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CN104022144B - Oled显示结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED显示结构及其制作方法，该OLED显示结构包括：基板(100)、位于基板(100)上的OC层(1)及位于该OC层(1)上的微共振腔(2)；所述OC层(1)远离基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈与所述OC层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。

Description

OLED显示结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种全彩化OLED显示结构及其制作方法。
背景技术
在显示技术领域，平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(OrganicLight Emitting Diode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED通常包括：基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂系统。目前，OLED的制作方法是将有机材料以真空热蒸镀法成膜于ITO阳极层上，再将金属阴极以热蒸镀或溅镀的方式沉积上去。
OLED全彩化显示是OLED技术的主要发展趋势。现在提出的OLED全彩化显示技术包括RGB像素并置法、色转换法、彩色滤光片法、微共振腔法和多层堆栈法五种。其中，应用微共振腔法实现OLED全彩化显示技术具有发光效率高、色纯度高、适合于大面积生产等优点。利用微共振腔效应，使具有某特定波长的光得到增强，而其它部分的光被削弱。
微共振腔法利用微共振腔的发光特性由其光学长度决定，并与每层材料的厚度、折射率有关。目前应用较多的微共振腔多为平坦型结构，其发光强度和色彩具有较强的方向性，不利于实现宽视角显示。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示结构，能够实现全彩化和宽视角显示。
本发明的另一目的在于提供一种OLED显示结构的制作方法，该方法简便易实现，通过该发法制得的OLED显示结构能够进行全彩化和宽视角显示，且该方法能够简化生产工艺，有助于促进OLED大世代线生产。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED显示结构，包括：基板、位于基板上的OC层及位于该OC层上的微共振腔；所述OC层远离基板的上表面呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部，所述微共振腔呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。
所述微共振腔包括位于所述上表面上的发射层、位于发射层上的缓冲层、位于缓冲层上的电极层、位于电极层上的白光有机层及位于白光有机层上的半反半透层，所述发射层、缓冲层、电极层、白光有机层与半反半透层均呈与所述OC层的上表面一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。
所述缓冲层对应R、G、B不同颜色的子像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔的腔长，实现全彩化显示；所述发射层的材质为Ag；所述缓冲层的材质为SiNx；所述电极层的材质为ITO；所述半反半透层的材质为MgAg。
两相邻所述波峰部最高点的距离为8um，所述波峰部最高点与波谷部最低点的距离为1.6～1.8um。
所述缓冲层的折射率等于电极层的折射率。
所述微共振腔对应R、G、B不同颜色子像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍。
所述白光有机层包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、及白光电子注入层。
本发明还提供一种OLED显示结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板；
步骤2、在基板上形成OC层，并对OC层进行曝光、显影，使其形成呈波浪形起伏状的上表面，该上表面具有凸起的波峰部及与波峰部平滑连接的凹陷的波谷部；
步骤3、在OC层的上表面上形成与该上表面形状一致的发射层；
步骤4、在发射层上形成一定厚度H1的缓冲层，该厚度H1等于对应R像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；
步骤5、在缓冲层上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影形成光阻图形，将B像素对应的光阻图形全部显影掉，将G像素对应的光阻图形显影成Half Tone结构，将R像素对应的光阻图形全部保留；
步骤6、通过干法蚀刻去除没有光阻图形保护的B像素对应的缓冲层，形成对应B像素微共振腔的腔长；
步骤7、通过干蚀刻法烧蚀去除G像素对应的Half Tone结构的光阻图形；
步骤8、通过干法蚀刻G像素对应的没有光阻图形保护的部分缓冲层，使该缓冲层保留至一定厚度H2，该厚度H2等于对应G像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；
步骤9、去除R像素对应的光阻图形，露出R像素对应的缓冲层；
步骤10、在阶梯状的缓冲层上形成电极层；
步骤11、在电极层上依次形成白光有机层与半反半透层。
所述步骤4中，缓冲层通过CVD法沉积形成在发射层上；所述发射层的材质为Ag；所述缓冲层的材质为SiNx；所述电极层的材质为ITO；所述半反半透层的材质为MgAg；所述白光有机层包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、白光电子注入层；所述缓冲层的折射率等于电极层的折射率。
所述步骤2中两相邻波峰部最高点的距离L1为8um，所述波峰部最高点与波谷部最低点的距离L2为1.6～1.8um；所述对应R像素微共振腔的腔长、对应B像素微共振腔的腔长与对应G像素微共振腔的腔长分别为红光、蓝光、绿光半波长的整数倍。
本发明的有益效果：本发明的OLED显示结构，通过将OC层及微共振腔各组成层设置为波浪形起伏状，能够消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示；通过设置缓冲层对应R、G、B不同颜色的像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍，实现全彩化显示；本发明的OLED显示结构的制作方法，通过在波浪形起伏状的OC层上形成同样呈波浪形起伏状的微共振腔，并形成具有不同厚度的阶梯状的缓冲层，使得由该发法制得的OLED显示结构能够进行全彩化和宽视角显示，且该方法简便易实现，能够简化生产工艺，有助于促进OLED大世代线生产。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明OLED显示结构的示意图；
图2为本发明OLED显示结构的制作方法的流程图；
图3为本发明OLED显示结构的制作方法的步骤5的放大示意图；
图4为本发明OLED显示结构的制作方法的步骤6的放大示意图；
图5为本发明OLED显示结构的制作方法的步骤7的放大示意图；
图6为本发明OLED显示结构的制作方法的步骤8的放大示意图；
图7为本发明OLED显示结构的制作方法的步骤9的放大示意图；
图8为本发明OLED显示结构的制作方法的步骤10的放大示意图。
具体实施方式
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
请参阅图1,同时参阅图8，本发明首先提供一种OLED显示结构，包括：基板100、位于基板100上的OC(Over Coat，绝缘覆盖)层1及位于该OC层1上的微共振腔2。
所述OC层1远离基板100的上表面11呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部111及与波峰部111平滑连接的凹陷的波谷部113。所述微共振腔2包括位于所述OC表面11上的发射层21、位于发射层21上的缓冲层22、位于缓冲层22上的电极层23、位于电极层23上的白光有机层24及位于白光有机层24上的半反半透层25。所述发射层21、缓冲层22、电极层23、白光有机层24与半反半透层25均呈与所述OC层1的上表面11一致的波浪形起伏状，即所述微共振腔2呈与所述OC层1的上表面11一致的波浪形起伏状，使得光线向不同方向射出，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。所述缓冲层22对应R、G、B不同颜色的像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔2的腔长。所述微共振腔2对应R、G、B不同颜色像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍，符合光波的共振模式，从而分别使红光、绿光、蓝光的发光得到加强，使R、G、B不同颜色像素分别发出红光、绿光、蓝光的单色光，实现全彩化显示。
进一步的，所述发射层21的材质为Ag；所述缓冲层22的材质为SiNx；所述电极层23的材质为ITO；所述半反半透层25的材质为MgAg。
两相邻所述波峰部111最高点的距离L1为8um，所述波峰部111最高点与波谷部113最低点的距离L2为1.6～1.8um。
所述缓冲层22的折射率等于电极层23的折射率，避免光波在缓冲层22与电极层23的交界面上发生反射。
所述白光有机层24包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、白光电子注入层。
请参阅图2至图8，同时参阅图1，本发明还提供一种上述OLED显示结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板100。
所述基板100为透明基板，优选的，所述基板100为玻璃基板。
步骤2、在基板100上形成OC层1，并对OC层1进行曝光、显影，使其形成呈波浪形起伏状的上表面11，该上表面11具有凸起的波峰部111及与波峰部111平滑连接的凹陷的波谷部113。
具体的，两相邻所述波峰部111最高点的距离L1为8um，所述波峰部111最高点与波谷部113最低点的距离L2为1.6～1.8um。
步骤3、在OC层1的上表面11上形成与上该表面11形状一致的发射层21。
所述发射层21的材质为Ag。
步骤4、在发射层21上形成一定厚度H1的缓冲层22，该厚度H1等于对应R像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度。
所述缓冲层22的材质为SiNx。
所述对应R像素微共振腔的腔长为红光半波长的整数倍，符合光波共振模式，能够使红光的发光得到加强，而其他颜色的发光得到抑制，使R像素发出红光。
所述缓冲层22通过化学气相沉积(CVD)法沉积形成在发射层21上。
步骤5、在缓冲层22上涂覆光刻胶(PR)，并进行曝光、显影形成光阻图形，将B像素对应的光阻图形全部显影掉，将G像素对应的光阻图形显影成Half Tone结构，将R像素对应的光阻图形全部保留。
步骤6、通过干法蚀刻(Dry)去除没有光阻图形保护的B像素对应的缓冲层22，形成对应B像素微共振腔的腔长。
所述对应B像素微共振腔的腔长为蓝光半波长的整数倍，符合光波共振模式，能够使蓝光的发光得到加强，而其他颜色的发光得到抑制，使B像素发出蓝光。
步骤7、通过干蚀刻法烧蚀(Ash)去除G像素对应的Half Tone结构的光阻图形；
步骤8、通过干法蚀刻G像素对应的没有光阻图形保护的部分缓冲层22，使该缓冲层22保留至一定厚度H2，该厚度H2等于对应G像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度。
所述对应G像素微共振腔的腔长为绿光半波长的整数倍，符合光波共振模式，能够使绿光的发光得到加强，而其他颜色的发光得到抑制，使G像素发出绿光。
步骤9、去除R像素对应的光阻图形，露出R像素对应的缓冲层22。
完成该步骤9后，所述缓冲层22呈具有不同厚度的阶梯状。
步骤10、在阶梯状的缓冲层22上形成电极层23。
所述电极层23的材质为ITO。
所述缓冲层22的折射率等于电极层23的折射率，避免光波在缓冲层22与电极层23的交界面上发生反射。
步骤11、在电极层23上依次形成白光有机层24与半反半透层25，完成微共振腔2及整个OLED显示结构的制作。
具体的，所述白光有机层24包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、白光电子注入层。
所述半反半透层25的材质为MgAg。
综上所述，本发明的OLED显示结构，通过将OC层及微共振腔各组成层设置为波浪形起伏状，能够消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示；通过设置缓冲层对应R、G、B不同颜色的像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍，实现全彩化显示；本发明的OLED显示结构的制作方法，通过在波浪形起伏状的OC层上形成同样呈波浪形起伏状的微共振腔，并形成具有不同厚度的阶梯状的缓冲层，使得由该发法制得的OLED显示结构能够进行全彩化和宽视角显示，且该方法简便易实现，能够简化生产工艺，有助于促进OLED大世代线生产。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种OLED显示结构，其特征在于，包括：基板(100)、位于基板(100)上的绝缘覆盖层(1)及位于该绝缘覆盖层(1)上的微共振腔(2)；所述绝缘覆盖层(1)远离基板(100)的上表面(11)呈波浪形起伏状，具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)，所述微共振腔(2)呈与所述绝缘覆盖层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示；
所述微共振腔(2)包括位于所述上表面(11)上的发射层(21)、位于发射层(21)上的缓冲层(22)、位于缓冲层(22)上的电极层(23)、位于电极层(23)上的白光有机层(24)及位于白光有机层(24)上的半反半透层(25)，所述发射层(21)、缓冲层(22)、电极层(23)、白光有机层(24)与半反半透层(25)均呈与所述绝缘覆盖层(1)的上表面(11)一致的波浪形起伏状，以消除发光强度和色彩具有方向性的问题，实现宽视角显示。
2.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述缓冲层(22)对应R、G、B不同颜色的子像素具有不同的厚度，以调整所述微共振腔(2)的腔长，实现全彩化显示；所述发射层(21)的材质为Ag；所述缓冲层(22)的材质为SiNx；所述电极层(23)的材质为ITO；所述半反半透层(25)的材质为MgAg。
3.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，两相邻所述波峰部(111)最高点的距离(L1)为8um，所述波峰部(111)最高点与波谷部(113)最低点的距离(L2)为1.6～1.8um。
4.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述缓冲层(22)的折射率等于电极层(23)的折射率。
5.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述微共振腔(2)对应R、G、B不同颜色子像素的腔长分别为红光、绿光、蓝光半波长的整数倍。
6.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述白光有机层(24)包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、及白光电子注入层。
7.一种OLED显示结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(100)；
步骤2、在基板(100)上形成绝缘覆盖层(1)，并对绝缘覆盖层(1)进行曝光、显影，使其形成呈波浪形起伏状的上表面(11)，该上表面(11)具有凸起的波峰部(111)及与波峰部(111)平滑连接的凹陷的波谷部(113)；
步骤3、在绝缘覆盖层(1)的上表面(11)上形成与该上表面(11)形状一致的发射层(21)；
步骤4、在发射层(21)上形成一定厚度H1的缓冲层(22)，该厚度H1等于对应R像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；
步骤5、在缓冲层(22)上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影形成光阻图形，将B像素对应的光阻图形全部显影掉，将G像素对应的光阻图形显影成Half Tone结构，将R像素对应的光阻图形全部保留；
步骤6、通过干法蚀刻去除没有光阻图形保护的B像素对应的缓冲层(22)，形成对应B像素微共振腔的腔长；
步骤7、通过干蚀刻法烧蚀去除G像素对应的Half Tone结构的光阻图形；
步骤8、通过干法蚀刻G像素对应的没有光阻图形保护的部分缓冲层(22)，使该缓冲层(22)保留至一定厚度H2，该厚度H2等于对应G像素微共振腔的腔长所需的缓冲层厚度；
步骤9、去除R像素对应的光阻图形，露出R像素对应的缓冲层(22)；
步骤10、在阶梯状的缓冲层(22)上形成电极层(23)；
步骤11、在电极层(23)上依次形成白光有机层(24)与半反半透层(25)。
8.如权利要求7所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，缓冲层(22)通过CVD法沉积形成在发射层(21)上；所述发射层(21)的材质为Ag；所述缓冲层(22)的材质为SiNx；所述电极层(23)的材质为ITO；所述半反半透层(25)的材质为MgAg；所述白光有机层(24)包括白光空穴注入层、白光空穴传输层、白光发光层、白光电子传输层、白光电子注入层；所述缓冲层(22)的折射率等于电极层(23)的折射率。
9.如权利要求7所述的OLED显示结构的制作方法，其特征在于，所述步骤2中两相邻波峰部(111)最高点的距离L1为8um，所述波峰部(111)最高点与波谷部(113)最低点的距离L2为1.6～1.8um；所述对应R像素微共振腔的腔长、对应B像素微共振腔的腔长与对应G像素微共振腔的腔长分别为红光、蓝光、绿光半波长的整数倍。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102717868B1 (ko) 2016-09-13 2024-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102661816B1 (ko) 2016-12-20 2024-04-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 이를 포함하는 유기발광장치
EP4099418A1 (en) * 2017-02-24 2022-12-07 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US10418583B2 (en) 2017-02-27 2019-09-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
CN108346674B (zh) * 2018-01-30 2019-01-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器
CN110148685B (zh) * 2019-05-07 2021-01-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110911581B (zh) 2019-11-14 2021-05-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法及电子设备
KR20240079312A (ko) * 2022-11-28 2024-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1947464A (zh) * 2004-04-30 2007-04-11 三洋电机株式会社 发光显示器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100437886B1 (ko) * 2001-09-25 2004-06-30 한국과학기술원 고발광효율 광결정 유기발광소자
KR100833975B1 (ko) * 2007-04-17 2008-05-30 황장환 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
TWI396151B (zh) * 2008-12-09 2013-05-11 Innolux Corp 顯示裝置與電子裝置
WO2013115136A1 (ja) * 2012-02-01 2013-08-08 シャープ株式会社 表示装置
CN103022079B (zh) * 2012-12-12 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置
JP2015072751A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN103824967A (zh) * 2013-12-30 2014-05-28 北京维信诺科技有限公司 一种具有内光取出结构的基板及其制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1947464A (zh) * 2004-04-30 2007-04-11 三洋电机株式会社 发光显示器

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