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CN103531725A - 电激发光组件及其封装方法 - Google Patents

电激发光组件及其封装方法 Download PDF

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CN103531725A
CN103531725A CN201310485027.XA CN201310485027A CN103531725A CN 103531725 A CN103531725 A CN 103531725A CN 201310485027 A CN201310485027 A CN 201310485027A CN 103531725 A CN103531725 A CN 103531725A
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CN
China
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cover plate
drier
spout hole
substrate
packing
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Application number
CN201310485027.XA
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English (en)
Inventor
张斌
刘凤
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EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
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    • HELECTRICITY
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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

本发明提供了电激发光组件及其封装方法,本发明的封装方法包括以下步骤:提供一盖板,盖板上设有若干溢流孔形成一线框形溢流区域,溢流孔均为半透孔且沿盖板的边沿分布;在盖板上涂布透明的干燥剂和填充胶,干燥剂在溢流区域之内,填充胶包围溢流区域;提供一基板,基板上形成至少一电激发光元件;将基板和盖板对位压合,使干燥剂均匀散布于盖板和电激发光元件之间,溢出的干燥剂进入溢流孔中;以及固化基板和盖板之间的填充胶,形成封装结构,本发明能够使封装围堰内的限定区域被干燥剂完全填充,而且干燥剂又不会溢出封装围堰,有助于精确控制干燥剂的成膜厚度,并防止气泡产生。

Description

电激发光组件及其封装方法
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,特别是一种电激发光组件及其封装方法。
背景技术
围堰填充式封装方法是AMOLED(有源矩阵有机发光二极体面板)封装技术中的一种重要发展趋势。由于AMOLED发出的光线要经过封装的液态干燥剂射向外界,从而被人眼感知,所以对封装的液态干燥剂形成的薄膜品质要求极高,该薄膜要膜厚均匀、覆盖完整不留空隙。所以要求选择适合的封装填充方式,即便如此封装的填充量还是难以精确控制,少则无法完全覆盖封装围堰所限定之区域,多则容易溢出封装围堰导致封装不良。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明提供了电激发光组件的封装方法,克服了现有技术的困难,通过在盖板上设置溢流孔并且结合独特的涂布的方式,在基板与盖板压合的同时,将多余的封装干燥剂导入到溢流孔中,防止封装干燥剂溢出封装围堰,本发明能够使封装围堰内的限定区域被干燥剂完全填充,而且干燥剂又不会溢出封装围堰,有助于精确控制封装干燥剂的成膜厚度,并防止气泡产生。
根据本发明的一个方面,提供一种电激发光组件的封装方法,包括以下步骤:
提供一盖板,所述盖板上设有若干溢流孔形成一线框形溢流区域,所述溢流孔均为半透孔且沿所述盖板的边沿分布;
在所述盖板上涂布透明的干燥剂和填充胶,所述干燥剂在所述溢流区域之内,所述填充胶包围所述溢流区域;
提供一基板,所述基板上形成至少一电激发光元件;
将所述基板和盖板对位压合,使所述干燥剂均匀散布于所述盖板和电激发光元件之间,溢出的干燥剂进入溢流孔中;以及
固化所述基板和盖板之间的所述填充胶,形成封装结构。
优选地,对位压合后,所述溢流孔分布在所述电激发光元件的区域之外。
优选地,所述溢流孔与所述电激发光元件之间的距离为1至3mm。
优选地,所述溢流孔的直径为0.5至1mm。
优选地,所述溢流孔的深度小于等于所述盖板厚度的一半。
优选地,所述溢流孔的深度为所述盖板厚度的30%至50%。
优选地,所述盖板上设置若干溢流孔的步骤中,通过氢氟酸蚀刻溢流孔。
优选地,在所述通过氢氟酸蚀刻溢流孔的步骤之后,涂布干燥剂和填充胶的步骤之前,还包括:采用去离子水洗去所述盖板上残留的氢氟酸。
优选地,在所述盖板上涂布干燥剂的步骤中,所述干燥剂的图案为一螺旋线。
优选地,在所述盖板上涂布干燥剂的步骤中,所述干燥剂的图案为一矩形螺旋线。
优选地,在所述盖板上涂布干燥剂的步骤中,所述干燥剂的通过点胶的形式,排列成矩阵图案。
优选地,所述填充胶是紫外线固化胶,通过照射紫外线实现固化,形成封装围堰。
优选地,所述电激发光元件是有机发光二极管器件。
优选地,所述溢流孔的形状可以为圆形、椭圆形、矩形、三角形、菱形、月牙形中的任意一种。
优选地,所述封装胶是围堰封装胶。
优选地,所述干燥剂是封装干燥剂。
根据本发明的另一个方面,还提供一种电激发光组件,包括:
一基板,所述基板上设有电激发光元件;以及
一盖板,所述盖板上设有由若干溢流孔形成的一线框形溢流区域,所述溢流孔均为半透孔且沿所述盖板的边沿分布、并且用于容纳基板和盖板封装过程中溢出的干燥剂,所述盖板上涂布透明的干燥剂和填充胶,其中,所述干燥剂在所述溢流区域之内、并且在基板和盖板封装过程中均匀散布于所述盖板和所述电激发光元件之间,所述填充胶包围所述溢流区域、并且用于固化封装所述基板和所述盖板。
优选地,对位压合后,所述溢流孔分布在所述电激发光元件的外围。
优选地,所述溢流孔与所述电激发光元件之间的距离为1至3mm。
优选地,所述溢流孔的直径为0.5至1mm。
优选地,所述溢流孔的深度小于等于所述盖板厚度的一半。
优选地,所述溢流孔的深度为所述盖板厚度的30%至50%。
优选地,所述电激发光元件是有机发光二极管器件。
优选地,所述溢流孔的形状可以为圆形、椭圆形、矩形、三角形、菱形、月牙形中的任意一种。
优选地,所述封装胶是围堰封装胶。
优选地,所述干燥剂是封装干燥剂。
与现有技术相比,由于使用了以上技术,本发明的电激发光组件的封装方法以及电激发光组件通过在盖板上设置溢流孔并且结合独特的涂布的方式,在基板与盖板压合的同时,将多余的封装干燥剂导入到溢流孔中,防止封装干燥剂溢出封装围堰,本发明能够使封装围堰内的限定区域被干燥剂完全填充,而且干燥剂又不会溢出封装围堰,有助于精确控制封装干燥剂的成膜厚度,并防止气泡产生。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出根据本发明的第一实施例的,本发明的电激发光组件的封装方法的流程图;
图2示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板的剖面图;
图3示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板上涂布围堰填充胶和封装干燥剂后的示意图;
图4示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板上涂布封装干燥剂和围堰填充胶后的剖面图;
图5示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板上涂布围堰填充胶和另一种图案的封装干燥剂后的示意图;
图6示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的基板的俯视图;
图7示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的基板和盖板对位压合的示意图;
图8示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的基板与盖板压合形成电激发光组件的俯视图;
图9示出根据本发明的第二实施例的,本发明中的电激发光组件的剖面图;
图10示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的盖板的俯视图;
图11示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的盖板上涂布围堰填充胶和封装干燥剂后的示意图;
图12示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的盖板上涂布封装干燥剂和围堰填充胶后的剖面图;
图13示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的基板和盖板对位压合的示意图;以及
图14示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的基板与盖板压合形成电激发光组件的剖面图。
附图标记
1     基板
2     显示区域
3     围堰填充胶
4     盖板
5     电激发光元件
6     溢流孔
7     封装干燥剂
具体实施方式
本领域技术人员理解,本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例,在此不予赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容,在此不予赘述。
第一实施例
图1示出根据本发明的第一实施例的,本发明的电激发光组件的封装方法的流程图。如图1所示,本发明的电激发光组件的封装方法,包括以下步骤:
步骤S101:提供一盖板,盖板上设有若干溢流孔形成一线框形溢流区域,溢流孔均为半透孔且沿盖板的边沿分布。
步骤S102:在盖板上涂布透明的封装干燥剂和围堰填充胶,封装干燥剂在溢流区域之内,围堰填充胶包围溢流区域。
步骤S103:提供一基板,基板上形成至少一电激发光元件。
步骤S104:将基板和盖板对位压合,使封装干燥剂均匀散布于盖板和电激发光元件之间,溢出的封装干燥剂进入溢流孔中。以及
步骤S105:固化基板和盖板之间的围堰填充胶,形成封装结构。
在图1的步骤S101,参考附图2。图2示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板的剖面图。如图2所示,盖板4上用光阻保护起来不需要蚀刻的区域,然后通过氢氟酸蚀刻若干溢流孔6。本实施例中,仅在盖板4上蚀刻了4个溢流孔6,4个溢流孔6分别位于矩形的四角位置。
由于溢流孔6的分布、直径、深度等均会影响到盖板4的应力情况。如果溢流孔6的数量太少,或是单个溢流孔6的容积过小时,则起不到足够的溢流效果。但如果盖板4设置了太多溢流孔6或者溢流孔6的间距太近,则盖板4本身容易变形或破裂。本发明中的溢流孔6相互之间间隔一定距离。其中,每个溢流孔6的直径为0.5至1mm,可以防止过大的溢流孔6的直径造成盖板4变形或破裂,同时保证一定的容纳空间。溢流孔6的深度小于等于盖板4厚度的一半,优选的溢流孔6的深度为盖板4厚度的30%至50%。溢流孔的形状可以为圆形、椭圆形、矩形、三角形、菱形、月牙形中的任意一种。
并且,在通过氢氟酸蚀刻溢流孔6的步骤之后,还需要采用去离子水洗去盖板4上残留的氢氟酸,以防止残留的氢氟酸对后续制程步骤的影响。
在图1的步骤S102,参考附图3至5。图3示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板上涂布围堰填充胶和封装干燥剂后的示意图。如图3所示,在盖板上涂布透明的封装干燥剂7和围堰填充胶3,其中,封装干燥剂7在溢流孔6形成的溢流区域之内(图3中,溢流区域为封装干燥剂7和围堰填充胶3之间的框型区域,包含了所有溢流孔6)。围堰填充胶3则包围在溢流孔6形成的溢流区域之外,包围整个溢流区域。其中,封装干燥剂7的图案为一矩形螺旋线。封装干燥剂7的图案的线条宽度一致,且线条之间的间距也相同。封装干燥剂7的涂布图案可以根据工艺要求进行调整。并且,溢流孔6的位置、深度和直径也根据封装干燥剂7的涂布图案来定,优选在封装干燥剂7的涂布图案靠近溢流区域的地方预先设置溢流孔6,也就是说在封装干燥剂7最容易向外漫延的地方预设溢流孔6来有效容纳溢出来的封装干燥剂7。
图4示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板上涂布封装干燥剂和围堰填充胶后的剖面图。如图4所示,盖板4上的溢流孔6分隔了封装干燥剂7和围堰填充胶3。可以预见,在后续制程中,当多余的封装干燥剂7受压向外涌,但基于溢流孔6的存在,部分封装干燥剂7会落入溢流孔6之中,从而大大减小封装干燥剂7溢出围堰填充胶3的可能性,这种方式,大大降低了在制程中,对封装干燥剂7的计量的精度要求,增大了制程工艺对封装干燥剂7用量误差的容忍度,避免了由于封装干燥剂7溢出围堰填充胶3而造成次品的情况,提高了良品率。
图5示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的盖板上涂布围堰填充胶和另一种图案的封装干燥剂后的示意图。如图5所示,在实际制程过程中,封装干燥剂7的涂布图案可以是多样化的,溢流孔6的数量和位置也可根据制程工艺的需求进行调整,例如,将封装干燥剂7在盖板4上通过点胶的形式,密集排列成矩阵图案,4个溢流孔6分别设置在矩阵的四角。封装干燥剂7涂布的越均匀越有利于后续制程,防止溢出,同时溢流孔6也设置在可能溢出的主要方向上,相互配合,进一步防止封装干燥剂7在制程过程中溢出围堰填充胶3。对于封装干燥剂7而言,还可以是网格状图案或是同心的从小到大的圆环或框型等等,不以此为限。
在图1的步骤S103,参考附图6。图6示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的基板的俯视图。如图6所示,在基板1的中央,根据工艺要求,通过现有的常规OLED制程工艺,形成一块有机发光二极管器件5。其中,基板1的形状和尺寸与盖板(附图5中的附图标记4)相匹配,而有机发光二极管器件5则比溢流孔(附图5中的附图标记6)形成的溢流区域更小,即是压合后也不会覆盖到溢流孔。
在图1的步骤S104,参考附图7。图7示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的基板和盖板对位压合的示意图。如图7所示,将基板和盖板准确对位,在对位的过程中,须确保基板1上的有机发光二极管器件5落在盖板4上的溢流孔6形成的溢流区域之内,有机发光二极管器件5不会压到溢流孔6,且盖板4上的围堰填充胶3对准基板1的边沿区域。
在图1的步骤S105,参考附图8。图8示出根据本发明的第一实施例的,本发明中的基板与盖板压合形成电激发光组件的俯视图。如图8所示,对位压合后,基板1与盖板(附图7中的附图标记4)通过围堰填充胶3接合。溢流孔6分布在电激发光元件(附图7中的附图标记5)的区域之外。盖板(附图7中的附图标记4)上的封装干燥剂(附图7中的附图标记7)受到压合力的挤压,向四周漫延,在二者中间形成均匀无间隙的薄膜,稍微多余的流入四周的溢流孔6,并且充满围堰填充胶3以内的空间,不产生任何气泡。本实施例中,采用紫外线固化胶作为围堰填充胶3,通过照射紫外线实现固化,形成封装围堰,但不以此为限,可也以使其他常用围堰填充胶。
压合后,基板1上的电激发光元件(附图7中的附图标记5)形成的显示区域2落在溢流孔6所形成的溢流区域之内,溢流孔6与显示区域2之间的距离为1至3mm,且电激发光元件5被围堰填充胶3密封在基板1和盖板(附图7中的附图标记4)之中,完成整个封装制程。
显而易见,在本实施例的过程中,多余的封装干燥剂7受力扩散后会被导入到溢流孔中,充分防止封装干燥剂溢出封装围堰。本发明能够使封装围堰内的限定区域被干燥剂完全填充,而且干燥剂又不会溢出封装围堰,有助于精确控制封装干燥剂的成膜厚度,并防止气泡产生。
第二实施例
图9示出根据本发明的第二实施例的,本发明中的电激发光组件的剖面图。如图9所示,本发明还提供一种电激发光组件,由上述电激发光组件的封装方法制得,包括盖板4和基板1,基板1上设有电激发光元件5,盖板4上设有若干溢流孔6形成一线框形溢流区域,溢流孔6均为半透孔且沿盖板4的边沿分布,盖板4上涂布透明的封装干燥剂7和围堰填充胶3,封装干燥剂7在溢流区域之内,围堰填充胶3包围溢流区域。基板1与盖板4通过围堰填充胶3固化封装,封装干燥剂7均匀散布于盖板4和电激发光元件5之间,溢出的封装干燥剂7进入溢流孔6中。溢流孔的形状可以为圆形、椭圆形、矩形、三角形、菱形、月牙形中的任意一种。
溢流孔6分布在电激发光元件5的外围。溢流孔6与电激发光元件5之间的距离为1至3mm。其中,溢流孔6的直径为0.5至1mm。溢流孔6的深度小于等于盖板4厚度的一半。溢流孔6的深度为盖板4厚度的30%至50%。本实施例中的电激发光元件5是有机发光二极管器件。本实施例中的围堰填充胶3是紫外线固化胶。
在本实施例的中,电激发光组件中如果使用了过多的封装干燥剂7,那么多余的封装干燥剂7受力扩散后会被导入到溢流孔中,充分防止封装干燥剂溢出封装围堰。本发明能够使封装围堰内的限定区域被干燥剂完全填充,而且干燥剂又不会溢出封装围堰,有助于精确控制封装干燥剂的成膜厚度,并防止气泡产生。
第三实施例
图10示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的盖板的俯视图。如图10所示,提供一盖板,将盖板4上用光阻保护起来不需要蚀刻的区域,然后通过氢氟酸沿一个正方形的边框蚀刻16个溢流孔6。其中,每个溢流孔6的直径为0.8mm,可以防止过大的溢流孔6的直径造成盖板4变形或破裂,同时保证一定的容纳空间。溢流孔的形状可以为圆形、椭圆形、矩形、三角形、菱形、月牙形中的任意一种。溢流孔6的深度为盖板4厚度的40%。采用去离子水洗去盖板4上残留的氢氟酸,以防止残留的氢氟酸对后续制程步骤的影响。
图11示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的盖板上涂布围堰填充胶和封装干燥剂后的示意图。图11所示,在盖板上涂布透明的封装干燥剂7和围堰填充胶3,将封装干燥剂7在盖板4上通过点胶的形式,密集排列成矩阵图案,封装干燥剂7的点胶矩阵均在溢流孔6形成的溢流区域之内。封装干燥剂7的每个点胶的计量一致,且点胶之间的距离也相等。
图12示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的盖板上涂布封装干燥剂和围堰填充胶后的剖面图。如图12所示,围堰填充胶3包围在溢流孔6形成的溢流区域。封装干燥剂7的点胶分布均匀,越有利于后续制程,防止单个方向大量溢出,使得外围的溢流孔6流入的溢流孔6尽可能均匀。
图13示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的基板和盖板对位压合的示意图。如图13所示,将基板和盖板准确对位,在对位的过程中,须确保基板1上的有机发光二极管器件5落在盖板4上的溢流孔6形成的溢流区域之内,有机发光二极管器件5不会压到溢流孔6,且盖板4上的围堰填充胶3对准基板1的边沿区域。
图14示出根据本发明的第三实施例的,本发明中的基板与盖板压合形成电激发光组件的剖面图。如图14所示,对位压合后,基板1与盖板4通过围堰填充胶3接合。溢流孔6分布在电激发光元件5的区域之外。盖板4上的封装干燥剂7受到压合力的挤压,向四周漫延,在二者中间形成均匀无间隙的薄膜,稍微多余的流入四周的溢流孔6,并且充满围堰填充胶3以内的空间,不产生任何气泡。本实施例中,采用紫外线固化胶作为围堰填充胶3,通过照射紫外线实现固化,形成封装围堰。
压合后,基板1上的电激发光元件5落在溢流孔6所形成的溢流区域之内,溢流孔6与电激发光元件5之间的距离为2mm,且电激发光元件5被围堰填充胶3密封在基板1和盖板4之中,完成整个封装制程。
综上可知,本发明的电激发光组件的封装方法以及电激发光组件通过在盖板上设置溢流孔并且结合独特的涂布的方式,在基板与盖板压合的同时,将多余的封装干燥剂导入到溢流孔中,防止封装干燥剂溢出封装围堰。本发明能够使封装围堰内的限定区域被干燥剂完全填充,而且干燥剂又不会溢出封装围堰,有助于精确控制封装干燥剂的成膜厚度,并防止气泡产生。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。

Claims (16)

1.一种电激发光组件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一盖板,所述盖板上设有若干溢流孔形成一线框形溢流区域,所述溢流孔均为半透孔且沿所述盖板的边沿分布;
在所述盖板上涂布透明的干燥剂和填充胶,所述干燥剂在所述溢流区域之内,所述填充胶包围所述溢流区域;
提供一基板,所述基板上形成至少一电激发光元件;
将所述基板和盖板对位压合,使所述干燥剂均匀散布于所述盖板和电激发光元件之间,溢出的干燥剂进入溢流孔中;以及
固化所述基板和盖板之间的所述填充胶,形成封装结构。
2.如权利要求1所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:对位压合后,所述溢流孔分布在所述电激发光元件的区域之外。
3.如权利要求2所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:所述溢流孔与所述电激发光元件之间的距离为1至3mm。
4.如权利要求1、2或3所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:所述溢流孔的直径为0.5至1mm。
5.如权利要求1、2或3所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:所述溢流孔的深度小于等于所述盖板厚度的一半。
6.如权利要求5所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:所述溢流孔的深度为所述盖板厚度的30%至50%。
7.如权利要求1所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:所述盖板上设置若干溢流孔的步骤中,通过氢氟酸蚀刻溢流孔。
8.如权利要求7所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:在所述通过氢氟酸蚀刻溢流孔的步骤之后,涂布干燥剂和填充胶的步骤之前,还包括:采用去离子水洗去所述盖板上残留的氢氟酸。
9.如权利要求1、2或3所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:在所述盖板上涂布干燥剂的步骤中,所述干燥剂的图案为一螺旋线。
10.如权利要求1、2或3所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:在所述盖板上涂布干燥剂的步骤中,所述干燥剂的图案为一矩形螺旋线。
11.如权利要求1所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:在所述盖板上涂布干燥剂的步骤中,所述干燥剂的通过点胶的形式,排列成矩阵图案。
12.如权利要求1所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:所述填充胶是紫外线固化胶,通过照射紫外线实现固化,形成封装围堰。
13.如权利要求1所述的电激发光组件的封装方法,其特征在于:所述电激发光元件是有机发光二极管器件。
14.一种电激发光组件,其特征在于,包括:
一基板,所述基板上设有电激发光元件;以及
一盖板,所述盖板上设有由若干溢流孔形成的一线框形溢流区域,所述溢流孔均为半透孔且沿所述盖板的边沿分布、并且用于容纳基板和盖板封装过程中溢出的干燥剂,所述盖板上涂布透明的干燥剂和填充胶,其中,所述干燥剂在所述溢流区域之内、并且在基板和盖板封装过程中均匀散布于所述盖板和所述电激发光元件之间,所述填充胶包围所述溢流区域、并且用于固化封装所述基板和所述盖板。
15.如权利要求14所述的电激发光组件,其特征在于:对位压合后,所述溢流孔分布在所述电激发光元件的外围。
16.如权利要求14所述的电激发光组件,其特征在于:所述溢流孔的深度小于等于所述盖板厚度的一半。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105990309A (zh) * 2015-03-18 2016-10-05 新世纪光电股份有限公司 封装基板及应用其的封装结构
CN106129089A (zh) * 2016-07-21 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN107176586A (zh) * 2017-07-06 2017-09-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种mems芯片与asic的封装结构及封装方法
CN108630112A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 上海和辉光电有限公司 一种承载框及有机发光二极管显示装置
CN108644743A (zh) * 2018-05-31 2018-10-12 深圳实现创新科技有限公司 一种日光灯电路板封装结构
CN109212898A (zh) * 2018-11-05 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米压印模板及其制作方法
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10396255B2 (en) 2014-06-12 2019-08-27 Genesis Photonics Inc. Light emitting component
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10497681B2 (en) 2015-09-18 2019-12-03 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10854780B2 (en) 2017-11-05 2020-12-01 Genesis Photonics Inc. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
US10910523B2 (en) 2014-05-14 2021-02-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
CN113058825A (zh) * 2021-03-16 2021-07-02 上海闻泰信息技术有限公司 点胶方法、系统及装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002008853A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
CN2535884Y (zh) * 2002-02-01 2003-02-12 铼宝科技股份有限公司 有机电激发光显示器元件的封装装置
CN1485929A (zh) * 2002-09-24 2004-03-31 友达光电股份有限公司 一种有机发光二极管
CN1681360A (zh) * 2004-04-07 2005-10-12 三星Sdi株式会社 平板显示器和制造此显示器的方法
CN1825616A (zh) * 2004-09-29 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置、电子设备及该显示装置的制造方法
US20130048995A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Module, Light-Emitting Device, Method of Manufacturing the Light-Emitting Module, and Method of Manufacturing the Light-Emitting Device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002008853A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
CN2535884Y (zh) * 2002-02-01 2003-02-12 铼宝科技股份有限公司 有机电激发光显示器元件的封装装置
CN1485929A (zh) * 2002-09-24 2004-03-31 友达光电股份有限公司 一种有机发光二极管
CN1681360A (zh) * 2004-04-07 2005-10-12 三星Sdi株式会社 平板显示器和制造此显示器的方法
CN1825616A (zh) * 2004-09-29 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置、电子设备及该显示装置的制造方法
US20130048995A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Module, Light-Emitting Device, Method of Manufacturing the Light-Emitting Module, and Method of Manufacturing the Light-Emitting Device

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10910523B2 (en) 2014-05-14 2021-02-02 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
US10396255B2 (en) 2014-06-12 2019-08-27 Genesis Photonics Inc. Light emitting component
CN105990309A (zh) * 2015-03-18 2016-10-05 新世纪光电股份有限公司 封装基板及应用其的封装结构
CN105990309B (zh) * 2015-03-18 2019-12-10 新世纪光电股份有限公司 封装基板及应用其的封装结构
US10957674B2 (en) 2015-09-18 2021-03-23 Genesis Photonics Inc Manufacturing method
US10497681B2 (en) 2015-09-18 2019-12-03 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device
CN106129089A (zh) * 2016-07-21 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN106129089B (zh) * 2016-07-21 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN108630112A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 上海和辉光电有限公司 一种承载框及有机发光二极管显示装置
CN107176586A (zh) * 2017-07-06 2017-09-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种mems芯片与asic的封装结构及封装方法
US10854780B2 (en) 2017-11-05 2020-12-01 Genesis Photonics Inc. Light emitting apparatus and manufacturing method thereof
US10784423B2 (en) 2017-11-05 2020-09-22 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
CN108644743A (zh) * 2018-05-31 2018-10-12 深圳实现创新科技有限公司 一种日光灯电路板封装结构
CN109212898A (zh) * 2018-11-05 2019-01-15 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米压印模板及其制作方法
CN113058825A (zh) * 2021-03-16 2021-07-02 上海闻泰信息技术有限公司 点胶方法、系统及装置

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