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CN103682057A - 发光器件 - Google Patents

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CN103682057A
CN103682057A CN201310384424.8A CN201310384424A CN103682057A CN 103682057 A CN103682057 A CN 103682057A CN 201310384424 A CN201310384424 A CN 201310384424A CN 103682057 A CN103682057 A CN 103682057A
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light
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金光镐
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LG Innotek Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括发光芯片和设置在发光芯片上的光学透镜。该光学透镜包括：入射面，从发光芯片发出的光入射到该入射面中；凹陷部，与入射面相对且沿入射面的方向凹陷；出射面，设置在凹陷部的外缘部，以输出经由入射面入射的光；以及凸部，在凹陷部与出射面之间突出且经由转折点与凹陷部和出射面至少之一连接。该凸部位于从发光芯片到设置在凹陷部的最外部的第一转折点的线段的里面。

Description

发光器件
技术领域
本实施例涉及一种光学透镜、发光器件和具有光学透镜和发光器件的照明器件。
背景技术
发光器件（例如，发光二极管）是一种将电能转换成光的半导体器件。发光器件作为代替根据现有技术的荧光灯和白炽灯的下一代光源而广受瞩目。
当与通过加热钨（W）产生光的白炽灯或通过允许经由高强度放电灯产生的UV（紫外线）光与荧光体撞击产生光的荧光灯相比，由于发光二极管使用半导体器件产生光，因而发光二极管所需功耗显著降低。
另外，由于发光二极管通过使用半导体器件的电势差（potential gap）产生光，因而与现存光源相比，发光二极管呈现为更长的寿命、快速响应特性以及生态友好属性。
因此，已开展了用发光二极管代替现存光源的许多研究和探讨。另外，发光二极管被逐渐地用作在室内场所和室外场所中使用的各种灯具以及照明器件的光源（例如，液晶显示器、电子显示板以及路灯）。
发明内容
本实施例提供一种能够扩散入射光的光学透镜和具有光学透镜的发光器件。
本实施例提供一种光学透镜，包括布置在凹陷部（该凹陷部沿入射面的方向从出射面的顶点凹陷）的外缘部处的多个凸部，且突出而具有转折点（inflection point）。
本实施例提供一种光学透镜，包括：反射元件，布置在凹陷部中，该凹陷部沿入射面的方向从出射面的顶点凹陷；以及凸部，位于凹陷部的外缘部，突出而具有转折点。
本实施例提供一种光学透镜，包括位于出射面的顶点与设置在顶点里面的相邻转折点之间的具有凸曲率的凸部。
本实施例提供一种光学透镜，包括在沿光的入射方向凹陷的凹陷部与出射面之间凸出且具有顶点的凸部。
本实施例提供一种光学透镜和具有该光学透镜的发光器件，该光学透镜包括被布置在沿光的入射方向凹陷的凹陷部与出射面之间且其曲率小于凹陷部的曲率的凸部。
本实施例提供一种光学透镜和具有该光学透镜的发光器件，该光学透镜包括：凸部，位于沿光的入射方向凹陷的凹陷部的外缘部；以及反射元件，位于凹陷部上。
本实施例提供一种在入射部件处具有沿光的出射方向凹陷的扩散部件的光学透镜。
本实施例提供一种在光学透镜的光入射侧具有荧光层的发光器件。
本实施例提供一种包括发光芯片和位于发光芯片上的光学透镜的发光器件。该光学透镜包括：入射面，从发光芯片发出的光入射到该入射面中；凹陷部，与入射面相对且沿入射面的方向凹陷；出射面，处于凹陷部的外缘部，以输出经由入射面入射的光；以及凸部，在凹陷部与出射面之间突出且经由转折点与凹陷部和出射面至少之一连接。该凸部位于从发光芯片到设置在凹陷部的最外部的第一转折点的线段的里面。
附图说明
图1为示出根据第一实施例的发光器件的侧剖视图；
图2为示出根据第二实施例的发光器件的侧剖视图；
图3为示出图2的光学透镜的局部放大图；
图4为示出根据第三实施例的发光器件的侧剖视图；
图5为示出图4的光学透镜的局部放大图；
图6为示出根据第四实施例的发光器件的侧剖视图；
图7为示出图6的光学透镜的局部放大图；
图8为示出根据第五实施例的发光器件的侧剖视图；
图9为示出图8的光学透镜的局部放大图；
图10至图14为示出图1和图2的发光器件的取向角（orientation angle）的分布的视图；
图15为示出根据第六实施例的发光器件（具有图2的光学透镜）的透视图；
图16为沿图15的发光器件的线A-A的剖视图；
图17为沿图15的发光器件的线B-B的剖视图；
图18为沿图15的发光器件的线C-C的剖视图；
图19为示出图15的发光器件中的引线框的透视图；
图20为示出在图15的发光器件中引线框与第一主体组装的示例的剖视图；
图21为示出在图15的发光器件中第一主体与第二主体组装的示例的剖视图；
图22为示出在图15的发光器件中第一主体的顶面的高度和倾斜角的视图；
图23为示出根据第七实施例的发光器件的侧剖视图；
图24为示出根据第八实施例的发光器件的侧剖视图；
图25为示出根据第九实施例的发光器件的侧剖视图；
图26为示出根据第十实施例的发光器件的侧剖视图；
图27为示出根据第十一实施例的发光器件的侧剖视图；
图28为示出根据第十二实施例的发光器件的侧剖视图；
图29为示出根据第十三实施例的发光器件的侧剖视图；
图30为示出根据实施例的发光器件中的发光芯片的一个示例的剖视图；
图31为示出根据实施例的发光器件中的发光芯片的另一个示例的剖视图；
图32为示出根据实施例的显示装置（具有发光器件）的透视图；
图33为示出根据实施例的显示装置的剖视图；以及
图34为示出根据实施例的照明器件（具有发光器件）的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，基于附图和实施例的说明书，本领域技术人员将明确理解实施例。在实施例的说明书中，应当理解，当某一层（膜）、区域、图案或结构被称为在衬底、另一层（膜）、另一个区域或另一个结构“上”时，其可“直接”或“间接”位于另一个衬底、另一层（膜）、另一个区域或另一个结构上，并且也可以存在一个或多个中间层。参考附图对层的这种位置加以描述。
为了方便或清晰起见，附图中示出的每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。全部附图中相同的附图标记将被指定给相同的元件。在下文中，将参考附图描述根据实施例的发光器件。
图1为示出根据第一实施例的发光器件的侧剖视图。
参照图1，发光器件10包括：发光芯片1；光学透镜2，用于扩散从发光芯片1发出的光并经由出射面22输出光；以及反射元件11，位于光学透镜2上。反射元件11可以被包括在光学透镜2中，或者可以与光学透镜2分离地设置，但实施例不限于此。
发光芯片1用作光源并选择性地发出紫外线波长到可见光波长范围中的光。发光芯片1包括UVLED芯片、绿色LED芯片、蓝色LED芯片、红色LED芯片或白色LED芯片。荧光粉可以被添加到发光芯片1的出光区域，但实施例不限于此。
发光芯片1可以位于比光学透镜2的底面（例如，入射面）低的位置，与光学透镜2的底面的一部分接触，或者位于光学透镜2的凹陷区域中。根据实施例，发光芯片1可以与光学透镜2的光入射面21间隔开预定距离Z1。距离Z1可以具有零或0.01mm或更大的值。这种情况下，发光芯片1的中心部可以相对于光学透镜2的中心同心地布置。
光轴（基准光轴）Z的方向是指在从发光芯片1发出的三维光通量的中心的光的行进方向。如图1所示，为了解释方便，从发光芯片1向上的垂直方向可以被定义为光轴Z（基准光轴）或法线。另外，发光器件10具有一个关于光轴Z的旋转对称形状。另外，对于发光芯片1来说不必非得具有旋转对称形状。详细地，发光芯片1可以具有多面体形状。光学透镜2改变从发光芯片1输出的光L的方向。换句话说，光学透镜2通过反射入射到光轴Z和邻近光轴Z的区域的光来扩散光L。
光学透镜2是用于在光轴Z周围输出光的元件。光学透镜2用作光提取透镜或横向光提取透镜。光学透镜2是用于改变从发光芯片1发出的光的方向的元件。虽然光学透镜2包括各种材料，然而光学透镜2可以优选包括折射率为1.4至1.7的透明材料。更优选地，光学透镜2可以包括透明树脂材料（例如，折射率为1.49的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、折射率为1.59的聚碳酸酯、以及环氧树脂（EP））或透明玻璃。
光学透镜2包括用作底面的入射面21、出光区域22和23以及凹陷部24。入射面21垂直地相交于光轴Z。
当从入射面21看过去时，彼此垂直的光学透镜2的长度可以彼此相等或彼此不同。例如，当从入射面21看过去时，光学透镜2的沿纵向方向的长度可以等于或不等于光学透镜2的沿横向方向的长度，但实施例不限于此。
出光区域22和23包括出射面22和外侧壁23。出射面22的剖面（section）形成为具有预定曲率轮廓的凸面形状。出射面22将入射到光学透镜2中的光扩散，并输出几乎所有的光。外侧壁23将出射面22与入射面21连接。外侧壁23可以从入射面21竖直地弯曲，或者可以与入射面21连接，而呈现为曲面。外侧壁23可以与光轴Z大体平行。根据另一个实施例，外侧壁23的剖面可以形成为具有预定曲率的凸面形状，但实施例不限于此。外侧壁23可以用作使光输出的表面。
凹陷部24被设置在入射面21的相对侧，并在光轴Z周围朝向入射面21凹陷，而呈现为凹形。凹陷部24可以具有关于光轴Z的旋转对称形状。根据另一个实施例，凹陷部24可以具有非旋转对称形状。
当基于转折点划分凹面的轮廓时，凹陷部24可以具有至少两个全反射面。每一个全反射面的剖面可以是倾斜或弯曲的，但实施例不限于此。
凹陷部24的侧剖面可以具有关于光轴Z朝向发光芯片1凹陷的形状。例如，凹陷部24可以具有凹杯形状或器皿形状。这种情况下，凹陷部24具有与光轴Z相同的中心。凹陷部24的深度朝向光轴Z逐渐增加。例如，凹陷部24在其中心处具有最低的深度。凹陷部24在其中心与入射面21之间具有最小厚度。
凹陷部24具有从光轴Z朝向光学透镜2的顶点22A设置且具有彼此不同的曲率或彼此不同的斜率的全反射面。全反射面反射入射光。例如，凹陷部24可以包括第一全反射面24A、第二全反射面24B以及第三全反射面24C。第一全反射面24A的中心位于光轴Z上，并且第一全反射面24A具有预定曲率的凹曲面。第二全反射面24B可以是关于光轴Z具有预定内角的倾斜表面或曲面。第二全反射面连接在第一全反射面24A与第三全反射面24C之间。第三全反射面24C与第二全反射面24B连接，并且比光轴Z离出射面22的顶点22A更近。出射面22的剖面形成为具有预定曲率的轮廓的凹面形状。第一全反射面24A、第二全反射面24B以及第三全反射面24C间的方向改变点可以是转折点，但实施例不限于此。这种情况下，转折点可以是使凹曲率变为凸曲率或凸曲率变为凹曲率的点。
当从上面看过去时，凹陷部24可以具有圆形边缘或椭圆形边缘，但实施例不限于此。凹陷部24可以具有槽（sink）结构或凹陷结构。
光学透镜2包括插入在凹陷部24与出射面22之间的凸部25。凸部25连接在凹陷部24与出射面22之间。凸部25可以具有从凹陷部24的表面和出射面22至少之一突出的结构或坝（dam）结构。凸部25可以是弯曲的（inflected）区域。凸部25可以具有关于光轴Z的旋转对称形状。
凸部25的剖面形状包括具有与第三全反射面24C的曲率相反的凸曲率的曲面。凸部25包括连接在顶点22A与第一转折点P4之间的凸曲面，第一转折点P4被设置为从顶点22A朝向凹陷部24而离凸部25最近。第一转折点P4是凹陷部24的最外部的转折点，或凸部25的最低转折点。换句话说，当从凹陷部24看过去时，第一转折点P4可以是最外部的点，或者当从凸部25看过去时，第一转折点P4可以是设置得离凹陷部24最近的最低点。第一转折点P4变为凹陷部24与凸部25之间的边界点。
出射面22的顶点22A可以是凸部25的顶点，或者可以是光学透镜2的顶点。第一全反射面至第三全反射面24A、24B以及24C的侧剖面表面至少之一可以包括球面和/或非球面，但实施例不限于此。另外，凸部25的侧剖面可以具有球面和/或非球面。
出射面22可以在凸部25的外部延伸成弯曲形状和/或具有预定斜率，并折射所反射的光。
这种情况下，当发光芯片1被采用为基准点O时，第一虚线段E1（其穿过基准点O和第一转折点25A这两者）与光轴Z之间的角度θ1可以处于40°至60°的范围中。
第二虚线段E2（其用作与凹陷部24的外部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ11大于角度θ1。例如，角度θ11可以处于41°至75°的范围中。
在第三虚线段E3（其用作与凸部25的最内部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间形成的角度θ12可以处于等于或小于角度θ1的角度。角度θ12可以形成为处于35°至65°的范围中。
凸部25沿着凹陷部24的外缘部设置，并连接在第一转折点P4与顶点22A之间。凸部25的直径比作为顶点22A之间的距离的第一直径X1短，且比作为第一转折点P4之间的距离的第二直径X2长。换句话说，凸部25之间的距离处于第一直径X1和第二直径X2的范围中。第一直径X1可以是顶点22A之间的直径或凸部25的最大直径。第二直径X2可以是凹陷部24的最大直径或第一转折点P4之间的直径。
由于凸部25被设置在从基准点O穿过凹陷部24的最外部的第二虚线段E2的里面，因而凸部25几乎不对从发光芯片1发出的光产生影响。换句话说，由于凸部25实际上被设置在从发光芯片1发出的光不能直接入射的区域，因而凸部25可以不对光取向角的分布产生影响。因此，凸部25可以提高光学透镜2的出品率。
凸部25在其上设置有反射元件11。反射元件11直接与凹陷部24的表面接触。反射元件11可以包括树脂材料与金属氧化物和金属氮化物至少之一的混合物。根据实施例，为了解释，反射元件11包括树脂材料与金属氧化物的混合物。树脂材料包括诸如硅或环氧树脂等材料。另外，树脂材料可以包括呈单一形式的聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰氨树脂、聚酰亚胺树脂、非饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂（PPE）、聚硫化亚苯树脂（PPO）、聚苯硫醚树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯（BCB）、聚酰胺大分子聚合物（Polyamido-amine Dendrimers，PAMAM）、聚丙烯亚胺大分子聚合物（PPI）、具有PAMAM内部结构及有机硅外表面的PAMAM-OS（有机硅），或者可以包括包含它们的组合的树脂。
反射元件11可以用作高折射层或者折射率高于光学透镜2的反射层。另外，反射元件11可以包括呈现70%或更大（例如，85%或更大）的光反射效率的层，但实施例不限于此。反射元件11和光学透镜2的折射率可以相差0.1或更大（详细地，0.3或更大）。
金属氧化物可以在反射元件11中具有10wt%或更多的含量（详细地，30wt%至80wt%的含量）。金属氧化物可以包括呈现为比光学透镜2高的折射率的TiO2、SiO2以及Al2O3至少之一。因此，反射元件11可以具有比光学透镜2高的折射率。例如，反射元件11可以具有1.7或更大的折射率。反射元件11可以包括陶瓷材料，例如，SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、Si3N4、SiC（SiC-BeO）、BeO、CeO或AlN。
反射元件11的顶面或高点可以被布置成朝向光轴Z的凸面、朝向发光芯片1的凹面或平坦表面的形式，但实施例不限于此。
凸部25呈凸形（具有从光学透镜2的顶点22A迅速弯曲的表面）而突出。因此，反射元件11的与光学透镜2接触的顶面的点插入在第一转折点P4与顶点22A之间。
反射元件11可以与凸部25的表面接触，并且其直径可以等于或短于凸部25的直径。
凸部25可以在形成反射元件11时引导反射元件11的水平位，并且可以防止反射元件11被设置到凸部25上面。因此，凸部25可以防止反射元件11形成在不必要的表面上，使得光学透镜2可以具有理想的光取向角分布。
图2为示出根据第二实施例的发光器件的侧剖视图。图3为图2所示的光学透镜的局部放大图。
参照图2和图3，发光器件10A包括发光芯片1、光学透镜2以及反射元件11。
反射元件11被布置在光学透镜2的凹陷部24上。与光学透镜2接触的反射元件11的顶面的点可以包括光学透镜2的顶点22A或凸部25的内部区域。这种情况下，当发光芯片1被采用为基准点O时，第一虚线段E1（其穿过第一转折点25A同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ1可以处于40°至60°的范围中。第二虚线段E2（其用作与凹陷部24的最外部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ11大于角度θ1。例如，角度θ11可以处于41°至75°的范围中。第三虚线段E3（其用作与凸部25的最内部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ12可以处于等于或小于角度θ1的角度。角度θ12可以形成为处于35°至65°的范围中。
凸部25可以形成为插入在第一转折点P4与顶点22A之间的环形。换句话说，凸部25可以在凹陷部24周围形成为坝形。凸部25的直径比光学透镜2的顶点22A之间的直径X1短，且比第一转折点P4的直径X2长。
由于凸部25被设置在从基准点O穿过凹陷部24的最外部的第二虚线段E2的里面，因而凸部25几乎不对从发光芯片1发出的光产生影响。换句话说，由于凸部25实际上被设置在从发光芯片1发出的光不能直接入射的区域，因而凸部25可以不对光取向角的分布产生影响。因此，凸部25可以提高光学透镜2的出品率。
当从上面看过去时，光学透镜2具有圆形，并且光学透镜2的半径D1处于2.50±0.5mm的范围中，但实施例不限于此。光轴Z与第一转折点P4之间的距离X5可以形成为处于距离D1的59%至65%的范围中。详细地，距离X5可以形成为处于1.50±0.5mm的范围中。
光轴Z与出射面22的顶点22A之间的距离X4对应于顶点22A之间的直径的1/2，且比距离X5长。距离X4可以形成为处于半径D1的65%至71%的范围中。例如，距离X4可以形成为处于1.70±0.5mm的范围中。垂直于第一转折点P4的线段与光学透镜2的最外部间隔开预定距离D3。距离D3可以形成为处于距离D1的39%至45%的范围中。例如，距离D3可以处于0.8mm至1.2mm的范围中。另外，垂直于出射面22的顶点22A的线段可以与光学透镜2的最外部间隔开预定距离D2。距离D2可以比距离D3短，并且可以处于距离X4的50%至80%的范围中。例如，距离D2可以处于0.68mm至0.75mm的范围中。
凸部25被设置在第一转折点P4与出射面22的顶点22A之间穿过凹陷部24的第三全反射面24C的切线的里面。
出射面22的顶点22A与垂直于第一转折点P4的线段之间的距离X3用作凸部25的宽度，并且可以处于0.15mm至0.19mm的范围中。出射面22的顶点22A与平行于第一转折点P4的线段之间的距离Z2用作凸部25的高度，并且可以处于0.15mm至0.19mm的范围中。凸部25被设置在光学透镜2的顶点22A的里面，以用作反射元件11的外边界，从而有效地防止反射元件11被设置到凸部25之外。
参照图3，当与光学透镜2的最大厚度Z4相比时，凹陷部24的深度Z3可以形成为处于厚度Z4的65%至75%的范围中。最大厚度Z4可以形成为处于距离D1的50%至60%的范围中，即比距离D1短。光学透镜2的中心部的厚度（Z4-Z3）是点P1与P0之间的距离，并且可以处于最大厚度Z4的25%至35%的范围中。
另外，光学透镜2的凹陷部24在光轴Z的外部具有曲率不同的全反射面，以反射入射光。凹陷部24可以具有关于光轴Z的旋转对称形状，但实施例不限于此。
光学透镜2可以从凹陷部24延伸到出射面22，同时呈现有转折点。凹陷部24的第一全反射面24A是介于第一全反射面24A的低点P1与第二全反射面24B的改变点之间的区域，并且可以经由转折点P2与第二全反射面24B连接。第一全反射面24A的曲率R1可以小于第二全反射面24B的曲率R2，且大于第三全反射面24C的曲率R3。例如，曲率R1可以处于1mm至2mm的范围中。
第二全反射面24B的曲率R2是凹陷部24的彼此相邻的转折点P2与P3之间的曲率，并且可以大于第一全反射面24A的曲率R1和第三全反射面24C的曲率R3。详细地，第二全反射面24B的曲率R2可以处于14mm至20mm的范围中。
第三全反射面24C的曲率R3是将彼此相邻的转折点P3和P4相连接的曲面的曲率。第三全反射面24C的曲率R3可以小于第一全反射面24A的曲率R1和第二全反射面24B的曲率R2以及凸部25的曲率R4。详细地，第三全反射面24C的曲率R3可以处于0.05mm至0.12mm的范围中。第一全反射面24A的曲率R1和第三全反射面24C的曲率R3是朝向光轴Z凹入的曲面的曲率。第二全反射面24B的曲率R2和凸部25的曲率R4是朝向光轴Z凸出的曲面的曲率。第一全反射面（凸部25）的曲率R4可以形成为处于0.15mm至0.25mm的范围中。
凸部25的曲率R4比第一全反射面24A的曲率R1小至少两倍。凸部25的曲率R4小于第一全反射面24A的曲率R1和第二全反射面24B的曲率R2。
由于第三全反射面24C和凸部25具有关于第一转折点P4而沿彼此相反的方向弯曲的表面以及彼此不同的曲率R3和R4，因而凸部25可以具有快速弯曲的表面。换句话说，凸部25的曲率R4小于凹陷部24的曲率或第三全反射面24C的曲率。
出射面22可以具有插入在与凸部25连接的转折点P5与外侧壁23之间的多个转折点P6和P7。转折点P5可以是顶点，但实施例不限于此。出射面22可以形成为这样的结构：其中凸曲率R5和R6形成在光轴Z的外部。曲率R5和R6可以彼此不同，但实施例不限于此。
外侧壁23可以连接在转折点P7与低点P8之间，并且可以形成为线性轮廓的形状。出射面22与外侧壁23之间的转折点P7的位置可以基于水平线段而高于凹陷部24的低点P1的位置，但实施例不限于此。
如图1和图2所示，凸部25的一部分高于反射元件11的顶面，并且设置在凹陷部24与出射面22之间的边界区域处。反射元件11的顶面的宽度可以比光学透镜2的顶点22A之间的距离（或直径）窄，且比第一转折点P4之间的距离（或直径）宽。另外，反射元件11的顶面的外缘部（其用作与光学透镜2的接触点）可以低于光学透镜2的顶点22A，并且可以高于第一转折点P4。另外，反射元件11的顶面的一部分可以突出得高于光学透镜2的顶点22A，但实施例不限于此。反射元件11的顶面与光学透镜2之间的接触点被设置得高于线段E1。
根据实施例，沿光轴Z的方向凸出的凸部25可以形成在具有多个全反射面24A至24C的凹陷部24与出射面22之间，以防止反射元件11（其被填充在凹陷部24中）被设置到凹陷部24之外。因此，能够限定反射元件11的外缘边界，并且能够防止反射元件11对出光区域22和23的表面产生影响。因此，能够提高光学透镜2的光取向角的分布的可靠性，使得能够提高出品率。
图4为示出根据第三实施例的发光器件的侧剖视图，以及图5为图4的发光器件的局部放大图。
参照图4和图5，发光器件10B包括发光芯片1、位于发光芯片1上的光学透镜3以及位于光学透镜3上的反射元件11。
发光芯片1可以与光学透镜3的入射面31间隔开预定距离Z11。距离Z11可以是0.01mm或更大，但实施例不限于此。这种情况下，发光芯片1的中心部可以相对于光学透镜3的中心同心地设置。
光学透镜3包括入射面31、出射面32、外表面33、凹陷部34以及凸部35。入射面31可以包括平坦表面或部分挖槽的平坦表面，但实施例不限于此。出光区域包括出射面32和外表面33。出射面32可以在光轴Z的外部凸出，并且外表面33可以具有曲面或具有垂直线轮廓的平坦表面。
凹陷部34包括第一全反射面34A、第二全反射面34B以及第三全反射面34C。第一全反射面34A具有与光轴Z相同的中心，并且具有朝向发光芯片1的凹形。凹陷部34可以具有关于光轴Z的旋转对称形状，但实施例不限于此。第一全反射面34A可以具有半球形。第二全反射面34B沿与第一全反射面34A和第三全反射面34C相反的方向设置，并且具有相对于光轴Z凸出的曲面。第三全反射面34C具有凹入的曲面。
凸部35在第一转折点P13与顶点32A之间具有沿光轴Z的方向凸出的曲面。
凸部35连接在第三全反射面34C与出射面32和33之间。凸部35被设置在出射面32和33的顶点32A的里面。换句话说，凸部35被设置得比第一出射面32离光轴Z更近。凸部35的剖面具有沿光轴Z的方向凸出的曲面。
这种情况下，当发光芯片1被采用为基准点O时，第一虚线段E1（其穿过基准点O和第一转折点P13）与光轴Z之间的角度θ2可以处于40°至60°的范围中。
第二虚线段E2（其用作与凹陷部34的最外部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ21大于角度θ2。例如，角度θ21可以处于41°至75°的范围中。
第三虚线段E3（其用作与凸部35的最内部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ22可以处于等于或小于角度θ2的角度。角度θ22可以形成为处于35°至65°的范围中。
由于凸部35连接在第一转折点P13与顶点32A之间，因而凸部35的直径比光学透镜3的顶点32A之间的第一直径X11短，且比第一转折点P13之间的第二直径X12长。凸部35被设置在第一直径X11与第二直径X12之间。
由于凸部35被布置在从基准点O穿过凹陷部34的最外部的第二虚线段E2的里面，因而凸部35几乎不对从发光芯片1发出的光产生影响。换句话说，由于凸部35实际上被设置在从发光芯片1发出的光不能直接入射的区域，因而凸部35可以不对光取向角的分布产生影响。因此，凸部35可以提高光学透镜3的出品率。
当从上面看过去时，光学透镜3具有圆形，并且光学透镜3的半径D11处于2.50±0.5mm的范围中，但实施例不限于此。凸部35可以具有环形，并且该环形可以具有连续的坝结构。
光轴Z与第一转折点P13之间的距离D14可以形成为处于半径D11的50%至55%的范围中。例如，距离D14可以处于1.27±0.5mm的范围中。
光轴Z与出射面32的顶点P14之间的距离X14比距离D14长，并且可以处于半径D11的52%至57%的范围中。例如，距离X14可以处于1.3±0.5mm的范围中。垂直于第一转折点P13的线段与光学透镜3的最外部间隔开预定距离D13。距离D13可以形成为处于半径D11的45%至50%的范围中。垂直于出射面32的顶点32A的线段与光学透镜3的最外部间隔开预定距离D12。距离D12可以比距离D13短，并且可以处于半径D11的43%至48%的范围中。
凸部35被设置在与凹陷部34的第三全反射面34C接触同时被置于第一转折点P14与出射面32之间的切线E2的更里面。
出射面32的顶点32A与垂直于第一转折点P13的线段之间的距离X16是凸部35的宽度。距离X16可以处于0.05mm至0.11mm的范围中。出射面32的顶点32A与跟第一转折点P13水平的线段之间的距离Z12是凸部35的高度。距离Z12可以形成为处于0.05mm至0.11mm的范围中。凸部35被设置在光学透镜3的顶点32A的里面，以用作反射元件11的外边界，从而有效地防止反射元件11被设置到凸部35外。
参照图5，光学透镜3的厚度Z14可以形成为处于1mm±0.2mm的范围中，并且凹陷部34的深度Z13可以形成为处于光学透镜3的厚度Z14的65%至75%的范围中。厚度Z14小于半径D11，并且可以形成为处于半径D11的40%至55%的范围中。光学透镜3的中心部的厚度（Z14-Z13）是点P1与P0之间的间隔，并且可以形成为处于厚度Z14的26%至36%的范围中。
另外，转折点可以形成在光学透镜3的凹陷部34以及出射面32和33处。转折点形成在第一全反射面34A的低点P1处，并且转折点P11可以形成在从第一全反射面34A到第二全反射面34B的改变点处。第一全反射面34A的曲率R11可以等于或大于第二全反射面34B的曲率R12，并且大于第三全反射面34C的曲率R13。例如，曲率R11可以形成为处于0.5mm至1mm的范围中。
第二全反射面34B的曲率R12是将彼此相邻的转折点P11和P12相连接的曲面的曲率。曲率R12可以大于第三全反射面34C的曲率R13。例如，曲率R12可以形成为处于0.5mm至1mm的范围中。
第三全反射面34C的曲率R13是将彼此相邻的转折点P12和P13相连接的线段的曲率。曲率R13可以比第一全反射面34A的曲率R11和第二全反射面34B的曲率R12小至少三倍，并且可以比凸部35的曲率R14大至少两倍。第一全反射面34A的曲率R11和第三全反射面34C的曲率R13是沿光轴Z的方向凹入的曲面的曲率。第二全反射面34B的曲率R12和凸部35的曲率R14是沿光轴Z的方向凸出的曲面的曲率。凸部35的曲率R14可以形成为处于0.5mm至0.1mm的范围中。
第三全反射面34C的曲率R13与第二全反射面34B的曲率R12以及凸部35的曲率R14相差至少两倍。第三全反射面34C和凸部35具有沿彼此相反的方向弯曲的表面，并且形成有彼此不同的曲率。因此，凸部35可以具有比第三全反射面34C弯曲得更为迅速的表面。凸部35的曲率R14小于第一全反射面至第三全反射面34A、34B以及34C的曲率R11、R12以及R13。
出射面32与外表面33连接，而在光轴Z的外部从与凸部35连接的转折点P14到最后一个转折点P15呈现为凸曲率R14。转折点P14可以用作如图4所示的光学透镜3的顶点32A，但实施例不限于此。
外表面33连接在出射面32的转折点P15与低点P16之间，并且可以具有线性轮廓。出射面32与外侧壁33之间的转折点P15的位置可以基于水平线段被设置在低于凹陷部34的低点P1的位置的线上，但实施例不限于此。
由于凸部35从反射元件11的顶面突出同时被设置在凹陷部34与出射面32之间，因而反射元件11的顶面宽度可以比光学透镜3的顶点P14之间的宽度（或直径）窄，并且可以比第一转折点P13之间的宽度（或直径）宽。另外，反射元件11的顶面的外缘部（其用作与光学透镜3的接触点）可以低于光学透镜3的顶点P14，并且可以高于第一转折点P13。
根据实施例，凸部35沿光轴Z的方向形成在具有多个全反射面34A至34C的凹陷部34与出射面32之间。凸部35能够防止反射元件11（其被填充在凹陷部34中）被设置到凹陷部34外。因此，能够限定反射元件11的边界，并且能够防止反射元件11对出射面32的表面产生影响。因此，能够提高光取向角的分布的可靠性。
图6为示出根据第四实施例的发光器件的侧剖视图，以及图7为示出图6的发光器件的局部放大图。
参照图6和图7，发光器件10C包括发光芯片1、位于发光芯片1上的光学透镜4以及位于光学透镜4上的反射元件11。
发光芯片1可以与光学透镜4的光入射面41间隔开预定距离Z21。距离Z21可以是0.01mm或更大，但实施例不限于此。这种情况下，发光芯片1的中心部可以相对于光学透镜4的中心同心地设置。
光学透镜4包括入射面41、出射面42、外表面43、凹陷部44以及凸部45。入射面41可以包括平坦表面或部分挖槽的平坦表面，但实施例不限于此。
光学透镜4的出光区域包括出射面42和外表面43。出射面42可以在光轴Z的外部凸出，并且外表面43可以具有曲面或具有垂直线的轮廓的平坦表面。
凹陷部44包括第一全反射面44A、第二全反射面44B以及第三全反射面44C。第一全反射面44A具有与光轴Z相同的中心，并且具有朝向发光芯片1的凹形。凹陷部44从顶点朝向发光芯片1凹陷。凹陷部44可以具有关于光轴Z的旋转对称形状。第一全反射面44A可以具有半球形。第二全反射面44B沿与第一全反射面44A和第三全反射面44C相反的方向设置，并且具有相对于光轴Z凸出的曲面。第三全反射面44C具有凹入的曲面。
凸部45在第一转折点P23与第二转折点P24之间形成有沿与光轴Z对应的方向凸出的表面。
凸部45连接在第三全反射面44C与出射面42之间。凸部45被设置在出射面42的顶点P23的更里面，即设置得比第一出射面42离光轴Z近。凸部45的剖面具有沿光轴Z的方向凸出的曲面。
这种情况下，当发光芯片1被采用为基准点O时，形成在第一虚线段E1（其穿过基准点O和第一转折点P23）与光轴Z之间的角度θ3可以处于40°至60°的范围中。
形成在第二虚线段E2（其用作与凹陷部44的外部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ31大于角度θ3。例如，角度θ31可以处于41°至75°的范围中。
形成在第三虚线段E3（其用作与凸部45的最内部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ32可以处于等于或小于角度θ3的角度。角度θ32可以形成为处于35°至65°的范围中。
由于凸部45连接在第一转折点P23与第二转折点P24之间，因而凸部45的内部区域被设置在光学透镜4的顶点45A之间的直径X21的里面，并且被设置在第一转折点P23之间的直径X22的外部。
由于凸部45被设置在从基准点O穿过凹陷部44的最外部的第二虚线段E2的里面，因而凸部45几乎不对从发光芯片1发出的光产生影响。换句话说，由于凸部45实际上被设置在从发光芯片1发出的光不能直接入射的区域，因而凸部45可以不对光取向角的分布产生影响。因此，凸部45可以提高光学透镜4的出品率。
当从上面看过去时，光学透镜4具有圆形，并且光学透镜4的半径D21处于2.50±0.5mm的范围中，但实施例不限于此。凸部45可以具有环形，并且该环形可以具有沿着凹陷部44的外缘部的连续坝结构。
光轴Z与第一转折点P23之间的距离D24可以形成为处于半径D21的60%至70%的范围中。例如，距离D24可以处于1.6±0.5mm的范围中。
光轴Z与顶点45A之间的距离X24比距离D24长，并且可以形成为处于半径D21的65%至75%的范围中。例如，距离X24可以形成为处于1.7±0.5mm的范围中。垂直于第一转折点P23的线段与光学透镜4的最外部间隔开预定距离D23。距离D23可以形成为处于半径D21的30%至40%的范围中。垂直于第一出射面42的第二转折点P24的线段与光学透镜4的最外部间隔开预定距离D22。距离D22可以短于距离D23，并且可以形成为处于半径D21的25%至35%的范围中。
凸部45的内部区域被设置在处于第一转折点P24与顶点45A之间的区域的切线E2（其穿过凹陷部44的第三全反射面44C同时与凹陷部44的第三全反射面44C接触）的里面。
光学透镜4的顶点45A与垂直于第一转折点P23的线段之间的距离X26是凸部45的宽度的1/2。距离X26可以形成为处于0.05mm至0.11mm的范围中。顶点45A与跟第一转折点P23水平的线段之间的距离Z22是凸部45的高度。距离Z22可以形成为处于0.07mm至0.11mm的范围中。凸部45被设置在光学透镜4的顶点45A的里面，以形成反射元件11的外坝，从而有效地防止反射元件11被设置到凸部45之外。凸部45的内部区域与反射元件11接触，并且凸部45的外部区域不与反射元件11接触。凸部45的外部区域被设置为关于顶点45A而与凸部45的内部区域相对。
参照图7，光学透镜4的厚度Z24可以形成为处于1mm±0.5mm的范围中，并且凹陷部44的深度Z23可以形成为处于光学透镜4的厚度Z24的87%至93%的范围中。厚度Z24小于半径D21，并且可以形成为处于半径D21的40%至55%的范围中。光学透镜4的中心部的厚度（Z24-Z23）是点P1与P0之间的距离，并且可以处于厚度Z24的7%至13%的范围中。
另外，转折点可以形成在从光学透镜4的凹陷部44到光学透镜4的出射面42的改变点处。转折点形成在第一全反射面44A的低点P1处，并且转折点P21可以形成在从第一全反射面44A到第二全反射面44B的改变点处。第一全反射面44A的曲率R21可以小于第二全反射面44B的曲率R22，且大于第三全反射面44C的曲率R23。例如，曲率R21可以形成为处于0.4mm至0.9mm的范围中。
第二全反射面44B的曲率R22形成在相邻的转折点P21与P22之间，并且可以大于第三全反射面44C的曲率R23。例如，曲率R22可以形成为处于6.5mm至7.5mm的范围中。
第三全反射面44C的曲率R23是将相邻的转折点P22和P23相连接的曲面的曲率。曲率R23可以比第一全反射面44A的曲率R21小至少三倍，并且可以比凸部45的曲率R24大至少两倍。第一全反射面44A的曲率R21和第三全反射面44C的曲率R23是沿光轴Z的方向凹入的曲面的曲率。凸部45的曲率R24是沿光轴Z的方向凸出的曲面的曲率。凸部45的曲率R24可以形成为处于0.7mm至0.12mm的范围中。
由于第三全反射面44C的曲率R23比凸部45的曲率R24大至少两倍，因而与凸部45连接的轮廓可以具有迅速弯曲的表面。凸部45的曲率R24小于第一全反射面至第三全反射面44A、44B以及44C的曲率R21、R22以及R23。
出射面42与外表面43连接，而在光轴Z的外部从与凸部45连接的第二转折点P24到转折点P25呈现为凸曲率R24。转折点P24被设置在光学透镜4的顶点45A的外部。
外表面43连接在转折点P25与出射面42的低点P26之间，并且可以形成为线性轮廓的形状。出射面42与外表面43之间的转折点P25的位置可以基于水平线段而高于凹陷部44的低点P1的位置，但实施例不限于此。
由于边界由凸部45设定在反射元件11的顶面处，因而反射元件11的顶面的宽度可以比光学透镜4的顶点45A之间的宽度（或直径）窄，并且可以比第一转折点P23之间的宽度（或直径）宽。另外，反射元件11的顶面的外缘部（其用作与光学透镜4的接触点）可以低于光学透镜4的顶点P45A，并且可以高于第一转折点P23。
根据实施例，凸部45沿光轴Z的方向形成在具有多个全反射面44A至44C的凹陷部44与出射面42之间。凸部45能够防止反射元件11（其被填充在凹陷部44中）被设置到凹陷部44之外。因此，能够限定反射元件11的边界，并且能够防止反射元件11对出射面42和43的表面产生影响。因此，能够提高光取向角的分布的可靠性。
图8为示出根据第五实施例的发光器件的侧剖视图。图9为图8的局部放大图。
参照图8，发光器件10D包括发光芯片1、位于发光芯片1上的光学透镜5以及位于光学透镜5上的反射元件11。
发光芯片1可以与光学透镜5的光入射面51间隔开预定距离Z31。距离Z31可以是0.01mm或更大，但实施例不限于此。这种情况下，发光芯片1的中心部可以相对于光学透镜5的中心同心地设置。
光学透镜5包括入射面51、出射面52、外表面53、凹陷部54以及凸部55。入射面51可以包括平坦表面或部分挖槽的平坦表面，但实施例不限于此。
光学透镜5的出光区域包括出射面52和外表面53。出射面52可以在光轴Z的外部凸出，并且外表面53可以具有曲面或具有垂直线的轮廓的平坦表面。
凹陷部54包括第一全反射面54A、第二全反射面54B以及第三全反射面54C。第一全反射面54A具有与光轴Z相同的中心，并且具有沿发光芯片1的方向的凹形。凹陷部54可以沿发光芯片1的方向凹陷，并且可以具有关于光轴Z的旋转对称形状。第一全反射面54A可以具有半球形。第二全反射面54B沿与第一全反射面54A和第三全反射面54C相反的方向设置，并且具有相对于光轴Z凸出的曲面。第三全反射面54C具有凹入的曲面。
凸部55在第一转折点P34与顶点55A之间具有沿光轴Z的方向凸出的曲面。
凸部55连接在第三全反射面54C与出射面52和53之间。凸部55具有光学透镜5的顶点55A。换句话说，凸部55被设置得比第一出射面52离光轴Z更近。凸部55的剖面具有沿光轴Z的方向凸出的曲面。
这种情况下，当发光芯片1被采用为基准点O时，形成在第一虚线段E1（其穿过基准点O和第一转折点P34）与光轴Z之间的角度θ4可以处于40°至60°的范围中。
形成在第二虚线段E2（其用作与凹陷部54的外部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ41大于角度θ4。例如，角度θ41可以处于41°至75°的范围中。
形成在第三虚线段E3（其用作与凸部55的最内部曲面接触的切线同时从基准点O起始）与光轴Z之间的角度θ42可以处于等于或小于角度θ4的角度。角度θ42可以形成为处于35°至65°的范围中。
凸部55在第一转折点P34与顶点55A之间形成为环形。该环形在凹陷部54周围突出，而呈现为坝形。凸部55的直径比光学透镜5的顶点55A之间的直径X31短，并且比第一转折点P34之间的直径X32宽。
由于凸部55被设置在从基准点O穿过凹陷部54的最外部的第二虚线段E2的里面，因而凸部55几乎不对从发光芯片1发出的光产生影响。换句话说，由于凸部55实际上被设置在从发光芯片1发出的光不能直接入射的区域，因而凸部55可以不对光取向角的分布产生影响。因此，凸部55可以提高光学透镜5的出品率。
当从上面看过去时，光学透镜5具有圆形，并且光学透镜5的直径处于2.50±0.5mm的范围中，但实施例不限于此。
光轴Z与第一转折点P34之间的距离D34可以形成为处于距离D31的75%至85%的范围中。例如，距离D34可以形成为处于2.0±0.5mm的范围中。
光轴Z与出射面52的第二转折点P35之间的距离X34长于距离D34，并且可以形成为处于半径D31的82%至86%的范围中。例如，距离D34可以形成为处于2.1±0.2mm的范围中。垂直于第一转折点P34的线段与光学透镜5的最外部间隔开预定距离D33，并且距离D33可以形成为处于半径D31的15%至25%的范围中。垂直于顶点P35的线段与光学透镜5的最外部间隔开距离D32，并且距离D32可以短于半径D31。
凸部55的顶点55A在处于第一转折点P34与出射面52的顶点P35（例如，第二转折点）之间的区域处被设置在与凸部55的第三全反射面54C接触的切线的里面。
顶点P35与垂直于第一转折点P34的线段之间的距离X36处于凸部55的宽度的1/2至1/3的范围中。距离X36可以形成为处于0.06mm至0.12mm的范围中。顶点55A与跟第一转折点P34水平的线段之间的距离Z34是凸部55的高度。距离Z34可以处于0.03mm至0.07mm的范围中。凸部55的内部区域被设置在光学透镜5的顶点55A的里面，以用作反射元件11的外边界，从而有效地防止反射元件11被设置到凸部55外。
参照图9，光学透镜5的厚度Z32可以形成为处于0.8mm±0.2mm的范围中，并且凹陷部54的深度Z33可以形成为处于光学透镜5的厚度Z32的87%至92%的范围中。厚度Z32小于半径D31，并且可以形成为处于半径D31的30%至55%的范围中。光学透镜5的中心部的厚度（Z32-Z33）是点P1与P0之间的间隔，并且可以形成为处于厚度Z32的8%至13%的范围中。
另外，转折点可以形成在光学透镜5的凹陷部54以及出射面52和53处。转折点形成在第一全反射面54A的低点P1处，并且转折点P31可以形成在从第一全反射面54A到第二全反射面54B的改变点处。第一全反射面54A的曲率R31是沿光轴Z的方向凹入的曲面的曲率。曲率R31可以大于第三全反射面54C的曲率R33。曲率R31可以形成为处于0.7mm至1mm的范围中。
第二全反射面54B在第一全反射面54A与第三全反射面54C之间包括多个转折点P31、P32以及P33，并且经由凸曲面连接在它们之间。在第二全反射面54B处，转折点P31和P32之间的轮廓的曲率R32可以小于转折点P32和P33之间的轮廓的曲率R33。曲率R32可以是1mm或更小，曲率R33可以是6mm或更大。
第三全反射面54C的曲率R34是将彼此相邻的转折点P53和P54相连接的曲面的曲率。曲率R34可以比第一全反射面54A的曲率R31小至少三倍，并且可以比凸部55的曲率R35大至少两倍。第一全反射面54A的曲率R31和第三全反射面54C的曲率R33是沿光轴Z的方向凹入的曲面的曲率。凸部55的曲率R35可以形成为处于0.8mm至0.12mm的范围中。
第三全反射面54C的曲率R34与凸部55的曲率R35相差至少两倍。由于凸部55的曲面的方向与第三全反射面54C的曲面的方向相反，因而凸部55可以具有迅速弯曲的表面。凸部55的曲率R35小于第一全反射面54A的曲率R31和第二全反射面54B的曲率R32。
出射面52与外表面33连接，而在光轴Z的外部从与凸部55连接的转折点P35到最后一个转折点P36呈现为凸曲率R36。转折点P35被设置在光学透镜5的顶点55A的外部。
外表面53可以连接在出射面52的转折点P36与低点P37之间，并且可以形成为线性轮廓的形状。出射面52与外表面53之间的转折点P36的位置可以基于水平线段而高于凹陷部54的低点P1的位置，但实施例不限于此。
由于边界由凸部55设定在反射元件11的顶面，因而反射元件11的顶面的宽度可以比光学透镜5的顶点55A之间的宽度（或直径）窄，并且可以比第一转折点P34之间的宽度（或直径）宽。另外，反射元件11的顶面的外缘部（其用作与光学透镜5的接触点）可以低于光学透镜5的顶点P55A，并且可以高于第一转折点P34。
根据实施例，凸部55沿光轴Z的方向形成在具有多个全反射面54A至54C的凹陷部54与出射面52之间。凸部55能够防止反射元件11（其被填充在凹陷部54中）被设置到凹陷部54外。因此，能够限定反射元件11的边界，并且能够防止反射元件11对出射面52和53的表面产生影响。因此，能够提高光取向角的分布的可靠性。
可以省略设置在根据第一实施例至第四实施例公开的光学透镜的凹陷部上的反射元件。
图10至图14为示出根据第一实施例和第二实施例的穿过光学透镜的光取向角的分布的视图。
图10和图11示出反射元件未应用于根据实施例的光学透镜的情况，并且示出沿彼此垂直的第一方向和第二方向的光取向角的分布。图10所示的光的分布特性呈现为沿光学透镜的第一方向（纵向方向或长度方向）的取向角的分布。图11所示的光的分布特性呈现为沿光学透镜的第二方向（横向方向或宽度方向）的取向角的分布。这种情况下，光学透镜的长度方向是纵向方向，以及垂直于光学透镜的横向方向（或宽度方向）的方向。光学透镜的沿纵向方向的长度可以等于或不等于光学透镜的沿横向方向的长度。
图12和图13示出反射元件被应用于根据实施例的光学透镜的情况。图12和图13示出沿第一方向和第二方向的宽的光取向角的分布，例如，示出大于155°的取向角的分布。另外，当应用反射元件时，中心光束的强度在图12中示出为30%或更低，并且在图13中示出为35%或更低。
图14为示出图2的发光器件中的光线追踪结果的视图，其中光未入射到光学透镜2的凸部25中。凸部25限定反射元件11的边界，以防止光学透镜2的出射面22受到反射元件11的影响。可以对所公开的具有光学透镜2的发光器件与发光芯片1的组装结构进行改进，并且将在下方的实施例中描述其细节。
图15为示出根据第六实施例的发光器件的透视图，以及图16为沿图15所示的发光器件的线A-A的剖视图。图17为沿图15所示的发光器件的线B-B的剖视图。图18为沿图15所示的发光器件的线C-C的剖视图。图19为示出图15的发光器件的引线框的透视图。
参照图15至图19，发光器件100包括：多个引线框121和131，彼此间隔开；第一主体141，设置在引线框121和131中；第二主体151，位于第一主体141上，具有第一开口150且由与第一主体141不同的材料制成；发光芯片161，设置在引线框121和131至少之一上；透明树脂层171，形成在第一开口150中，同时包围发光芯片161；以及光学透镜181，位于透明树脂层171和第二主体151上。
根据发光器件100，第一方向X可以表示长度W1的方向，垂直于第一方向X的第二方向Z可以表示宽度W3，以及垂直于发光芯片161的顶面的方向可以表示发光芯片161的法线的方向Y。
发光器件100的长度W1可以是引线框121和131的横侧之间的距离，并且可以比第一主体141的长度W2长。引线框121和131的端部可以突出到第一主体141的外侧壁外，以粘合至诸如焊膏等粘合元件。发光器件100的宽度可以是第一主体141的宽度W3。由于第一主体141的宽度W3比引线框121和131的每一个的宽度W4都宽，因而光取向角能够设置有宽的分布。
如图16和图19所示，引线框121和131包括第一引线框121和第二引线框131。第一引线框121包括第一凹槽123和第一孔122。第一凹槽123可以形成在低于第一引线框121的顶面的深度处，并且设置在芯片区域A1的外缘部。这种情况下，芯片区域A1的外缘部可以是芯片区域A1与第一引线框121的一个横侧或者第一引线框121的至少两个横侧之间的区域。第一引线框121的第一凹槽123中的厚度可以等于第一引线框121的不具有第一凹槽123的部分的厚度，或者可以具有与第一凹槽123的区域一样薄的厚度。因此，第一引线框121的与第一凹槽123相对的部分可以突出，或者可以具有平坦结构。多个第一孔122彼此间隔开，并且设置在第一凹槽123与第一引线框121的横侧之间。
第二引线框131包括第二凹槽133和第二孔132。第二凹槽133的深度低于第二引线框131的顶面，并且沿着第二引线框131的宽度W4的方向纵向地（lengthwise）形成。第二凹槽133的宽度可以比第二引线框131的长度A4长。第二凹槽133可以被设置在接合区域A2的外侧（即，第一引线框121的相对区域）。在第二凹槽133的外侧，多个孔132可以排列为在它们之间设置有预定间隔。第二引线框131在第二凹槽133处可以具有与引线框131的不具有第二凹槽133的部分相等的厚度，或者可以具有与第二凹槽133的深度一样薄的厚度。因此，第二引线框131的与第二凹槽133相对的部分可以突出或可以具有平坦结构。
第一引线框121的宽度A3可以比第二引线框131的宽度A4长。另外，具有发光芯片的第一引线框121可以形成有更宽的面积。
第一引线框121和第二引线框131包括诸如钛（Ti）、铜（Cu）、镍（Ni）、金（Au）、铬（Cr）、钽（Ta）、铂（Pt）、锡（Sn）、银（Ag）以及磷（P）等金属材料至少之一。第一引线框121和第二引线框131可以包括单金属层或彼此不同的多金属层，但实施例不限于此。
第一孔122和第二孔132之一或至少两个可以具有较宽的下部和较窄的上部。至少可以不形成第一孔122和第二孔132以及第一凹槽123和第二凹槽133。
第一引线框121的第一端部124与第二引线框131的第二端部134对应。第一引线框121的第一端部124与第二引线框131的第二端部134之间的间隙115在其外部可以具有大于其中心的间隔的间隔G1，或者在其外部和中心可以具有相同的间隔。第一引线框121的第一端部124更靠近第二引线框131的第二端部134，在其间设置有更窄的间隔，使得能够确保发光芯片161、第一导线166以及第二导线167间的接合空间。
第一引线框121包括第一端部124和沿着第一端部124的两个弯曲横侧形成的第一台阶结构128。在第一台阶结构128中，第一引线框121的底面的外缘区域具有台阶结构。第一台阶结构128可以被布置在第一引线框121的至少一个横侧，但实施例不限于此。
第二引线框131包括第二端部134和沿着第二端部134的两个弯曲横侧形成的第二台阶结构138。在第二台阶结构138中，第二引线框131的底面的外缘区域具有台阶结构。第二台阶结构138可以形成在第二引线框131的至少一个横侧或至少两个横侧，但实施例不限于此。
虽然描述了两个引线框形成为一组的示例，然而也可以形成至少三个引线框。另外，当从上面看过去时，第一引线框121和第二引线框131可以具有矩形或其它形状。另外，引线框121和131的至少一部分可以是弯曲的，但实施例不限于此。
如图16、图17、图19以及图20所示，第一主体141被布置在第一引线框121和第二引线框131上。第一主体141将第一引线框121与第二引线框131隔开。第一主体141支撑并固定第一引线框121和第二引线框131。
第一主体141的底面可以与第一引线框121和第二引线框131的底面排列成行。顶面147可以与第一引线框121和第二引线框131的顶面间隔开。
第一主体141可以包括呈现为比相对于从发光芯片161发出的波长的透射率高的反射率的材料。例如，第一主体141可以包括呈现为70%或更高的反射率的材料。如果反射率是70%或更高，则第一主体141的材料可以是不透明材料。第一主体141可以包括基于树脂的绝缘材料。例如，第一主体141可以包括诸如聚酞酸酯（PPA）等树脂材料。第一主体141可以包括硅、环氧树脂、包含塑性材料、高耐热材料以及高耐热材料的热固树脂。硅包括白色树脂。另外，第一主体141可以选择性地包括酸酐、抗氧化剂、脱离剂、光反射剂、无机填充剂、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂或二氧化钛。第一主体141可以通过使用从由环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸树脂以及聚氨酯树脂构成的组里选择的至少之一来进行模塑。例如，第一主体141能够通过使用B级固体环氧树脂组分来形成，通过将环氧树脂（例如，异氰尿酸三缩水甘油酯（triglycidylisocyanurate）或氢氧双酚A二缩水甘油醚（hydride bisphenol A diglycidylether））与酸酐促进剂（例如，六氢化邻苯二甲酸酐（hexahydro phthalic anhydride）、三-甲基六氢苯酐（3-methylhexahydro phthalic anhydride）或四-甲基六氢苯酐（4-methyl hexahydro phthalicanhydride））混合，并在将用作硬化加速剂的DBU（1.8-二氮杂二环（5，4，0）十一烯-7（1.8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7））和用作促进剂的乙二醇、二氧化钛颜料或玻璃纤维添加到环氧树脂之后部分硬化该混合物，由此而能够获得该B级固体环氧树脂组分，但实施例不限于此。
另外，遮光材料或扩散剂被包含在第一主体141中，使得能够减少透射光。进而，第一主体141包括热固树脂与从由扩散剂、颜料、荧光材料、反射材料、遮光材料、光稳定剂以及润滑剂构成的组里选择的至少之一的混合物，使得第一主体141具有预定功能。
第一主体141的顶面147形成有比第二主体151的底面大的面积，从而反射沿第一主体141的顶面147的方向行进的光，使得能够减少光损失。
参照图20和图22，第一主体141的位于引线框121和131的顶面下方的部分可以被定义为第一主体141的下部区域，而第一主体141位于引线框121和131的顶面上的部分可以被定义为上部区域。另外，第一主体141的顶面147可以被分为第一顶面部分B3和第二顶面部分B4。第一顶面部分B3可以比第二顶面部分B4离发光芯片161更近。第一顶面部分B3的厚度朝向其外侧而逐渐增加，使得可以形成倾向表面。第二顶面部分B4的厚度大于第一顶面部分B3的厚度，使得第二顶面部分B4可以具有平坦表面或倾斜表面。
第一主体141的顶面147与引线框121和131的顶面之间的最大距离是第一主体141的第二顶面部分B4的厚度T1。厚度T1可以是50μm或更大。例如，厚度T1可以形成为处于50μm至300μm的范围中。这种情况下，第一主体141的第二顶面部分B4的厚度T1可以在上部区域呈现为最厚的厚度。另外，第一主体141的顶面147可以被设置在从发光芯片161的顶面水平延伸的线上，或者可以使从发光芯片161的顶面147水平延伸的线与第一主体141的顶面147之间的差（T2-T1）为至少1μm，使得能够有效地入射和反射从发光芯片161发出的光。第一顶面部分B3的厚度薄于第二顶面部分B4的厚度，使得能够有效地反射沿水平方向从发光芯片161行进的第二光L2，如图2所示。
发光芯片161的厚度T2可以形成为处于80μm至500μm的范围中。例如，厚度T2可以形成为处于80μm至150μm的范围中，但实施例不限于此。
第一主体141的第一顶面部分B3可以具有不与引线框121和131的顶面平行的倾斜表面。例如，第一主体141的第一顶面部分B3与引线框121和131的顶面之间的角度可以形成为处于1°至25°的范围中。
第一主体141的第二顶面部分B4可以与引线框121和131的顶面平行。这种情况下，从第一主体141的第一顶面部分B3延伸的线E4与垂直于发光芯片161的顶面的法线Z之间的角度θ5可以是89°或更小。例如，角度θ5可以形成为处于65°至89°的范围中。第一主体141的第一顶面部分B3的内角可以形成为处于135°至180°的范围中。发光器件的光取向角能够根据从第一主体141的第一顶面部分B3延伸的线E4与垂直于发光芯片161的顶面的法线Z之间的角度θ5来调节。
如图16和图20所示，第一主体141包括分离部件142以及第一耦接部件至第四耦接部件143、144、145以及146。分离部件142被设置在第一引线框121与第二引线框131之间的间隙115中。分离部件141的下部的宽度可以大于分离部件141的上部的宽度。分离部件141的顶面可以形成为与引线框121和131的顶面水平，或者可以形成为高于引线框121和131的顶面。这种情况下，当分离部件142的上部高于引线框121和131的顶面时，分离部件142的上部与第一引线框121的第一端部124的顶面和第二引线框131的第二端部134的顶面接触，从而防止水分渗入。
第一耦接部件143形成在第一引线框121的第一孔122中，第二耦接部件144形成在第二引线框131的第二孔132中。第三耦接部件145形成在第一引线框121的第一凹槽123中，而第四耦接部件146形成在第二引线框131的第二凹槽133中。第一主体141可以经由分离部件142以及第一耦接部件至第四耦接部件143、144、145以及146与第一引线框121和第二引线框131紧密耦接。
如图20和图21所示，第一主体141的内部148在第一引线框121的第一凹槽123与开口150-1之间进一步延伸，使得能够增加第一主体141与第二主体151的内部152A之间的接触面积。
第一主体141（其可以包括树脂模塑元件）用作有效地反射发光芯片161的光的元件。第一主体141可以在其中心设置有开口150-1。第一引线框121的顶面和第二引线框131的顶面可以经由开口150-1而暴露。开口150-1可以具有圆形、多角形或具有曲面的形状。第一主体141可以大体具有长方体（rectangular parallelepiped）形状。当从上面看过去时，第一主体141的外缘部可以具有多角形。虽然第一主体141具有长方体形状，然而，当从上面看过去时，第一主体141可以具有椭圆形、圆形，或其它多角形。
如图15和图16所示，第一引线框121的外部从构成第一主体141的四个外表面中的第一外表面S1的下部突出，并且第二引线框131的外部从与第一外表面S1相对的第二外表面S2的下部突出。如图15和图18所示，第一主体141的彼此相对的第三外表面S3和第四外表面S4形成在第一引线框121和第二引线框131的外表面的外部。第一主体141的外部149覆盖第一引线框121和第二引线框131的外表面。下端部149A从第一主体141的外部149延伸到第一引线框121和第二引线框131的底面，使得下端部149A能够与台阶结构128和138耦接，如图5所示。
如图16所示，第二主体151可以形成在第一主体141上。第二主体151可以包括透明材料。例如，第二主体151可以包括硅树脂或环氧树脂。第二主体151可以经由注入模塑方式形成，并且可以包括透明材料。因此，第二主体151能够有效地透射从发光芯片161发出的第一光L1和第二光L2。
第二主体151的外表面S5被设置在光学透镜2的外侧壁23的里面，并且可以与光学透镜2的外侧壁23的一部分接触。因此，增加了第二主体151与光学透镜2之间的耦接力。当从上面看过去时，第二主体151可以具有圆形。根据另一个实施例，第二主体151可以具有多角形或椭圆形，但实施例不限于此。虽然对第二主体151具有垂直的外表面S5进行了描述，然而第二主体151也可以具有诸如半球形等曲面。具有曲面形状的外表面能够提供更宽的出光面。
如图15所示，第二主体151的宽度可以小于第一主体141的宽度W4。根据实施例，第二主体151的宽度可以等于或大于第一主体141的宽度W4。因此，第一主体141与第二主体151之间的接触面积增加，从而防止水分渗入到具有不同材料的第一主体141与第二主体151之间的界面表面中，从而能够改善封装的可靠性。
第二主体151包括呈现为相对于从发光芯片161发出的波长的70%或更大的透射率的第二热固树脂。第二热固树脂可以包括从由含硅树脂、透明环氧树脂、改性环氧树脂、透明硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸树脂以及聚氨酯树脂构成的组里选择的至少之一。在第二主体151中，从由填充剂、扩散剂、颜料、荧光材料以及反射材料构成的组里选择的至少之一可以与第二热固树脂混合，使得第二主体151具有预定功能。另外，第二热固树脂可以包含扩散剂。例如，扩散剂可以包括钛酸钡（BaTiO3）、二氧化钛（TiO2）、氧化铝（Al2O3）或氧化硅（SiO2）。
如图20和图21所示，第二主体151具有第一开口150，第一开口150可以与引线框121和131的中心区域对应。第一开口150的宽度可以小于第一主体141的开口150-1。第二主体151的内横侧152可以垂直于第一引线框121的顶面或第二引线框131的顶面，或者可以90°至180°的角度倾斜。
第二主体151的内部152A比第一主体141的内部148离发光芯片161更近，并且可以与引线框121和131的顶面接触。另外，第二主体151的内部152A与第一主体141的顶面接触，从而能够增加第二主体151的内部152A与第一主体141之间的粘合强度。该结构能够有效地防止水分渗入。
第二主体151的内横侧152的高度（或厚度）可以比发光芯片161的厚度厚，并且可以形成为高于图16的导线166和167的高点。例如，第二主体151的内横侧152的高度可以形成为处于250μm至500μm的范围中，但实施例不限于此。当从上面看过去时，在开口150中，沿X轴的方向的长度可以与沿Z轴的方向的宽度不同，或者可以等于沿Z轴的方向的宽度，但实施例不限于此。
如图21所示，可以在第二主体151的上部形成凹凸结构、粗糙结构或台阶结构。另外，在第二主体151上设置有从其内上部突出的第一突出153、从其外上部突出的第二突出155、以及形成在第一突出153与第二突出155之间的第三凹槽154。第一突出153和第二突出155可以突出相同的高度或不同的高度。第三凹槽154可以形成在低于第一突出153的顶面的深度处。光学透镜2与第二主体151之间的粘合强度由于形成在第二主体151的上部的第一突出153和第二突出155以及第三凹槽154而可以增加，如图16所示。
如图16所示，一个或至少两个发光芯片161可以被设置在经由第一主体141的第一开口150的底部暴露的第一引线框121和第二引线框131至少之一上。
[220]发光芯片161可以被设置在第一引线框121上且经由第一导线165连接至第一引线框121。发光芯片161可以经由第二导线166连接至第二引线框131。发光芯片161通过从第一引线框121和第二引线框131接收电力而得以驱动。
根据另一个实施例，发光芯片161可以被芯片接合至第一引线框121，并且可以经由导线连接至第二引线框131。发光芯片161可以经由倒装芯片接合方式被接合至第一引线框121和第二引线框131。
发光芯片161可以包括包含半导体化合物的LED芯片。发光芯片161可以包括紫外线LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、白色LED芯片以及红色LED芯片至少之一。发光芯片161可以包括第III-V族化合物半导体。发光芯片161中的有源层可以包括双接合结构、单阱结构、多阱结构、单量子阱结构（SQW）、多量子阱（MQW）结构、量子线结构以及量子点结构至少之一。有源层通过交替设置阱层和势垒层来设置。阱层/势垒层的叠层结构（例如，InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN或InAlGaN/InAlGaN的叠层结构）可以形成为2到30个周期。另外，有源层可以包括诸如ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN或AlInGaP等半导体，但实施例不限于此。有源层的发光波长可以从紫外线频带波长到可见光频带波长的范围中选择，但实施例不限于此。
参照图15、图17以及图18，第二开口150A形成在与第二主体151的第一开口150间隔开的区域。第一引线框121和第二引线框131的第二区域与第二开口150A的底部对应。第一引线框121在其上设置有保护器件163，并且保护器件163经由第三导线168连接至第二引线框131。第一主体141和第二主体151在第一开口150与第二开口150A之间用作隔离件（separator）。设置在第一开口150与第二开口150A之间的第一主体141的厚度可以等于保护器件163的厚度，或者可以薄于或厚于保护器件163的厚度。考虑到光损失，第一主体141形成的厚度可以厚于保护器件163的厚度。第二开口150A的外缘部可以垂直于引线框121和131的顶面，或者相对于引线框121和131的顶面倾斜。虽然保护器件163被设置在第二开口150A中，然而保护器件163也可以被设置在其它区域处或者可以被省略，但实施例不限于此。保护器件163可以通过使用晶闸管、齐纳二极管或瞬态电压抑制件（TVS）来实现。齐纳二极管保护发光芯片161免于静电放电（ESD）。
透明树脂层171形成在第二主体151的第一开口150中。透明树脂层171可以包括硅树脂材料或环氧树脂材料。详细地，透明树脂层171可以包括呈现为相对于从发光芯片161发出的波长（例如，蓝色波长）的至少70%的透射率（详细地，至少90%的透射率）的材料。
透明树脂层171可以具有平坦顶面。根据另一个实施例，透明树脂层171可以具有凹顶面或凸顶面。
透明树脂层171的折射率是1.6或更低。第二主体151的折射率可以等于或低于透明树脂层171的折射率。另外，第二主体151的折射率可以与透明树脂层171的折射率相差大约±0.2，但实施例不限于此。
透明树脂层171可以包括填充剂、扩散剂、颜料、荧光材料以及反射材料至少之一。包含在透明树脂层171中的荧光材料吸收从发光芯片161发出的光，以将光波长转换成具有不同波长的光。磷光材料可以包括黄色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉以及红色荧光粉至少之一。例如，磷光材料可以包括从以下材料组成的组里选择的至少之一，其中所述组包含：氮化物基荧光粉、氮氧化物基荧光粉以及赛隆基荧光粉（其主要通过诸如Eu或Ce等镧系元素来激活）；碱土卤磷灰石荧光粉（其主要通过诸如Eu等镧系元素或诸如Mn等过渡（transient）金属元素来激活）；碱土金属硼酸卤素荧光粉；碱土金属铝酸盐荧光粉；碱土硅酸盐；碱土硫化物；碱土硫代镓酸盐（thio-gallate）；碱土氮化硅；锗盐（germanite）；稀土铝酸盐（主要通过诸如Ce等镧系元素来激活）；稀土硅酸盐；以及有机螯合剂（主要通过诸如Eu等镧系元素来激活），但实施例不限于此。
如图16所示，光学透镜2被设置在透明树脂层171上。光学透镜2可以包括透明树脂材料（例如，硅或环氧树脂）或玻璃材料。光学透镜2可以包括折射率呈现为等于或低于透明树脂层171的折射率的材料。光学透镜2可以被设置在透明树脂层171和第二主体151的上部。粘合层可以形成在第一主体141和第二主体151的顶面上，使得第一主体141和第二主体151的顶面彼此粘合。
光学透镜2的第二出射面23形成在第二主体151的外表面S5的外部，并且可以与第一主体141的顶面接触。光学透镜2的第二出射面23覆盖第二主体151的外缘部，以紧密接触第二主体151的外表面，从而调节被第一主体141反射的第二光L2或经由第二主体151透射的第一光L1的取向角。
光学透镜2的外缘部可以具有用于光分配的圆形。当从上面看过去时，光学透镜2可以具有圆形或椭圆形。
凹陷部24可以形成在光学透镜2的顶面的中心部。凹陷部24对应于发光芯片161，并且沿发光芯片161的方向具有低于光学透镜2的顶面的深度。光学透镜2的凹陷部24完全反射从第一主体141的顶面反射的光。当从上面看过去时，凹陷部24可以具有圆形，或者可以具有半球形下部或圆锥形下部。
参照图17和图18，光学透镜2的一部分183可以被填充在第二开口150A中，或者可以在第二开口150A中形成其它树脂元件，但实施例不限于此。
参照图15和图16，从发光器件100的发光芯片161发出的光沿所有方向发出。这种情况下，经由透明树脂层171透射的光的一部分经由第二主体151被透射，并且光的剩余部分经由透明树脂层171的顶面入射到光学透镜2中。另外，入射到光学透镜2中的光的一部分经由凹陷部24的全反射面被反射。当光经由第二主体151透射时，所反射的光可以被第二主体151的顶面反射，或者可以被第一主体141的顶面反射。因此，根据发光器件100，通过设置得低于发光芯片161的顶面的第一主体141，光能够被大体水平地发出。另外，如图22所示，随着角度θ5增加，光取向角更多地增加。随着角度θ5减小，光取向角更多地减小。因此，能够根据第一主体141的倾斜表面或厚度来调节光取向角。
[发光器件的制造方法]
如图19和图20所示，使用呈现为高反射率的树脂材料并经由模塑方式，在引线框121和131上对第一主体141进行注入模塑。如果第一主体141形成为如图21所示，则使用呈现为高透射率的树脂材料并经由传递模塑方式或注入模塑方式而对透明的第二主体151进行注入模塑。另外，如图15和图16所示，发光芯片161和保护器件163被安装在经由设置在第二主体151中的第一开口150暴露的引线框121和131上，并且发光芯片161通过使用导线165、166以及168电连接至引线框121和131。另外，透明树脂层171经由点胶（dispensing）工艺或模塑方式形成在第二主体151的第一开口150中，并且荧光材料可以被包含在透明树脂层171中。光学透镜2与透明树脂层171的顶面耦接。光学透镜2可以经由传递模塑方式来进行注入模塑，或者可以经由粘合方式被附接。在透明树脂层171与光学透镜2之间可以额外地形成其它树脂层，但实施例不限于此。粘合层可以形成在第一主体141的顶面和第二主体151的顶面上，但实施例不限于此。
图23为示出根据第七实施例的发光器件的剖视图。在第七实施例的以下说明中，由于通过参考第六实施例能够理解与第六实施例相同的组件和结构，因而将省略其细节，以避免冗余。
参照图23，发光器件包括引线框121和131、第一主体141、第二主体151、第一透明树脂层172、第二透明树脂层173以及光学透镜2。
第一透明树脂层172可以对应于图16的透明树脂层，并且可以在其中包含有荧光材料。第二透明树脂层173被设置在第二主体151、第一透明树脂层172以及光学透镜2间。
第二透明树脂层173的顶面可以与第二主体151的顶面水平地设置。这种情况下，能够提高与附接在第二透明树脂层173上的光学透镜2的耦接力。
第一透明树脂层172和第二透明树脂层173至少之一可以包括填充剂、扩散剂、颜料、荧光材料以及反射材料至少之一。荧光材料被包含在第一透明树脂层172中，并且第二透明树脂层173不包含荧光材料。另外，第一透明树脂层172和第二透明树脂层173可以包括发出不同波长的荧光材料，但实施例不限于此。
第一粘合层191形成在第一主体141与第二主体151之间，以将包括不同树脂材料的第一主体141和第二主体151彼此接合。第二粘合层192可以形成在第二主体151与第二透明树脂层173之间，以将第二主体151接合至第二透明树脂层173。第三粘合层193可以形成在第二透明树脂层173的顶面上，以提高第二透明树脂层173与光学透镜2之间的粘合强度。
第一粘合层至第三粘合层191、192以及193包括树脂材料（例如，硅或环氧树脂），以提高粘合强度。第一粘合层至第三粘合层191、192以及193的厚度可以形成为处于1μm至10μm的范围中。
第一粘合层191可以包含反射金属或散射剂，以便提高反射效率。第二粘合层192和第三粘合层193可以包含扩散剂或荧光粉，但实施例不限于此。
图24为示出根据第八实施例的发光器件的侧剖视图。在第八实施例的以下说明中，由于通过参考第六实施例能够理解与第六实施例相同的组件和结构，因而将省略其细节，以避免冗余。
参照图24，根据发光器件，在主体151中的第一开口150中设置有透明树脂层（例如，荧光层175）。荧光层175可以具有半球形。荧光层175可以被设置在发光芯片161周围，同时与发光芯片161的中心保持大体均匀的距离，使得能够均匀地调节波长已被转换的光的分布。荧光层175的顶面可以突出到第二主体151的顶面之外。荧光层175的底面的宽度可以宽于发光芯片161的宽度，并且可以窄于第一导线166与第二导线167之间的间隔。
第二主体151的第一开口150可以填充有光学透镜2的一部分184或其它树脂元件。填充在第一开口150中的材料可以与荧光层175接触。具有高透射率的第二主体151被设置在发光芯片161周围，使得从发光芯片161发出的第一光以及波长已被荧光层175转换的第二光以130°或更大的光取向角被发出。
图25为示出根据第九实施例的发光器件的侧剖视图。在第九实施例的以下说明中，由于通过参考第六实施例能够理解与第六实施例相同的组件和结构，因而将省略其细节，以避免冗余。
参照图25，根据发光器件，台阶结构可以形成在具有高透射率的第二主体151的上部154A处。第二主体151的上部154A的厚度可以从上部154A的内部到上部154A的外部而逐渐减小。第二主体151的上部154A具有台阶结构，使得能够增加上部154A与光学透镜2之间的接触面积，并且能够提高上部154A与光学透镜2之间的粘合强度。
另外，第二主体151的厚度从其内部朝向其外部而减小，使得第二主体151能够在光学透镜2与第一主体141之间支撑光学透镜2和第一主体141，并能够透射从发光芯片161发出的光。
图26为示出根据第十实施例的发光器件的侧剖视图。在第十实施例的以下说明中，由于通过参考第六实施例能够理解与第六实施例相同的组件和结构，因而将省略其细节，以避免冗余。
参照图26，发光器件可以包括具有第一凹凸图案至第四凹凸图案P1、P2、P3以及P4的第一引线框121和第二引线框131。第一凹凸图案P1和第二凹凸图案P2形成在第一引线框121的台阶状底面和第二引线框131的台阶状底面上，以增加与第一耦接部件143和第二耦接部件144的接触面积。因此，能够防止水分渗入到第一主体141与引线框121和131之间的空间中。
另外，第三凹凸图案P3和第四凹凸图案P4形成在第一引线框121的第一端部124的底面和第二引线框131的第二端部134的底面上，使得能够增加与分离部件142的接触面积。因此，能够防止水分渗入到第一主体141与引线框121和131之间的空间中。
根据另一个实施例，在第一引线框121和第二引线框131的顶面上额外形成其它凹凸图案，使得能够增强第一引线框121和第二引线框131与第一主体141之间的接触，并能够防止水分渗入。
第五凹凸图案P6形成在第一主体141的顶面上，以增加光学透镜2的外侧壁23与第二主体151之间的接触面积，并且防止水分渗入。
第二主体151的上部154B可以形成为高度从上部154B的外部朝向上部154B的内部而减小的台阶结构。透明树脂层174可以形成为从第二主体151的上部154B到第二主体151的内部区域，但实施例不限于此。
图27为示出根据第十一实施例的发光器件的侧剖视图。在第十一实施例的以下说明中，由于通过参考第六实施例能够理解与第六实施例相同的组件和结构，因而将省略其细节，以避免冗余。
参照图27，发光器件包括第一引线框221、第二引线框231、第一主体241、第一主体241、第二主体251、透明树脂层271以及光学透镜2。
第一引线框221包括具有空腔225的散热部件222、第一连接部件223以及第一引线部件224。为了与第一主体241耦接的目的，第一引线框221可以包括孔和凹槽至少之一，但实施例不限于此。发光芯片261被设置在散热部件222的空腔225的底部上。空腔225的横侧垂直于第一主体241的底面或相对于第一主体241的底面以90°或更大的角度倾斜，以反射来自发光芯片261的光。散热部件222可以经由设置在其下部的衬底或散热板来散发从发光芯片261发出的热量。
第二引线框231包括第二连接部件233和第二引线部件234。第二引线框231可以包括孔235，并且第一主体241的一部分可以被设置在孔235中。第一引线框221的第一连接部件223和第二引线框231的第二连接部件233经由第二主体251的第一开口250而暴露。空腔255被设置在第一开口250的中心部。
第一引线框221的第一连接部件223和第二引线框231的第二连接部件233经由第一主体241的顶面而暴露。发光芯片261可以经由第一导线266连接至第一连接部件223，并且可以经由第二导线267连接至第二连接部件233。
第一引线框221的第一引线部件224可以从第一连接部件223弯曲，并在第一主体241中暴露于第一主体241的底面。第一引线部件224可以突出到第一主体241的第二横侧S12之外。
第二引线框231的第二引线部件234从第二连接部件233弯曲，并在第一主体241中暴露于第一主体241的底面。第二引线部件234的一部分可以突出到第一主体241的第一横侧S11之外。
第一主体241的顶面244的外部可以是倾斜的，并且顶面244的外部的内角可以形成为处于140°至170°的范围中。
呈现为高透射率的第二主体251被设置在第一主体241的顶面的外缘部处。第二主体251将入射到其中的光透射，以扩大光取向角。第二主体251的内横侧252可以是倾斜的，但实施例不限于此。
透明树脂层271形成在空腔255中。透明树脂层271可以包括树脂材料（例如，硅或环氧树脂）。透明树脂层271可以包括填充剂、扩散剂、颜料、荧光材料以及反射材料至少之一。
第二主体251的上部253具有台阶结构，该台阶结构可以与光学透镜2的外侧壁23耦接。在光学透镜2的中心部设置有凹陷部24。光学透镜2的底面可以与透明树脂层271的顶面接触，或者可以与透明树脂层271的顶面间隔开。另外，在光学透镜2与透明树脂层271之间可以额外设置其它树脂层，但实施例不限于此。
导线266和267被设置在第二主体251的第一开口250中，或者可以在第一开口250中形成其它树脂层。第二主体251的外横侧S15可以与第一主体241的外横侧S11和S12形成一行，但实施例不限于此。
图28为示出根据第十二实施例的发光器件的侧剖视图。在第十二实施例的以下说明中，由于通过参考第六实施例能够理解与第六实施例相同的组件和结构，因而将省略其细节，以避免冗余。
参照图28，发光器件包括：第一引线框321和第二引线框331；第三引线框325，位于第一引线框321与第二引线框331之间；透明树脂层371，位于第三引线框325上；第一主体341，支撑第一引线框至第三引线框321、331以及325；第二主体351，设置在第一主体341上且呈现为比第一主体341高的透射率；以及光学透镜2，位于透明树脂层371上。
第一引线框321被置于第一主体341的第一横侧S11与第三引线框325之间，并包括第一连接部件322和第一引线部件323。第一连接部件322暴露于第一主体341的顶面且经由第一导线366连接至发光芯片361。第一引线部件323在第一主体341中从第一连接部件322弯曲或延伸且设置在第一主体341的底面上，同时沿第一主体341的第一横侧S11的方向突出。
第二引线框331被置于第一主体341的第二横侧S12与第三引线框325之间，并且包括第二连接部件332和第二引线部件333。第二连接部件332暴露于第一主体341的顶面且经由第二导线367连接至发光芯片361。第二引线部件333在第一主体341中弯曲并延伸到第一主体341的底面，同时沿第一主体341的第二横侧S12的方向突出。
第三引线框325包括具有空腔320的散热部件326以及从散热部件326弯曲的支撑部件327。发光芯片361被设置在空腔320的底部上。散热部件326的底面可以暴露于第一主体341的底面。支撑部件327可以暴露于第一主体341的顶面，但实施例不限于此。散热部件326可以经由设置在散热部件326的下部的衬底或散热板来散发从发光芯片361发出的热量。
第一主体341包括位于第一引线框321与第三引线框331之间的第一分离部件342以及位于第三引线框325与第二引线框331之间的第二分离部件343。
第一引线框321的第一连接部件322和第二引线框331的第二连接部件332经由第二主体351的第一开口350暴露。空腔320被设置在第二主体351的第一开口350的中心部。
发光芯片361被设置在空腔320的底部上。发光芯片361经由第一导线366与第一引线框321的第一连接部件322连接，并经由第二导线367与第二引线框321的第二连接部件332连接。
透明支撑层371形成在空腔320中。透明支撑层371可以与第一主体341的顶面水平地形成，但实施例不限于此。透明树脂层371可以包括树脂材料（例如，硅或环氧树脂）。透明树脂层371可以包括填充剂、扩散剂、颜料、荧光材料以及反射材料至少之一。
第一主体341对应于根据第五实施例的第一主体。顶面344的外部可以是倾斜的。第一主体341的倾斜表面的内角可以形成为处于135°至180°的范围中。
第二主体351对应于根据第五实施例的第二主体。形成在第二主体351中的第一开口350的宽度可以宽于空腔320的顶面的宽度，但实施例不限于此。
发光芯片361的顶面可以低于第一主体341的顶面，但实施例不限于此。从发光芯片361发出的光可以被光学透镜2的凹陷部24反射，并且所反射的光可以被第一主体341的顶面和倾斜表面反射。入射到第二主体351中的光被透射，使得能够扩大光取向角。
光学透镜2的外侧壁23可以被设置在第二主体351的横侧S15的里面，但实施例不限于此。
根据另一个实施例，发光芯片361的顶面可以暴露于第一主体341的顶面。这种情况下，从发光芯片361发出的光被第一主体341的顶面和倾斜表面反射，或者经由第二主体351被透射。因此，能够更加扩大光的取向角。空腔320的深度可以取决于第三引线框325的散热部件326的弯曲度而变化，并且可以进行调整。
图29为示出根据第十三实施例的发光器件的剖视图。在第十三实施例的以下说明中，由于通过参考第六实施例能够理解与第六实施例相同的组件和结构，因而将省略其细节，以避免冗余。
参照图29，发光芯片1与设置在光学透镜6的光入射面61中的凹陷部分66间隔开，同时与光入射面61水平地设置。凹陷部分66具有沿凹陷部64的方向凸出地凹陷的半球形。光学透镜6的结构包括凹陷部64、凸部65、出射面62和63，并且将通过参考根据第二实施例至第四实施例的结构来理解其细节。凹陷部分66扩散从发光芯片1发出的光，以允许光入射到光学透镜6中。光学透镜6沿横向方向通过凹陷部64的全反射面64A、64B以及64C来反射入射光，以改善光取向角。发光芯片1可以被设置在凹陷部分66中，凹陷部分66被设置在光学透镜6的入射面61上方，但实施例不限于此。
图30为示出根据实施例的发光芯片的一个示例的侧剖视图。
参照图30，发光芯片包括衬底311、缓冲层312、发光结构310、第一电极316以及第二电极317。衬底311可以包括包含透射材料或非透射材料的衬底，并且可以包括导电衬底或绝缘衬底。
缓冲层312减小构成衬底311和发光结构310的材料之间的晶格常数差，并且可以包括氮化物半导体。不掺杂掺杂剂的氮化物半导体层被进一步布置在缓冲层312与发光结构310之间，使得能够提高结晶质量。
发光结构310包括第一导电半导体层313、有源层314以及第二导电半导体层315。
第一导电半导体层313可以包括掺杂有第一导电掺杂剂的第III-V族化合物半导体。例如，第一导电半导体层313可以包括组分分子式为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半导体材料。详细地，第一导电半导体层313可以包括由多个层构成的叠层结构，该多个层包括从由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP构成的组里选择的一个。如果第一导电半导体层313是n型半导体层，则第一导电掺杂剂包括n型掺杂剂（例如Si、Ge、Sn、Se或Te）。
第一覆层可以形成在第一导电半导体层313与有源层314之间。第一覆层可以包括GaN基半导体，并且第一覆层的带隙可以等于或大于有源层314的带隙。第一覆层具有第一导电类型，并且限制载流子。
有源层314被布置在第一导电半导体层313上，并且包括单量子阱结构、多量子阱（MQW）结构、量子线结构以及量子点结构。有源层314具有阱层和势垒层的周期。阱层可以具有组分分子式InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1），势垒层可以具有组分分子式InxAlyGa1-x-y（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。阱层/势垒层的至少一个周期可用于InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/AlGaN以及InAlGaN/InAlGaN的叠层结构。势垒层可以包括带隙高于阱层的带隙的半导体材料。
第二导电层315形成在有源层314上。第二导电层315包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体，例如，包括组分分子式为InxAlyGa1-x-y（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半导体。详细地，第二导电半导体层315可以包括从诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP等化合物半导体选择的一个。如果第二导电半导体层315是p型半导体层，则半导体导电掺杂剂包括P型掺杂剂（例如，Mg、Zn、Ca、Sr或Ba）。
第二导电半导体层315可以包括超晶格结构，并且超晶格结构可以包括InGaN/GaN超晶格结构或AlGaN/GaN超晶格结构。第二导电半导体层315的超晶格结构异常地扩散电流，从而保护有源层314。
另外，发光结构310可以具有相反的导电类型。例如，第一导电半导体层313可以包括P型半导体层，第二导电半导体层315可以包括N型半导体层。在第二导电半导体层315上可以布置有极性与第二导电类型极性相反的第一导电半导体层。
发光结构310可以通过使用n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构之一来实现。“p”代表p型半导体，“n”代表n型半导体层，以及“-”代表p型半导体被直接或间接地连接至n型半导体。在下文中，为了便于解释，将描述发光结构310的最上层是第二导电半导体层315的情况。
第一电极316被布置在第一导电半导体层313上，具有电流扩展层的第二电极317被布置在第二导电半导体层315上。第一电极316和第二电极317经由导线或经由其它连接方式彼此连接。
图31为示出根据实施例的发光芯片的另一个示例的图。在下文中，在实施例的以下说明中，除了简要说明外，将省略与图30相同的部件的细节。
参照图31，在根据实施例的发光芯片中，接触层321形成在发光结构310下方，反射层324形成在接触层321下方，支撑元件325形成在反射层324下方，以及保护层323可以形成在反射层324和发光结构310周围。
一个或多个第一电极316可以形成在发光结构310上，并且第一电极316包括接合至导线的焊盘。
该发光芯片可以通过在形成位于第二导电半导体层315下方的接触层321、保护层323、反射层324以及支撑元件323之后去除生长衬底来形成。
接触层321可以与发光结构310的下层（例如，第二导电半导体层315）欧姆接触，并且可以包括金属氧化物、金属氮化物、绝缘材料或导电材料。例如，接触层321可以包括ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、AZO（氧化铝锌）、ATO（氧化锑锡）、GZO（氧化镓锌）、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及其选择性组合。接触层321可以通过使用金属材料和透明材料（例如，IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO）形成在复合层结构中。例如，接触层321可以具有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的叠层结构。在与电极316对应的接触层321中可以进一步形成阻挡电流的层。
保护层323可以包括金属氧化物或绝缘材料。例如，保护层323可以选择性地包括ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、AZO（氧化铝锌）、ATO（氧化锑锡）、GZO（氧化镓锌）、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或TiO2。保护层323可以经由溅射方式或沉积方式来形成。构成反射层324的金属可以防止发光结构310的多个层短路。
反射层324可以包括诸如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或Hf等金属，或其选择性组合。反射层324的宽度可以大于发光结构310的宽度，从而提高光反射效率。用于接合的金属层和用于热扩散的金属层可以进一步被布置在反射层324与支撑元件325之间，但实施例不限于此。
支撑元件325用作基底衬底，并且可以包括诸如Cu、Au、Ni、Mo或Cu-W等金属以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO和SiC等载体晶片。粘合层可以进一步形成在支撑元件325与反射层324之间，并且将两个层彼此接合。所公开的发光芯片是用于说明性目的，并且实施例不限于此。该发光芯片可以被选择性地应用于根据实施例的发光器件，但实施例不限于此。
<照明系统>
根据实施例的发光器件适用于照明系统。照明系统包括其中排列有多个发光器件的结构。照明系统包括图31和图32所示的显示装置、图33所示的照明装置、照明灯、闪光灯、信号灯、用于车辆的头灯以及电子显示器。
图32为示出根据实施例的显示装置(具有发光器件)的分解透视图。
参照图32，根据实施例的显示装置1000包括：导光板1041；光源模块1033，用来将光供应到导光板1041；反射元件1022，位于导光板1041下方；光学片1051，位于导光板1041上；显示面板1061，位于光学片1051上；以及底盖1011，用来容纳导光板1041、光源模块1033以及反射元件1022，但实施例不限于此。
底盖1011、反射片1022、导光板1041、光学片1051以及照明单元1050可以被定义为背光单元。
导光板1041将从光源模块1033供应的光扩散以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯基树脂（例如，PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）、PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PC（聚碳酸酯）、COC（cyclicolefincopolymer，环烯烃共聚物））和PEN（聚萘二甲酸乙二醇酯）树脂之一。
光源模块1033被布置在导光板1041的至少一侧以将光供应到导光板1041的至少一侧。光源模块1033用作显示器件的光源。
至少一个光源模块1033被布置成直接或间接供应来自导光板1041的一侧的光。光源模块1033可以包括板1031和根据实施例的发光器件或发光器件1035。所述发光器件或发光器件1035被设置在板1031上，同时彼此间隔预定间隔。
板1031可以包括包含电路图案（未示出）的印刷电路板（PCB）。另外，板1031还可以包括金属芯PCB（MCPCB）或柔性PCB（FPCB）以及典型性PCB，但实施例不限于此。如果发光器件1035被安装在底盖1011侧部或散热板上，则可以省略板1031。散热板与底盖1011的顶面部分接触。
另外，在板1031上，发光器件1035被配置为使释放发光器件1035的光的出光表面与导光板1041间隔预定距离，但实施例不限于此。发光器件1035可以直接或间接将光供应到光入射面（其是导光板1041的一侧），但实施例不限于此。
反射元件1022被布置在导光板1041下方。反射元件1022将穿过导光板1041的底面向下行进的光朝向显示面板1061反射，从而提高照明单元1050的亮度。例如，反射元件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但实施例不限于此。反射元件1022可以用作底盖1011的顶面，但实施例不限于此。
底盖1011可以将导光板1041、光源模块1033以及反射元件1022容纳于其中。为此目的，底盖1011具有容纳区1012，该容纳区具有顶面开口的箱形，但实施例不限于此。底盖1011能够与顶盖（未示出）耦接，但实施例不限于此。
能够通过使用金属材料或树脂材料经由压制工艺或挤压工艺制造底盖1011。另外，底盖1011可以包括具有优良传热性的金属或非金属材料，但实施例不限于此。
显示面板1061例如是包括彼此相对的第一透明衬底和第二透明衬底以及置于第一衬底与第二衬底之间的液晶层的LCD面板。偏振板能够附接至显示面板1061的至少一个表面，但实施例不限于此。显示面板1061通过允许光从其穿过而显示信息。显示器件1000能够应用于各种便携式终端、笔记本电脑的监控器、手提电脑的监控器以及电视。
光学片1051被布置在显示面板1061与导光板1041之间，并包括至少一个透光片。例如，光学片1051包括从由扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片构成的组里选择的至少之一。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集到显示面板1061上，以及增亮片通过再次利用损失的光来提高亮度。另外，保护片能够被布置在显示面板1061上，但实施例不限于此。
导光板1041和光学片1051能够作为光学元件被布置在光源模块1033的光路径中，但实施例不限于此。
图33为示出根据实施例的显示装置的剖视图。
参照图33，显示器件1100包括底盖1152、其上排列有发光器件1124的板1120、光学元件1154以及显示面板1155。
板1120和发光器件1124可以构成光源模块1160。另外，底盖1152、至少一个光源模块1160以及光学元件1154可以构成照明单元1150。底盖1151能够布置有容纳区1153，但实施例不限于此。光源模块1160包括板1120、以及配置在板1120或发光器件1124上的多个发光器件。
光学元件1154可以包括从由透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片构成的组里选择的至少之一。该导光板可以包括PC或PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）。能够省略该导光板。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光聚集到显示区域上，而增亮片通过再次利用损失的光来提高亮度。
光学元件1154被布置在光源模块1160上方，以便将从光源模块1160发出的光转换成表面光。
图34为示出根据实施例的照明器件(具有发光器件)的分解透视图。
参照图34，根据实施例的照明器件可以包括盖2100、光源模块2200、散热元件2400、电源部件2600、内壳2700以及插座2800。另外，根据实施例的发光器件还可以包括元件2300和基座2500至少之一。光源模块2200可以包括根据实施例的发光器件。
例如，盖2100具有球形或半球形。盖2100可以具有空心结构，并且盖2100的一部分可以开口。盖2100可以光学连接至光源模块2200，并且可以与散热元件2400耦接。盖2100可以具有与散热元件2400耦接的凹陷部件。
盖2100的内表面可以涂布有用作扩散剂的乳白色颜料。从光源模块2200发出的光可以通过使用乳白色材料来散射或扩散，使得光能够被释放到外部。
盖2100可以包括玻璃、塑料、PP、PE或PC。这种情况下，PC呈现为优良的耐光性、优良的耐热性以及优良的强度。盖2100可以是透明的，从而可以从外部识别出光源模块2200。另外，盖2100业可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方式形成。
光源模块2200可以被布置在散热元件2400的一个表面处。因此，从光源模块2200散发的热量被传导到散热元件2400。光源模块2200可以包括发光器件2210、连接板2230以及连接器2250。
元件2300被布置在散热元件2400的顶面上，并具有让多个发光器件2210和连接器2250插入其中的导槽2310。导槽2310与发光器件2210的衬底和连接器2250对应。
白色颜料可以被施加到或涂布在元件2300的表面上。元件2300将被盖2100的内表面反射而返回到光源模块2200的光朝向盖2100反射。因此，能够提高根据实施例的照明装置的光效率。
元件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热元件2400可以被电连接至连接板2230。元件2300包括绝缘材料，以防止连接板2230与散热元件2400之间的电性短路。散热元件2400接收来自光源模块2200的热量和来自电源部件2600的热量，并散发热量。
基座2500对布置在内壳2700中的绝缘部件2710的容纳槽2719加以阻挡。因此，容纳在内壳2700的绝缘部件2710中的电源部件2600被密封。基座2500具有引导突出部件2510。引导突出部件2510可以包括允许电源部件2600的突出部件2610穿过的孔。
电源部件2600处理并转变从外部接收的电信号，并将电信号供应到光源模块2200。电源部件2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中，并通过基座2500被密封在内壳2700中。
电源部件2600可以包括突出部件2610、引导部件2630、基底2650以及延伸部件2670。
引导部件2630从基底2650的一侧向外突出。引导部件2630可以被插入到基座2500中。多个部件可以被布置在基底2650的一个表面上。例如，这些部件包括：直流转换器；驱动芯片，用于驱动光源模块2220；以及ESD（静电放电）保护器件，用于保护光源模块2200，但实施例不限于此。
延伸部件2670从基底2650的另一侧向外突出。延伸部件2670被插入到内壳2700的连接部件2750中，并从外部接收电信号。例如，延伸部件2670可以等于或小于内壳2700的连接部件2750的宽度。延伸部件2670可以经由导线被电连接至插座2800。
内壳2700中可以布置有连同电源部件2600一起的模塑部件。该模塑部件通过硬化模塑液体来形成，使得电源部件2600可以被固定在内壳2700中。
实施例能够提供一种光取向角较宽的光学透镜。从发光芯片发出的光的取向角能够通过使用光学透镜来加宽。实施例能够提供一种能够防止填充在光学透镜的凹陷部中的反射元件被设置到该凹陷部之外的坝结构。因此，能够防止在光学透镜的出射面上产生异物。根据实施例，能够提高光学透镜的出品率，使得能够提高光学透镜的光学可靠性。
根据实施例，能够提高发光器件和具有该发光器件的照明器件的可靠性。
根据实施例，能够改善具有光学透镜的发光器件的光取向角的分布。根据实施例，该光学透镜适用于照明灯、信号灯、车辆的头灯以及其上安装有发光器件的电子显示器。根据实施例，能够提高具有光学透镜的发光器件和具有该发光器件的照明器件的可靠性。实施例能够提供一种光学透镜,其具有用于使反射元件在出光区域中反射光的坝。
本说明书中任何提及的“一个实施例”，“一实施例”，“示例性实施例”等等是指结合实施例所描述的具体的特征、结构或特性都包括在本发明至少之一实施例中。本说明书中多处出现的这些语句并不必然全部涉及相同的实施例。此外，当结合任一实施例来描述具体的特征、结构或特性时，应当认为其落入到本领域技术人员结合其他实施例来实施该特征、结构或特性的范围中内。
虽然已经参照其中的多个阐释性实施例来对实施例进行描述，但是应该理解的是，在本公开文本的原理的精神或范围中，本领域普通技术人员可以设计出多种改进和实施例。更具体而言，在公开内容、附图以及权利要求的范围中内，可以在组成部件和/或组合排列布局上进行多种改进和变型。除了组成部件和/或布局上的多种改进和变型以外，对于本领域的技术人员，选择性的使用也是显而易见的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
发光芯片；以及
光学透镜，位于所述发光芯片上；
其中，所述光学透镜包括：
入射面，从所述发光芯片发出的光入射到所述入射面中；
凹陷部，与所述入射面相对且沿所述入射面的方向凹陷；
出射面，布置在所述凹陷部的外缘部处，以输出经由所述入射面入射的光；
凸部，在所述凹陷部与所述出射面之间突出且经由转折点与所述凹陷部和所述出射面至少之一连接，以及
其中，所述凸部位于从所述发光芯片到设置在所述凹陷部的最外部的第一转折点的线段的里面。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
反射元件，位于所述凹陷部上。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，
所述反射元件的顶面的位置低于所述光学透镜的顶点的位置，且高于设置在所述凹陷部的最外部的所述第一转折点的位置。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，
所述反射元件的顶面的长度短于所述光学透镜的顶点之间的直径，且长于多个第一转折点之间的直径。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中，
从所述发光芯片穿过所述第一转折点的切线与光轴之间的第一角度小于从所述发光芯片延伸且与所述凹陷部的最外部曲面接触的切线与所述光轴之间的第二角度，以及
所述第一转折点从所述顶点离所述凹陷部最近。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，
所述第一角度小于从所述发光芯片延伸且与所述凸部的最内部曲面接触的切线与所述光轴之间的角度。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，
所述第一角度处于40°至60°的范围中。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其中，
所述光轴与所述第一转折点之间的距离处于基于所述光学透镜的半径的59%至65%的范围中。
9.根据权利要求2所述的发光器件，其中，
所述凹陷部包括：第一全反射面，靠近所述发光芯片且具有第一曲率；第二全反射面，与所述第一全反射面连接且具有第二曲率；以及第三全反射面，与所述第二全反射面连接且具有第三曲率，其中
所述凸部的曲率小于所述第一曲率和所述第二曲率。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，
所述第二全反射面在所述第一全反射面和所述第三全反射面之间包括曲率彼此不同的多个曲面。
11.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，
所述发光芯片与所述光学透镜的入射面间隔开。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，
所述光学透镜的入射面包括平坦表面或沿所述凹陷部的方向凸出地凹陷的凹陷部分。
13.根据权利要求1至10的任何一个所述的发光器件，其中，
所述凸部被布置在所述光学透镜的顶点和所述出射面的顶点的里面。
14.根据权利要求1至10的任何一个所述的发光器件，还包括：
第一主体，设置在所述发光芯片的外缘部且由反射材料形成；
第二主体，包括位于所述第一主体上的透明材料；
树脂层，用于覆盖所述发光芯片；以及
多个引线框，与所述第一主体和所述树脂层耦接且电连接至所述发光芯片。
15.根据权利要求1至10的任何一个所述的发光器件，其中，
所述凸部突出到所述出射面的顶点之外。
16.根据权利要求2至10的任何一个所述的发光器件，其中，
所述凸部包括与所述反射元件接触的内部区域和与所述反射元件间隔开的外部区域。
17.根据权利要求2至10的任何一个所述的发光器件，其中，
所述反射元件与所述凸部和所述凹陷部接触。
18.根据权利要求2至10的任何一个所述的发光器件，其中，
所述凸部和所述凹陷部关于所述光轴彼此旋转对称。
19.根据权利要求2至10的任何一个所述的发光器件，其中，
所述凸部在所述凹陷部的所述外缘部被设置为环形。
20.根据权利要求2至10的任何一个所述的发光器件，其中，
所述凹陷部的厚度处于基于所述光学透镜的厚度的65%至75%的范围中。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105841019A (zh) * 2014-12-16 2016-08-10 文晔科技股份有限公司 发光装置
CN105870309A (zh) * 2015-02-06 2016-08-17 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及包含该封装的照明装置
US20220246795A1 (en) * 2021-02-02 2022-08-04 Lite-On Technology Corporation Light-emitting device

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI582344B (zh) * 2013-08-05 2017-05-11 鴻海精密工業股份有限公司 透鏡及使用該透鏡的光源裝置
JP6454938B2 (ja) * 2014-10-24 2019-01-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明器具
KR102304267B1 (ko) * 2014-11-19 2021-09-23 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 백 라이트 유닛
KR102400494B1 (ko) 2014-12-29 2022-05-20 엘지전자 주식회사 광학 렌즈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US10411173B2 (en) * 2015-03-31 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device and light emitting module using the same
US10852456B2 (en) * 2015-03-31 2020-12-01 Saturn Licensing Llc Light source lens, illumination unit, and display unit
US10750070B2 (en) * 2015-12-18 2020-08-18 Ligitek Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode and surveillance camera device using the same
JP6672805B2 (ja) * 2016-01-12 2020-03-25 セイコーエプソン株式会社 波長可変干渉フィルター、電子部品、電子部品の製造方法、および電子機器
KR102558280B1 (ko) * 2016-02-05 2023-07-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 광원 유닛 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101821405B1 (ko) * 2016-06-28 2018-01-23 (주)애니캐스팅 엘이디 렌즈
KR102683383B1 (ko) * 2016-08-18 2024-07-15 서울반도체 주식회사 발광 모듈 및 렌즈
DE102017105210A1 (de) * 2017-03-13 2018-09-13 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Optische Abstrahlvorrichtung für Laserpulse mit selektiver Optik
US10569693B2 (en) * 2017-05-31 2020-02-25 Grote Industries, Inc. Electric lamp having a cover with a light guide
CN109148674B (zh) 2017-06-28 2023-05-16 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2019009429A (ja) * 2017-06-28 2019-01-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102476140B1 (ko) * 2017-11-20 2022-12-09 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
US10749082B2 (en) 2018-02-28 2020-08-18 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device and light emitting device
KR102546556B1 (ko) * 2018-05-28 2023-06-22 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 광조사장치
JP6866903B2 (ja) * 2019-03-05 2021-04-28 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
CN111665663B (zh) 2019-03-05 2025-04-08 日亚化学工业株式会社 发光模块及面发光光源
KR102617482B1 (ko) * 2019-03-05 2023-12-26 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 직하 타입 백라이트 유닛
JP6795795B1 (ja) 2019-06-28 2020-12-02 日亜化学工業株式会社 発光モジュールおよび面光源
TWI807401B (zh) 2020-08-31 2023-07-01 日商日亞化學工業股份有限公司 發光模組之製造方法
KR102617821B1 (ko) * 2021-09-17 2023-12-27 엘지전자 주식회사 공기청정기

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070217195A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Bright Led Electronics Corp. Light-emitting device and a lens thereof
US20080297918A1 (en) * 2006-10-30 2008-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Side emitting lens, and backlight unit and liquid crystal display including the same
CN102282416A (zh) * 2009-11-04 2011-12-14 纳卢克斯株式会社 照明装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100586965B1 (ko) * 2004-05-27 2006-06-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자
DE102004043516A1 (de) * 2004-09-08 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Seitlich emittierendes strahlungserzeugendes Bauelement und Linse für ein solches Bauelement
DE102005019832A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
KR100593933B1 (ko) * 2005-03-18 2006-06-30 삼성전기주식회사 산란 영역을 갖는 측면 방출형 발광다이오드 패키지 및이를 포함하는 백라이트 장치
US20070001185A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Lu Ying T LED backlight module
KR100631992B1 (ko) * 2005-07-19 2006-10-09 삼성전기주식회사 측면 방출형 이중 렌즈 구조 ｌｅｄ 패키지
CN101150158A (zh) * 2006-09-21 2008-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管及其制备方法
TW200826311A (en) * 2006-12-04 2008-06-16 Prolight Opto Technology Corp Side emitting LED
JP5493147B2 (ja) * 2010-04-07 2014-05-14 株式会社エンプラス 光束制御部材、発光装置、及び照明装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070217195A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Bright Led Electronics Corp. Light-emitting device and a lens thereof
US20080297918A1 (en) * 2006-10-30 2008-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Side emitting lens, and backlight unit and liquid crystal display including the same
CN102282416A (zh) * 2009-11-04 2011-12-14 纳卢克斯株式会社 照明装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105841019A (zh) * 2014-12-16 2016-08-10 文晔科技股份有限公司 发光装置
CN105870309A (zh) * 2015-02-06 2016-08-17 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及包含该封装的照明装置
CN105870309B (zh) * 2015-02-06 2019-07-12 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及包含该封装的照明装置
US20220246795A1 (en) * 2021-02-02 2022-08-04 Lite-On Technology Corporation Light-emitting device
US12194917B2 (en) * 2021-02-02 2025-01-14 Lite-On Technology Corporation Light-emitting device

Also Published As

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