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CN103311261B - 集成led发光器件及其制作方法 - Google Patents

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CN103311261B
CN103311261B CN201310196146.3A CN201310196146A CN103311261B CN 103311261 B CN103311261 B CN 103311261B CN 201310196146 A CN201310196146 A CN 201310196146A CN 103311261 B CN103311261 B CN 103311261B
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曾晓强
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Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种集成LED发光器件及其制作。其集成LED发光器件，包括：至少两个以上相互分离的LED发光外延单元，包含上下两个表面，其上表面为出光表面；电极焊盘层，形成于所述LED发光外延单元下表面，具有足够的厚度以支撑所述LED外延单元并连接所述各个LED发光外延单元，形成一无高低落差之平面的联接电路；所述电极焊盘层划分为P、N电极区。所述各LED发光外延单元构成串联、并联或串并联电路。本发明可以有效改善封装焊接、电极遮光及连线稳定差等问题。

Description

集成LED发光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及半导体照明器件技术领域，具体涉及一种集成LED发光器件以及制作方法。
背景技术
近年来随着半导体照明技术突飞猛进，LED芯片与封装及后续模组灯具等技术难点一个个被攻破；目前主流的照明封装方式基本采用多颗芯粒构成串联或者串并联的结构，如此需要多颗LED芯粒，在封装过程中会对每颗LED芯片进行固晶、打线、涂荧光粉等操作，操作较为繁琐。
为解决上述问题，前人提出高压LED芯片理念，并在实际应用中，实现其优势，但传统高压芯片仍然存在封装焊接无改善，电极遮光以及芯粒中的各颗LED连线稳定性差等问题。
发明内容
本发明提出一种集成LED发光器件及其制作，其可以有效改善封装焊接、电极遮光及连线稳定差等问题。
根据本发明的第一个方面，集成LED发光器件，包括：至少两个以上相互分离的LED发光外延单元，包含上下两个表面，其上表面为出光表面；电极焊盘层，形成于所述LED发光外延单元下表面，具有足够的厚度以支撑所述LED外延单元并连接所述各个LED发光外延单元，形成一无高低落差之平面的联接电路；所述电极焊盘层划分为P、N电极区。
所述各LED发光外延单元构成串联、并联或串并联电路。
所述发光器件可直接应用于SMT封装，其通过所述电极焊盘层封装于承载基板上。
在一些实施例中，所述电极焊盘层通过电铸形成。
在一些实施例中，所述电极焊盘层的厚度为50μm以上，以支撑外延薄膜。
在一些实施例中，所述电极焊盘层的P、N电极区的面积基本等大。
在一些实施例中，所述电极焊盘层与LED发光外延单元之间还设置有至少一绝缘层，用于调整所述电极焊盘层P、N电极区的分布。
在一些实施例中，所述电极焊盘层与薄膜LED发光外延单元之间还设置有至少两层绝缘层，其中第一绝缘层实现各个薄膜LED发光外延单元的P、N区域的隔离，第二绝缘层实现所述电极焊盘层的P、N电极区基本等大。
在一些实施例中，还包括绝缘体，其插入所述电极焊盘层，将各个LED发光外延单元下方的电极焊盘层划分为P、N两个区域，其下表面不高于所述电极焊盘表面。所述极焊盘层的P、N区域通过所述绝缘体实现电隔离，其间隙可为20~100μm。进一步地，在较佳的实施例中，所述绝缘体远离外延叠层的一端表面与所述电极焊盘层表面与所述电极焊盘层的下表面的高度差为20~100μm。在一些实施例中，所述绝缘体的熔点或软化点低于所述P、N电极焊盘的熔点，其材料可选用胶体材料，如SU8，BCB或干膜等。在另一些较佳实施例中，所述电极焊盘层和绝缘体占满所述LED外延结构的整个表面。
在上述发光器件中，单颗薄膜LED中的P型焊盘与相邻独立的LED发光单元中的N型焊盘相联接形成于下表面，且联接电路为一无高低落差之平面。
根据本发明的第二个方面，集成LED发光器件的制作方法，步骤如下：
外延生长：采用外延生长工艺在生长衬底上形成LED发光外延叠层；
制作电极焊盘层：在所述LED外延叠层表面定义切割道，其将所述LED外延叠层分隔为一系列发光单元，各个单元的表面划分为P、N电极区及隔离区；在所述LED外延叠层之制作电极焊盘层，其覆盖所述切割道及P、N电极区，并具有足够的厚度以支撑所述LED发光外延叠层；移除生长衬底，并去除所述切割道的LED发光外延叠层，从而形成一系列由所述电极焊盘层连接的LED发光外延单元；
器件切割：将上述形成的结构根据需要沿切割道进行切割，形成一系列由若干LED发光外延单元构成的集成LED发光器件，所述相邻薄膜LED发光外延单元之间的P、N联接电路为
具体地，所述芯片制作步骤中可以通过电铸形成所述电极焊盘层。
在一些实施例中，在所述述LED外延叠层的隔离区制作绝缘体以分隔电极焊盘层的P、N电极区，其远离外延叠层的一端表面与所述电极焊盘层表面齐平或高于所述电极焊盘层的表面。所述极焊盘层的P、N电极区域通过所述绝缘体实现电隔离，其间隙可为20~100μm。
在一些实施例中，所述制作电极焊盘层步骤包括：在所述电极焊盘层与薄膜LED发光外延单元之间形成至少两层绝缘层，其中第一绝缘层实现各个薄膜LED发光外延单元的P、N电极区的隔离，第二绝缘层实现所述电极焊盘层的P、N区域基本等大。
在一些实施例中，在制作电极焊盘层中，每个单元上电极焊盘层的P、N电极区分布一致，在切割步骤中，通过去除部分切割道相应的电极焊盘层从而形成一系列串联、并联或串并联连接的LED发光单元阵列。
在一些实施例中，在制作电极焊盘层中，所述每个LED发光外延单元按行（列）分布，其中奇数行（列）的电极焊盘层的P、N电极区与偶数行（列）的每个单元上电极焊盘层的P、N电极区反向分布，在切割步骤中，通过去除部分切割道相应的电极焊盘层从而形成交流电路连接。
在本发明中，集成LED发光器件具备一般高压串联芯片及串并联芯片的优点，有助于提升包括供电电源在内的整个发光器件的电光效率。该集成LED发光器件，节省了封装体材料，在制作成本上有优势；由于LED外延直接贴在焊盘上，相比一般贴片封装体散热效果更加；另外，整体器件面积相对贴片封装体相对较小。该集成LED器件亦可在芯片切割前涂布荧光粉，制成晶圆级白光发光器件，形成一单纯的零组件，更有利于批量化使用。在热处理上，减少了封装体的热阻，使集成LED器件能够有更好的散热，较佳的热处理能够增加LED器件的使用寿命。
本发明集成LED发光器件的结构实现了发光与线路分开进行的结构设计，使用此结构设计能够轻易的得到多重的串并结构，并且与一般的高压式串联芯片相比，无需通过高低的串联线路而可能使电路产生失效，且通过此结构设计能够避免电路的设计产生表面遮光的限制。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1为本发明实施例1之一种集成LED发光器件的结构剖面图。
图2为图1所示发光器件的仰视图及等效电路。
图3为实施例2之一种集成LED发光器件的结构剖面图。
图4为实施例3之一种集成LED发光器件的结构剖面图。
图5为实施例4之一种集成LED发光器件的结构剖面图。
图6为沿图5之线A-A剖开的截面图。
图7~18为制备图5所示的发光器件的过程示意图.。
图19显示了实施例4的第一种变型实施例。
图20和21显示了实施例4的第二种变型实施例。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的集成LED发光器件的方法进行更详细的描述，本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，提供一种集成LED发光器件及其制作方法，在器件结构上通过电极焊盘层支撑所述发光外延结构并连接所述各个LED发光外延单元，形成一无高低落差之平面的联接电路，形成的发光器件可直接贴面安装于承载基板上；在制作方法上，单一化的LED发光外延单元通过电极焊盘层支撑并起到电性联接，最后根据器件需要切割电极焊盘层即可形成一无高低落差的平面联接电路的集成LED发光器件。
以下结合核心思想，详细说明本发明所述SMT发光器件及其制作方法。
实施例1
在本实施例中，为化简附图及方便说明，取三个LED发光单元构成集成LED发光器件，应该知道的是本发明并不以此为限，可以根据具体实施需要选择发光单元的个数。
请参看附图1，集成LED发光器件，包括：发光外延单元110，欧姆接触层121、122，电极焊盘层130，绝缘体140。具体地，各个发光外延单元110通过隔离道150实施外延层的相互隔离，在一较佳实施例中，可在隔离道150中填充绝缘材料。发光外延单元110为倒装薄膜结构，至上而下包括N型外延层、发光层、P型外延层，但不限制于此。N型欧姆接触层121和P型欧姆接触层122分别位于N型外延层和P型外延层上且下表面齐平，其材料可选用Ti、Ni、Ag、Pt、Au、Cr或TiW的一种或其组合，作为一个较佳的实施方式，采用具有高反射性的金属材料的多层结构，其一方面可作为欧姆接触，另一方面起到镜面反射作用。电极焊盘层130分别位于P、N型欧姆接触层上，其厚度为50μm以上，以保证支撑前述倒装薄膜结110，较佳值为70~150μm。电极焊盘130的材料可为Ti、Ni、Cu、Au、AuSn、SnCu、SnBi的一种或其组合。绝缘体140位于P、N电极焊盘130p、130n之间并填充N型欧姆接触层121和P型欧姆接触层122之间的间隙，呈台阶状，其材料可为永久绝缘胶体，如选用SU8，BCB或干膜等。
在本实施例中，在各个LED发光单元中，电极焊盘层130之P区130p和N区130n的间隙D为20~150μm，除首尾LED发光单元外，各个LED发光单元电极焊盘层的P区与相邻的LED发光单元的电极焊盘层的N区连成一片，对应的各个LED发光单元电极焊盘层的N区与相邻的LED发光单元的电极焊盘层的P区连成一片，实现一个无高低落差有电路联接平面。进一步地，电极焊盘层的边缘超出外延结构的边缘，其超出距离控制在30μm以上，防止器件在后续封装时因锡膏的回流导致锡膏爬上外延层导致器件漏电。
附图2为图1所示器件的仰视图及等效电路，P和N表示了电极焊盘层的P、N区域。每个LED发光单元通过电极焊盘层构成了一个串联电路连接。进一步地，在器件中电极焊盘层130和绝缘体140占满LED外延结构的整个表面，其保证了外延结构支撑的完整性，可以有效防止倒装外延薄膜的损坏。
实施例2
在一些大尺寸的发光器件中，电极焊盘层P、N区的形状及大小会成为影响器件可靠性的重要因素之一，如在习知技艺的非对称式电极设计，在共晶制程中因电极面积大小差异过大可能导致芯片倾斜，在面积相对较小的电极处产生共晶失效，最后导致电性连接失败。
请参看附图3，本实施例与实施例1的主要区别在于：电极焊盘层的P、N区130p、130n的面积接近或基本相同。具体通过下面方式实现：在P、N欧姆接触层122、121上设置绝缘层160，并使N型欧姆接触层121与LED外延结构的发光层和p型外延层实现电绝缘。在绝缘层160上对应P、N欧姆接触层的位置上开孔，电极焊盘层填充通过该开孔结构，其P、N区域分别与P、N欧姆接触层接触。
实施例3
在本实施例中，绝缘体140远离发光外延叠层的一端下表面突出电极焊盘层130的下表面，有效防止了在器件在后面封装工艺中的P、N电极短路问题。假设电极焊盘层130下表面的相对位置与绝缘体的下表面的相对位置的高度差为H，电极焊盘层的P、N区的间隙D，通过调整H和D的大小可以优化本实施例的实施效果。在本实施例中，高度差H可为20~100μm，优选50μm，间隙D可为20~100um，优选50μm。
实施例4
本实施例对实施例2中LED外延层的电流注入结构进行优化，其与实施例2的主要区别在于：在P、N欧姆接触层与电极焊盘层之间设置双绝缘层和导电层结构，其中第一绝缘层与导电层实现电流均匀注入LED外延结构，第二绝缘层实现所述P、N电极焊盘的面积基本相同。请参看附图5和附图6，其中附图6为沿第一绝缘层161的剖开的截面图，在各个LED发光外延结单元110的中央区域开复数个第一孔洞结构，其穿过P型外延层和发光层至N型外延层，在P型外延层的表面上覆盖欧姆接触层120，在欧姆接触层120上覆盖第一绝缘层161，其同时覆盖孔洞结构的侧壁，露出N型外延层；在第一绝缘层161对应的欧姆接触层120的位置上至少开一个第二孔洞结构；在第一绝缘层161上制作导电层，其划分为N导电区170n和P导电区170p，其中N导电区170n通过第一孔洞结构与N型外延层接触，P导电区170p通过第二孔洞结构与欧姆接触层120接触；在导电层上制作第二绝缘层162，并分别在N导电区170n和P导电区170p对应的位置开第三孔洞结构，电极焊盘层填充通过该开孔结构，其P、N区域分别与导电层的P、N导电区接触。
图7~17为制备图5所示的发光器件的过程示意图，其主要包括三大工艺步骤：外延生长，芯片制作，切割。其中图9~16为图8之B区域的局部放大剖面图。
首先进行外延生长，具体为：提供生长衬底100，在其上依次成长缓冲层、N型外延层、发光层、P型外延层，此外延堆叠层命名为110，如图7所示。在此步骤中可采用常规外延生长工艺进行即可，如MOCVD。
接下来进行芯片制作工艺，包括台面蚀刻、制作欧姆接触层、制作绝缘体、制作电极焊盘等。具体如下：
1）按照LED发光外延单元的尺寸在在LED外延叠层110表面的定义切割道区150，将LED外延叠层分隔为一系列发光单元100，如图8所示；
2）进行台面蚀刻：利用黄光微影技术图案化外延叠层110，利用ICP干法刻蚀在各个LED发光外延单元110的中央区域开复数个第一孔洞结构181，其穿过P型外延层和发光层至N型外延层，如图9所示；
3）在p型外延层表面上形成欧姆接触层120，如图10所示，欧姆接触层120的材料可为高反射P型欧姆接触材料，具体可包含Cr、Ag、Ni、Al、Pt、Au、Ti的一种或者多种，总体厚度不小于0.5um，最佳厚度为1um；
4）在欧姆接触层120及第一孔洞结构181的侧壁形成第一绝缘层161，露出第一孔洞结构181的底面处的N型外延层，在各个LED发光单元的第一绝缘层161上对应欧姆接触层120的位置上至少开一个第二孔洞结构182，如图11所示；
5）在第一绝缘层161上制作导电层，在各个发光单元上该导电层由相互电隔离的N导电区170n和P导电区170p，其中N导电区170n填充第一孔洞结构181并与N型外延层接触，P导电区170p填充第二孔洞结构182并与欧姆接触层120接触，如图12所示；
6）在导电层上制作第二绝缘层162，并分别在导电层N导电区170n和P导电区170p对应的位置开第三孔洞结构183，如图13所示；
7）利用电镀技术，在第二绝缘层162上制作电极焊盘层130，以各个发光单元110为单位，电极焊盘层130划分为相互电隔离的N电极区130n和P电极区130p，P、N两电极区之间填充绝缘材料作为绝缘体140，除首尾LED发光单元外，各个LED发光单元电极焊盘层的P电极区与相邻的LED发光单元的电极焊盘层的N电极区连成一片，实现一个无高低落差有电路联接平面，如图14所示。电镀材料可选为Ni、Cu、Au等能与Sn共熔的金属材料，其厚度不少于50um，并形成可支撑发光外延结构的电镀层；
8）如图15所示，采用已知衬底剥离技术去除生长衬底001，露出发光外延叠层的表面；
9）利用ICP干法刻去除切割道区150的发光外延叠至露出第一绝缘层161，形成一系列由所述电极焊盘层连接的LED发光外延单元，如图16所示。
至此发光外延叠层由切割道150划分了一系列彼此隔离的独立单元。请附看图17，每个单元的电极焊盘层P电极区与其左边单元的电极焊盘层N电极区相接、与其上方及下方的单元的电极焊盘层P电极区相接；每个单元的电极焊盘层N电极区与其右边单元的电极焊盘层P电极区相接、与其上面及下面的单元的电极焊盘层P电极区相接，绝缘体140呈不间断线条分布。
最后进行芯片切割，请参看附图18，按（a）中箭头方向沿切割道切割芯粒，形成一系列由若干LED发光外延单元构成的集成LED发光器件。其等效电路如（b）所示。在本实施例中，每个LED发光外延单元按行分布，每行的电极焊盘层的P、N电极区的分布一致，在横向上每行进行切割，在纵向上按发光外延单元串接的个数进行切割。
变形实施例1
请参看附图19，按箭头线为切割芯粒，可得到2*3颗LED串并联的组合，等效电路如图中所示。
变形实施例2
在本实施例中变更光罩设计获得图20的效果图：每个LED发光外延单元按行（列）分布，其中奇数行（列）的电极焊盘层的P、N电极区与偶数行（列）的每个单元上电极焊盘层的P、N电极区反向分布。
请参考14所示，按箭头线为切割芯粒，可得到2*2颗LED串并联的组合，等效电路如图中所示。

Claims (16)

1.集成LED发光器件，包括：
至少两个以上相互分离的LED发光外延单元，包含上下两个表面，其上表面为出光表面；电极焊盘层，形成于所述LED发光外延单元下表面，具有足够的厚度以支撑所述LED外延单元并连接所述相互分离的LED发光外延单元，形成一无高低落差之平面的联接电路；所述电极焊盘层划分为P、N电极区；绝缘体，其插入所述电极焊盘层，将所述LED发光外延单元下方的电极焊盘层划分为P、N两个区域，其下表面不高于所述电极焊盘表面。
2.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘层直接用于SMT封装。
3.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述绝缘体下表面与所述电极焊盘层的下表面的高度差为20~100μm。
4.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述绝缘体的熔点或软化点低于所述电极焊盘层的熔点。
5.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述绝缘体的材料选用胶体材料。
6.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘层的厚度为50μm以上，以支撑所述LED发光外延单元。
7.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘层与LED发光外延单元之间还设置有至少一绝缘层，用于调整所述电极焊盘层P、N电极区的分布。
8.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘层的P、N电极区的面积相同。
9.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘层和绝缘体占满所述LED外延结构的整个表面。
10.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘层的边缘超越LED发光外延边缘。
11.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘层的P、N区域通过所述绝缘体实现电隔离，其间隙为20~100μm。
12.根据权利要求1所述的集成LED发光器件，其特征在于：各个所述LED发光外延单元构成串联、并联或串并联电路。
13.集成LED发光器件的制作方法，步骤如下：
外延生长：采用外延生长工艺在生长衬底上形成LED发光外延叠层；
芯片制作：在所述LED发光外延叠层表面的定义切割道，其将所述LED发光外延叠层分隔为一系列发光单元，各个单元的表面划分为P、N电极区及隔离区；在所述LED发光外延叠层之制作电极焊盘层，其覆盖所述切割道及P、N电极区，并具有足够的厚度以支撑所述LED发光外延叠层；移除生长衬底，并去除所述切割道的LED发光外延叠层，从而形成一系列由所述电极焊盘层连接的LED发光外延单元；
器件切割：将上述形成的结构根据需要沿切割道进行切割，形成一系列由若干LED发光外延单元构成的集成LED发光器件，相邻LED发光外延单元之间的P、N联接电路为一无高低落差的平面；
在芯片制作中，在所述LED外延叠层的隔离区制作绝缘体以分隔电极焊盘层的P、N电极区，其远离外延叠层的一端表面与所述电极焊盘层表面齐平或高于所述电极焊盘层的表面。
14.根据权利要求13所述的集成LED发光器件的制作方法，其特征在于：在芯片制作中，所述形成的电极焊盘层的边缘超越LED发光外延边缘。
15.根据权利要求13所述的集成LED发光器件的制作方法，其特征在于：在芯片制作中，每个单元上电极焊盘层的P、N电极区分布一致，在切割步骤中，通过去除部分切割道相应的电极焊盘层从而形成一系列串联、并联或串并联连接的LED发光单元阵列。
16.根据权利要求13所述的集成LED发光器件的制作方法，其特征在于：在芯片制作中，所述发光单元按行分布，其中奇数行的电极焊盘层的P、N电极区与偶数行的每个单元上电极焊盘层的P、N电极区反向分布，在切割步骤中，通过去除部分切割道相应的电极焊盘层从而形成交流电路连接。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103311261B (zh) * 2013-05-24 2016-02-17 安徽三安光电有限公司 集成led发光器件及其制作方法
CN103247743B (zh) * 2013-05-24 2016-04-20 安徽三安光电有限公司 贴面式发光器件及其制作方法
CN103594583A (zh) * 2013-11-07 2014-02-19 溧阳市江大技术转移中心有限公司 一种倒装发光二极管
JP6206159B2 (ja) * 2013-12-17 2017-10-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
TWI552386B (zh) * 2013-12-20 2016-10-01 新世紀光電股份有限公司 半導體發光結構及半導體封裝結構
DE102014103828A1 (de) 2014-03-20 2015-09-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen
CN103943767A (zh) * 2014-05-12 2014-07-23 深圳市华晶宝丰电子有限公司 集成led芯片
JP2015233086A (ja) * 2014-06-10 2015-12-24 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
CN105244419A (zh) * 2014-06-18 2016-01-13 晶能光电（常州）有限公司 一种晶圆级薄膜倒装led芯片的制备方法
KR102209036B1 (ko) * 2014-08-26 2021-01-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN104868031B (zh) * 2015-04-09 2018-01-16 武汉华星光电技术有限公司 一种发光器件
CN106299095A (zh) * 2015-06-12 2017-01-04 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种高压倒装led芯片及其制作方法
DE102015111492B4 (de) * 2015-07-15 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
DE102015111558B4 (de) 2015-07-16 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN106856220B (zh) * 2015-12-08 2020-03-06 上海芯元基半导体科技有限公司 晶元级封装的倒装led器件及其分割单元和制作方法
CN105575951B (zh) * 2015-12-25 2017-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 高压发光二极管及其制作方法
DE102016112857A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
CN106871078A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 山东晶泰星光电科技有限公司 一种表面贴装式rgb‑led集成基板及其制造方法
CN106997918A (zh) * 2017-05-26 2017-08-01 厦门市东太耀光电子有限公司 一种led芯片正面焊盘结构
TWI635605B (zh) * 2017-11-02 2018-09-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN109755266B (zh) * 2017-11-02 2021-01-12 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板
DE102019101544A1 (de) * 2018-01-24 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren
CN108305886A (zh) * 2018-03-30 2018-07-20 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led芯片及其制造方法
CN108428770B (zh) * 2018-04-19 2021-03-23 北京大学 一种共面波导结构微米led的制备方法
DE102018123930A1 (de) * 2018-09-27 2020-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip mit erstem und zweitem Kontaktelement und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterchips
JP6978697B2 (ja) 2018-11-15 2021-12-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN110491895B (zh) * 2019-07-23 2022-05-17 北京工业大学 NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法
CN110707198A (zh) * 2019-09-20 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
WO2021075728A1 (en) * 2019-10-15 2021-04-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and manufacturing method thereof
CN113823724B (zh) * 2020-06-19 2023-06-16 成都辰显光电有限公司 微发光二极管器件及显示面板
CN115799294A (zh) * 2022-11-29 2023-03-14 厦门三安光电有限公司 发光元件、发光组件及制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200805715A (en) * 2006-05-17 2008-01-16 Sanken Electric Co Ltd High-efficiency, overvoltage-protected, light-emitting semiconductor device
CN101494267A (zh) * 2008-11-24 2009-07-29 厦门市三安光电科技有限公司 一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法
CN102034925A (zh) * 2010-10-28 2011-04-27 山东华光光电子有限公司 平板倒装焊GaN基LED芯片结构
CN102769086A (zh) * 2012-07-09 2012-11-07 上海大学 基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3947840A (en) * 1974-08-16 1976-03-30 Monsanto Company Integrated semiconductor light-emitting display array
US6687268B2 (en) * 2001-03-26 2004-02-03 Seiko Epson Corporation Surface emitting laser and photodiode, manufacturing method therefor, and optoelectric integrated circuit using the surface emitting laser and the photodiode
JP2003110139A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
JP4120600B2 (ja) * 2004-02-26 2008-07-16 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JP5237854B2 (ja) * 2009-02-24 2013-07-17 パナソニック株式会社 発光装置
CN101494237B (zh) 2009-02-24 2010-07-07 中国科学院微电子研究所 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法
TWI470832B (zh) * 2010-03-08 2015-01-21 Lg Innotek Co Ltd 發光裝置
JP5202559B2 (ja) * 2010-03-09 2013-06-05 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP2011199221A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2012146926A (ja) * 2011-01-14 2012-08-02 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
US9831220B2 (en) * 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
WO2013024428A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led mixing chamber with reflective walls formed in slots
CN102315353B (zh) * 2011-09-30 2013-05-22 安徽三安光电有限公司 一种倒装集成发光二极管及其制备方法
US8928012B2 (en) * 2012-02-22 2015-01-06 Jianhua Hu AC LED device and its manufacturing process for general lighting applications
JPWO2013176201A1 (ja) * 2012-05-25 2016-01-14 株式会社村田製作所 垂直共振面発光レーザ
CN102779915A (zh) * 2012-08-13 2012-11-14 厦门市三安光电科技有限公司 倒装发光二极管及其制备方法
CN202930431U (zh) * 2012-11-13 2013-05-08 金木子 无金属电极的垂直结构的led高压芯片
CN104995756A (zh) * 2013-02-19 2015-10-21 皇家飞利浦有限公司 由多层结构形成的发光管芯组件
CN103311261B (zh) * 2013-05-24 2016-02-17 安徽三安光电有限公司 集成led发光器件及其制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200805715A (en) * 2006-05-17 2008-01-16 Sanken Electric Co Ltd High-efficiency, overvoltage-protected, light-emitting semiconductor device
CN101494267A (zh) * 2008-11-24 2009-07-29 厦门市三安光电科技有限公司 一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法
CN102034925A (zh) * 2010-10-28 2011-04-27 山东华光光电子有限公司 平板倒装焊GaN基LED芯片结构
CN102769086A (zh) * 2012-07-09 2012-11-07 上海大学 基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺

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