CN103557970B - 一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 181
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 181
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 36
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 21
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 21
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- -1 boron ion Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 19
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 3-Phenyl-1-propanol Chemical compound OCCCC1=CC=CC=C1 VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N Phenylpropyl alcohol Natural products CCC(O)C1=CC=CC=C1 DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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Abstract
一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法，属于传感器领域，本发明为解决现有硅微谐振式压力传感器制作技术存在的问题。本发明包括下层硅片和上层硅片，下层硅片和上层硅片通过BCB胶键合；下层硅片上设置有谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置有下层激励电极和压敏电阻，下层激励电极和压敏电阻的引线均通过下层引线焊盘引出；压力敏感膜片设置在谐振梁所在谐振腔的底部；上层硅片上设置有上层引线焊盘和上层激励电极；上层激励电极设置在上层硅片下表面的凹槽内；上层激励电极的引线通过上层引线焊盘引出；下层硅片选用N型（111）硅片；上层硅片N型（100）硅片。
Description
技术领域
本发明涉及一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法，属于传感器领域。
背景技术
采用谐振工作原理的压力传感器可以实现高精度的压力检测，而硅微加工技术的发展，为微谐振式压力传感器提供了更多的实现技术。美国GE公司[J.C.Greenwood,D.W.Satehell.Miniature silicon resonant Pressure sensor.IEE Proceedings D.Control Theoryand Applications.1988,Vol.135,PP:369-372.]、日本横河株式会社式[Ikeda K,et al.Sensors andActruators,1990,21A:145-150]的谐振式压力传感器已经商用化，分别采用静电激励/电容检测、电磁激励/电磁检测为工作方式。国内的中科院电子学研究所[01124285.X，以SiNx为梁的新型微结构谐振梁压力传感器制作方法]等单位采用电磁激励/电磁检测为工作方式。北京航空航天大学[樊尚春.热激励谐振式硅微结构压力传感器[J].科学技术与工程,2004,4(5):426-429]等单位采用电热激励/压阻检测为工作方式。西北工业大学[200610104609.9硅微谐振式压力传感器及其制作方法]、上海大学[赵江铭,沈雪谨,张永宇,陈晓阳.单侧支撑静电硅微谐振器的实验研究.中国机械工程,2005,16:193-195]等单位主要采用静电激励/电容检测为工作方式。
相对于静电激励/压阻检测，前面提到的常用工作方式有如下缺点：(1)相对于静电激励，热激励是一种接触的激励方式，它会损伤谐振子的表面，在激励过程中产生的热量会引起的谐振子的频偏，从而会降低传感器的稳定性和测量精度。热激励需要完成电能—热能—机械能的转化，从而会使器件工作时产生较大功耗。另外，热激励建立速度较慢，会降低器件的响应速度；(2)相对于压阻检测，电容检测容易受到环境干扰，是一种抗干扰能力较弱的检测方式；(3)电磁激励/电磁检测需要外置磁场，这会使器件难以小型化。
静电激励/压阻检测由于相应的结构较为复杂，实现起来难度较大，研究较少。斯伦贝格美国航空分公司实现了这种工作方式的谐振压力传感器，但并没有实现芯片级的真空封装[Kurt Petersen,Farzad Pourahmadi,Joe Brown.Resonant beam pressure sensor fabricatedWith silicon fusion bonding.Teeh Digest,6th int Conf solid-State Sensors and ActuatorsTranducer’91,Sanancisco,CA,USA,1991,pp:664-667]。器件制作过程中采用了硅硅直接键合和硅片减薄等较为复杂的技术，为器件实现增加了难度。
现有硅微谐振式压力传感器采用的制作技术主要有：硅硅直接键合技术、浓硼自停止腐蚀技术、牺牲层技术、对SOI硅片的各向异性腐蚀技术。这些技术有如下缺点：
(1)硅硅直接键合技术对硅片平整度要求极高，并且是高温工艺，需要在1000度以上的高温进行。如果使用硅硅直接键合技术，往往需要对硅片进行刻蚀或机械减薄。由于原始硅片的厚度不可能处处相同，因此减薄后制作的谐振梁厚度也很难处处均匀；
(2)浓硼自停止腐蚀技术制作的谐振子厚度由硼掺杂的深度决定，因此谐振子不容易做厚。另外，掺杂会使谐振子存在较大应力，影响器件的长期稳定性；
(3)牺牲层技术制作的谐振器，谐振子多由沉积的多晶硅或氮化硅制作。由于沉积较厚的薄膜很费时间，并且应力不易控制，因此谐振子不易做厚。并且多晶硅的压阻系数小于单晶硅，因此不利于进行压阻检测。另外，谐振子悬空高度往往由充当牺牲层的二氧化硅层厚度决定，因此悬空不可能太高，这会使谐振子振动时产生较大阻尼，降低器件的Q值；
(4)对SOI硅片进行各向异性腐蚀制作的谐振器，谐振子厚度不可能大于SOI材料上层硅厚度。因此，谐振器振动频率的调整受到限制。
发明内容
本发明目的是为了解决现有硅微谐振式压力传感器制作技术存在的问题，提供了一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法。
本发明所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器，它包括下层硅片和上层硅片，下层硅片和上层硅片通过BCB胶键合为一个整体；
下层硅片上设置有谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置有下层激励电极和压敏电阻，下层激励电极和压敏电阻的引线均通过下层引线焊盘引出；压力敏感膜片设置在谐振梁所在谐振腔的底部；
上层硅片上设置有上层引线焊盘和上层激励电极；上层激励电极设置在上层硅片下表面的凹槽内；上层激励电极的引线通过上层引线焊盘引出；
下层引线焊盘和上层引线焊盘暴露接触外界；
上层硅片下表面的凹槽与谐振梁所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极与上层激励电极的位置相对设置；
下层硅片选用N型(111)硅片；上层硅片选用N型(100)硅片。
制作所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的方法，该方法包括以下步骤：
步骤一、制作下层硅片，具体过程为：
步骤一一、选用N型(111)硅片作为待处理下层硅片，并对其进行热氧化处理，在待处理下层硅片的上下面表面形成二氧化硅层，获取热氧化下层硅片；
步骤一二、通过光刻腐蚀工艺对二氧化硅图形化，然后在上面制作压敏电阻及其浓硼引线、下层激励电极及其浓硼引线；压敏电阻和下层激励电极并列设置；
步骤一二中在上面制作压敏电阻及其浓硼引线、下层激励电极及其浓硼引线的过程为：
分两次注入硼离子，第一次采用硼离子注入方法制作压敏电阻，第二次采用硼离子注入方法制作下层激励电极及其浓硼引线、压敏电阻的浓硼引线；
两种浓硼引线及下层激励电极的硼离子注入浓度相同，且高于压敏电阻的硼离子注入浓度。
步骤一三、重新在下层硅片的上表面生长一层二氧化硅层；
步骤一四、在压敏电阻和下层激励电极所在区域制作谐振梁，
通过光刻腐蚀工艺对二氧化硅图形化，采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀出谐振梁结构图形，刻蚀的深度为谐振梁的厚度，刻蚀区域间隔的宽度为谐振梁的宽度；在谐振梁两侧对称形成两个深槽，
步骤一五、利用LPCVD沉积氮化硅或二氧化硅作为钝化层对两个深槽的表面和下层硅片的上下表面进行覆盖；
步骤一六、利用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉深槽底部的钝化层，
步骤一七、利用深反应离子刻蚀工艺继续对深槽底部刻蚀一定深度，此深度是谐振梁的悬空高度；
步骤一八、利用TMAH溶液对下层硅片进行腐蚀，直到谐振梁底部的硅全部被腐掉，释放出谐振梁，两个深槽连通后形成谐振腔；
步骤一九、去掉下层硅片上表面的钝化层和二氧化硅层，然后，在下层硅片上表面的边缘制作金属膜，对所述金属膜光刻腐蚀后形成下层引线焊盘，用于连接步骤一二中的浓硼引线；
步骤二、制作上层硅片，具体过程为：
步骤二一、采用N型(100)硅片作为待处理上层硅片；
步骤二二、在所述待处理上层硅片的下表面的利用湿法或干法刻蚀出一个浅槽，并在其表面制作上层激励电极及其引线；
步骤二三、在所述待处理上层硅片的下表面的边缘利用湿法或干法刻蚀出一个浅槽，并在其表面制作焊盘，用于连接步骤二二中的引线；
步骤二四、在上层硅片的下表面涂覆3～5微米BCB(苯丙环丁烯)胶，并进行图形化；
步骤三、将步骤一制作的下层硅片和步骤二制作的上层硅片在真空环境下通过BCB胶键合为一个整体，实现真空密封；
下层激励电极与上层激励电极的位置相对设置；
步骤四、利用深反应离子刻蚀工艺，分别对上层硅片和下层硅片进行刻蚀，露出下层引线焊盘和上层引线焊盘，在下层硅片的下表面刻蚀出深槽，位置在谐振腔下方，该深槽与谐振腔之间薄片硅作为压力敏感膜片；完成静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的制作。
本发明的优点：本发明所提供的硅微谐振式压力传感器采用静电激励/压阻检测为工作方式。这种工作方式可使器件具有长期稳定性好，响应速度快，检测信号抗干扰能力强，不需外加磁场等优点。传感器制作过程所采用微加工工艺，匹配性好，可控性强，本发明提出谐振梁采用(111)硅片单面腐蚀工艺技术，除了具有工艺简易可控外，所制得的谐振梁是单晶硅材料，这使得谐振梁具有很高的压阻效应和稳定性。干法和湿法工艺交叉使用，谐振梁尺寸和悬空高度可在较大范围内调整，使得谐振梁的振动频率可在较大范围内自由调整。传感器的采用双片结构，巧妙利用键合工艺和干法刻蚀工艺，实现悬臂梁和压力参考腔的片级真空封装，信号输入输出焊盘，后续使用方便可靠。
附图说明
图1是待处理下层硅片结构示意图；
图2是热氧化下层硅片结构示意图；
图3是注入硼离子后的下层硅片结构示意图；
图4是图3的俯视图；
图5是重新生成二氧化硅层的下层硅片结构示意图；
图6是刻蚀谐振梁的下层硅处结构示意图；
图7是图6的俯视图；
图8是覆盖钝化层的下层硅片结构示意图；
图9是继续往深处腐蚀深槽的下层硅片结构示意图；
图10是连通两个深槽，将谐振梁悬空后的下层硅片结构示意图；
图11是去掉上表面的二氧化硅层，并制作下层引线焊盘的下层硅片结构示意图；
图12是图11的俯视图；
图13是上层硅片刻出两个浅槽后的结构示意图；
图14是图13的仰视图；
图15是制作出上层引线焊盘和上层激励电极的上层硅片结构示意图；
图16是涂覆BCB胶后的上层硅片结构示意图；
图17是上、下层硅片键合在一起的结构示意图；
图18是本发明所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的结构示意图；
图19是图18的仰视图。
具体实施方式
具体实施方式一：下面结合图18说明本实施方式，本实施方式所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器，它包括下层硅片1和上层硅片2，下层硅片1和上层硅片2通过BCB胶键合为一个整体；
下层硅片1上设置有谐振梁1-1、压力敏感膜片1-2、下层激励电极1-3、压敏电阻1-4和下层引线焊盘1-5；谐振梁1-1的上表面设置有下层激励电极1-3和压敏电阻1-4，下层激励电极1-3和压敏电阻1-4的引线均通过下层引线焊盘1-5引出；压力敏感膜片1-2设置在谐振梁1-1所在谐振腔的底部；
上层硅片2上设置有上层引线焊盘2-1和上层激励电极2-2；上层激励电极2-2设置在上层硅片2下表面的凹槽内；上层激励电极2-2的引线通过上层引线焊盘2-1引出；
下层引线焊盘1-5和上层引线焊盘2-1暴露接触外界；
上层硅片2下表面的凹槽与谐振梁1-1所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极1-3与上层激励电极2-2的位置相对设置；
下层硅片1选用N型(111)硅片；上层硅片2选用N型(100)硅片。
谐振梁1-1沿<211>晶向摆放，并且谐振梁1-1长度大于宽度的1.89倍。
本发明所述的硅微谐振式压力传感器是采用“静电激励/压阻检测”为工作方式。本实施方式在一个芯片上设计出用于压力传导的单晶硅弹性膜片、用于静电激励的平行板电容(上层激励电极2-2和下层激励电极1-3构成平行板电容)、用于信号检测的压敏电阻1-4、用于谐振主体的微型谐振梁等微结构，并且在谐振梁1-1上集成设计出静电激励的一个极板(下层激励电极1-3)和检测压力的压敏电阻1-4。对此微结构进行力学设计，用于静电激励的平行板电容和压敏电阻1-4相关的材料、尺寸、电学和力学特性要求设计。本发明的硅谐振器采用两硅片双层结构。谐振梁是对(111)硅片腐蚀后得到，为单晶硅材料，不存在内应力。
“静电激励/压阻检测”硅微谐振式压力传感器的工作原理是，基于单晶硅材料进行微结构谐振压力传感器设计，压力敏感膜片1-2因外加压力变化而发生应变，并将应力传到谐振梁1-1，处于真空中悬浮状态的谐振梁1-1上的应力发生变化，谐振频率也随之改变，这样通过测量谐振频率反映出压力的变化量。工作状态时，为了使得悬浮状态的谐振梁1-1呈振动状态，悬浮状态的谐振梁1-1和所处真空腔室的一个表面涂覆金属层所成极板作为电容两个电极，可以实现静电激励，谐振梁1-1起振，振动中梁端压敏电阻1-4可以测出由于振动带来应力的阻值变化，阻值变化的频率即是与外加压力相对应的输出量，在一定范围内，谐振梁1-1固有频率的改变与纵向应力以及外加压力三者之间有很好的线性关系。因此，通过检测谐振梁1-1的固有频率，就可达到压力检测的目的。
工作过程是，当待测压力为零，压力敏感膜片1-2上下压力一致时，压力敏感膜片1-2不受力，没有变形，谐振梁1-1受到的纵向应力为零，其固有频率为原始固有频率；当待测压力不为零时，压力敏感膜片1-2上下表面因存在压力差将发生变形，谐振梁1-1也会感受到纵向应力的作用，相应的谐振梁1-1的固有频率将发生变化。
具体实施方式二：下面结合图1至图19说明本实施方式，制作实施方式一所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的方法，该方法包括以下步骤：
步骤一、制作下层硅片，具体过程为：
步骤一一、选用N型(111)硅片作为待处理下层硅片，并对其进行热氧化处理，在待处理下层硅片的上下面表面形成二氧化硅层，获取热氧化下层硅片；
步骤一二、通过光刻腐蚀工艺对二氧化硅图形化，然后在上面制作压敏电阻及其浓硼引线、下层激励电极及其浓硼引线；压敏电阻和下层激励电极并列设置；
步骤一二中在上面制作压敏电阻及其浓硼引线、下层激励电极及其浓硼引线的过程为：
分两次注入硼离子，第一次采用硼离子注入方法制作压敏电阻，第二次采用硼离子注入方法制作下层激励电极及其浓硼引线、压敏电阻的浓硼引线；
两种浓硼引线及下层激励电极的硼离子注入浓度相同，且高于压敏电阻的硼离子注入浓度。
步骤一三、重新在下层硅片的上表面生长一层二氧化硅层；
步骤一四、在压敏电阻和下层激励电极所在区域制作谐振梁，
通过光刻腐蚀工艺对二氧化硅图形化，采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀出谐振梁结构图形，刻蚀的深度为谐振梁的厚度，刻蚀区域间隔的宽度为谐振梁的宽度；在谐振梁两侧对称形成两个深槽，
步骤一五、利用LPCVD沉积氮化硅或二氧化硅作为钝化层对两个深槽的表面和下层硅片的上下表面进行覆盖；LPCVD的中文含义为：低压化学气象沉积；
步骤一六、利用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉深槽底部的钝化层，
步骤一七、利用深反应离子刻蚀工艺继续对深槽底部刻蚀一定深度，此深度是谐振梁的悬空高度；
步骤一八、利用TMAH溶液对下层硅片进行腐蚀，直到谐振梁底部的硅全部被腐掉，释放出谐振梁，两个深槽连通后形成谐振腔；TMAH的中文含义为四甲基氢氧化氨；
步骤一九、去掉下层硅片上表面的钝化层和二氧化硅层，然后，在下层硅片上表面的边缘制作金属膜，对所述金属膜光刻腐蚀后形成下层引线焊盘，用于连接步骤一二中的浓硼引线；
步骤二、制作上层硅片，具体过程为：
步骤二一、采用N型(100)硅片作为待处理上层硅片；
步骤二二、在所述待处理上层硅片的下表面的利用湿法或干法刻蚀出一个浅槽，并在其表面制作上层激励电极及其引线；该浅槽为振动槽；
步骤二三、在所述待处理上层硅片的下表面的边缘利用湿法或干法刻蚀出一个浅槽，并在其表面制作焊盘，用于连接步骤二二中的引线；
步骤二四、在上层硅片的下表面涂覆3～5微米BCB胶，并进行图形化；
步骤三、将步骤一制作的下层硅片和步骤二制作的上层硅片通过BCB胶在真空环境中键合为一个整体，实现真空密封；
下层激励电极1-3与上层激励电极2-2的位置相对设置；
步骤四、利用深反应离子刻蚀工艺，分别对上层硅片和下层硅片进行刻蚀，露出下层引线焊盘和上层引线焊盘，在下层硅片的下表面刻蚀出深槽，位置在谐振腔下方，该深槽与谐振腔之间薄片硅作为压力敏感膜片；完成静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的制作。
本实施方式所述方法采用的是硅微加工技术，在单晶硅晶圆材料上制作出真空密封的腔室、压力敏感膜片1-2、谐振梁1-1、压敏电阻1-4、静电激励电容电极(下层激励电极1-3和上层激励电极2-2)及其浓硼引线、下层引线焊盘等结构。本实施方式工艺可以方便按设计谐振频率要求大幅度调整谐振梁1-1厚度，可以大幅度随设计要求调整谐振梁1-1上下真空腔的高度。
由谐振梁1-1所在的下层硅片1、上层激励电极2-2所在的上层硅片2两部分构成，二者之间通过键合成一个整体，并完成真空密封。其中上电极是N型(100)硅片，它上面布置有供谐振梁1-1向上振动的浅槽、静电激励电容的一个电极(上层激励电极2-2)、电极信号引出布线等；谐振梁1-1所在的下层硅片是N型(111)硅片，它上面制作有压敏电阻1-4、压力弹性膜片1-2、谐振梁1-1、静电激励电容另一个电极(下层激励电极1-3)、引线等；通过真空封装，谐振梁1-1、上层硅片和下层硅片的压力弹性膜片1-2上表面被密封于真空环境下，而压力弹性膜片1-2的下表面则暴露于待测压力中；由于静电激励电容的极板、金属布线分别在两层硅片的接触面上，因此，本实施方式中采用将电极焊盘处贯穿性地刻蚀掉对应的另一硅片上硅层，露出上、下层引线焊盘。
本实施方式给出一个量程为130kPa的谐振式压力传感器的实施例，说明其结构设计和制作方法。
所设计的谐振梁1-1沿<211>方向摆放，谐振梁1-1的厚度为6微米，长和宽分别为600微米和40微米。谐振梁1-1的固有频率为110kHz左右。压力敏感膜片1-2厚100微米，长和宽都为1200微米。上层硅片2的振动槽深度为5微米，长和宽分别为870和710微米。下层硅片1的谐振梁1-1两侧的刻蚀区域长和宽分别为600微米和200微米。当有130kPa的压强作用于传感器时，谐振梁1-1的频率增加约15kHz。
Claims (4)
1.一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器，其特征在于，它包括下层硅片(1)和上层硅片(2)，下层硅片(1)和上层硅片(2)通过BCB胶键合为一个整体；
下层硅片(1)上设置有谐振梁(1-1)、压力敏感膜片(1-2)、下层激励电极(1-3)、压敏电阻(1-4)和下层引线焊盘(1-5)；谐振梁(1-1)的上表面设置有下层激励电极(1-3)和压敏电阻(1-4)，下层激励电极(1-3)和压敏电阻(1-4)的引线均通过下层引线焊盘(1-5)引出；压力敏感膜片(1-2)设置在谐振梁(1-1)所在谐振腔的底部；
上层硅片(2)上设置有上层引线焊盘(2-1)和上层激励电极(2-2)；上层激励电极(2-2)设置在上层硅片(2)下表面的凹槽内；上层激励电极(2-2)的引线通过上层引线焊盘(2-1)引出；
下层引线焊盘(1-5)和上层引线焊盘(2-1)暴露接触外界；
上层硅片(2)下表面的凹槽与谐振梁(1-1)所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极(1-3)与上层激励电极(2-2)的位置相对设置；
下层硅片(1)选用N型(111)硅片；上层硅片(2)选用N型(100)硅片。
2.根据权利要求1所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器，其特征在于，谐振梁(1-1)沿<211>晶向摆放，并且谐振梁(1-1)长度大于宽度的1.89倍。
3.制作权利要求2所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、制作下层硅片，具体过程为：
步骤一一、选用N型(111)硅片作为待处理下层硅片，并对其进行热氧化处理，在待处理下层硅片的上下面表面形成二氧化硅层，获取热氧化下层硅片；
步骤一二、通过光刻腐蚀工艺对二氧化硅图形化，然后在上面制作压敏电阻及其浓硼引线、下层激励电极及其浓硼引线；压敏电阻和下层激励电极并列设置；
步骤一三、重新在下层硅片的上表面生长一层二氧化硅层；
步骤一四、在压敏电阻和下层激励电极所在区域制作谐振梁，
通过光刻腐蚀工艺对二氧化硅图形化，采用深反应离子刻蚀工艺刻蚀出谐振梁结构图形，刻蚀的深度为谐振梁的厚度，刻蚀区域间隔的宽度为谐振梁的宽度；在谐振梁两侧对称形成两个深槽，
步骤一五、利用LPCVD沉积氮化硅或二氧化硅作为钝化层对两个深槽的表面和下层硅片的上下表面进行覆盖；
步骤一六、利用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉深槽底部的钝化层，
步骤一七、利用深反应离子刻蚀工艺继续对深槽底部刻蚀一定深度，此深度是谐振梁的悬空高度；
步骤一八、利用TMAH溶液对下层硅片进行腐蚀，直到谐振梁底部的硅全部被腐掉，释放出谐振梁，两个深槽连通后形成谐振腔；
步骤一九、去掉下层硅片上表面的钝化层和二氧化硅层，然后，在下层硅片上表面的边缘制作金属膜，对所述金属膜光刻腐蚀后形成下层引线焊盘，用于连接步骤一二中的浓硼引线；
步骤二、制作上层硅片，具体过程为：
步骤二一、采用N型(100)硅片作为待处理上层硅片；
步骤二二、在所述待处理上层硅片的下表面的利用湿法或干法刻蚀出一个浅槽，并在其表面制作上层激励电极及其引线；
步骤二三、在所述待处理上层硅片的下表面的边缘利用湿法或干法刻蚀出一个浅槽，并在其表面制作焊盘，用于连接步骤二二中的引线；
步骤二四、在上层硅片的下表面涂覆3～5微米BCB胶，并进行图形化；
步骤三、将步骤一制作的下层硅片和步骤二制作的上层硅片在真空环境下通过BCB胶键合为一个整体，实现真空密封；
下层激励电极(1-3)与上层激励电极(2-2)的位置相对设置；
步骤四、利用深反应离子刻蚀工艺，分别对上层硅片和下层硅片进行刻蚀，露出下层引线焊盘和上层引线焊盘，在下层硅片的下表面刻蚀出深槽，位置在谐振腔下方，该深槽与谐振腔之间薄片硅作为压力敏感膜片；完成静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的制作。
4.根据权利要求3所述一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器的制作方法，其特征在于，步骤一二中在上面制作压敏电阻及其浓硼引线、下层激励电极及其浓硼引线的过程为：
分两次注入硼离子，第一次采用硼离子注入方法制作压敏电阻，第二次采用硼离子注入方法制作下层激励电极及其浓硼引线、压敏电阻的浓硼引线；
两种浓硼引线及下层激励电极的硼离子注入浓度相同，且高于压敏电阻的硼离子注入浓度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310595163.4A CN103557970B (zh) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | 一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310595163.4A CN103557970B (zh) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | 一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103557970A CN103557970A (zh) | 2014-02-05 |
| CN103557970B true CN103557970B (zh) | 2015-05-13 |
Family
ID=50012280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310595163.4A Expired - Fee Related CN103557970B (zh) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | 一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103557970B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106662569B (zh) * | 2014-06-07 | 2020-02-28 | 艾西里昂公司 | 检测体液中的成分的微加工的传感器和方法 |
| TWI583931B (zh) * | 2016-02-02 | 2017-05-21 | Asia Pacific Microsystems Inc | Miniature piezoresistive pressure sensor |
| CN107806947A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-03-16 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 高温压力温度一体复合传感器 |
| CN108507709B (zh) * | 2018-03-14 | 2020-01-03 | 合肥工业大学 | 一种谐振式压力传感器的制备方法 |
| CN108931321B (zh) * | 2018-06-21 | 2020-08-11 | 中国计量大学 | 梁-岛-膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法 |
| CN109883579B (zh) * | 2019-01-23 | 2020-03-31 | 西安交通大学 | 一种双h型受拉梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法 |
| CN115072046A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-09-20 | 深圳市三一联光智能设备股份有限公司 | 筛选设备 |
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| CN101348233A (zh) * | 2008-09-09 | 2009-01-21 | 西安交通大学 | 微结构谐振梁压力传感器 |
| CN101614604A (zh) * | 2009-07-14 | 2009-12-30 | 西北工业大学 | 基于滑膜差动结构的硅谐振式压力传感器及其制作方法 |
| CN102809450A (zh) * | 2012-08-09 | 2012-12-05 | 厦门大学 | 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法 |
| CN102954852A (zh) * | 2011-08-25 | 2013-03-06 | 横河电机株式会社 | 谐振式压力传感器及制造其的方法 |
| CN103115720A (zh) * | 2013-01-16 | 2013-05-22 | 西安交通大学 | 一种硅基单岛结构石英梁谐振式微压力传感器芯片 |
| CN103130179A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 横河电机株式会社 | 制造谐振式传感器的方法 |
-
2013
- 2013-11-22 CN CN201310595163.4A patent/CN103557970B/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN102954852A (zh) * | 2011-08-25 | 2013-03-06 | 横河电机株式会社 | 谐振式压力传感器及制造其的方法 |
| CN103130179A (zh) * | 2011-12-02 | 2013-06-05 | 横河电机株式会社 | 制造谐振式传感器的方法 |
| CN102809450A (zh) * | 2012-08-09 | 2012-12-05 | 厦门大学 | 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103557970A (zh) | 2014-02-05 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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