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CN103347331A - 一种驱动芯片保护电路 - Google Patents

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CN103347331A
CN103347331A CN2013102494548A CN201310249454A CN103347331A CN 103347331 A CN103347331 A CN 103347331A CN 2013102494548 A CN2013102494548 A CN 2013102494548A CN 201310249454 A CN201310249454 A CN 201310249454A CN 103347331 A CN103347331 A CN 103347331A
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CN
China
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diode
tube
effect transistor
stabilovolt
voltage
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Pending
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CN2013102494548A
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English (en)
Inventor
刘祖社
李建军
邱纯勇
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WEIFANG KINGLAND POWER TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
WEIFANG KINGLAND POWER TECHNOLOGY Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本发明涉及一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地，二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU，二极管D1的负极经稳压管ZD1接地；二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地，当场效应管Q1击穿损坏时，场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU加到稳压管ZD2的阴极，使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU迅速熔断，使高压不至于加到驱动芯片U1的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏。

Description

一种驱动芯片保护电路
技术领域
本发明涉及一种电源电路，具体地说,涉及一种适用于LED照明灯电源的驱动芯片保护电路,属于电子技术领域。
背景技术
目前，如图1所示，传统LED照明灯电源的驱动电路包括驱动芯片U1、场效应管Q1及开关变压器T，驱动芯片U1的7脚，即驱动输出端经反接的二极管D1接场效应管Q1的栅极，场效应管Q1的源极经电阻R2接地，二极管D1并联有电阻R1，场效应管Q1的栅极经电阻R4接地，场效应管Q1的漏极接二极管D2的正极、开关变压器T初级线圈的一端，二极管D2的负极经并联的电阻R3、电容C1接开关变压器T初级线圈的另一端和电源。
在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在以下问题：由于场效应管Q1为易损件，容易发生击穿损坏，在场效应管Q1击穿的同时，场效应管Q1漏极的高压直接加到栅极，并经电阻R1、二极管D1加到驱动芯片U1 的驱动输出端，使驱动芯片U1损坏，安全性差，提高了使用成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对以上不足，提供一种安全性高、使用成本低的驱动芯片保护电路。
为解决以上技术问题，本发明采用以下技术方案：一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，其特征在于：所述二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；
所述二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地。
一种优化方案，所述二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU。
另一种优化方案，所述二极管D1的负极经稳压管ZD1接地；
所述二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地。 
本发明采用以上技术方案后，与现有技术相比，具有以下优点：当场效应管Q1击穿损坏时，场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU 加到稳压管ZD2的阴极，使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU 迅速熔断，使高压不至于加到驱动芯片U1 的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏，为保险起见，在驱动芯片U1的驱动输出端再接一稳压管ZD1，使保护作用更加可靠。
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。
附图说明
附图1是现有技术中驱动电路的电路图；
附图2是本发明实施例中驱动芯片保护电路的电路原理图。
具体实施方式
实施例，如图2所示，一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、场效应管Q1及开关变压器T，驱动芯片U1的7脚，即驱动芯片U1的驱动输出端经反接的二极管D1接场效应管Q1的栅极，二极管D1的正极接场效应管Q1的栅极，二极管D1的负极接驱动芯片U1的驱动输出端，场效应管Q1的源极经电阻R2接地，二极管D1并联有电阻R1，场效应管Q1的栅极经电阻R4接地，场效应管Q1的漏极接二极管D2的正极、开关变压器T初级线圈的一端，二极管D2的负极经并联的电阻R3、电容C1接开关变压器T初级线圈的另一端和电源，二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地，二极管D2的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地，二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU，驱动芯片U1的型号为SA7527 。
当场效应管Q1击穿损坏时，场效应管Q1栅极的高压首先经快断保险管FU 加到稳压管ZD2的阴极，使稳压管ZD2击穿。同时产生的大电流使快断保险管FU 迅速熔断，使高压不至于加到驱动芯片U1 的驱动输出端。有效地保护驱动芯片U1不致损坏，为保险起见，在驱动芯片U1的驱动输出端再接一稳压管ZD1，使保护作用更加可靠。
本领域技术人员应该认识到，上述的具体实施方式只是示例性的，是为了使本领域技术人员能够更好的理解本发明内容，不应理解为是对本发明保护范围的限制，只要是根据本发明技术方案所作的改进，均落入本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种驱动芯片保护电路，包括驱动芯片U1、二极管D1和场效应管Q1，驱动芯片U1的驱动输出端接二极管D1的负极，场效应管Q1的栅极接二极管D1的正极，其特征在于：所述二极管D1的正极经稳压管ZD2接地；
所述二极管D1的正极接稳压管ZD2的阴极，稳压管ZD2的阳极接地。
2.如权利要求1所述的一种驱动芯片保护电路，其特征在于：所述二极管D1的正极与场效应管Q1的栅极之间连接有快断保险管FU。
3.如权利要求1或2所述的一种驱动芯片保护电路，其特征在于：所述二极管D1的负极经稳压管ZD1接地；
所述二极管D1的负极接稳压管ZD1的阴极，稳压管ZD1的阳极接地。
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C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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