CN103376604A - 像素结构及应用其的液晶显示结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种像素结构及应用其的液晶显示结构。该像素结构包括：一基板、一第一介电层以及一第二介电层。基板上设有一信号线以及一像素电极。第一介电层覆盖于信号线上，第一介电层具有一第一电容值。第二介电层配置于基板上，第二介电层至少覆盖像素电极。第二介电层具有一第二电容值，第二电容值大于第一电容值。
Description
技术领域
本发明是有关于一种液晶显示器，且特别是有关于一种像素结构及应用其的液晶显示结构。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)基于其低电压操作、无辐射、重量轻以及体积小等优点，逐渐取代传统的阴极射线管显示器，而成为近年来显示器的主流。
然而，液晶显示器目前仍存在视角范围狭窄与液晶反应时间过长等问题，因此如何增加其视角范围及缩短反应时间，是目前急需改善的课题之一。现今已有许多广视角液晶显示器方案被提出，其包括有多域垂直配向型(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)液晶显示器、共平面转换(In-Plane Switching，IPS)液晶显示器以及边缘电场转换模式(Fringe FieldSwitching，FFS)液晶显示器等等。一般而言，若液晶反应速度(response speed)不够快，在快速动画时会出现动作跟不上，影像、文字难于辨识的现象，亦即拖影现象。据了解，液晶反应时间超过40ms，就会出现运动图像的迟滞现象。目前液晶显示面板的标准反应时间大部分在25ms左右，因此采用反应时间更短的蓝相液晶为时势所趋。
然而，由于蓝相液晶只能存在于狭窄的温度范围区间，目前已有的解决方案是将具有蓝相的胆固醇液晶添加高分子单体(monomer)，并且于蓝相转换温度下照UV光进行聚合作用，来稳定蓝相晶格结构使其温度范围延长，然而无论有无采用聚合作用来稳定蓝相晶格，一般其光电曲线(V-T curve)皆会有迟滞现象，使得蓝相液晶显示器的重复操作性不佳。
发明内容
本发明是有关于一种像素结构及应用其的液晶显示结构，用以减少迟滞现象及增加重复操作性。
根据本发明的一方面，提出一种像素结构，包括一基板、一第一介电层以及一第二介电层。基板上设有一信号线以及一像素电极。第一介电层覆盖于信号线上，第一介电层具有一第一电容值。第二介电层配置于基板上，第二介电层至少覆盖像素电极。第二介电层具有一第二电容值，第二电容值大于第一电容值。
根据本发明的另一方面，提出一种液晶显示结构，包括一基板、一第一介电层、一第二介电层、一对向基板以及一液晶层。基板上设有一信号线以及一像素电极。第一介电层覆盖于信号线上，第一介电层具有一第一电容值。第二介电层配置于基板上，第二介电层至少覆盖像素电极。第二介电层具有一第二电容值，第二电容值大于第一电容值。对向基板与基板平行相对。液晶层配置于基板与对向基板之间。
本发明提供的像素结构及应用其的液晶显示结构，能够减少迟滞现象及增加重复操作性。
附图说明
图1所示为未形成于介电层上的液晶层的光电曲线与形成于介电层上的液晶层的光电曲线的比较图。
图2A所示为依照本发明一实施例的液晶显示结构的局部示意图。
图2B所示为依照本发明另一实施例的液晶显示结构的局部示意图。
图3所示为图2A的液晶显示结构的等效电容的示意图。
图4A、图4B、图4C至图4D分别所示为介电层的厚度(X)与驱动电压(V_LC)所占的百分比满足关系式(2)的曲线图。
图5A、图5B、图5C至图5D分别所示为各数值(Y＝a、b、c或d)与介电层的介电常数(S)满足关系式(3)的曲线图。
图6所示为以介电层的厚度(X)与介电常数(S)为坐标轴，测量驱动电压(V_LC)所占的百分比的曲线分布图。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E至图7F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法的流程图。
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E至图8F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法的流程图。
图9A、图9B、图9C、图9D、图9E至图9F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法的流程图。
图10A、图10B、图10C、图10D、图10E至图10F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法的流程图。
图11A、图11B、图11C、图11D、图11E至图11F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法的流程图。
图12A、图12B、图12C、图12D、图12E至图12F所示为依照一实施例的像素结构的形成方法的流程图。
附图标号：
100：液晶显示结构
110：基板
111：基板表面
112：第一电极
114：第二电极
115：绝缘层
116：第三电极
117：绝缘层表面
120：介电层
130：对向基板
140：液晶层
E：横向电场
202、302、402：信号线
204、304、404：保护层
206、306、406：第一介电层
208、308、408：像素电极
210、310、410：基板
220、320、420：第二介电层
312、412：第一电极
314、414：第二电极
407a：凸块
407b：透明导电层
P：像素区
具体实施方式
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
本发明的像素结构及液晶显示结构，是在晶格成长的过程中，于基板、像素电极与公共电极上覆盖一层有机物质或无机物质的介电层。液晶层与介电层直接接触，并将具有蓝相的胆固醇液晶及高分子单体混合物加温至蓝相晶格存在的温度区间，等待一段时间让蓝相液晶的晶格稳定成长，再以UV光照射而产生聚合作用，以形成聚合物稳定蓝相(Polymer-stabilized blue phase，PSBP)液晶层。在本发明中，由于液晶层在相同的介质表面(介电层)上成长晶格，故可避免在不同介质表面(基板与电极)上因温度或介面条件不同而无法均匀成长晶格的情形。也由于液晶层具有晶格稳定成长的蓝相液晶，使得液晶层的光电特性获得改善，进而减少迟滞现象及增加重复操作性。也因此，采用反应时间更短的液晶层为时势所趋。此液晶层于不施加电场时显示光学性各向同性，并且于施加电场时呈现光学性各向异性，例如以蓝相液晶为例。
请参照图1，其所示为未形成于介电层上的液晶层的光电曲线与形成于介电层上的液晶层的光电曲线的比较图。经实验证明，形成在介电层上的液晶层的光电曲线，未发生迟滞现象，而未形成于介电层上的液晶层的光电曲线则发生迟滞现象，证明本发明可改善液晶层的光电特性。
以下提出各种实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本发明欲保护的范围。
请参照图2A，其所示为依照本发明一实施例的液晶显示结构的局部示意图。液晶显示结构100包括一基板110、一介电层120、一对向基板130以及一液晶层140。基板110与对向基板130平行相对，例如为平行相对的主动元件阵列基板与彩色滤光基板。主动元件阵列基板可为薄膜晶体管阵列基板(TFT array substrate)或二极管阵列基板。液晶层140配置于基板110与对向基板130之间，例如为聚合物稳定蓝相(PSBP)液晶层。蓝相液晶常见有三种不同相的存在，分别为第一蓝相(BP I)、第二蓝相(BP II)以及第三蓝相(BPIII)，第一蓝相液晶与第二蓝相液晶为双扭转圆柱状结构(double twist cylinder，DTC)，亦即双扭转圆柱管在空间中互相垂直排列。此外，第一蓝相液晶是体心立方结构(body-centered cubic，BCC)，第二蓝相液晶是简单立方结构(simple cubic，SC)，而第三蓝相液晶则是无定型(amorphous)结构。正型蓝相液晶在未加横向电场E的情况下，其理想状态是具有光学等方向性(Isotropic)，且其双折射性(即Δn)为0，不会造成相位延迟，并于Normally Black操作下呈现暗态，无法透光。当外加横向电场E于正型蓝相液晶时，则蓝相液晶具有光学异向性，且产生双折射性(即Δn＞0)，造成相位延迟，并于Normally Black操作下呈现亮态。
请参照图2A，基板110上设有平行排列的一第一电极112与一第二电极114，且第一电极112与第二电极114被施加一电压而产生一横向电场E于第一电极112与第二电极114之间。在本实施例中，第一电极112可为像素电极，其具有高电位，而第二电极114可为公共电极，其具有低电位，以使第一电极112与第二电极114之间因为电位差而形成一横向电场E。横向电场E可为共平面转换(IPS)型横向电场，用以控制液晶层140的双折射性，使得光线可穿透液晶层140而呈现亮态。
此外，介电层120配置于基板110上。介电层120例如是以蒸发、溅射、物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)、原子层沉积法(ALD)或有机金属化学气相沉积法(MOCVD)形成在基板110上的薄膜，其材质可为硅化物(例如SiOx，SiNx等)、氧化物(例如A12O3，TiO2，TaO5，SrTiO3，ZrO2，HfO2，HfSiO4，La2O3，YaO3，a-LaAlO3)等无机物质或高分子聚合物(例如聚酰亚胺树酯，聚酰胺树酯等)。原子层沉积法可精确控制薄膜厚度达原子级(约十分之一奈米，一奈米等于10埃)的尺度。当液晶层140于晶格成长的过程中，由于受到介电层120的阻隔，晶体不会受到介电层120下方的基板110及二电极112、114的影响而有所不同，故可形成晶格稳定成长的液晶层140。
请参照图2B，其所示为依照本发明另一实施例的液晶显示结构101的局部示意图。在本实施例中，基板110上设有一第三电极116，其位于第一电极112与第二电极114下方，并以绝缘层115相隔。第一电极112与第二电极114可为像素电极，其具有低电位，而第三电极116可为公共电极，其具有高电位，以使第三电极116分别与第一电极112及第二电极114之间因为电位差而形成一横向电场E，例如为边缘电场转换(FFS)型横向电场，用以控制液晶层140的双折射性，使得光线可穿透液晶层140而呈现亮态。
通过上述的液晶显示结构100，本实施例提出像素结构。首先，于基板110上形成有平行排列的一第一电极112与一第二电极114。接着，形成一介电层120于基板110上，介电层120覆盖第一电极112、第二电极114以及位于第一电极112与第二电极114之间的基板表面111(或绝缘层表面117)。之后，形成一液晶层140于基板110与一对向基板130之间。接着，可通过加热液晶层140至蓝相晶格存在的温度区间，并等待一段时间让液晶层140的晶格稳定成长，再以紫外光照射而产生聚合作用。
请参照图3，其所示为图2A的液晶显示结构100的等效电容的示意图，其中C_LC为横向电场E通过液晶层140的等效电容，C_PI分别为液晶层140与第一电极112/第二电极114间的等效电容。当施加一电压于a、b两端之间时，横向电场E通过液晶层140所产生的驱动电压以V_LC表示，而施加的电压以Vab表示，驱动电压(V_LC)相对于施加的电压(Vab)的百分比由公式(1)得知：
在上述公式(1)中，等效电容C_LC与C_PI的数值与介电层120的厚度与介电常数(permittivity)有关。因此，以下针对不同介电常数的介电层120，经模拟实验，找出介电层120的厚度与液晶层140的驱动电压之间的最佳化结果。介电层120的介电常数依材料的特性而有所不同，其范围可介于6～60之间，但不以此为限。虽然本实施例中仅列出介电常数为6.4、12.8、16.0、19.2与60等具代表性的数值，但位于6～60之间的任意介电常数均可通过内差法或公式求得近似的结果，在此不再详述。
请参照表一，当介电层的介电常数为6.4时，由介电层的厚度与液晶层的驱动电压(V_LC)之间的模拟结果可知，当介电层的厚度大于3000埃时，液晶层的驱动电压相对于施加的电压所占的百分比将小于60，也就是说，若要维持相同的驱动电压，势必要提高a、b两端间的操作电压。另外，为了减少压降，可通过减少介电层的厚度，使液晶层的驱动电压所占的百分比增加。例如，当厚度小于1000埃时，驱动电压所占的百分比可提高至70以上。
表一
请参照表二，当介电层的介电常数为12.8时，由介电层的厚度与液晶层的驱动电压(V_LC)之间的模拟结果可知，当介电层的厚度小于2000埃时，液晶层的驱动电压所占的百分比亦可提高至70以上(内插法)。相对于表一而言，相同厚度的介电层，介电常数增加将有助于提高驱动电压所占的百分比，以减少压降。
表二
请参照表三，当介电层的介电常数为16时，由介电层的厚度与液晶层的驱动电压(V_LC)之间的模拟结果可知，当介电层的厚度小于2500埃时，液晶层的驱动电压所占的百分比亦可提高至70以上。相对于表一而言，相同厚度的介电层，介电常数增加将有助于提高驱动电压所占的百分比，以减少压降。
表三
请参照表四，当介电层的介电常数为19.2时，由介电层的厚度与液晶层的驱动电压(V_LC)之间的模拟结果可知，当介电层的厚度小于3500埃时，液晶层的驱动电压所占的百分比亦可提高至70以上。相对于表一而言，相同厚度的介电层，介电常数增加将有助于提高驱动电压所占的百分比，以减少压降。
表四
请参照表五，当介电层的介电常数为60时，由介电层的厚度与液晶层的驱动电压(V_LC)之间的模拟结果可知，当介电层的厚度小于3500埃时，液晶层的驱动电压所占的百分比仍可维持在88以上，且于厚度小于500埃时，液晶层的驱动电压所占的百分比可达100。当介电层的厚度增加时，驱动电压所占的百分比将逐渐下降。
表五
请参照图4A、图4B、图4C至图4D，其分别所示为介电层的厚度(X)与驱动电压(V_LC)所占的百分比满足下列关系式(2)的曲线图。
V_LC＝a*Exp(b*X)+c*Exp(d*X) (2)
其中a、b、c、d可经由查表法或以图5A、图5B、图5C至图5D的曲线图得知其数值。请参照表六，其代表性地列出介电常数为6.4、12.8、16.0、19.2时，a、b、c、d所代表的数值。由图4A、图4B、图4C至图4D可知，当介电层的介电常数为定值时，驱动电压所占的百分比随着介电层的厚度增加而下降。
表六
| 介电常数 | a | b | c | d |
| 6.4 | 0.2861 | -0.002489 | 0.7052 | -0.00005106 |
| 12.8 | 0.2412 | -0.001630 | 0.7592 | -0.00004513 |
| 16.0 | 0.23 | -0.000915 | 0.77 | -0.00004157 |
| 19.2 | 0.22 | -0.00085 | 0.78 | -0.000037 |
接着，请参照图5A、图5B、图5C至图5D，其分别所示为各数值(Y＝a、b、c或d)与介电层的介电常数(S)满足下列关系式(3)的曲线图。
Y＝P1*S2+P2*S+P3 (3)
其中P1、P2、P3的数值可经由查表法或将已知的数值(Y)及介电常数(S)带入关系式(3)中回归求解而得知，其结果如表七所示。
表七
| P1 | P2 | P3 | |
| a | 2.683e-04 | -1.198e-02 | 3.516e-01 |
| b | -3.762e-06 | 2.315e-04 | -3.84e-03 |
| c | -3.72e-04 | 1.528e-02 | 6.229e-01 |
| d | 2.89e-08 | 3.534e-07 | -5.449e-05 |
此外，由关系式(2)和(3)可知，驱动电压(V_LC)所占的百分比与介电层的厚度(X)与介电常数(S)有关。请参照图6，其所示为以介电层的厚度(X)与介电常数(S)为坐标轴，测量驱动电压(V_LC)所占的百分比的曲线分布图。在图6的二维坐标中，虚线表示液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比约为70的假想线，而箭头代表驱动电压(V_LC)相对于施加的电压所占的百分比大于70的理想区域。因此，吾人可轻易地找到与使用的介电层相对应的驱动电压落在哪一个区域上，以方便计算驱动电压所占的百分比是否符合需求。
上述的内容是以整面基板形成介电层的情况下做说明，也就是说，介电层除了覆盖位于像素区内的电极之外，亦可能覆盖位于非像素区内的扫描线及数据线。但因介电层的介电常数大，产生的电容值也会变大，容易对扫描线及数据线造成负载过大，因此下列实施例中，是以电容值较小的介电层形成在基板的非像素区中，以减轻扫描线及数据线上的负载，同时，以电容值较大的介电层形成在基板的像素区中，使液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比符合需求，以避免产生压降。
请参照表八及表九，其例举两种介电层的介电常数与厚度的关系。由电容公式可知，电容C＝介电常数＊A/d，其中A为面积，d为厚度。当介电常数较小或厚度(d)较厚时，电容值(C)会变小；反之，当介电常数较大或厚度(d)较薄时，电容值(C)会变大。吾人可根据下列的数值来选择适当的介电层，以使第二介电层的电容值大于第一介电层的电容值，但不限其介电常数的大小及厚度的厚薄。
表八
表九
以下列举数个实施例，以说明本发明的各个步骤。
第一实施例：
请参照图7A、图7B、图7C、图7D、图7E至图7F，其所示为依照一实施例的像素结构的形成方法。首先，基板210上依序形成有一信号线202、一保护层204、一第一介电层206、一像素电极208以及一第二介电层220。信号线202例如为数据线或扫描线，其位于像素电极208的一侧。在图7C中，保护层204覆盖在信号层上。在图7D中，第一介电层206覆盖在信号线202上方的保护层204上。然而，若无保护层204，第一介电层206可直接覆盖在信号线202上。第一介电层206例如为介电常数较小或厚度较厚的介电层，因此通过电容值较小的第一介电层206，可使信号线202上所感受的负载变小。接着，请参照图7E，像素电极208形成在像素区P内。本实施例虽未所示为与像素电极208相对的公共电极，但可推知公共电极形成在对向基板上，以形成一垂直电场。接着，请参照图7F，第二介电层220整面覆盖在像素电极208及第一介电层206上。相对于第一介电层206，第二介电层220例如为介电常数较大或厚度较薄的介电层，以使第二介电层220的电容值大于第一介电层206的电容值。因此，通过电容值较大的第二介电层220可避免液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比下降而产生压降。
第二实施例：
请参照图8A、图8B、图8C、图8D、图8E至图8F，其所示为依照一实施例的像素结构的形成方法。本实施例与第一实施例差异之处在于：第二介电层220通过光罩定义其镀膜位置，使得第二介电层220仅覆盖在像素电极208上，但未覆盖在第一介电层206上。如上述所述的原理，本实施例仍可通过电容值较小的第一介电层206，使信号线202上所感受的负载变小，而通过电容值较大的第二介电层220可避免液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比下降而产生压降第三实施例
请参照图9A、图9B、图9C、图9D、图9E至图9F，其所示为依照一实施例的像素结构的形成方法。本实施例与第一实施例差异之处在于：像素电极308包括平行间隔排列的第一电极312与第二电极314。第一电极312与第二电极314例如均为像素电极，或一个为像素电极，另一个为公共电极。第一电极312与第二电极314之间通过电位差而形成一横向电场，以控制液晶层的。在第9D图中，第一介电层306仅覆盖在信号线302上方的保护层304上，而在第9E图中，第二介电层320整面覆盖第一电极312、第二电极314以及第一介电层306。如上述所述的原理，本实施例仍可通过电容值较小的第一介电层306，使信号线302上所感受的负载变小，而通过电容值较大的第二介电层320可避免液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比下降而产生压降。
第四实施例：
请参照图10A、图10B、图10C、图10D、图10E至图10F，其所示为依照一实施例的像素结构的形成方法。本实施例与第三实施例差异之处在于：第二介电层320通过光罩定义其镀膜位置，使得第二介电层320仅覆盖在第一电极312与第二电极314上，但未覆盖在第一介电层306上。如上述所述的原理，本实施例仍通过电容值较小的第一介电层306，可使信号线302上所感受的负载变小，而通过电容值较大的第二介电层320可避免液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比下降而产生压降。
第五实施例：
请参照图11A、图11B、图11C、图11D、图11E至图11F，其所示为依照一实施例的像素结构的形成方法。首先，基板410上依序形成有一信号线402、一保护层404、一第一介电层406、一像素电极408以及一第二介电层420。本实施例与第三实施例差异之处在于：在图11D中，第一介电层406还包括形成于像素区P的多数个凸块407a，而在图11E中，像素电极408包括形成于各个凸块407a上的一透明导电层407b，以形成间隔排列的第一电极412与第二电极414。第一电极412与第二电极414例如均为像素电极，或一个为像素电极，另一个为公共电极。第一电极412与第二电极414之间通过电压差而形成一横向电场，以控制液晶层的。通过向上突出的凸块407a，第一电极412与第二电极414之间的横向电场可涵盖的范围增加，因此能进一步改善液晶层的双折射性。
在图11D中，第一介电层406仅覆盖在信号线402上方的保护层404上，而在图11F中，第二介电层420整面覆盖第一电极412、第二电极414以及第一介电层406。如上述所述的原理，本实施例仍可通过电容值较小的第一介电层406，使信号线402上所感受的负载变小，而通过电容值较大的第二介电层420可避免液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比下降而产生压降。
第六实施例：
请参照图12A、图12B、图12C、图12D、图12E至图12F，其所示为依照一实施例的像素结构的形成方法。本实施例与第五实施例差异之处在于：第二介电层420通过光罩定义其镀膜位置，使得第二介电层420仅覆盖在第一电极412与第二电极414上，但未覆盖在第一介电层406上。如上述所述的原理，本实施例仍可通过电容值较小的第一介电层406，使信号线402上所感受的负载变小，而通过电容值较大的第二介电层420可避免液晶层的驱动电压(V_LC)所占的百分比下降而产生压降。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当以权利要求所界定范围为准。
Claims (22)
1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：
一基板，所述基板上设有一信号线以及一像素电极；
一第一介电层，覆盖于所述信号线上，所述第一介电层具有一第一电容值；以及
一第二介电层，配置于所述基板上，所述第二介电层至少覆盖所述像素电极，所述第二介电层具有一第二电容值，所述第二电容值大于所述第一电容值。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数介于6到60之间，且其厚度小于3000埃。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二介电层的材质包括硅化物、氧化物或高分子聚合物。
4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于6.4，且其厚度小于1000埃。
5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于12.8，且其厚度小于2000埃。
6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于16，且其厚度小于2500埃。
7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于19.2，且其厚度小于3500埃时。
8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极包括间隔排列的一第一电极与一第二电极，所述第二介电层覆盖所述第一电极、所述第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的基板表面。
9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述第一介电层更包括多个凸块，形成于所述基板上，且所述像素电极更包括形成于各所述凸块上的一透明导电层，以形成所述第一电极与所述第二电极。
10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括一第三电极，配置于所述基板上，且位于所述第一电极与所述第二电极下方。
11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电容值小于0.003，所述第二电容值小于0.01。
12.一种液晶显示结构，其特征在于，所述液晶显示结构包括：
一基板，所述基板上设有一信号线以及一像素电极；
一第一介电层，覆盖于所述信号线上，所述第一介电层具有一第一电容值；
一第二介电层，配置于所述基板上，所述第二介电层至少覆盖所述像素电极，所述第二介电层具有一第二电容值，所述第二电容值大于所述第一电容值；
一对向基板，与所述基板平行相对；以及
一液晶层，配置于所述基板与所述对向基板之间。
13.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数介于6到60之间，且其厚度小于3000埃，当施加一电压于所述像素电极，产生一电场于所述液晶层，其中所述电场通过所述液晶层所产生的驱动电压相对于施加的所述电压的百分比不小于60。
14.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述液晶层于不施加电场时显示光学性各向同性，并且于施加电场时呈现光学性各向异性。
15.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述第二介电层的材质包括硅化物、氧化物或高分子聚合物。
16.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于6.4，且其厚度小于1000埃。
17.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于12.8，且其厚度小于2000埃。
18.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于16，且其厚度小于2500埃。
19.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述第二介电层的介电常数大于19.2，且其厚度小于3500埃时。
20.如权利要求12所述的液晶显示结构，其特征在于，所述像素电极包括间隔排列的一第一电极与一第二电极，所述第二介电层覆盖所述第一电极、所述第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的基板表面。
21.如权利要求20所述的液晶显示结构，其特征在于，所述第一介电层更包括多个凸块，形成于所述基板上，且所述像素电极更包括形成于各所述凸块上的一透明导电层，以形成所述第一电极与所述第二电极。
22.如权利要求20所述的液晶显示结构，其特征在于，所述液晶显示结构更包括一第三电极，配置于所述基板上，且位于所述第一电极与所述第二电极下方。
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