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CN103323981A - 一种显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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CN103323981A
CN103323981A CN2013101964264A CN201310196426A CN103323981A CN 103323981 A CN103323981 A CN 103323981A CN 2013101964264 A CN2013101964264 A CN 2013101964264A CN 201310196426 A CN201310196426 A CN 201310196426A CN 103323981 A CN103323981 A CN 103323981A
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base palte
display panel
chock insulator
insulator matter
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张莹
李京鹏
李鑫
唐磊
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以避免显示面板受到挤压、冲击时出现的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。包括：阵列基板和彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的隔垫物；所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT，所述隔垫物与所述阵列基板的接触面位于所述TFT区域之外的所述栅线区域和/或所述数据线区域。

Description

一种显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，TFT-LCD(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
现有技术中的TFT-LCD显示面板通常是由阵列基板和彩膜基板进行对盒并在其中注入液晶而形成的。阵列基板的结构如图1所示，包括由横纵交叉的栅线11以及数据线12划定的矩阵形式排列的像素单元，在每个像素单元中栅线11与数据线12的交叉位置处设置有薄膜晶体管TFT13，该TFT13的栅极131制作在栅线11上，源极132与数据线12相连接，漏极133连接第一透明电极14。如图2所示，为显示面板沿图1中A’-A向剖视图每个像素单元还包括第二透明电极15以及位于TFT13的源漏极金属层与栅极金属层之间的栅极绝缘层16和有源层17。第一透明电极14与第二透明电极15之间具有钝化层18。阵列基板的上方具有彩膜基板，如图2所示，该彩膜基板上形成有黑矩阵21以及彩色滤光结构22，两个或多个彩色滤光结构22的间隔处均匀设置有柱状隔垫物20，该柱状隔垫物20用于保持对盒后阵列基板和彩膜基板之间的距离。图2中，柱状隔垫物20的顶端与TFT13相接触，这样一来，由于柱状隔垫物20与阵列基板的接触位置处于TFT13的上方，属于阵列基板中最高的位置，当面板受到挤压或冲击时，柱状隔垫物20会自动向较低位置移动，并且很难回复到原有位置，从而会导致漏光，这种漏光现象严重制约了液晶面板的质量，并降低液晶显示器件的显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制造方法、显示装置，用以避免显示面板受到挤压、冲击时出现的漏光现象，从而提高显示面板的质量，提升显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的隔垫物；所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT。
所述隔垫物与所述阵列基板的接触面位于所述TFT区域之外的所述栅线区域和/或所述数据线区域。
本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
本发明实施例的又一方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：
制作阵列基板，所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT；
将彩膜基板与所述阵列基板对盒成型，所述阵列基板和所述彩膜基板之间具有隔垫物；
所述隔垫物与所述阵列基板的接触面位于所述TFT区域之外的所述栅线区域和/或所述数据线区域。
本发明实施例提供的一种显示面板及其制造方法、显示装置，该显示面板包括阵列基板和彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物，该阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，该栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT。其中，隔垫物与阵列基板的接触面位于该TFT区域之外的栅线区域和/或数据线区域。这样一来，与现有技术相比，由于隔垫物与阵列基板的接触位置位于厚度平齐的栅线区域和/或数据线区域，当显示面板受到挤压或冲击时，隔垫物不会因为阵列基板上存在的段差而发生位置移动，有效避免了显示面板由于隔垫物的位置移动而引起的漏光现象，从而提高了显示面板的质量，显著提升了显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的像素单元结构示意图；
图2为沿图1中A’-A向剖视图；
图3为本发明实施例提供的显示面板垂直截面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图；
图5为本发明实施例提供的凹形结构的一种剖视图；
图6为本发明实施例提供的凹形结构的另一种剖视图；
图7为本发明实施例提供的彩膜基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板，如图3所示，可以包括阵列基板30和彩膜基板31以及位于阵列基板30和彩膜基板31之间的隔垫物20。其中，如图4所示，阵列基板30可以包括横纵交叉的栅线11和数据线12，栅线11和数据线12的交叉区域40可以包括薄膜晶体管TFT13。
其中，隔垫物20与阵列基板30的接触面50可以位于TFT13区域之外的栅线11区域和/或数据线12区域。
需要说明的是，对于显示面板而言，隔垫物50可以分别形成于彩膜基板31或阵列基板30的表面。在本发明实施例中，均是以隔垫物20形成于彩膜基板31的表面为例进行的说明，其中，隔垫物20可以形成于彩膜基板31对应阵列基板30上TFT13区域之外的栅线11区域和/或数据线12区域的黑矩阵21的表面，由于彩膜基板31相对阵列基板30结构简单，这样一种隔垫物20设计可以有效避免隔垫物20的制作对阵列基板30上像素结构造成的影响。当然，隔垫物20同样可以选择制作在阵列基板30的表面，本发明实施例对此并不做限定。当然，所述隔垫物可以是与彩膜基板的黑矩阵一体成型的结构，在此不做限定。
本发明实施例提供的一种显示面板，该显示面板包括阵列基板和彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物，该阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，该栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT。其中，隔垫物与阵列基板的接触面位于该TFT区域之外的栅线区域和/或数据线区域。这样一来，与现有技术相比，由于隔垫物与阵列基板的接触位置位于厚度平齐的栅线区域和/或数据线区域，当显示面板受到挤压或冲击时，隔垫物不会因为阵列基板上存在的段差而发生位置移动，有效避免了显示面板受到挤压、冲击时由于隔垫物的位置移动而引起的漏光现象，从而提高了显示面板的质量，显著提升了显示效果。
在本发明实施例中，隔垫物20与阵列基板30的接触面50位于TFT13区域之外的栅线11区域和/或数据线12区域，具体可以包括隔垫物20与阵列基板30的接触面50仅位于栅线11所在区域，或接触面50仅位于数据线12所在区域，或者接触面50还可以位于栅线11和数据线12的交叉区域。
例如，隔垫物20与阵列基板30的接触面50可以位于栅线11和数据线12的交叉区域。在如图4所示的阵列基板30中，由于栅线11和数据线12的交叉区域40包括薄膜晶体管TFT13，隔垫物20与阵列基板30的接触面位于栅线11和数据线12的交叉区域是指隔垫物20与阵列基板30的接触面50位于栅线11和数据线12的交叉区域中的非TFT区域。由于当接触面50单独位于栅线11区域或数据线12区域时，该接触面50的面积会受到栅线11和数据线12的线宽尺寸的限制，所以当接触面50位于栅线11和数据线12的交叉区域时，该接触面50的面积会相对增大，这样一来，在不影响显示面板开口率的同时可以使得隔垫物的支撑面积变大，从而能够更好地起到支撑的作用。
进一步地，如图5及图6所示，阵列基板30还可以包括凹型结构60，凹型结构60位于栅线11区域和/或数据线12区域；隔垫物20位于凹型结构60内。采用这样一种凹型结构60时，当显示面板受到挤压时，可以进一步限制隔垫物的移动，从而避免显示面板的漏光的现象。
具体的，在如图4所示的阵列基板中，隔垫物20与阵列基板30的接触面50位于栅线11和数据线12交叉位置处，该凹型结构60沿图4中C-C’方向的剖视图可以如图5所示，其中，通过掩膜、刻蚀工艺形成的凹型结构60的一侧分别包括第二透明电极15、钝化层18、栅极绝缘层16、数据线12；另一侧分别包括第二透明电极15、钝化层18、栅极绝缘层16、栅线11；该凹型结构60沿图4中D-D’方向的剖视图可以如图6所示，其中，通过掩膜、刻蚀工艺形成的凹型结构60的一侧分别包括第二透明电极15、钝化层18、栅极绝缘层16、数据线12；另一侧分别包括第二透明电极15、钝化层18、栅极绝缘层16；可以看到，在栅线11和数据线12交叉位置处可以分别刻蚀掉该交叉位置的一小部分以形成凹型结构60，从而在不影响信号线电连接以及像素开口率的基础上形成具有一定深度的凹型结构60。
进一步地，如图5所示，凹型结构60的底部可以为透明基板10。
需要说明的是，凹型结构60是通过在隔垫物20与阵列基板30的接触面50所在的位置采用刻蚀工艺形成的，因此由于刻蚀深度的不同，凹型结构60的底部所处的层级位置也相应不同。例如在进行刻蚀工艺时可以将栅极绝缘层16和钝化层18不去除或者部分去除。这样一来，本领域技术人员在实施加工的过程中可以根据实际情况制作符合具体深度需求的凹型结构60。当将接触面50所在位置处的层级结构完全刻蚀掉时，凹型结构60的底部即为透明基板10，这样一来，可以最大限度的减少凹型结构60与周边结构的段差，有效限制位于凹型结构60中隔垫物20的移动。
进一步地，如图4所示，凹型结构(图中未示出)开口形状可以为菱形。这样一来可以更充分的利用栅线11和数据线12交叉区域，当隔垫物20的上、下底面采用与凹型结构的开口形状相同，且开口尺寸略小的菱形时，可以使得隔垫物20与阵列基板30的接触面50的面积最大化。这样一来，在有效限制隔垫物20移动的同时增大隔垫物20的支撑面积。从而保证像素开口率的同时进一步限制隔垫物的移动，并提升隔垫物20的支撑效果。
进一步地，菱形的边长可以为5-8μm，这样一来，当菱形的四个夹角为90度时，即凹型结构60的开口形状为正方形时，该正方形的对角线长度可以为7-10μm，从而使得隔垫物20与阵列基板30的接触面50的面积最大化，更有效的提升隔垫物20的支撑效果。应当理解，以上叙述也仅是对凹型结构60所在位置及形状的举例说明，凹型结构60可以根据基板的实际结构相应地进行调整，本发明实施例对此并不作限制。
进一步地，如图5所示，隔垫物20的垂直截面为等腰梯形结构。
等腰梯形的长边可以与彩膜基板31相接触，该等腰梯形的短边可以与阵列基板30相接触；或，等腰梯形的长边可以与阵列基板30相接触，等腰梯形的短边可以与彩膜基板31相接触；
其中，所述等腰梯形的长边与短边平行，且长边的长度大于等于短边的长度。这样一来，隔垫物20可以制作在彩膜基板31上，也可以制作在阵列基板30上。从而使得制作工艺更加的灵活。相比较而言，如图5所示，由于彩膜基板31的层级结构相对简单，所以优选将隔垫物20制作在彩膜基板31上。这样一来，可以有效避免隔垫物20的制作对阵列基板30上的像素结构造成的影响，同时还可以简化工艺，提高生产效率。
需要说明的是，隔垫物20的垂直截面为等腰梯形，采用这样一种等腰梯形结构，会将隔垫物20受到的作用力均匀的分散到梯形的两侧，从而能够提升隔垫物20的支撑效果。进一步地，隔垫物20的上、下两个面可以采用任意图形，例如圆形、四边形或其它多边形等。具体的，当凹型结构60的开口形状为菱形时，隔垫物20可以采用与凹型结构60的开口形状相同，开口尺寸略小的菱形，这样一来，可以更好地限制隔垫物20的移动。
进一步地，例如，等腰梯形的长边可以为1-20μm，等腰梯形的短边可以为1-10μm。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板可以适用于TN(Twisted Nematic，扭曲向列)、IPS(In-Plane Switching，平面转换)、FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)以及ADS(ADvanced SuperDimension Switch，高级超维场转换)等多种模式的液晶显示产品中，本发明对此并不做限定。其中，ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
在如图3所示的显示面板中，是以ADS模式的液晶显示面板结构为例进行的说明，其中，阵列基板30包括异层设置的面状的第一透明电极14和条状的第二透明电极15，与TN型的液晶显示装置相比，ADS模式的液晶显示装置具有更大的视角以及更高的对比度。
在本发明实施例中，隔垫物20可以形成于彩膜基板31的表面，隔垫物20可以形成于彩膜基板31对应阵列基板30上TFT13区域之外的栅线11区域和/或数据线12区域的黑矩阵21的表面，例如，当阵列基板30上的凹型结构为位于栅线11和数据线12交叉位置处的菱形结构时，隔垫物20可以与阵列基板30上的凹型结构相对应，如图7所示，隔垫物20同样可以采用设置于位于栅线11和数据线12交叉位置处的菱形结构。由于彩膜基板31相对阵列基板30结构简单，这样一种隔垫物20设计可以有效避免隔垫物的制作对阵列基板上像素结构造成的影响。
需要说明的是，如图7所示，隔垫物20的上、下底面的形状会使得彩膜基板31中的像素开口区70的形状发生相应的变化，当隔垫物20的上、下底面的形状为菱形时，隔垫物20对应位置的像素开口区70的左上角被该菱形的一部分所遮挡。
在这样一种结构的显示面板中，由于隔垫物20与阵列基板30的接触位置位于厚度平齐的栅线11区域和/或数据线12区域，当显示面板受到挤压或冲击时，隔垫物20不会因为阵列基板30上存在的段差而发生位置移动，有效避免了显示面板受到挤压、冲击时由于隔垫物的位置移动而引起的漏光现象，从而提高了显示面板的质量，显著提升了显示效果。
本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示面板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。具有与本发明前述实施例提供的显示面板相同的有益效果，由于显示面板在前述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述。
本发明实施例提供的一种显示装置，该显示装置包括显示面板。该显示面板包括阵列基板和彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物，该阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，该栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT。其中，隔垫物与阵列基板的接触面位于该TFT区域之外的栅线区域和/或数据线区域。这样一来，与现有技术相比，由于隔垫物与阵列基板的接触位置位于厚度平齐的栅线区域和/或数据线区域，当显示面板受到挤压或冲击时，隔垫物不会因为阵列基板上存在的段差而发生位置移动，有效避免了显示面板受到挤压、冲击时由于隔垫物的位置移动而引起的漏光现象，从而提高了显示面板的质量，显著提升了显示效果。
本发明实施例提供一种显示面板的制造方法，包括：
S101、制作阵列基板30，该阵列基板30可以包括横纵交叉的栅线11和数据线12，栅线11和数据线12的交叉区域40可以包括薄膜晶体管TFT13。
S102、将彩膜基板31与阵列基板30对盒成型，该阵列基板30和彩膜基板31之间可以具有隔垫物20；
其中，如图4所示，隔垫物20与阵列基板30的接触面50可以位于TFT13区域之外的栅线11区域和/或数据线12区域。
本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法。该显示面板包括阵列基板和彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的隔垫物，该阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，该栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT。其中，隔垫物与阵列基板的接触面位于该TFT区域之外的栅线区域和/或数据线区域。这样一来，与现有技术相比，由于隔垫物与阵列基板的接触位置位于厚度平齐的栅线区域和/或数据线区域，当显示面板受到挤压或冲击时，隔垫物不会因为阵列基板上存在的段差而发生位置移动，有效避免了显示面板由于隔垫物的位置移动而引起的漏光现象，从而提高了显示面板的质量，显著提升了显示效果。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板可以适用于TN、IPS、FFS以及ADS等多种模式的液晶显示产品中，本发明对此并不做限定。
进一步地，如图3所示，以ADS模式的液晶显示装置为例，制作阵列基板30包括：
S201、在透明基板10的表面通过一次构图工艺形成包括所述栅线11以及所述TFT的栅极131的图案；
S202、在TFT的栅极131的表面通过一次构图工艺形成包括栅极绝缘层16的图案；
S203、栅极绝缘层16的表面通过一次构图工艺形成包括有源层17的图案；
S204、形成有上述结构的基板上通过一次构图工艺形成包括透明电极的图案。
S205、在形成有上述结构的基板上通过一次构图工艺形成包括TFT的源极132、TFT的漏极133以及数据线的图案。
S206、栅线11和数据线12的交叉区域40刻蚀形成凹型结构。
需要说明的是，图3是以ADS产品的结构图为例进行的说明，所以阵列基板30中由两层透明电极，包括：第一透明电极14和第二透明电极15。
需要说明的是，在制作阵列基板30的步骤中，制作凹型结构的方法有很多种，例如上述步骤S205，还可以采用事先设计好的掩膜板制成如图4所示的具有弯折部分的栅线11和数据线12，这样一来，栅线11和数据线12的交叉区域就形成了凹型结构、当然形成凹型结构的方法有很多种，这里不再一一举例，但是在栅线11或数据线12的区域内具有凹型结构的显示面板都应当在本发明的保护范围之内。
这样一来，就可以完成具有凹型结构的阵列基板30，使得隔垫物20能够放置在凹型结构中，从而限制隔垫物20的移动避免显示面板的漏光的现象。
进一步地，如图5所示，凹型结构60的底部可以为透明基板10。
需要说明的是，凹型结构60是通过在隔垫物20与阵列基板30的接触面50所在的位置采用刻蚀工艺形成的，因此由于刻蚀深度的不同，凹型结构60的底部所处的层级位置也相应不同。例如在进行刻蚀工艺时可以将栅极绝缘层16和钝化层18不去除或者部分去除。这样一来，本领域技术人员在实施加工的过程中可以根据实际情况制作符合具体深度需求的凹型结构60。当将接触面50所在位置处的层级结构完全刻蚀掉时，凹型结构60的底部即为透明基板10，这样一来，可以最大限度的减少凹型结构60与周边结构的段差，有效限制位于凹型结构60中隔垫物20的移动。
进一步地，如图4所示，凹型结构(图中未示出)的开口形状可以为菱形。这样一来可以更充分的利用栅线11和数据线12交叉区域，当隔垫物20的上、下底面采用与凹型结构的开口形状相同，且开口尺寸略小的菱形时，可以使得隔垫物20与阵列基板30的接触面50的面积最大化。这样一来，在有效限制隔垫物20移动的同时增大隔垫物20的支撑面积。从而保证像素开口率的同时进一步限制隔垫物的移动，并提升隔垫物20的支撑效果。
进一步地，菱形的边长可以为5-8μm，这样一来，当菱形的四个夹角为90度时，即凹型结构的开口形状为正方形时，该正方形的对角线长度可以为7-10μm，从而使得隔垫物20与阵列基板30的接触面50的面积最大化，更有效的提升隔垫物20的支撑效果。应当理解，以上叙述也仅是对凹型结构所在位置及形状的举例说明，凹型结构可以根据基板的实际结构相应地进行调整，本发明实施例对此并不作限制。
进一步地，如图5所示，隔垫物20的垂直截面为等腰梯形结构。
等腰梯形的长边可以与彩膜基板31相接触，该等腰梯形的短边可以与阵列基板30相接触；或，等腰梯形的长边可以与阵列基板30相接触，等腰梯形的短边可以与彩膜基板31相接触；
其中，所述等腰梯形的长边与短边平行，且长边的长度大于等于短边的长度。这样一来，隔垫物20可以制作在彩膜基板31上，也可以制作在阵列基板30上。从而使得制作工艺更加的灵活。相比较而言，如图5所示，由于彩膜基板31的层级结构相对简单，所以建议将隔垫物20制作在彩膜基板31上。这样一来，可以有效避免隔垫物20的制作对阵列基板30上的像素结构造成的影响，同时还可以简化工艺，提高生产效率。
需要说明的是，隔垫物20的垂直截面为等腰梯形，采用这样一种等腰梯形结构，会将隔垫物20受到的作用力均匀的分散到梯形的两侧，从而能够提升隔垫物20的支撑效果。进一步地，而隔垫物的20的上下两个面可以采用任意图形，例如圆形、四边形或其它多边形。具体的，当凹型结构60的开口形状为菱形时，隔垫物20可以采用与凹型结构60的开口形状相同，开口尺寸略小的菱形，这样一来，可以更好地限制隔垫物20的移动。
进一步地，例如，等腰梯形的长边可以为1-20μm，等腰梯形的短边可以为1-10μm。
具体的，结合图3、图4和图5，以ADS显示面板为例对阵列基板30的制造方法进行详细的描述。
S301、在透明基板10上形成(例如可以使用磁控溅射方法)一层厚度可以为
Figure BDA00003241054400111
的金属薄膜。通过第一次掩膜、刻蚀工艺，形成包括栅线11及栅极131的图案。
S302、在上述结构的基板上形成(例如可以采用化学气相沉积的方法)厚度为
Figure BDA00003241054400112
的栅极绝缘层16，并形成包括栅极绝缘层16的图案。
S303、在形成有上述结构的基板上，形成(例如采用沉积的方法)有源层材料，通过第二次掩膜、刻蚀工艺形成包括有源层17的图案。
S304、在形成有上述结构的基板上，形成(例如采用沉积的方法)透明导电电极材料，通过第三次掩模、刻蚀工艺形成第一透明电极14，制作为第一透明电极14的材料可以为ITO，第一透明电极14的厚度可以为
Figure BDA00003241054400121
S305、在形成有上述结构的基板上，形成(例如采用沉积的方法)源漏极材料，利用源漏极的掩模版通过第四次掩模、刻蚀工艺，形成数据线12和TFT的漏极132、漏极133。S306、在形成有上述结构的基板上，形成(例如采用沉积的方法)钝化层材料，形成包括钝化层18的图案。
S307、在形成有上述结构的基板上，形成(例如采用沉积的方法)透明导电电极材料，通过第五次掩模、刻蚀工艺形成第二透明电极15，如图3所示。
S308、在形成的数据线12的图案，与栅线11交叉区域采用凹型结构掩膜板，通过第五次掩膜、刻蚀工艺将栅极绝缘层16和钝化层18完全去除，形成所述凹型结构60。该凹型结构60的开口如图4所示为菱形。
在这样一种结构的显示面板中，由于隔垫物20与阵列基板30的接触位置位于厚度平齐的栅线11区域或数据线12区域，当显示面板受到挤压或冲击时，隔垫物20不会因为阵列基板30上存在的段差而发生位置移动，有效避免了显示面板受到挤压、冲击时由于隔垫物20的位置移动而引起的漏光现象，从而提高了显示面板的质量，显著提升了显示效果。
在本发明中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示面板，包括阵列基板和彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的隔垫物；所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT，其特征在于，
所述隔垫物与所述阵列基板的接触面位于所述TFT区域之外的所述栅线区域和/或所述数据线区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔垫物与所述阵列基板的接触面位于所述栅线和所述数据线的交叉区域。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括凹型结构，所述凹型结构位于所述栅线区域和/或所述数据线区域；所述隔垫物位于所述凹型结构内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述凹型结构的底部为透明基板。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述凹型结构的开口形状为菱形。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述菱形的边长为5-8μm。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔垫物的垂直截面为等腰梯形结构；
所述等腰梯形的长边与所述彩膜基板相接触，所述等腰梯形的短边与所述阵列基板相接触；或，所述等腰梯形的长边与所述阵列基板相接触，所述等腰梯形的短边与所述彩膜基板相接触；
其中，所述等腰梯形的长边与短边平行，且所述长边的长度大于等于所述短边的长度。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述等腰梯形的长边为1-20μm，所述等腰梯形的短边为1-10μm。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一所述的显示面板。
10.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
制作阵列基板，所述阵列基板包括横纵交叉的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线的交叉区域包括薄膜晶体管TFT；
将彩膜基板与所述阵列基板对盒成型，所述阵列基板和所述彩膜基板之间具有隔垫物；
所述隔垫物与所述阵列基板的接触面位于所述TFT区域之外的所述栅线区域和/或所述数据线区域。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述制作阵列基板包括：
在透明基板的表面通过一次构图工艺形成包括所述栅线以及所述TFT的栅极的图案；
在所述TFT的栅极的表面通过一次构图工艺形成包括栅极绝缘层的图案；
在所述栅极绝缘层的表面通过一次构图工艺形成包括有源层的图案；
在形成有上述结构的基板上通过一次构图工艺形成包括透明电极的图案；
在形成有上述结构的基板上通过一次构图工艺形成包括所述TFT的源漏极以及所述数据线的图案；
在所述栅线和所述数据线的交叉区域刻蚀形成凹型结构。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述凹型结构的底部为所述透明基板。
13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述凹型结构的开口形状为菱形。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述菱形的边长为5-8μm。
15.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述隔垫物的垂直截面为等腰梯形结构；
所述等腰梯形的长边与所述彩膜基板相接触，所述等腰梯形的短边与所述阵列基板相接触；或，所述等腰梯形的长边与所述阵列基板相接触，所述等腰梯形的短边与所述彩膜基板相接触；
其中，所述等腰梯形的长边与短边平行，且所述长边的长度大于等于所述短边的长度。
16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述等腰梯形的长边为1-20μm，所述等腰梯形的短边为1-10μm。
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