角结13处连接在一起的边50。边50通过在相应的结处相交的五条线段连接在一起，且在示出的实施例中，在相应的结处形成拐角100、102、104、106、108和110。拐角100、102、108和110是位于向外延伸的结处的钝角，并且拐角104、106是在向内延伸的结处分别在线段92、94和线段94、96之间形成的钝角。虚线64和点62表示如果没有本发明所提供的圆角，边50可能如何连接为直角。

在不同的实施例中，连接边50的线段的数量、连接边50的线段的长度、线段的相对长度以及在连接边50的线段之间的结处形成的拐角不同。在一些实施例中，由平滑的、弯曲的弧线以及不分离的线段形成角结13的外周界。

图3D至图3G示出了各种其他布置，其中，密封环的邻近的垂直边50在拐角（仅包括连接为直角的边50）中未连接在一起。图3D示出了设置在角结13处的封闭的五边形120。密封环的边50形成五边形120的两条边。图3E示出了在边50之间的结处（即，在角结13处）形成的六边形124。封闭的六边形124包括由密封环的边50形成的两条边。线段126连接边50并在包括多边形124的这个实施例中产生圆角效果。图3F示出了包括两个封闭的多边形的实施例。在示出的实施例中，封闭的多边形130、132是彼此的镜像并关于线段134对称，但是在其他实施例中，也可以使用其他布置。每个封闭的多边形130、132是四边形，并且四边形130、132共用一条边，即，共用线段134。虽然密封环的边50在点136处连接且确实在点136处形成了直角，但是在各个拐角处存在额外的线段以形成封闭的多边形130、132，且边50在仅包括彼此相交为直角的边50的拐角处不连接。在其他实施例中，在角结13处存在一个或多个封闭的多边形，且在不同的实施例中，该多边形包括不同的梯形、三角形、六边形或其他多边形。

图3G示出了在角结13处连接密封环的边50的四条线段142、144、146和148。线段142、144、146和148在相应的结处连接，且在示出的实施例中，拐角150、152、154、156和158表示在结处形成的拐角，其中，结形成在线段142、144、146和148和边50之间。拐角150、152、154和156的每个均为在向外延伸的结之间的结处形成的钝角，并且拐角158是形成在向内延伸的结之间的结处的钝角，其中向内延伸的结形成在线段144和146之间。

虽然在不同的实施例中使用了不同的布置，但在许多实施例中，在角结13处的密封环的周界的圆角可归因于其中将单条线段连接为钝角（即，角度介于90°和180°之间）的布置。

根据本发明的一个方面，一种结构包括：设置在衬底上的半导体器件；以及至少部分地环绕包括半导体器件的管芯的密封环，该密封环的形状通常为矩形，该矩形具有位于矩形的垂直边之间的至少一个角结，其中，拐角的最外边由垂直边形成非直角。

在一些实施例中，密封环完全环绕管芯，并且密封环的至少一个角结的每个角结包括非直角的最外边缘。

在一些实施例中，至少一个角结包括连接密封环的垂直边的多条直线段。

在一些实施例中，多条直线段的邻近的直线段在包括钝角结的结处彼此连接。

在一些实施例中，密封环的至少一个角结的每个角结包括非直角结。

在一些实施例中，多条直线段在包括钝角的每个结处彼此连接。

在一些实施例中，多条直线段的邻近的直线段在结处彼此连接，并且其中，至少一个结是向内延伸形成钝角的第一结，并且其中，至少一个结是向外延伸的第二结。

在一些实施例中，向外延伸的第二结形成钝角。

在一些实施例中，多条直线段形成角结的外周界，并且至少一条线段形成设置在角结处的封闭的多边形的一边。

在一些实施例中，每个角结均是弧线。

在一些实施例中，密封环是延伸至衬底内的沟槽结构。

在一些实施例中，衬底由第一材料形成，并且密封环由第二材料形成。

在一些实施例中，半导体器件包括图像传感器。

根据本发明的另一个方面，一种结构包括：设置在半导体衬底上的半导体器件；环绕该半导体器件的密封环，密封环是延伸至衬底内的沟槽结构并具有形成密封环的边且在角结处连接在一起的两组相对放置的平行线的结构，其中，至少一个角结包括作为其一部分的至少一个封闭的多边形，该封闭的多边形的至少一条多边形边由边中的一条形成。

在一些实施例中，角结的第一角结将边的第一边连接至边的第二边，第一边和第二边通常垂直，并且至少一个封闭的多边形的至少一个包括延伸至第一边的一端的至少一条多边形边。

在一些实施例中，密封环环绕包括半导体器件的管芯，并且角结的至少第一角结包括将边的第一边连接至边的第二边且形成密封环的周界的多条直线段。

在一些实施例中，第一角结包括至少一个多边形，该至少一个多边形的多边形边由线段中的一条形成。

根据本发明的另一个方面，一种结构包括：建立在管芯上的图像传感器，该管芯形成半导体衬底的一部分；以及环绕图像传感器的密封环，该密封环通常为具有四条边的矩形形状，四条边的邻近的边通常垂直并且在角结处连接在一起，每个角结具有周界，其中，邻近的边连接为非直角。

在一些实施例中，图像传感器是背照式图像传感器，并且每个角结包括彼此连接的多条线段。

在一些实施例中，线段在结处连接在一起，并且每个结均包括钝角结。

在一些实施例中，至少一个结包括向内延伸的结，并且至少一个结包括向外延伸的结，并且其中，角结还包括至少一个多边形，该至少一个多边形的多边形边由线段中的一条形成。

前述仅说明了本发明的原理。因此应该理解，本领域普通技术人员将能够设计出虽然在本文中未明确描述或示出，但是体现本发明的原理且包括在其精神和范围内的各种布置。此外，本文中陈述的所有实例和条件语言都主要明确旨在仅用于教导的目的和帮助理解本发明的原理和为促进本领域发展作出贡献的概念，且应理解为不限于这样的特定陈述的实例和条件。而且，本文中陈述本发明的原理、方面和实施例的所有声明及其具体实例旨在包括其结构和功能等同。此外，这种等同预期包括当前已知的等同和未来将开发的等同，即，不管其结构如何，实施相同功能的开发的任何元件。

预期结合附图中的图阅读对示例性实施例的这种描述，附图被认为是整个撰写的说明书的一部分。在说明书中，诸如“下部”、“上部”、“水平的”、“垂直的”、“在…之上”、“在…下面”、“向上”、“向下”、“顶部”和“底部”的相对术语及其衍生词（例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等）应该理解为指的是当时描述的或论述的附图中所示的方位。这些相对术语是为了便于描述的目的且不要求装置以特定的方位构造或操作。除了另有明确描述，诸如“连接”和“互连”的关于附接、连接等的术语是指是指其中一个结构直接或通过插入结构间接地固定或接合至另一结构的关系以及两者都是可移动的或刚性的接合或关系。

虽然以示例性实施例的方式描述了本发明，但是本发明不限于此。相反，应对所附权利要求应该作广义地解释以包括在不背离本发明的等同的范围的情况下本领域技术人员可以做出的本发明的其他变化和实施例。

Claims (15)

1.一种半导体结构，包括：

半导体器件，设置在衬底上；以及

密封环，至少部分地环绕包括所述半导体器件的管芯，

所述密封环的形状通常为矩形，所述矩形具有位于所述矩形的垂直边之间的至少一个角结，其中，拐角的最外边缘与所述垂直边形成非直角，所述至少一个角结包括连接所述垂直边的多条直线段，其中，所述多条直线段的邻近的直线段在结处彼此连接，至少一个所述结朝向所述管芯向内延伸并且形成钝角，并且至少一个所述结是远离所述管芯向外延伸的第二结，其中，所述向外延伸的第二结形成钝角。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述密封环完全环绕所述管芯。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述密封环的所述至少一个角结中的每一个角结均包括非直角结。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多条直线段形成所述角结的外周界，并且至少一条所述线段形成为设置在所述角结处的封闭的多边形的一条边。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，每个所述角结均是弧线。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述密封环是延伸至所述衬底内的沟槽结构。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底由第一材料形成，并且所述密封环由第二材料形成。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体器件包括图像传感器。

9.一种半导体结构，包括：

半导体器件，设置在半导体衬底上，

密封环，环绕所述半导体器件，

所述密封环是延伸至所述衬底内的沟槽结构，并且所述密封环具有形成所述密封环的边并在角结处连接在一起的两组相对放置的平行线结构，其中，至少一个所述角结包括作为所述角结的一部分的至少一个封闭的多边形，所述封闭的多边形的至少一条多边形边由所述密封环的边中的一条形成；

其中，所述角结的第一角结将所述密封环的边的第一边连接至所述密封环的边的第二边，所述第一边和所述第二边通常垂直，并且所述至少一个封闭的多边形的至少一个包括延伸至所述第一边的一端的至少一条所述多边形边，

并且，所述多边形朝向所述半导体器件的一侧还包括多条内侧直线段，其中，所述多条内侧直线段的邻近的内侧直线段在结处彼此连接，至少一个所述结朝向所述半导体器件向内延伸并且形成钝角，并且至少一个所述结是远离所述半导体器件向外延伸的第二结，其中，所述向外延伸的第二结形成钝角。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述密封环环绕管芯，所述管芯包括所述半导体器件，并且所述角结的至少第一角结包括多条直线段，所述多条直线段将所述密封环的边的第一边连接至所述密封环的边的第二边且形成所述密封环的周界。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述第一角结包括至少一个所述多边形，至少一个所述多边形的一条多边形边由所述线段中的一条形成。

12.一种半导体结构，包括：

图像传感器，建立在管芯上，所述管芯形成为半导体衬底的一部分；以及

密封环，环绕所述图像传感器，

所述密封环通常为具有四条边的矩形形状，所述四条边的邻近的边通常垂直并且在角结处连接在一起，每个所述角结具有周界，其中，所述邻近的边连接为非直角，每个所述角结包括彼此连接的多条线段，所述多条线段的邻近的线段在结处彼此连接，至少一个所述结朝向所述管芯向内延伸并且形成钝角，并且至少一个所述结是远离所述管芯向外延伸的第二结，其中，所述向外延伸的第二结形成钝角。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述图像传感器是背照式图像传感器，并且每个所述角结包括彼此连接的多条线段。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中，所述线段在结处连接在一起，并且每个所述结均包括钝角结。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中，至少一个所述结包括向内延伸的结，并且至少一个所述结包括向外延伸的结，并且所述角结还包括至少一个多边形，所述至少一个多边形的多边形边由所述线段中的一条形成。