CN103922714B - 一种低介电常数多层电容器瓷料及其制备方法 - Google Patents
一种低介电常数多层电容器瓷料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103922714B CN103922714B CN201410100213.1A CN201410100213A CN103922714B CN 103922714 B CN103922714 B CN 103922714B CN 201410100213 A CN201410100213 A CN 201410100213A CN 103922714 B CN103922714 B CN 103922714B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- xcaco
- ysio
- powder
- low
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
本发明属于多层陶瓷电容器材料技术领域,特别涉及一种用于温度稳定型多层陶瓷电容器的瓷料及其制备方法。该种低介电常数多层电容器瓷料,其原料组分及百分比含量为:[(xCaCO3-ySiO2)+awt%Al2O3+bwt%TiO2+cwt%RE2O3],其中:x=0.8-1.1,y=0.9-1.0,为(xCaCO3-ySiO2)的摩尔百分比含量,a=0-0.035,b=0.01-0.025,c=0-0.0025,a,b,c均是在(xCaCO3-ySiO2)基础上,外加原料的质量百分比含量,RE为La,Ce或者Nd;采用该种瓷料制成的电容器制作成本低,具有低介电常数,低的介电损耗、高温度稳定性且可调,适合更高频率的应用。
Description
技术领域
本发明属于多层陶瓷电容器材料技术领域,特别涉及一种用于温度稳定型多层陶瓷电容器的瓷料。
背景技术
随着电子信息技术在各领域的渗透和扩张,对电子设备的要求越来越高,片式多层陶瓷电容器(简称MLCC)由于具有较小体积和重量应运而生。
片式多层陶瓷电容器(简称MLCC)作为重要电子元件与大规模集成电路一直保持高水平发展速度。对于开发介电常数小于9、损耗小于3×10-4与近零介电常数温度系数的材料较少,如中国专利申请号为200910214107.5公开的一种与镍内电极匹配的高频低介陶瓷介质材料,其主晶相为MgZrxSi(1-x)O3,(0.05≤x≤0.15),辅助成分包括MnO2、Al2O3、CaO、Bi2O3、TiO2、B2O3、SiO2、ZnO、Li2O、K2O、BaO中的一种或一种以上的物质,该种MLCC产品的介电常数在8.7-11.7的范围内,频率特性和介电性能优良,但是这种MLCC产品需要还原气氛中烧结且成分复杂。
现有多层陶瓷电容器要求材料与内电极共烧,且不与内电极发生化学反应,内电极不熔化并具有良好的导电性。这限制了电极材料的选择性。现有的多层电容器生产中,通常采用高熔点的贵金属如Pt、Au、Pd等做内电极,不但生产成本好,而且制作程序复杂。
发明内容
为了克服现有技术的不足,提供一种低介电常数多层电容器瓷料及该种电容器的制备方法,该瓷料具有低介电常数、低损耗、高电阻率,同时所制备电容器的具有优良的稳定性、制备工艺简单。
为实现上述目的,本发明提供了一种低介电常数多层电容器瓷料,其特征在于,其原料组分及百分比含量为:
[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%RE2O3],
其中:x=0.8-1.1,y=0.9-1.0,为(xCaCO3-ySiO2)的摩尔百分比含量,
a=0-0.035,b=0.01-0.025,c=0-0.0025,a,b,c均是在(xCaCO3-ySiO2)基础上,外加原料的质量百分比含量,
RE为La,Ce或者Nd。
进一步的,所述的Al2O3、TiO2和RE2O3的晶粒尺寸均在1μm以下。
进一步的,所述CaCO3、Al2O3、TiO2和RE2O3纯度均大于99%。
一种低介电常数多层电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,合成CaSiO3粉体,将CaCO3和SiO2按CaCO3:SiO2=(0.8-1.1):(0.9-1.0)的摩尔比比例进行称量、混合,并于去离子水中进行球磨,然后烘干、干燥、预烧后即得到CaSiO3粉体;
步骤2,按照瓷料配方[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%RE2O3],向所得的CaSiO3粉体中加入Al2O3、TiO2和RE2O3进行配料,制成原料粉体;
步骤3,将所得的原料粉体过40目筛,然后加入质量百分比为2-10%的石蜡或PVA进行造粒,将造粒粉末在5-15MPa压强下压制成直径10-15mm、厚度1.2mm-1.8mm的生坯;
步骤4,将所得的生坯,再经1-3小时升温至1100-1300℃保温1-8小时,制得温度稳定型多层陶瓷电容器介质;
步骤5,将上述所得的多层陶瓷电容器介质经过抛光、两侧烧制银电极制成电容器。
进一步的,步骤1中所述的预烧是以5-15℃/min的升温速度升至1100-1200℃,保温1-10小时。
进一步的,步骤2中CaSiO3粉体与辅料按照比例混合后加入无水乙醇溶剂中,混合球磨20-30小时,烘干、粉碎得到原料粉体。
进一步的,采用氧化锆球做为球磨介质。
进一步的,步骤3加入质量百分比为5%的石蜡或PVA进行造粒。
进一步的,步骤3中所述生坯为直径12mm、厚度1.5mm的圆片。
由上述对本发明描述可知,本发明用于温度稳定型多层陶瓷电容器的瓷料原料价格低廉,具有低介电常数、低损耗、高电阻率和优良的稳定性;采用该种瓷料制成的用于温度稳定型多层陶瓷电容器,以CaSiO3为主料,生产工艺简单、制作成本低,具有低介电常数,低的介电损耗、高温度稳定性且可调,适合更高频率的应用,有极高的工业应用价值。
附图说明
图1为本发明实施例1样品(a)、实施例2样品(b)、实施例3样品(c)和实施例4样品(d)的XRD图谱。
图2为低介常数多层电容器的制备方法的工作流程图。
具体实施方式
参照图1、图2所示,以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。
本发明提供了一种用于温度稳定型多层陶瓷电容器的瓷料,组分及百分比含量为:
[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%RE2O3],
其中:x=0.8-1.1,y=0.9-1.0,为(xCaCO3-ySiO2)的摩尔百分比含量,
a=0-0.035,b=0.01-0.025,c=0-0.0025,a,b,c均是在(xCaCO3-ySiO2)基础上,外加原料的质量百分比含量,RE为La,Ce或者Nd;
其中,Al2O3、TiO2和RE2O3的晶粒尺寸均在1μm以下;
CaCO3、Al2O3、TiO2和RE2O3纯度均大于99%。
实施例1:
依据配料方式[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%CeO2],先将CaCO3和SiO2按照1:1的摩尔比比例混合均匀,在1150℃下预烧保温2小时得到CaSiO3粉体;
将粉体CaSiO3、Al2O3、TiO2和CeO2按照1:0.03:0.02:0.0015的质量比例混合后加入无水乙醇溶剂中,混合球磨24小时,烘干得到原料粉体;
将所得的原料粉体过40目筛,加入用蒸馏水配制的5wt%浓度的聚乙烯醇(PVA)粘结剂造粒;
将造粒的粉末在5-15MPa的压力下压成直径12mm、厚度1.5mm的圆片;
然后在烧结额温度1100-1300℃,烧结时间为2小时,升温速度为3℃/min;
烧成的陶瓷圆片经过表面抛光,烧银,测量其介电性能。
所获得的样品介电性能参数见表1:
表1
实施例2:
依据配料方式[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%CeO2],先将CaCO3和SiO2按照1:1的摩尔比比例混合均匀,在1150℃下预烧保温2小时得到CaSiO3粉体;
将粉体CaSiO3、Al2O3、TiO2和CeO2按照1:0.02:0.025:0.001的质量比例混合后加入无水乙醇溶剂中,混合球磨24小时,烘干得到原料粉体;
将所得的原料粉体过40目筛,加入用蒸馏水配制的5wt%浓度的聚乙烯醇(PVA)粘结剂造粒;
将造粒的粉末在5-15MPa的压力下压成直径12mm、厚度1.5mm的圆片;
然后在烧结额温度1100-1300℃,烧结时间为2小时,升温速度为3℃/min;
烧成的陶瓷圆片经过表面抛光,烧银,测量其介电性能。
所获得的样品介电性能参数见表2:
表2
实施例3:
依据配料方式[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%La2O3],先将CaCO3和SiO2按照1:1的摩尔比比例混合均匀,在1150℃下预烧保温2小时得到CaSiO3粉体;
将粉体CaSiO3、Al2O3、TiO2和La2O3按照1:0.015:0.02:0.0015的质量比例混合后加入无水乙醇溶剂中,混合球磨24小时,烘干得到原料粉体;
将所得的原料粉体过40目筛,加入用蒸馏水配制的5wt%浓度的聚乙烯醇(PVA)粘结剂造粒;
将造粒的粉末在5-15MPa的压力下压成直径12mm、厚度1.5mm的圆片;
然后在烧结额温度1100-1300℃,烧结时间为2小时,升温速度为3℃/min;
烧成的陶瓷圆片经过表面抛光,烧银,测量其介电性能。
所获得的样品介电性能参数见表3:
表3
实施例4:
依据配料方式[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%Nd2O3],先将CaCO3和SiO2按照1:1的摩尔比比例混合均匀,在1150℃下预烧保温2小时得到CaSiO3粉体;
将粉体CaSiO3、Al2O3、TiO2和Nd2O3按照1:0.02:0.025:0.0015的质量比例混合后加入无水乙醇溶剂中,混合球磨24小时,烘干得到原料粉体;
将所得的原料粉体过40目筛,加入用蒸馏水配制的5wt%浓度的聚乙烯醇(PVA)粘结剂造粒;将造粒的粉末在5-15MPa的压力下压成直径12mm、厚度1.5mm的圆片;
然后在烧结额温度1100-1300℃,烧结时间为2小时,升温速度为3℃/min。烧成的陶瓷圆片经过表面抛光,烧银,测量其介电性能。
所获得的样品介电性能参数见表4:
表4
上述实施例1-4中所有样品均采用固相法制备,烧结得到的部分样品用于性能测试;
由于样品烧结后为规则的圆柱状,可以用游标卡尺进行陶瓷样品的直径和厚度的测量,从而计算出陶瓷样品的体积,进一步根据陶瓷的质量,可以计算出陶瓷块体的密度,一般而言,每一个组分都存在一个烧结最致密的温度,在所有实验中,通过改变陶瓷的烧结温度来获得最佳密度点,以下的实验中各种分析评价采用的样品均是在烧结最佳密度的温度下获得。
对成品陶瓷片分别利用阿基米德排水法测量其体积密度;采用X射线衍射技术进行物相分析;采用SEM观察其表面和断面的形貌、成分和晶体取向等特征;使用同惠公司生产的TH2818和智能温控仪组成的测试系统测试样品的介电常数和损耗温度谱,测试温度范围为-55-125℃,升温速度为2℃/min,测试频率1MHz,根据以下公式进行介电常数εr的计算:
式中,Cp为测试的电容,h为样品厚度;
采用美国Radiant公司的Precision Workstation测试陶瓷样品常温下的电滞回线和电阻率,美国Trek公司的Model 609A高压电源施加外电压,电阻率测试采用上述电学性能测试设备中的漏电流测试方法,在100V直流电压下进行。
上述仅为本发明的一个具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。
Claims (9)
1.一种低介电常数多层电容器瓷料,其特征在于,其原料组分及百分比含量为:
[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%RE2O3],
其中:x=0.8-1.1,y=0.9-1.0,为(xCaCO3-ySiO2)的摩尔百分比含量,
a=0-0.035,b=0.01-0.025,c=0-0.0025,a,b,c均是在(xCaCO3-ySiO2)基础上,外加原料的质量百分比含量,
RE为La,Ce或者Nd。
2.根据权利要求1所述的用于温度稳定型多层陶瓷电容器的瓷料,其特征在于:所述的Al2O3、TiO2和RE2O3的晶粒尺寸均在1μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的用于温度稳定型多层陶瓷电容器的瓷料,其特征在于:所述CaCO3、Al2O3、TiO2和RE2O3纯度均大于99%。
4.一种低介电常数多层电容器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,合成CaSiO3粉体,将CaCO3和SiO2按一定比例进行称量、混合,并于去离子水中进行球磨,然后烘干、干燥、预烧后即得到CaSiO3粉体;
步骤2,按照瓷料配方[(xCaCO3-ySiO2)+a wt%Al2O3+b wt%TiO2+c wt%RE2O3],其中:x=0.8-1.1,y=0.9-1.0,为(xCaCO3-ySiO2)的摩尔百分比含量,a=0-0.035,b=0.01-0.025,c=0-0.0025,a,b,c均是在(xCaCO3-ySiO2)基础上,外加原料的质量百分比含量,RE为La,Ce或者Nd,向所得的CaSiO3粉体中加入Al2O3、TiO2和RE2O3进行配料,制成原料粉体;
步骤3,将所得的原料粉体过40目筛,然后加入质量百分比为2-10%的石蜡或PVA进行造粒,将造粒粉末在5-15MPa压强下压制成直径10-15mm、厚度1.2mm-1.8mm的生坯;
步骤4,将所得的生坯,再经1-3小时升温至1100-1300℃保温1-8小时,制得温度稳定型多层陶瓷电容器介质;
步骤5,将上述所得的多层陶瓷电容器介质经过抛光、两侧烧制银电极制成电容器。
5.根据权利要求4所述的低介常数多层电容器的制备方法,其特征在于:所述步骤1中所述的预烧是以5-15℃/min的升温速度升至1100-1200℃,保温1-10小时。
6.根据权利要求4所述的低介常数多层电容器的制备方法,其特征在于:所述步骤2中CaSiO3粉体与辅料按照比例混合后加入无水乙醇溶剂中,混合球磨20-30小时,烘干、粉碎得到原料粉体。
7.根据权利要求6所述的低介常数多层电容器的制备方法,其特征在于:采用氧化锆球做为球磨介质。
8.根据权利要求4所述的低介常数多层电容器的制备方法,其特征在于:所述步骤3加入质量百分比为5%的石蜡或PVA进行造粒。
9.根据权利要求4所述的低介常数多层电容器的制备方法,其特征在于:所述步骤3中所述生坯为直径12mm、厚度1.5mm的圆片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410100213.1A CN103922714B (zh) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 一种低介电常数多层电容器瓷料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410100213.1A CN103922714B (zh) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 一种低介电常数多层电容器瓷料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103922714A CN103922714A (zh) | 2014-07-16 |
CN103922714B true CN103922714B (zh) | 2015-09-16 |
Family
ID=51141144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410100213.1A Active CN103922714B (zh) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 一种低介电常数多层电容器瓷料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103922714B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105272192B (zh) * | 2015-06-29 | 2017-10-31 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种低介电常数ag特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法 |
CN105036732A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-11-11 | 成都顺康三森电子有限责任公司 | 一种低介电损耗微波电子陶瓷材料 |
CN106083019A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-11-09 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 低介电常数温度稳定型多层电容器瓷介材料及其制备方法 |
CN109817563A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-28 | 昆山福烨电子有限公司 | 一种三层陶瓷厚膜电路的生产工艺 |
CN111925199B (zh) * | 2020-07-03 | 2022-07-01 | 成都宏科电子科技有限公司 | 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN112759378B (zh) * | 2021-02-01 | 2022-09-02 | 郴州功田电子陶瓷技术有限公司 | 低温共烧微波介质陶瓷材料及其制备方法、电子元器件 |
CN113480303B (zh) * | 2021-07-27 | 2023-01-17 | 华中科技大学温州先进制造技术研究院 | 一种铝酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法 |
CN114573333B (zh) * | 2022-02-28 | 2023-06-09 | 嘉兴佳利电子有限公司 | 一种低介电硅灰石系低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1287366A (zh) * | 1999-09-03 | 2001-03-14 | 株式会社村田制作所 | 介质陶瓷组合物与单片陶瓷电容器 |
CN1420105A (zh) * | 2002-11-08 | 2003-05-28 | 广东风华高新科技集团有限公司 | 陶瓷介质材料及其制备方法和用于生产陶瓷电容器的方法 |
EP1533286A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-25 | TDK Corporation | Electronic device, dielectric ceramic composition and the production method |
CN1854105A (zh) * | 2004-12-31 | 2006-11-01 | 电子科技大学 | 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法 |
CN101033132A (zh) * | 2007-02-13 | 2007-09-12 | 电子科技大学 | 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料 |
CN101367651A (zh) * | 2008-09-26 | 2009-02-18 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种高频低温烧结陶瓷介质材料及所得电容器的制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200531955A (en) * | 2004-03-16 | 2005-10-01 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition, multilayer ceramic capacitor, and method for manufacturing the same |
-
2014
- 2014-03-18 CN CN201410100213.1A patent/CN103922714B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1287366A (zh) * | 1999-09-03 | 2001-03-14 | 株式会社村田制作所 | 介质陶瓷组合物与单片陶瓷电容器 |
CN1420105A (zh) * | 2002-11-08 | 2003-05-28 | 广东风华高新科技集团有限公司 | 陶瓷介质材料及其制备方法和用于生产陶瓷电容器的方法 |
EP1533286A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-25 | TDK Corporation | Electronic device, dielectric ceramic composition and the production method |
CN1854105A (zh) * | 2004-12-31 | 2006-11-01 | 电子科技大学 | 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法 |
CN101033132A (zh) * | 2007-02-13 | 2007-09-12 | 电子科技大学 | 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料 |
CN101367651A (zh) * | 2008-09-26 | 2009-02-18 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种高频低温烧结陶瓷介质材料及所得电容器的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
高温MLCC陶瓷材料的组成及工艺研究;裴贞林;《电子科技大学硕士学位论文》;20091231;全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103922714A (zh) | 2014-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103922714B (zh) | 一种低介电常数多层电容器瓷料及其制备方法 | |
CN107162583B (zh) | 基于成分梯度提高钛酸钡基陶瓷介电温度稳定性的方法 | |
KR101268487B1 (ko) | 비스무스(Bi)계 복합 페로브스카이트 무연 압전 세라믹스 및 그 제조 방법 | |
CN104710174B (zh) | 一种同时具备高压电性能与高储能密度无铅陶瓷及其制备方法 | |
CN109231985A (zh) | 一种低损耗x8r型电介质材料的制备方法 | |
CN109265162A (zh) | 一种高性能巨介电常数介质材料 | |
CN102964123A (zh) | 氧化钐掺杂改性的锆钛酸铅铁电陶瓷及其制备方法 | |
CN105967674A (zh) | 一种铬掺杂铝酸镁高温热敏电阻材料及其制备方法 | |
CN101747051A (zh) | CaCu3Ti4O12陶瓷材料的低温烧结方法 | |
Dean et al. | A resource efficient design strategy to optimise the temperature coefficient of capacitance of BaTiO 3-based ceramics using finite element modelling | |
CN103011805B (zh) | 一种BaTiO3 基无铅X8R 型陶瓷电容器介质材料及其制备方法 | |
Chourti et al. | Effects of Gd-substitution on structural, and impedance spectroscopic study of Sr2Sm1− xGdxTi2Nb3O15 tungsten bronze ceramics | |
CN101172853A (zh) | 一种用于温度稳定x9r型多层陶瓷电容器瓷料及其制备方法 | |
CN109231981A (zh) | 一种三、五价异质元素共掺的巨介电常数介质材料 | |
CN105272192A (zh) | 一种低介电常数ag特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法 | |
CN101215160B (zh) | 一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法 | |
CN101823876B (zh) | 用于温度稳定型多层陶瓷电容器瓷料及其制备方法 | |
CN109437888A (zh) | 一种低损耗巨介电常数x8r型电介质材料的制备方法 | |
CN105399405A (zh) | 一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法 | |
TWI585793B (zh) | 低溫共燒陶瓷微波介電陶瓷及其製造方法 | |
CN104347202A (zh) | 一种厚膜负温度系数电阻浆料的制备方法 | |
CN101265092A (zh) | 氧化物改性铌钡酸铅高温压电陶瓷及其制备方法 | |
CN109206133A (zh) | 一种超低损耗钽系巨介电常数介质材料及其制备方法 | |
CN104150898A (zh) | 一种可低温烧结的无铅压电陶瓷材料及其制备方法 | |
CN108727013A (zh) | 一种超低介电损耗高介电常数陶瓷介电材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |