CN103650129A - 芯片堆叠 - Google Patents

Abstract

本发明提供了用以利用和制造堆叠芯片组件的方法和系统。任何尺寸的微电子或光电子芯片被直接地相互堆叠。芯片能够具有基本上相同的尺寸。为了能够形成堆叠芯片组件，将沟槽激光微加工到芯片的底面上以容纳在其下面的芯片的接合楔/球和丝路径。因此，能够在没有间隙的情况下且在不必为接合楔/球预留空间的情况下将芯片紧密地集成。

Description

芯片堆叠

相关申请的交叉引用

本申请根据美国法典第35条第119（e）款要求2011年5月19日提交的美国临时专利申请号61/487,890的权益，其内容被整体地通过引用结合到本文中。

技术领域

本文公开的主题涉及微电子和光电子芯片的组装。

背景技术

芯片的垂直堆叠已变成微电子行业中的重要追求。由于在增长的功能（诸如更快的速度或存储容量）当中的对电子部件（诸如存储卡产品）的小型化的增加的需求，要求越来越多的芯片配合到越来越少的封装空间中。在集成芯片设计中，更多的功能或存储一般等效于f晶体管数上的增加，其转换成附加的芯片空间。由于晶片处理是二维过程，所以芯片只能在尺寸方面横向地增长以装进更多的晶体管。

朝向有限空间中的增加的晶体管计数的一个解决方案是芯片堆叠。这允许在不增加横向尺寸的情况下将多个芯片相互上下地堆叠。这也是切实可行的，因为芯片在高度上通常是薄的，并且晶片薄化是微电子行业中的常见实践。

芯片堆叠的障碍之一是从芯片到封装的丝焊（wire bond）的考虑。在典型集成电路芯片中，存在必须在外部经由丝焊而连接以建立电连接的许多接合焊盘。由于接合楔或球（取决于丝焊的类型）的有限高度和与该接合相关联的丝高度，不能在不考虑用来建立电连接的接合楔或球的情况下将芯片堆叠到彼此上面。

存在能够实现芯片堆叠的两个常用的常规方法。如图1A中所图示的第一方法涉及不相同尺寸的芯片10、12在基板14上的堆叠。如图1A中所示，芯片尺寸沿着堆叠向下变得越来越大。这允许处于芯片10的边缘处的区域10'从堆叠中的较高芯片12下面伸出以容纳丝焊11。然而，通过从最小至最大来产生芯片并将芯片进行分层实现的芯片布置降低了灵活性，因为必须使用每个层中的特定尺寸的芯片。并且，根据在其中形成的器件而使得朝向堆叠下端的芯片比它们需要成为的更大，因此浪费芯片空间。

第二常采用的方法是隔离层16的引入，如图1B中所示。此类隔离层是在面积上小于实际芯片10、12的类似材料的任意层。隔离层被接合在实际芯片之间，因此在有效芯片的边缘处产生凹坑区域12'，以容纳丝焊11。

虽然芯片的尺寸并未如在第一方法中那样受限，但第二方法不是没有其自己的缺点。例如，隔离层招致附加成本、附加高度，并且还妨碍从芯片到封装的热传导。

在任一情况下，必须将接合焊盘定位于芯片的边缘附近以便接入堆叠中的芯片的接合焊盘。

除了芯片堆叠用于集成电路的使用之外，芯片堆叠还已被引入到光电子器件中。

例如，以不同的波长进行发射的发光二极管（LED）芯片能够被相互上下地堆叠，以产生色彩混合输出，条件是芯片是透明的（例如，在堆叠底部处的芯片能够是半透明的）。从每个芯片发射的光被耦合到上面的芯片，并且由于光学通道的重叠而自然地与从该芯片发射的光混合。从所有芯片发射的光被混合在一起并通过堆叠中的顶部芯片发射，提供多色且色彩可调谐的光。这要求将来自各个芯片的横向发射最小化。

使用芯片堆叠的两个所描述方法中的任一个都能够由于意图容纳堆叠中的每个芯片的丝焊的边缘的暴露而引起来自各个LED芯片的显著漏光。

发明内容

本发明针对一种堆叠集成电路芯片，使得具有周围电路的每个芯片的丝焊互连被容纳在最小空间中的方法。其还涉及垂直堆叠芯片组件。

在说明性实施例中，该方法包括步骤：将第一芯片附接于封装的基部并形成将第一芯片的顶面上的第一焊盘电连接到封装的第一焊盘的第一丝焊。然后，在与连接到第一芯片的第一焊盘的第一丝焊的一部分相对应的位置处，在第二芯片的底面中形成第一沟槽。

将第二芯片附接于第一芯片，使得第二芯片中的第一沟槽在被连接到第一芯片的第一焊盘的那部分第一丝焊上被对准。然后，形成将第二芯片的顶面上的第二焊盘电连接到封装的第二焊盘的第二丝焊。

当将三个芯片堆叠时，在下一步骤中，在与连接到第二芯片的第二焊盘的第二丝焊的一部分相对应的位置处，在第三芯片的底面中形成第二沟槽。然后，将第三芯片附接于第二芯片，使得第三芯片中的第二沟槽在连接到第二芯片的第二焊盘的那部分第二丝焊上被对准。最后，形成将第三芯片的顶面上的第三焊盘电连接到封装的第三焊盘的第三丝焊。

能够通过直接写入激光微加工来产生芯片底部中的沟槽。特别地，能够通过使激光束聚焦到与沟槽的期望宽度相对应的光斑尺寸并使激光束线性地套孔以沿着与堆叠中的在其下面的芯片的第一焊盘相对应的路径切除芯片的底面，来形成所述沟槽。

本发明的方法能够用来产生三个不同发光器件的垂直堆叠芯片组件，其能够使来自每个芯片的光穿过在其顶部上的芯片。来自不同芯片的光能够被收集，并从顶部芯片的顶面被发射。因此，芯片的单独控制能够导致来自堆叠的各种色彩输出。使用本发明的沟槽允许堆叠的芯片的紧密配合并消除横向漏光。

附图说明

参考以下各图来描述非限制性且非排他性方面，其中，相同的附图标记遍及各图指代相同的部分，除非另外指定：

图1A和1B图示出两个常见的管芯堆叠方法；

图2是示出了根据本发明的实施例的形成芯片的垂直堆叠的方法的流程图；

图3是具有在本发明的某些实施例中使用的激光器、射束扩展器、聚焦透镜以及电动载物台的激光微加工装置的示图；

图4图示出根据本发明的实施例的用以形成充当沟槽的凹坑区域的跨基板的激光束的套孔；

图5图示出根据本发明的实施例的两个芯片的组装；

图6是根据本发明的通过将丝焊楔/球对准到上面芯片的底面上的激光器微加工沟槽中所组装的红色、绿色和蓝色发光二极管的堆叠的示意图；

图7是使用处于349nm的波长的紫外线激光器在基于GaN的LED芯片的蓝宝石面上形成的激光微加工沟槽的平面图的彩色照片；

图8是本发明的实施例的具有激光微加工沟槽的管芯在规则管芯的顶部上的堆叠的大大地扩大的横截面图的彩色照片；

图9是根据本发明的实施例的红色、绿色和蓝色发光二极管的组装堆叠的彩色缩微照片；

图10A—10C是示出了用本堆叠设计实现的均匀色彩混合的彩色缩微照片，其中来自各个芯片的漏光被最小化，发射从冷白至暖白的白色范围的不同阴影（shade）；以及

图11A—11I是图示出由本方法实现的堆叠设计所发射的大范围的色彩的彩色照片。

本专利或申请文件包含用彩色和照片执行的至少一个图。具有一个或多个彩色图的本专利或专利申请公开的副本将由专利局（Office）在请求和必要费用的支付时提供。

具体实施方式

在本文中描述了某些示例性方法和系统，其可以用来利用和制造包括微电子或光电子芯片的堆叠的组件。还提供了对其进行制造的过程。对于微电子应用而言，可以使用堆叠微电子芯片来增加给定体积中的晶体管数。另外，对于光电子应用而言，可以使用堆叠光电子芯片来产生色彩混合或色彩可调谐器件。

可以利用微电子电路的堆叠来增加电路功能。作为示例，可以使用存储器芯片的堆叠来增加总体存储容量而不增加器件覆盖区（footprint）。

将堆叠中的每个芯片连接到外部电路或其他集成电路芯片。这是通过到芯片上的接合焊盘的丝焊所实现的。丝焊产生焊盘位置处的接合楔或球（具有有限高度）以及还有在芯片上和封装上的接合焊盘之间的接合丝。结果，不能在不影响第一芯片的接合丝的情况下容易地在第一芯片的顶部上附接第二芯片。

根据本发明的某些实施例，在第一芯片上面的第二芯片的底部处形成沟槽以容纳第一芯片的接合楔/球和丝路径。有利地，使用这种方法，能够将接合焊盘定位于芯片上的任何位置且不要求定位于芯片的边缘附近。

根据本发明的实施例，一种制造堆叠芯片组件的方法包括经由从堆叠芯片组件的第一芯片的接合焊盘到用于堆叠芯片组件的封装的焊盘的丝焊来形成电连接；在与第一芯片的丝焊的接合楔或球相对应的位置处在第二芯片的底部上形成沟槽；以及通过将第一芯片的接合楔或球对准到第二芯片中的对应沟槽来将第二芯片附接于第一芯片的顶部上的第一芯片。能够通过例如环氧树脂或毛细接合将第二芯片固定于第一芯片。

能够对堆叠芯片组件中的每个附加芯片重复此程序以构建芯片的垂直堆叠。另外，能够为用于堆叠芯片组件的封装中的第一芯片的附接和/或支撑提供基部。能够在形成用于第一芯片的丝焊之前将第一芯片附接于基部。

每个芯片的尺寸并不取决于其在堆叠芯片组件中的位置且在芯片之间不需要隔离物。此外，每个芯片的尺寸能够对应于在其上形成的电路或结构所需的面积。在某些实施例中，堆叠芯片组件中的每个芯片可以在面积上与堆叠芯片组件中的其他芯片基本上相同。

主题方法可应用于堆叠各种芯片，包括微电子和光电子电路和器件。

在一个示例中，参考图2，示出了制造三个芯片的堆叠芯片组件的方法。首先，形成丝焊来将第一芯片的焊盘连接到用于堆叠芯片组件的封装或基部的焊盘（S201）。可以使用楔/球丝焊器来形成丝焊。另外，在与第一芯片的丝焊的接合楔或球的位置相对应的区域处在第二芯片中形成沟槽（S202）。可以按照任何顺序执行且可以同时地执行步骤S201和S202。然后将第二芯片附接于第一芯片，使得第二芯片中的沟槽在第一芯片的丝焊的接合楔或球上被对准（S203）。可以例如经由环氧树脂或毛细接合将第二芯片固定于第一芯片。然后可以形成丝焊来将第二芯片的焊盘连接到用于堆叠芯片组件的封装的焊盘（S204）。可以在与第二芯片的丝焊的接合楔或球的位置相对应的区域处在第三芯片中形成沟槽（S205）。可以在步骤S204之前、期间或之后执行步骤S205。然后可以将具有沟槽的第三芯片附接于第二芯片，使得第三芯片中的沟槽在第二芯片的丝焊的接合楔或球上被对准（S206）。可以例如经由环氧树脂或毛细接合将第三芯片固定于第二芯片。然后可以形成丝焊来将第三芯片的焊盘连接到用于封装芯片组件的封装或基部的焊盘（S207）。

根据本发明的示例性实施例，通过直接写入激光微加工来形成沟槽。激光微加工消除了对于掩蔽层的光刻图案化和/或执行湿法或干法蚀刻的需要。

适合于能够实现根据本发明的各种实施例的芯片堆叠的组装的激光微加工装置包括高功率激光器、用于射束扩展和准直的激光束扩展器、用以使射束聚焦为所需射束直径的聚焦光学器件、以及用于射束套孔的射束转向光学器件或电动载物台扫描电子装置。激光束被聚焦为等效于沟槽的期望宽度的光斑尺寸，后面是使射束跨越地扫描以形成期望的沟槽。

图3图示出根据本发明的具体实施例所使用的示例性激光微加工装置的示图。参考图3，由包括第一反射镜31、第二反射镜32以及激光反射镜33的反射镜来将从激光器（未示出）发射的光转向。准直光学器件可以在光到达第一反射镜31之前位于激光器的光路中。替换地，能够将准直光学器件定位于第一反射镜31与第二反射镜32之间的激光器的光路中。通过空间限定孔34将准直后的激光束转向以穿过UV物镜35，其使射束聚焦到被切除的样本表面上。在这里，样本可以是芯片基板。样本36位于能够在三个维度（x、y和z）上被控制的载物台37上。为了观察样本，可以可选地包括宽带可见光源（未示出）、CCD照相机38和管状透镜39。

当执行激光微加工时，使用诸如反射镜31、32和33的光学器件和/或载物台37的转向能够使射束进行套孔以形成期望形状的沟槽。特别地，将激光束聚焦于与沟槽的期望宽度相对应的光斑尺寸，并且通过使激光束线性地套孔来通过激光切除形成沟槽。

例如，参考图4，UV激光束40被聚焦到样本36上，导致样本到样本基板中的特定深度的切除。转向（即套孔）被用来产生沟槽的特定形状。图4中所示的样本是沿着通过使UV射束40在x方向上转向而产生的丝的样本基板的横截面。应理解的是实施例不限于此。例如，能够以一定的角度（即具有x方向和y方向分量）来形成沟槽。激光束被选择成具有足够的能量且具有用于切除的适当波长，其取决于材料本身的参数，诸如带隙能量和机械硬度。

图5图示出根据本发明的实施例的两个芯片的组装。参考图5，具有丝焊楔或球51的第一芯片50在其上面与第二芯片52堆叠，该第二芯片52在其底面上具有激光微加工沟槽53。具有激光微加工沟槽的第二芯片52被放置在具有丝焊楔/球的第一芯片50上，使得第二芯片的沟槽53被对准到第一芯片的丝焊楔或球51。在本实施例中，丝焊楔或球51'及其匹配沟槽53'中的一个远离芯片的边缘定位。在这种情况下，至少减小尺寸的沟槽必须延伸到芯片的边缘以容纳连接到基板的丝焊。由于第二芯片的沟槽被对准到第一芯片的接合楔/球的位置，所以能够在没有间隙的情况下将两个芯片组装。

根据某些实施例，使得在芯片的面对底部的表面中形成的沟槽的深度等于或大于要配合在其中的接合楔或球的高度。

通过形成等于或大于要配合在其中的接合楔或球的高度的沟槽，接合楔/球连同从将丝接合到第一芯片上的焊盘的楔/球到外部焊盘的丝路径一起贴合地配合到激光微加工沟槽中。

由于突出的楔/球配合到凹陷的沟槽中，所以芯片自然地在适当位置被对准。

在另一实施例中，不同发射波长的发光二极管芯片被相互上下地堆叠以形成多色器件。图6是根据本发明的实施例的发光二极管（LED）堆叠的示图。

参考图6，红色LED器件60、绿色LED器件62以及蓝色LED器件64被相互上下地堆叠，其中红色在底部，绿色在中间且蓝色在顶部。有利地，通过使用上述堆叠方法的实施例，三个芯片能够具有基本上相同的尺寸。另外，能够在没有间隙的情况下将芯片堆叠。

在具体实施例中，红色LED是基于AlInGaP的红色LED，具有半透明且导电的基板。也充当n型电极的红色LED芯片的基板被接合到封装。从红色LED的顶部建立丝焊并将其连接为p型电极。红色LED芯片可以是以规则管芯的形式。

中间绿色LED是在透明蓝宝石基板上生长的基于InGaN的LED。由于蓝宝石基板是不导电的，所以n型和p型电极两者都位于顶面上。因此，提供了至少两个接合丝（一个n型且一个p型）来将器件电连接到封装以使器件偏置。

为了在绿色LED下面容纳红色LED芯片的接合楔/球，在绿色LED芯片的底侧上形成沟槽。也就是说，在蓝宝石衬底中。沟槽的位置被形成为与接合楔/球的位置和用于红色LED的丝路径相对应。

为了有效地对蓝宝石进行激光微加工，可以使用具有毫微秒量级或更短的脉冲宽度的高功率紫外激光。

在形成沟槽的情况下，能够借助于管芯接合器将绿色芯片附接于红色芯片的顶部。沟槽的存在引导绿色LED芯片就位。能够使用光学透明环氧树脂将芯片固定在适当位置。

以相同方式，将蓝色LED芯片、诸如蓝宝石基板上的基于InGaN的LED芯片附接于组件的顶部。

图7示出了跨越基于InGaN的LED芯片的蓝宝石面上形成的沟槽路径的激光微加工沟槽71的平面图。该沟槽是使用349 nm的波长下的紫外激光通过激光微加工所形成的，该紫外激光在切除蓝宝石基板方面是有效的。

图8示出了在被堆叠于规则管芯的顶部上之后的沿着沟槽路径的激光微加工沟槽的横截面图。图像中的规则管芯是红色LED芯片且具有激光微加工沟槽的芯片是绿色LED芯片。

图9提供用于LED芯片堆叠的完整组件的透视图。如图9中所示，顶部芯片（例如，蓝色LED芯片）具有用于p电极和n电极两者的丝焊（在图像中清楚地示出了丝焊前景，而前景中的丝焊并未在焦点上）。在图像中未示出中间芯片（例如，绿色LED芯片）丝焊，但是示出了用于底部芯片（例如，红色LED芯片）的丝，其从中间芯片的面对底部的表面中的沟槽开始延伸。如图像中所示，在使得堆叠内的芯片的焊盘连接能够可用的同时，能够以最小的高度垂直地堆叠具有相同尺寸（即长度和宽度）的芯片。

图10提供了芯片被激活以发射白颜色的同时的完整组件的图像。通过使来自各个芯片的漏光最小化，能够实现均匀色彩混合和共形色彩发射。通过控制红色、绿色和蓝色光的比例，能够实现白光发射的不同阴影。在图10（A）至（C）中分别地图示出具有7100 K、6100 K和2400 K的相关色温的冷、中性和暖白光。

通过个别地调整每个芯片的偏压，发射不同强度的红色、蓝色和绿色光。

由于LED芯片被组装为堆叠，从每个芯片发射的光穿过在其顶部上的一个或多个芯片。最终，从顶部芯片共同地发射来自不同芯片的光，产生光学混合效果。

通过控制红色、绿色和蓝色的强度，能够跨越可见光谱改变光学混合输出的色彩。

使用此堆叠设计，相同尺寸的芯片被紧密地相互上下地堆叠，并且丝焊楔/球被嵌入堆叠中而未被暴露。结果，每个芯片（除顶部芯片之外）的发光表面未被暴露，并且因此来自各个芯片的光将不会从堆叠的侧面漏出。

图11图示出由根据本发明的实施例实现的堆叠LED芯片结构所发射的大范围的色彩。在图11中，A示出了红色光，B示出了橙色光，C示出了黄色光，D示出了绿色光，E示出了紫色光，F示出了粉红色光，G示出了蓝色光，H示出了蓝绿色光，并且I示出了带白色光。

根据本发明的某些实施例，提供了一种发光器件组件，其包括作为基部的基板或封装、在基部上的第一LED芯片、在第一LED芯片上的第二LED芯片以及在第二LED芯片上的第三LED芯片。第一LED芯片能够经由本领域中已知的任何适当方法附接于基部。第二LED芯片在其下表面中包括沟槽，其在第一LED芯片的丝焊上对准，并且第三LED芯片在其下表面中包括沟槽，其在第二LED芯片的丝焊上对准。在发光器件组件中可以包括附加芯片，每个附加芯片在其下表面中具有与下面的芯片的丝焊相对应的沟槽。

根据一个实施例，堆叠LED芯片使得每个芯片的发射波长随着其在垂直堆叠中的位置变得较低而增加。例如，第三LED芯片可以发射第一波长的光，第二LED芯片可以发射大于第一波长的第二波长的光，并且第一LED芯片可以发射最大波长的光。发光器件组件中的芯片能够被相互堆叠，并且直接粘附于在堆叠中的上面和下面的芯片。可以使用透明光学环氧树脂或液体毛细接合。毛细接合可以形成用于将两个芯片接合在一起的球焊。有利地，使LED芯片之间的空隙最小化，导致改善的光学透射。

虽然在本文中已使用各种方法和系统描述并示出了某些示例性技术，但本领域的技术人员应理解的是在不脱离要求保护的主题的情况下可以做出各种其他修改，并且可以用等效物取代。另外，在不脱离本文所述的中心概念的情况下，可以做出许多修改以使特定情况适应于要求保护的主题的教导。因此，意图在于要求保护的主题不限于所公开的特定示例，而是此类要求保护的主题还可以包括落在所附权利要求及其等效物的范围内的所有实施方式。

在本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的任何参考意指结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。此类短语在本说明书中的不同位置的出现不一定全部涉及同一实施例。另外，能够将本文所公开的任何发明或其实施例的任何元素或限制与本文所公开的任何其他发明或其实施例的任何和/或所有其他元素或限制（个别地或以任何组合）相组合，并且在不限于此的情况下，在本发明的范围的情况下想到所有此类组合。

应理解的是本文所述的示例和实施例仅仅是出于说明性目的，并且将向本领域的技术人员提出根据其的各种修改或改变且将各种修改或改变包括在本申请的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种芯片堆叠以形成芯片组件的方法，所述方法包括：

将第一芯片附接于封装的基部；

形成将第一芯片的顶面上的第一焊盘电连接到封装的第一焊盘的第一丝焊；

在与被连接到第一芯片的第一焊盘的第一丝焊的一部分相对应的位置处在第二芯片的底面中形成第一沟槽；

将第二芯片附接于第一芯片，使得第二芯片中的第一沟槽在连接到第一芯片的第一焊盘的那部分第一丝焊上对准；以及

形成将第二芯片的顶面上的第二焊盘电连接到封装的第二焊盘的第二丝焊。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二芯片的底面中形成第一沟槽包括执行直接写入激光微加工。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二芯片的底面中形成第一沟槽包括使激光束聚焦于与第一沟槽的期望宽度相对应的光斑尺寸，并使激光束线性地进行套孔以沿着在第二芯片上与第一芯片的第一焊盘相对应的位置和第二芯片的边缘之间的路径切除第二芯片的底面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二芯片的底面中形成第一沟槽包括使用足够功率和适当波长的激光束来切除第二芯片的底面的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沟槽具有等于或大于要配合在其中的第一丝焊的接合楔或球的高度的深度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，与第二芯片中的第一沟槽在其上对准的第一芯片的第一焊盘连接的那部分第一丝焊包括第一芯片的第一焊盘上的接合楔或球和从该接合楔或球延伸的第一丝焊的丝的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，第一芯片的第一焊盘被置于远离第一芯片边缘的第一芯片中心区域上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，将第二芯片附接于第一芯片包括使用环氧树脂或毛细接合将第二芯片直接附接于第一芯片。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在与连接到第二芯片的第二焊盘的第二丝焊的一部分相对应的位置处在第三芯片的底面中形成第二沟槽；

将第三芯片附接于第二芯片，使得第三芯片中的第二沟槽在连接到第二芯片的第二焊盘的那部分第二丝焊上对准；以及

形成将第三芯片的顶面上的第三焊盘电连接到封装的第三焊盘的第三丝焊。

10.一种垂直堆叠芯片组件，包括：

基部上的第一芯片，所述第一芯片包括第一接合焊盘和被连接到第一接合焊盘和外部焊盘的第一丝焊；

第一芯片上的第二芯片，所述第二芯片的底面面对第一芯片的顶面且包括在第一芯片的第一丝焊上对准的第一沟槽，使得第一丝焊的接合楔或球配合在第一沟槽中，并且将第一丝焊的丝沿着第一沟槽的路径布置并在第二芯片的边缘处从第一沟槽延伸出来至外部焊盘。

11.根据权利要求10所述的垂直堆叠芯片组件，其中，所述第一芯片和所述第二芯片具有基本上相同的长度和宽度。

12.根据权利要求10所述的垂直堆叠组件，其中，用环氧树脂将第二芯片直接附接于第一芯片。

13.根据权利要求10所述的垂直堆叠组件，其中，第一芯片和第二芯片中的至少一个包括在其中形成的集成电路。

14.根据权利要求10所述的垂直堆叠组件，其中，所述第二芯片还包括第二接合焊盘和被连接至所述第二接合焊盘和第二外部焊盘的第二丝焊，所述组件还包括：

第二芯片上的第三芯片，所述第三芯片的底面面对第二芯片的顶面且包括在第二芯片的第二丝焊上对准的第二沟槽，使得第二丝焊的接合楔或球配合在第二沟槽中，并且将第二丝焊的丝沿着第二沟槽的路径布置并在第三芯片的边缘处从第二沟槽延伸出来至第二外部焊盘。

15.根据权利要求14所述的垂直堆叠芯片组件，其中，所述第一芯片的第一焊盘被第二芯片覆盖，并且第二芯片的第二焊盘被第三芯片覆盖。

16.根据权利要求14所述的垂直堆叠芯片组件，其中，第一芯片、第二芯片和第三芯片具有基本上相同的宽度和长度。

17.根据权利要求14所述的垂直堆叠芯片组件，其中，第一芯片是第一发光器件芯片，第二芯片是第二发光器件芯片，并且第三芯片是第三发光器件芯片。

18.根据权利要求17所述的垂直堆叠芯片组件，其中，第一发光器件芯片以大于第二发光器件芯片的波长发射光，并且第二发光器件芯片以大于第三发光器件芯片的波长发射光。

19.根据权利要求17所述的垂直堆叠芯片组件，其中，第一发光器件芯片、第二发光器件芯片以及第三发光器件芯片中的每一个具有被外部连接以用于个别控制和驱动的n型和p型互连。

20.根据权利要求19所述的垂直堆叠芯片组件，其中，第一发光器件芯片的n型互连由第一发光器件芯片的基板提供，第一发光器件芯片的基板被接合到基部，其中，第一发光器件芯片的p型互连经由第一丝焊而被外部连接；

其中，n型和p型互连经由第二丝焊和第二发光器件芯片的另一第二丝焊而被外部连接；以及

其中，n型和p型互连经由连接至第三发光器件芯片顶面上的第三接合焊盘的多个第三丝焊中的对应一个而被外部连接。

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