CN103295921A - 树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法 - Google Patents
树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103295921A CN103295921A CN2013100565214A CN201310056521A CN103295921A CN 103295921 A CN103295921 A CN 103295921A CN 2013100565214 A CN2013100565214 A CN 2013100565214A CN 201310056521 A CN201310056521 A CN 201310056521A CN 103295921 A CN103295921 A CN 103295921A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resin
- sealed
- unit
- sealing apparatus
- resin sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 428
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 428
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 353
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 258
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 103
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 23
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 9
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 9
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000009182 swimming Effects 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 241000186216 Corynebacterium Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
- H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
一种树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法,通过使用供给到型腔中的粉状或粒状的树脂密封用材料,成型对厚度目标值t(mm)设定第一规格的密封树脂从而对电子部件进行树脂密封,具备:基板接收单元;树脂材料接收单元;分拣单元,在从树脂密封用材料被供给到树脂密封装置到被搬入成型模之间,根据树脂密封用材料的粒径D相关的第二规格D≤a×t(mm)分拣树脂密封用材料,其中a为正实数;第一搬送单元,将分拣的结果判断为满足第二规格的规格内材料搬送到成型模中;以及加热单元,通过加热熔融供给到型腔中的所述树脂密封用材料从而生成熔融树脂,第一规格为0.03(mm)≤t≤1.2(mm),通过熔融树脂固化从而成型所述密封树脂。
Description
技术领域
本发明涉及使用压缩成型用的成型模与粉状或粒状的树脂密封用材料对芯片状的电子部件进行树脂密封并制造树脂密封体的树脂密封装置与树脂密封体的制造方法。
背景技术
在对IC(Integrated Circuit)芯片、LED(Light Emitting Diode)芯片、芯片电容器等芯片状电子部件(以下称为“芯片”。)进行树脂密封的工序中,通过使流动性树脂固化从而形成固化树脂构成的密封树脂。据此,安装于引线框架、印刷基板等(以下称为“基板主体”。)的芯片被树脂密封。近年来作为树脂密封的方法,在传递成型的基础上使用压缩成型(例如,参照专利文献1)。与传递成型相比,压缩成型具有流动性树脂对接合用的引线施加的压力小、能够对应密封树脂的薄型化等的优点。在压缩成型中,作为流动性树脂的原料,使用热固性树脂构成的粉状或粒状的树脂密封用材料或者在常温下为液状的树脂密封用材料(液状树脂)。
本发明以使用热固性树脂构成的粉状或粒状的树脂密封用材料的情况为对象。对树脂密封装置具有的成型模的型腔供给树脂密封用材料,通过设置在成型模中的加热器加热树脂密封用材料并使其熔融,生成具有流动性的熔融树脂(以下称为“流动性树脂”)。通过继续加热流动性树脂并使其固化,从而在型腔中形成固化树脂构成的密封树脂。
然而,在这种技术领域中,近年来以下需求越来越强烈。第一个需求是对于作为完成品的电子部件(以下称为“电子器件”。)的所谓的轻薄短小化的需求。随之,引线的小径化及密封树脂的薄型化的需求更加强烈。第二个需求是伴随着广泛采用LED而产生的需求,具体而言如下所示。即,在电子器件之中以LED为代表的发光器件中,使用具有透光性的密封树脂,但这种密封树脂中残存气泡(空隙)时会损害光学特性。第二个需求是要求在发光器件中密封树脂中不存在气泡。
专利文献1:特开2007-125783号公报(第5~9页、第1图)
作为密封树脂的原材料的粉状或粒状的树脂密封用材料,通常转用被使用作为传递成型的树脂密封用材料的树脂片的原材料。树脂片通过作为原材料的粉状或粒状的树脂密封用材料被压锭为圆柱状从而形成。在传递成型中,通过供给到被称为锅的圆筒形的空间中的树脂片被加热并熔融从而生成熔融树脂。生成的熔融树脂被柱塞按压并注入型腔中。注入型腔中的熔融树脂通过被加热从而固化。通过到此为止的工序,形成固化树脂构成的密封树脂。
在传递成型中,通过圆柱状的树脂片在锅中被加热从而生成熔融树脂。因此,对于作为树脂片的原材料的粉状或粒状的树脂密封用材料,并不那么要求粒径(粒子径)的偏差小。由此,作为树脂片的原材料在压缩成型中使用的粉状或粒状的树脂密封用材料的粒径在多数情况下具有较大偏差。此外,在本申请文件中,“粉状或粒状”这一用语包括微粉状、颗粒状、粒状、短棒状、块状、小板状、类似球的形状的不确定的形状(例如,扭曲的形状、不规则的形状、具有凹凸的形状)等。以后,作为“粉状或粒状的树脂密封用材料”的总称适宜使用“粒状树脂”这一用语。
然而,本申请所涉及的发明的发明人等发现以下情况。第一个发现是树脂密封用材料的粒径具有从μm级至2~3mm程度这样大的偏差。
第二个发现是使用具有上述大的偏差的树脂密封用材料时,供给到型腔中的树脂密封用材料具有在型腔底面(型腔中的内底面)上被配置为斑块状(不均等地混乱)的倾向。特别是使用具有大的偏差的树脂密封用材料欲制造密封树脂的厚度(是指从基板主体的上表面到密封树脂的上表面的尺寸)的目标值t为t=0.2~0.3mm程度的封装时这种倾向显著,这种情况下,应供给到型腔中的树脂密封用材料少量而引起被配置为斑块状的倾向强。这种情况下,关于粒径具有大的偏差的树脂密封用材料会在型腔底面上不均匀地配置。由此引起在型腔中,在树脂密封用材料熔融生成的流动性树脂中浸渍芯片的过程中不均匀存在的流动性树脂会流动。流动性树脂的流动成为引线的变形、密封树脂中的未填充(换言之气泡)等发生的原因。
第三个发现是存在具有突出大的粒径(例如,10t程度:t为如上所述的密封树脂的厚度的目标值)的粒状的树脂密封用材料时,在该树脂密封用材料未充分熔融的阶段中会与引线接触。这种与引线的接触引起引线的变形。
第四个发现是组合挡板与狭缝部件将树脂密封用材料供给到型腔中时(例如,参照专利文献1),具有突出大的粒径的树脂密封用材料的存在引起流动性树脂的重量的增加。据此,封装中的密封树脂的厚度t的偏差变大。
第五个发现是根据树脂密封用材料的特性,具有小粒径的树脂密封用材料被供给到型腔中时,有可能附着在本来树脂密封用材料不应该存在的场所。这种附着在树脂密封用材料的密度小时,通过具有小粒径的树脂密封用材料浮游从而引起。另外,这种附着在树脂密封用材料易于带电时,通过具有小粒径的树脂密封用材料带静电从而引起。树脂密封用材料向意外的场所的附着引起以下弊端。第一个弊端是在型腔底面上树脂密封用材料不均匀地配置。第二个弊端是成型模的污染。第三个弊端是合模不充分造成的树脂毛刺的发生。
发明内容
本申请所涉及的发明欲解决的课题是消除由作为密封树脂的原材料的粉状或粒状的树脂密封用材料的粒径的偏差引起的引线的变形、密封树脂中的气泡的发生、密封树脂的厚度t的偏差的增大等弊端。
为了解决上述课题,本发明所涉及的树脂密封装置,具备具有型腔的压缩成型用的成型模,使用供给到型腔中的粉状或粒状的树脂密封用材料,通过成型对厚度的目标值t(mm)设定第一规格的密封树脂从而对电子部件进行树脂密封,所述树脂密封装置的特征在于,具备:基板接收单元,从树脂密封装置的外部接收安装有电子部件的密封前基板;树脂材料接收单元,从树脂密封装置的外部接收树脂密封用材料;分拣单元,在从树脂密封用材料被供给到树脂密封装置中到被搬入成型模的过程中,根据树脂密封用材料的粒径D相关的第二规格D≤a×t(mm)分拣树脂密封用材料(a为正实数);第一搬送单元,将分拣的结果判断为满足第二规格的规格内材料搬送到成型模中;以及加热单元,通过加热熔融供给到型腔中的树脂密封用材料其从而生成熔融树脂,第一规格为0.03(mm)≤t≤1.2(mm),通过熔融树脂固化从而成型密封树脂。
本发明所涉及的树脂密封体的制造方法,对树脂密封装置具备的压缩成型用的成型模具有的型腔供给呈粉状或粒状的树脂密封用材料,使该树脂密封用材料熔融并生成熔融树脂,使该熔融树脂固化,通过成型对厚度的目标值t(mm)设定第一规格的密封树脂从而对电子部件进行树脂密封并制造树脂密封体,所述树脂密封体的制造方法的特征在于,具备:树脂密封装置接收树脂密封用材料的工序;根据树脂密封用材料的粒径D相关的第二规格D≤a×t(mm)分拣树脂密封用材料的工序(a为正实数);以及将分拣树脂密封用材料的结果判断为满足第二规格的第一规格内材料搬送到成型模中的工序,第一规格为0.03(mm)≤t≤1.2(mm)。
根据本发明,在对密封树脂的厚度的目标值t(mm)设定第一规格(0.03(mm)≤t≤1.2(mm))的情况下,使用树脂密封用材料的粒径D满足D≤a×t(mm)这一第二规格的树脂密封用材料。据此,能够抑制相对于厚度的目标值t具有大的粒径D的粒状树脂的存在引起的弊端的发生。进而,第一规格还可以为0.05(mm)≤t≤1.0(mm)。这种情况下,抑制上述的弊端的发生的效果增大。
根据本发明,在对密封树脂的厚度的目标值t(mm)设定第一规格(0.03(mm)≤t≤1.2(mm))的情况下,根据树脂密封用材料的粒径D相关的第二规格D≤3.0×t(mm)分拣供给到树脂密封装置中的树脂密封用材料。该分拣例如根据通过光学性单元拍摄树脂密封用材料得到的图像中的这些粒子的投影面积的面积等效圆直径进行。将分拣的结果判断为满足第二规格的第一规格内材料搬送到成型模中。据此,在供给现有的树脂密封用材料的情况下,能够将判断为满足第二规格的第一规格内材料搬送到成型模中。因此,能够抑制相对于厚度的目标值t具有大的粒径D的粒状树脂的存在引起的弊端的发生。
根据本发明,在将密封树脂的厚度的目标值t(mm)设定为(第一规格(0.03(mm)≤t≤1.2(mm))的情况下,根据树脂密封用材料的粒径D相关的第二规格D≤3.0×t(mm)分拣供给到树脂密封装置中的树脂密封用材料。该分拣根据通过光学性单元拍摄树脂密封用材料得到的图像中的这些粒子的投影面积的面积等效圆直径进行。将分拣的结果判断为不满足第二规格的规格外材料粉碎,分拣粉碎的规格外材料。将分拣的结果判断为满足第二规格的第二规格内材料搬送到成型模中。因此,能够抑制相对于厚度的目标值t具有大的粒径D的粒状树脂的存在引起的弊端的发生。进而,能够有效地利用树脂密封用材料。
附图说明
图1的(1)~(3)是分别表示本发明所涉及的树脂密封体的制造方法中,供给树脂密封用材料的工序、加热树脂密封用材料的工序、以及合模成型模的工序的概要图。
图2的(1)~(4)是分别表示在合模成型模的状态下使流动性树脂固化的工序、形成密封树脂之后开模成型模的工序、使树脂密封体构成的成型体单片化的工序、以及单片化完成的电子器件的概要图。
图3是表示对于本发明所涉及的树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法中使用的树脂密封用材料,在密封树脂的厚度的目标值t为0.19mm,树脂密封用材料的供给量w为4.91g的情况下,调查对粒径设定的四个水准与型腔底面上树脂密封用材料不均匀地配置的状况的关系的实验的结果的说明图。
图4是表示对于本发明所涉及的树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法中使用的树脂密封用材料,在密封树脂的厚度的目标值t为0.32mm,树脂密封用材料的供给量w为7.91g的情况下,调查对粒径设定的四个水准与型腔底面上树脂密封用材料不均匀地配置的状况的关系的实验的结果的说明图。
图5是表示本发明所涉及的树脂密封装置的一个例子的俯视图。
图6是表示本发明所涉及的树脂密封装置的另一个例子的俯视图。
符号说明
1下模
2上模
3第一供给单元
4型腔
5树脂密封用材料
6脱模膜
7外框部件
8型腔部件
9吸引通道(吸引单元)
10加热器(加热单元)
11密封部件(外气隔绝单元)
12吸引通道(减压单元)
13基板主体
14芯片(电子部件)
15密封前基板
16引线
17边界线
18区域
19外框
20供给用挡板
21收容部
22熔融树脂
23外气隔绝空间
24被排出的气体等
25密封树脂
26成型体(树脂密封体)
27旋转刀片
28电子设备
29单位基板
30单位密封树脂
31材料接收单元
32、59树脂材料处理单元
33成型单元
34成型体分配单元
35、57基板接收单元
36、58树脂材料接收单元
37搬送轨道
38主搬送单元(第一搬送单元)
39基板接收部
40基板搬送部
41树脂接收部
42计量部
43容器
44第一树脂搬送部
45、49挡板(分隔单元)
46分拣单元
47粉碎单元
48第二树脂搬送部(第二搬送单元)
50集尘单元
51追逐保持器
52第二供给单元
53减压泵(减压单元)
54成型体搬送部
55成型体用容器
56成型体收容部
60树脂材料用单元
A1、A2树脂密封装置
D粒径
t密封树脂的厚度的目标值
具体实施方式
根据本发明,在密封树脂的厚度具有其厚度的目标值设为t(mm)的0.03(mm)≤t≤1.2(mm)这一第一规格的情况下,根据树脂密封用材料的粒径(粒子径)D相关的第二规格D≤3.0×t(mm),分拣供给到树脂密封装置中的树脂密封用材料。该分拣根据通过光学性单元拍摄树脂密封用材料得到的图像中的这些粒子的投影面积的面积等效圆直径进行。分拣的结果判断为满足第二规格的第一规格内材料被搬送到成型模中。另一方面,分拣的结果判断为不满足第二规格的规格外材料被粉碎,粉碎的规格外材料被分拣。分拣的结果判断为满足第二规格的第二规格内材料被搬送到成型模中。
[实施例1]
参照图1~图4,对本发明所涉及的树脂密封体的制造方法以及树脂密封装置进行说明。此外,为了易于理解,对于本申请文件中的任何附图都适宜省略或夸张地示意性描绘。对于相同的结构要素标注相同的符号,适宜省略说明。
如图1的(1)所示,本发明所涉及的树脂密封装置具有下模1和上模2。下模1和上模2共同构成成型模。在下模1与上模2之间进退自如地设置有供给树脂密封用材料(后述)的第一供给单元3。在下模1中设置有凹部构成的型腔4。第一供给单元3将呈粉状或粒状的树脂密封用材料5供给到型腔4中。即,型腔4为树脂密封用材料5应被供给的空间。脱模膜6在被拉伸的状态下供给到下模1与上模2之间。
下模1与上模2能够相对地进行升降。据此,下模1与上模2相对地接近并合模,且相对地远离并开模。在图1中示出下模1由外框部件7和型腔部件8构成,外框部件7通过弹性部件(涡形弹簧等;未图示)被弹性支撑的例子。外框部件7构成型腔4的侧面,型腔部件8构成型腔4的底面。不限于此,型腔4还可以被刻入一体设置的下模1中。代替外框部件7被弹性支撑,或者在此基础上,型腔部件8还可以通过弹性部件被弹性支撑。
在下模1中设置有用于吸引脱模膜6使其与下模1的型面紧贴的、换言之用于将脱模膜6吸附于下模1的型面的吸引通道9。在图1中对两个吸引通道9分别描绘的向下的两个箭头示出外部吸引机构(未图示)吸引脱模膜6的样子。在下模1中设置有加热树脂密封用材料5的加热器10。此外,设置在型腔部件8中的加热器并未图示。
在上模2中在与下模1对置的面(以下称为“上模2的型面”)中以俯视包围型腔4的方式设置有密封部件11。在上模2的型面中俯视在密封部件11的内侧设置有吸引包括型腔4的空间中的气体的吸引通道12。
在基板主体13中安装有多个芯片14的密封前基板15通过吸附等周知的方法被固定于上模2。密封前基板15以在俯视中完全包括型腔4并且位于密封部件11与吸引通道12的内侧的方式被固定。基板主体13的电极与芯片14的电极(均未图示)通过金线等引线16电连接。基板主体13通过虚拟设置的格子状的边界线17被划分为多个区域18。在各区域18中安装有一个或多个芯片14。
第一供给单元3具有外框19和开闭自如地设置在外框19的下部的供给用挡板20。在供给用挡板20关闭的状态下,收容有树脂密封用材料5的收容部21形成在外框19的内侧。
对本发明所涉及的树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法中使用的树脂密封用材料5进行说明。树脂密封用材料5如下所示制造。首先,准备至少包括热固化树脂构成的粉状或粒状的树脂材料、添加剂、以及二氧化硅等构成的填料(填充剂)的原材料组。接着,混炼原材料组并生成第一中间材料。接着,粉碎混炼的第一中间材料并生成第二中间材料。接着,根据规定的规格分拣第二中间材料。将第二中间材料之中判断为满足规定的规格的第一规格内材料确定为树脂密封用材料5。
作为树脂材料可以包括环氧系树脂或硅系树脂。以制造光学器件为目的使用树脂密封用材料5时,树脂材料具有透光性。进而,使用树脂密封用材料5时,树脂密封用材料5中还可以含有荧光体作为添加剂。
在本发明中,使用树脂密封用材料5,形成固化树脂构成具有厚度的目标值t的密封树脂。作为厚度的目标值t的规格(第一规格),例如考虑近年对于电子器件的轻薄短小化的需求设为0.1(mm)≤t≤1.2(mm)。考虑轻薄短小化相关的更强烈的需求时,第一规格优选为0.05(mm)≤t≤1.2(mm),进一步优选为0.05(mm)≤t≤1.0(mm)。根据电子器件的用途考虑芯片厚为15μm程度这一预测时,第一规格优选为0.03(mm)≤t≤1.0(mm)。进而,考虑包括材料的有效利用时,第一规格优选为0.03(mm)≤t≤1.2(mm)。从现实性的需求这一观点来看,第一规格优选为0.2(mm)≤t≤1.0(mm)。
树脂密封用材料5满足粒径(粒子径)D与密封树脂的厚度的目标值相关的0.03(mm)≤D≤3t(mm)这一规定的规格(第二规格)。该第二规格优选为0.05(mm)≤D≤2t(mm)。关于树脂密封用材料5相关的这些第二规格,将在后面详细说明。在本申请文件中,树脂密封用材料5的粒径D是指通过光学性单元拍摄树脂密封用材料5得到的图像中的这些粒子的投影面积的面积等效圆直径。具体而言,根据拍摄树脂密封用材料5得到的图像计算出投影面积,将这些投影面积的面积等效圆直径处理作为粒径D。在图1的(1)中方便地示出粒径D。
此外,对通过光学性单元以外的其他单元,例如气流产生的离心力、筛网等周知的单元测定树脂密封用材料5的粒径D的情况进行说明。这种情况下,通过上述的光学性单元测定的粒径D的测定值A与通过其他单元测定的粒径D的测定值B有可能不同。因此,优选地,预先调查测定值A与测定值B的相关,根据该相关确定新的第二规格。优选地,代替现有的第二规格采用新的第二规格,根据该新的第二规格对树脂密封用材料5的粒径D进行判断。
以下,对通过使用本发明所涉及的树脂密封装置5对芯片14进行树脂密封从而制造树脂密封体的树脂密封体的制造方法,参照图1和图2进行说明。继续对树脂密封芯片14形成的成型体、换言之由树脂密封体制造电子器件的电子器件的制造方法进行说明。
如图1的(1)所示,在下模1与上模2之间,对型腔4的上方拉伸供给脱模膜6。然后,通过吸引通道9向型腔4的底面吸引脱模膜6。据此,使脱模膜6吸附于构成型腔4的型面(以下称为“型腔面”。)的整面。至少到树脂密封芯片14之后下模1与上模2开模的阶段,继续吸附脱模膜6。此外,在本申请文件中,为方便起见,对于在型腔面的整面吸附脱模膜6的状态下树脂密封用材料5应被供给的空间也称为“型腔”。
接着,使第一供给单元3进入下模1与上模2之间,在型腔4的上方停止第一供给单元3。然后,在附图的左右方向上打开供给用挡板20,对型腔4供给树脂密封用材料5。
接着,如图1的(2)所示,使用加热器10加热供给到型腔4中的树脂密封用材料5。据此,使第一供给单元3熔融并生成流动性树脂(参照图1的(3)的熔融树脂22)。与加热树脂密封用材料5并行,使上模2下降。此外,也可以使下模1上升。主要是下模1与上模2相对地接近即可。
接着,如图1的(3)所示。进一步使上模2下降使密封部件11的下端与下模1的型面接触。据此,形成包括型腔4的空间且与成型模的外部隔绝的外气隔绝空间23。使用设置在成型模的外部的减压泵(抽气泵)、减压罐等减压单元(未图示),对外气隔绝空间23进行减压。据此,将包含在外气隔绝空间23中的微小的粒子和包含在外气隔绝空间23及熔融树脂22中的气体等排出到成型模的外部。在图的1(3)中在吸引通道12附近示出的两个向上的箭头表示通过减压被排出到成型模的外部的气体等24。优选在从密封部件11的下端与下模1的型面接触到下模1与上模2完全合模的状态(中间合模状态)下开始对外气隔绝空间23进行减压的工序。另外,优选在直到熔融树脂22完全固化的期间中执行对外气隔绝空间23进行减压的工序。
接着,如图2的(1)所示,继续使上模2下降。据此,在熔融树脂22中浸渍芯片14和引线16(浸泡),完全合模下模1与上模2。在下模1与上模2完全合模的状态(完全合模状态)下,通过下模1与上模2加压熔融树脂22的同时继续加热熔融树脂22。据此,使熔融树脂22固化,如图2的(2)所示形成固化树脂构成的密封树脂25。
接着,如图2的(2)所示,使上模2上升开模下模1与上模2。然后,将具有基板主体13、芯片14、引线16和密封树脂25的树脂密封体(密封后基板)构成的成型体26取出到成型模之外。通过到目前为止的工序,对安装于基板主体13的多个芯片14进行树脂密封的工序完成,多个芯片14被树脂密封的成型体26完成。
接着,如图2的(3)所示,使用粘接膜或吸附等周知的方法,将成型体26固定于工作台(未图示)。使用旋转刀片27,沿着各边界线17完全切断成型体26(全切)。具体而言,分别沿着图2的(3)中的X方向的各边界线17与Y方向的各边界线17,完全切断成型体26。据此,执行成型体26的单片化(singulation)。通过到目前为止的工序,成型体26以各区域18为单位被单片化,制造图2的(4)所示的电子器件28。各电子器件28具有基板主体13以各区域18为单位单片化的单位基板29、芯片14、引线16和密封树脂25以各区域18为单位单片化的单位密封树脂30。
此外,在使成型体26单片化的工序中,代替全切,还可以在成型体26的厚度方向的中途形成槽之后(半切之后)对成型体26施加外力而单片化。代替旋转刀片27,还可以使用激光、水射流、绳锯等。
以下,对于本发明所涉及的树脂密封装置中使用的树脂密封用材料5,对粒径D与密封树脂25的厚度的目标值t相关的规定的规格进行说明。首先,对树脂密封用材料5的粒径D设定的第二规格的下限进行说明。粒径D的第二规格的下限在密封树脂25的厚度的目标值t大时当然不用说,即使在密封树脂25的厚度的目标值t小时原则上也无需确定。但是,根据树脂密封用材料的特性,因树脂密封用材料浮游或带电引起,会发生树脂密封用材料5附着在本来树脂密封用材料5不应该存在的场所这一问题。为了防止该问题,树脂密封用材料5的粒径D的第二规格的下限优选为某种程度大的值。根据经验,判明了粒径D的值小于0.05mm时,供给或搬送树脂密封用材料5时易于发生上述的浮游或带电等。进而,判明了粒径D的值小于0.03mm时,更易于发生上述的浮游或带电等。根据这些事项,关于粒径D的第二规格的下限,可以说优选为0.03mm以上,更优选为0.05mm以上。因此,对粒径D的第二规格设置下限时,作为下限确定为0.03(mm)≤D,优选确定为0.05(mm)≤D。
接着,对粒径D设定的第二规格的上限进行说明。关于第二规格的上限,通过以下顺序确定。作为第一顺序,将作为粒径D的水准的多个(本实施例以四个为例)的特定的范围设定为粒径D的基础上,分拣树脂密封用材料5以使粒径D落入设定的特定的范围内。此外,这些特定的范围与上述的第二规格不同。作为第二顺序,设定由作为密封树脂25的厚度的目标值t(mm)适当的值构成的两个水准值。此外,这些水准值与上述的第一规格不同。作为第三顺序,计算出与各个密封树脂25的厚度的目标值t对应的树脂密封用材料5的重量w(g),将该重量的树脂密封用材料5散布在实际评价用型腔(平面尺寸:233×67mm)中。光学性地测定散布的树脂密封用材料5覆盖该型腔底面的比例(以下称为“树脂占有率”。)。作为第四顺序,对使用该树脂密封用材料5树脂密封时,何种程度的树脂占有率则可以允许实际的密封树脂25的厚度的偏差等进行评价。按照以上四个顺序,关于树脂密封用材料5的粒径D,确定被认为可实际使用的第二规格的上限。
以下,对于确定树脂密封装置5的粒径D设定的第二规格的上限的顺序,参照图3和图4进行说明。作为第一顺序,分拣树脂密封用材料5,准备粒径D分别落入作为四个水准的特定的范围1~4中的树脂密封用材料Ma、Mb、Mc、Md。其中,特定的范围1为D=1.0~2.0(mm),特定的范围2为D=0.2~2.0(mm),特定的范围3为D=0.2~1.0(mm),特定的范围4为D=0.2~0.4(mm)。
树脂密封用材料Ma:D=1.0~2.0(mm)
树脂密封用材料Mb:D=0.2~2.0(mm)
树脂密封用材料Mc:D=0.2~1.0(mm)
树脂密封用材料Md:D=0.2~0.4(mm)
作为第二顺序,设定t=0.19(mm)和t=0.32(mm)的两个水准值作为密封树脂25的厚度的目标值t。t=0.19(mm)这一水准值为考虑近年对电子器件28的轻薄短小化的需求设定的水准值。
作为第三顺序,在上述两个水准值(密封树脂25的厚度的目标值为t=0.19(mm)和0.32(mm))的情况下,计算出与该目标值t分别对应的树脂密封用材料5的重量。计算出的重量在水准值1(目标值t=0.19(mm))时为4.91(g),在水准值2(目标值t=0.32(mm))时为7.91(g)。此外,上述重量的值为安装有芯片14时的计算值(理论值)。
此外,在实验中,在芯片14未安装于基板主体13的状态、换言之以虚拟基板为对象,供给树脂密封用材料5。作为实际的供给量w,代替相当于水准值1(目标值t=0.19(mm))时的w=4.91(g),将w=6.03(g)的树脂密封用材料5,另外,代替相当于水准值2(目标值t=0.32(mm))时的w=7.91(g),将w=10.16(g)的树脂密封用材料5分别散布在评价用型腔中。
继续作为第三顺序,准备相当于供给量w=4.91(g)的树脂密封用材料5的树脂密封用材料Ma、Mb、Mc、Md,将这些依次散布在评价用型腔中。同样地,准备相当于供给量w=7.91(g)的树脂密封用材料5的树脂密封用材料Ma、Mb、Mc、Md,将这些依次散布在评价用型腔中。从评价用型腔的上方拍摄散布的树脂密封用材料5的状态。对通过拍摄得到的图像进行二值化处理,计算出树脂密封用材料5的树脂占有率。具体而言,在具有256灰度(将级别0作为黑,将级别255作为白)的图像中将级别25作为阈值对图像进行二值化处理。在二值化图像中将级别25以下判断为“存在树脂密封用材料”,计算出在评价用型腔的底面上存在树脂密封用材料的部分的面积比。
图3的(1)~(4)中示出在供给量w=4.91(g)的情况下,对分别散布有树脂密封用材料Ma~Md的状态进行二值化处理得到的图像和树脂占有率的饼形图。图4的(1)~(4)中示出在供给量w=7.91(g)的情况下,对分别散布有树脂密封用材料Ma~Md的状态进行二值化处理得到的图像和树脂占有率的饼形图。
作为第四顺序,使用图3的(1)~(4)中示出的四种树脂密封用材料Ma~Md,成型目标值t=0.19(mm)的密封树脂25(参照图2的(2))。根据该结果,图3的(1)~(3)的情况被判断为不允许作为密封树脂25,图3的(4)的情况被判断为具有余量允许作为密封树脂25。
根据图3中示出的结果,第一,作为对树脂密封用材料5的粒径D(mm)设定的第二规格的下限判断D=0.2(mm)妥当。作为第二规格的下限D=1.0(mm)时,由于在评价用型腔的底面上树脂密封用材料5被配置为斑块状的倾向强(参照图3的(1)),因此明确了不允许作为密封树脂25。
根据图3中示出的结果,第二,树脂密封用材料5的粒径D(mm)的第二规格的上限预想存在于D=0.4(mm)以上1.0(mm)以下的范围内。对这样的粒径D的第二规格的上限设定的范围在树脂密封用材料5的粒径D(mm)的第二规格的下限为0.2mm的情况之中为图3的(3)中示出的情况与图3的(4)中示出的情况之间,树脂占有率相当于41%以上84%以下的范围。
继续作为第四顺序,使用图4的(1)~(4)中示出的四种树脂密封用材料Ma~Md,成型厚度的目标值t=0.32(mm)的密封树脂25(参照图2的(2))。基于该结果,为图4的(1)、(2)中示出的状态时判断为不允许作为密封树脂25,为图4的(3)、(4)中示出的状态时判断为允许作为密封树脂25。进而,为图4的(3)中示出的状态时判断为允许的界限。因此,根据图4(特别是图4的(3))中示出的结果,在树脂密封用材料5的粒径D(mm)的第二规格的下限为0.2mm的情况下,作为第二规格的上限推定D=1.0(mm)是适当的。作为第二规格的上限的D=1.0(mm)这一值相当于对于密封树脂25的厚度的目标值t=0.32(mm),D/t=3.125这一关系。此外,在为图4的(3)中示出的状态的情况(D=0.2~1.0mm)下,树脂占有率为72%。
继续作为第四顺序,根据相当于根据图4推定的粒径D(mm)的第二规格的上限(D=1.0(mm))的树脂占有率(72%),对图3中示出的情况下的粒径D(mm)的第二规格的上限进行研究。在图3的(3)中粒径D(mm)为D=0.2~1.0mm,树脂占有率为41%,在图3的(4)中粒径D(mm)为D=0.2~0.4mm,树脂占有率为84%。在这些之间按比例计算树脂占有率为72%的情况时,作为粒径D(mm)的第二规格的上限,得到D=0.567mm。D=0.567mm这一值相当于树脂占有率为72%的情况,并且相当于对于密封树脂25的厚度的目标值t=0.19(mm),D/t=2.99这一关系。
综上所述,关于对粒径D(mm)设定的第二规格,第二规格的下限为0.2mm的情况下的第二规格的上限与密封树脂25的厚度的目标值t(mm)的关系(D/t)在图3的情况为D/t=3.125,图4的情况为D/t=2.99。根据这些事项,关于粒径D(mm)的第二规格的上限与密封树脂25的厚度的目标值t(mm)的关系,判断D/t=3.0大致是妥当的。
此外,图3的(4)的情况判断为具有余量允许作为密封树脂25。根据这一事项,判断优选图3的(4)中示出的情况、即对粒径D(mm)设定的第二规格的上限与密封树脂25的厚度的目标值t(mm)的关系为的情况。因此,关于粒径D(mm)的第二规格的上限与密封树脂25的厚度的目标值t(mm)的优选的关系,判断D/t=2.0大致是妥当的。
根据到目前为止的说明,关于粒径D(mm)可以说以下的规格是妥当的。第一,设置粒径D的第二规格的下限时为0.03(mm)≤D,优选为0.05(mm)≤D。第二,作为粒径D的第二规格的上限,与密封树脂25的厚度的目标值t(mm)的关系为D≤3.0×t,优选为D≤2.0×t。
因此,对粒径D(mm)设定的第二规格如下所示。即,第二规格为粒径D与密封树脂25的厚度的目标值t(mm)相关的D≤3.0×t(mm)这一规格。该第二规格从提高树脂密封用材料5的收益率(有效利用率)这一观点来看优选。另一方面,从与更薄的电子器件28对应这一观点来看,优选D≤2.0×t(mm)这一第二规格。根据抑制树脂密封用材料5的浮游和带电这一观点对这些第二规格设置下限时,附加0.03(mm)≤D这一规格或0.05(mm)≤D这一规格。
本实施例中使用的树脂密封用材料5,以作为密封树脂25的厚度的目标值t的规格(第一规格)满足0.03(mm)≤t≤1.2(mm)这一规格(优选为0.05(mm)≤t≤1.0(mm)这一规格)为前提,满足以下的第二规格。这是粒径D与密封树脂25的厚度的目标值t相关的、D≤3.0×t(mm)这一第二规格。从与更薄的电子器件28对应这一观点来看,优选D≤2.0×t(mm)这一第二规格。对这些第二规格设置下限时,附加0.03(mm)≤D这一规格或0.05(mm)≤D这一规格。
通过树脂密封用材料5满足这些规格,从而得到以下的效果。第一,即使在密封树脂25的厚度的目标值t小时,换言之即使在供给到型腔4中的树脂密封用材料5少量的情况下,也会抑制树脂密封用材料5在型腔底面上不均匀地配置。据此,在图1、2中示出的型腔4中,抑制树脂密封用材料5熔融生成的流动性树脂22流动。因此,抑制引线16的变形、密封树脂25中的未填充等的发生。
第二,粒径D的上限被控制为适当的值。因此,抑制相对于厚度的目标值t具有大的粒径的粒状树脂的存在引起的弊端的发生。具体而言,抑制封装中的密封树脂的厚度的偏差。
第三,抑制通过具有小粒径的树脂密封用材料5浮游或者通过带静电引起的、树脂密封用材料5向意外的场所附着。因此,抑制这种树脂密封用材料5的附着引起的弊端的发生。
此外,在本申请文件中,对粒径D设定的第二规格的下限并不意味着排除包括比该下限小的粒径D的树脂密封用材料5。实际上,在搬送或计量树脂密封用材料5的过程中,因树脂密封用材料5破裂或缺口有可能生成微小的粉体或粒体(树脂密封用材料5引起的微粒子,以下称为“树脂系微粒子”。)。这种树脂系微粒子有可能具有比粒径D的第二规格的下限小的粒径D。因此,以存在具有比粒径D的第二规格的下限小的粒径D的树脂系微粒子为理由判断为不属于树脂密封用材料5是不妥当的。
[实施例2]
参照图5对本发明所涉及的树脂密封装置的一个实施例进行说明。如图5所示,树脂密封装置A1具备材料接收单元31、树脂材料处理单元32、多个(图5中两个)成型单元33、以及成型体分配单元34。材料接收单元31具备接收密封前基板15的基板接收单元35、以及接收树脂密封用材料5的树脂材料接收单元36。从材料接收单元31依次经由树脂材料处理单元32和多个成型单元33到成型体分配单元34,设置有搬送轨道37。在搬送轨道37中设置有主搬送单元38。主搬送单元38能够沿着搬送轨道37在附图的横向上移动。此外,成型单元33也可以为单个。
材料接收单元31具有从树脂密封装置A1的外部接收密封前基板15的基板接收部39、以及将接收的密封前基板15搬送到主搬送单元38中的基板搬送部40。树脂材料接收单元36具有从树脂密封装置A1的外部接收树脂密封用材料5的树脂接收部41、以及计量接收的树脂密封用材料5的重量和体积等的计量部42。应计量的树脂密封用材料5或计量后的树脂密封用材料5例如收容在托盘等构成的容器43中。收容在容器43中的树脂密封用材料5通过第一树脂搬送部44以每个容器43被搬送到主搬送单元38中。
基板接收单元35与树脂材料接收单元36优选在第一树脂搬送部44进退时根据需要通过开闭的挡板45分隔。据此,抑制包含树脂系微粒子的微粒子侵入基板接收单元35。
在本实施例所涉及的树脂密封装置A1中,采用树脂材料处理单元32相关的以下的第一结构。即,在树脂密封装置A1中树脂材料处理单元32与材料接收单元31相邻并装卸自如地设置。通过采用这种第一结构,树脂材料处理单元32根据需要安装于树脂密封装置A1,或者根据需要从树脂密封装置A1拆卸。
树脂材料处理单元32具有按照粒径的第二规格分拣树脂密封用材料5的分拣单元46、以及粉碎分拣的结果判断为粒径大于第二规格的规格外材料的粉碎单元47。进而,树脂材料处理单元32具有在树脂接收部41与分拣单元46与粉碎单元47之间搬送树脂密封用材料5和规格外材料的第二树脂搬送部48。
作为分拣单元46,例如选择或适宜组合光学性单元、气流产生的离心力、筛网等周知的单元而使用。作为粉碎单元47,例如使用搅拌、辊轧机等周知的单元。分拣单元46与粉碎单元47包含在树脂材料处理单元32中。
为了防止树脂系微粒子侵入基板接收单元35,优选在树脂材料处理单元32中设置以下的结构要素。这些结构要素包括与挡板45协作将包括树脂材料接收单元36与分拣单元46与粉碎单元47的空间与其他空间隔绝的挡板49、以及对存在于通过挡板45与挡板49隔绝的空间中的微粒子进行吸引并集尘的集尘单元50。
作为分拣单元46中适用的粒径D的第二规格,可以与对密封树脂25的厚度的目标值t设定的第一规格相关联采用以下的规格。作为厚度的目标值t的第一规格,例如采用0.03(mm)≤t≤1.2(mm)这一规格(优选为0.05(mm)≤t≤1.0(mm)这一规格)。作为对粒径D的特定的范围设定的第二规格,例如采用0.03(mm)≤D≤3.0×t(mm)这一规格(优选为0.05(mm)≤D≤2.0×t(mm)这一规格)。
多个成型单元33分别具有以下的结构要素。即,作为结构要素举出的是追逐保持器51、安装于追逐保持器51具有型腔4的下模1、与下模1对置设置固定有密封前基板15的上模2(图5中未图示)、对下模1与上模2之间供给并卷绕脱模膜6的第二供给单元52、以及对形成在下模1与上模2之间的外气隔绝空间(参照图1的(3)中示出的外气隔绝空间23)进行减压的减压泵53。
在成型体分配单元34中设置有搬送成型体26的成型体搬送部54、以及配置有收容成型体26的托盘等构成的成型体用容器55的成型体收容部56。
在本实施例所涉及的树脂密封装置A1中,在树脂材料处理单元32相关的前述的第一结构的基础上,采用单个或多个(图5中两个)成型单元33相关的以下的第二结构。即,图5中示出的左侧的成型单元33与树脂材料处理单元32相邻,且与右侧的成型单元33相邻(换言之被树脂材料处理单元32与右侧的成型单元33夹着),在树脂密封装置A1中装卸自如地设置。另外,右侧的成型单元33与左侧的成型单元33相邻,且与成型体分配单元34相邻(换言之被左侧的成型单元33与成型体分配单元34夹着),在树脂密封装置A1中装卸自如地设置。
此外,在树脂密封装置A1中设置有单个成型单元33时,在树脂密封装置A1中该成型单元33被树脂材料处理单元32与成型体分配单元34夹着安装。假设从树脂密封装置A1拆卸成型体分配单元34,则能够在树脂密封装置A1中与该单个成型单元33的右侧相邻装卸其他成型单元33。
本实施例所涉及的树脂密封装置A1具有以下的效果。第一,通过粉碎单元47粉碎通过分拣单元46分拣的结果判断为不满足第二规格的规格外材料。通过分拣单元46分拣粉碎的规格外材料。将分拣的结果判断为满足第二规格的第二规格内材料搬送到成型模中。因此,能够有效地利用供给到树脂密封装置A1中的树脂密封用材料5。
第二,关于树脂材料处理单元32通过采用第一结构,能够根据需要,事后将树脂材料处理单元32安装于树脂密封装置A1,或者事后将树脂材料处理单元32从树脂密封装置A1拆卸。据此,能够根据树脂密封用材料5的规格、电子器件28的密封树脂25的厚度的目标值t(参照图2)等,事后对树脂密封装置A1安装树脂材料处理单元32,以及事后从树脂密封装置A1拆卸树脂材料处理单元32。进而,能够将在第一工厂中从树脂密封装置A1拆卸的树脂材料处理单元32移送到需要该树脂材料处理单元32的第二工厂,安装于第二工厂保有的树脂密封装置A1。因此,使用树脂密封装置A1的电子器件28(参照图2的(4))的制造商能够根据市场的动向、树脂密封用材料5及电子器件28的规格的变化等,在树脂密封装置A1中容易地装卸树脂材料处理单元32。
第三,关于各成型单元33通过采用前述的第二结构,各成型单元33根据需要安装于树脂密封装置A1,或者根据需要从树脂密封装置A1拆卸。据此,能够根据市场的动向、需求的增减等,对树脂密封装置A1安装并增设成型单元33,以及从树脂密封装置A1拆卸成型单元33并减少成型单元33的数量。进而,能够将在第一工厂中从树脂密封装置A1拆卸的成型单元33移送到例如位于需求旺盛的其他地方的第二工厂,安装于第二工厂保有的树脂密封装置A1。因此,使用树脂密封装置A1的电子器件28(参照图2的(4))的制造商能够根据市场的动向、需求的增减等容易地调整电子器件28的生产能力。
第四,设置集尘单元50,通过挡板45与挡板49将包括树脂材料接收单元36与分拣单元46与粉碎单元47的空间与其他空间隔绝,对存在于隔绝的空间的树脂系微粒子等进行吸引并集尘。据此,能够集尘包含树脂系微粒子的微粒子。因此,能够抑制因包含树脂系微粒子的异物附着于密封前基板15等发生的弊端。
第五,通过使用脱模膜6,从而能够使成型体26容易地从下模1脱模(参照图2的(2))。进而,经由脱模膜6,能够将设置在型腔面上的微细的凹凸确实地转印于密封树脂25。通过这些事项,在制造电子器件28(参照图的2(4))时能够提高品质。特别是在制造具有包括微细的凹凸的透镜(例如,菲涅尔透镜等)的光学器件时,能够显著提高品质。
第六,至少在中间合模状态下形成外气隔绝空间23,对该外气隔绝空间23进行减压(参照图1的(3))。据此,抑制密封树脂25中的气泡的发生。因此,在制造电子器件28(参照图2的(4))时能够提高品质。特别是制造具有透光性的密封树脂25的光学器件时,能够显著提高品质。
[实施例3]
参照图6对本发明所涉及的树脂密封装置的其他实施例进行说明。如图6所示,在树脂密封装置A2中,采用以下的第一~第三结构。
第一结构如下所示。即,图6中示出的左侧的成型单元33与基板接收单元57相邻,且与右侧的成型单元33相邻(换言之被基板接收单元57与右侧的成型单元33夹着),在树脂密封装置A2中装卸自如地设置。另外,右侧的成型单元33与左侧的成型单元33相邻,且与成型体分配单元34相邻(换言之被左侧的成型单元33与成型体分配单元34夹着),在树脂密封装置A2中装卸自如地设置。
第二结构如下所示。即,在图5中示出的树脂密封装置A1中树脂材料接收单元36包含在树脂接收单元31中,与此相对,在树脂密封装置A2中,树脂材料接收单元58从基板接收单元57独立,与树脂材料处理单元59相邻设置。在图6中,树脂材料接收单元58与树脂材料处理单元59在附图的上下方向上相邻。树脂材料接收单元58与树脂材料处理单元59共同构成树脂材料用单元60。进而,树脂材料接收单元58与树脂材料处理单元59为分别独立的模块,能够在树脂材料用单元60中分别装卸。即,能够事后在具有树脂材料接收单元58的树脂材料用单元60中安装树脂材料处理单元59。
此外,在树脂密封装置A2中设置有单个成型单元33时,在树脂密封装置A2中该成型单元33被基板接收单元57与成型体分配单元34夹着安装。假设从树脂密封装置A2拆卸树脂材料用单元60与成型体分配单元34,则能够在树脂密封装置A2中与该单个成型单元33的右侧相邻装卸其他成型单元33。
第三结构如下所示。即,树脂材料用单元60在俯视中夹着单个或多个成型单元33(图6中两个),设置在与基板接收单元57的相反侧。因此,在树脂密封装置A2中,接收密封前基板15的基板接收单元57与接收分拣呈粉状或粒状的树脂密封用材料5根据需要粉碎规格外材料的树脂材料用单元60位于最远的位置。
根据第一结构,各成型单元33根据需要安装于树脂密封装置A2,或者根据需要从树脂密封装置A2拆卸。因此,使用树脂密封装置A2的电子器件28(参照图2的(4))的制造商能够根据市场的动向、需求的增减等容易地调整电子器件28的生产能力。
根据第二结构,能够事后在具有树脂材料接收单元58的树脂材料用单元60中安装树脂材料处理单元59。因此,伴随着电子器件28具有的单位密封树脂30(参照图2的(4))的薄型化的推进等的技术动向的变化,根据电子器件28的制造商的期望,能够事后追加树脂材料处理单元59。
根据第三结构,能够防止树脂系微粒子等侵入基板接收单元57。因此,能够防止因包含树脂系微粒子的异物附着于密封前基板15等发生的弊端。
进而,由于在树脂密封装置A2中设置有分拣单元46与粉碎单元47,因此与图5中示出的树脂密封装置A1的情况同样,能够有效地利用供给到树脂密封装置A2中的树脂密封用材料5。
另外,由于设置了集尘单元50,通过挡板45将包括树脂材料接收单元58与分拣单元46与粉碎单元47的空间与其他空间隔绝,对存在于隔绝的空间的微粒子进行吸引并集尘,因此与图5中示出的树脂密封装置A1的情况同样,能够抑制因包含树脂系微粒子的异物附着于密封前基板15等发生的弊端。
另外,在树脂密封装置A2中,由于使用脱模膜6,因此与图5中示出的树脂密封装置A1的情况同样,在制造电子器件28(参照图2的(4))时能够提高品质。
另外,在树脂密封装置A2中,由于至少在中间合模状态下形成外气隔绝空间23并对该外气隔绝空间23进行减压(参照图1的(3)),因此与图5中示出的树脂密封装置A1的情况同样,在制造电子器件28(参照图2的(4))时能够提高品质。
此外,在图6中示出的树脂密封装置A2中,还可以交换成型体分配单元34与树脂材料用单元60的平面位置。如此交换时,树脂材料用单元60与图6中示出的右侧的成型单元33相邻,且与成型体分配单元34相邻(换言之,被右侧的成型单元33与成型体分配单元34夹着),在树脂密封装置A2中装卸自如地设置。
在本申请文件中说明的粒径D是指通过光学性单元拍摄树脂密封用材料5得到的图像中的这些粒子的投影面积的面积等效圆直径。因此,以同一的树脂密封用材料5为对象,使用面积等效圆直径的测定(计算)以外的其他测定法,例如费雷特直径的测定、遮光法或筛选法等测定粒径D时,有可能得到与本申请文件中的粒径D不同的测定值。使用其他测定法测定粒径D时,与通过本申请文件中的测定法测定时的测定值置换,判断是否包含在本申请文件中说明的粒径D的第二规格中。换言之,将使用其他测定法得到的测定值与本申请文件中说明的粒径D的第二规格直接进行对比并不妥当。
测定树脂密封用材料5的粒径D时,使用从上方拍摄散布在托盘中的树脂密封用材料5的方法、从侧方拍摄从给料机自由下落的树脂密封用材料5的方法等。但是,并不限定于这些。能够以欲供给的所有树脂密封用材料5的全数为对象测定粒径D。代替与此,还能够从欲供给的树脂密封用材料5中抽出一部分样品,以该样品为对象测定粒径D。
在到目前为止的说明中,对在树脂密封装置A1、A2的内部设置按照对粒径D设定的第二规格分拣树脂密封用材料5的分拣单元46、以及粉碎分拣的结果判断为粒径D比第二规格大的规格外材料的粉碎单元47的例子进行了说明(参照图5、6)。不限于此,作为变形例,还可以在树脂密封装置的外部设置分拣单元与粉碎单元这两者。这种情况下,能够将在树脂密封装置的外部预先分拣并根据需要粉碎的树脂密封用材料5供给到树脂密封装置中。
作为其他变形例,还可以在树脂密封装置的内部设置分拣单元,在树脂密封装置的外部设置粉碎判断为不满足粒径D的第二规格的规格外材料的粉碎单元。将规格外材料移送到粉碎单元中的工序可以由作业者手动进行,也可以使用沿着轨道移动的搬送单元或具有往复地旋转的臂的搬送单元进行。
在到目前为止说明的结构中,代替供给用挡板20,还可以在第一供给单元3中设置树脂密封用材料5的下落口。在该结构中,通过使树脂密封用材料5一边下落到型腔4中一边使第一供给单元3移动,从而对型腔4供给树脂密封用材料5。作为树脂密封用材料5的下落口,优选几乎水平地设置具有槽状的形状的下落口。进而,优选以在俯视中相对于型腔4的型面,下落树脂密封用材料5的轨迹不相互重叠且不相交的方式使第一供给单元3移动。进一步,优选通过使用加振单元对下落口施加振动从而使树脂密封用材料5一边振动一边对于型腔4的型面下落树脂密封用材料5。
在到目前为止说明的结构中,还可以采用以下的第一、第二变更结构。第一变更结构为设置具有外框的第一供给单元,以在俯视中覆盖外框与外框的内侧的方式在第一供给单元的下表面吸附矩形状的脱模膜6,对由外框与脱模膜6包围的空间构成的收容部供给树脂密封用材料5的结构。根据该结构,在收容部中收容有树脂密封用材料5的状态下,使第一供给单元移动到型腔4的上方。解除对于脱模膜6的吸附的同时,在型腔4的内表面吸附脱模膜6。据此,对型腔4供给脱模膜6与树脂密封用材料5。
第二变更结构为设置具有凹部的第一供给单元,对凹部供给树脂密封用材料5,在第一供给单元的上表面吸附矩形状的脱模膜6,使第一供给单元反转的结构。根据该结构,使反转的第一供给单元移动到型腔4的上方。解除对于脱模膜6的吸附的同时,在型腔4的内表面吸附脱模膜6。据此,对型腔4供给脱模膜6与树脂密封用材料5。
在上述的两个变更结构中对第一供给单元供给树脂密封用材料5时,都能够使用加振单元。另外,通过对第一供给单元下落树脂密封用材料5的下落口施加振动,从而能够使树脂密封用材料5振动。此时,优选在第一供给单元的上方一边使树脂密封用材料5振动,一边对第一供给单元下落树脂密封用材料5。
在到目前为止的说明中,对将搬送密封前基板15和成型体26的搬送系统与搬送树脂密封用材料5的搬送系统共同作为主搬送单元38的例子进行了说明(参照图5、6)。代替这种结构,还可以将搬送密封前基板15和成型体26的搬送系统与搬送树脂密封用材料5的搬送系统作为另一套系统。
在到目前为止的说明中,对在一个成型单元33中设置有一组成型模的结构进行了说明(参照图5、6)。代替这种结构,还可以对于一个成型单元33准备两组包括下模1与上模2的一组成型模,在上段与下段的两段分别配置一组成型模。在该结构中,通过使共同的模开闭机构动作,从而能够实质上同时合模及开模上段的一组成型模与下段的一组成型模。作为共同的模开闭机构,例如使用伺服电动机、液压缸等驱动源以及齿条与齿轮等的传动单元。根据该结构,在使用具有相同的专有面积的成型单元33时能够实现两倍的生产效率。
在到目前为止的说明中,对使用脱模膜6的实施例进行了说明(参照图2的(2)、5、6)。但是,根据成型模使用的材料的物性与密封树脂25的物性的组合,也可以不使用脱模膜6。
在到目前为止的说明中,对至少在中间合模状态下形成外气隔绝空间23,对该外气隔绝空间23进行减压的实施例进行了说明(参照图1的(3))。但是,根据对密封树脂25要求的气泡等相关的品质水准,也可以不实施形成外气隔绝空间23对该外气隔绝空间23进行减压。
在到目前为止的说明中,如图2的(3)、(4)所示,使成型体26以各区域18为单位单片化。例如,图2的(3)中的X方向上存在四个、且Y方向上存在四个区域18时,成型体26单片化为分别由一个区域18构成的十六个电子器件28形成单片。但不限于此,还可以以X方向上一个且Y方向上四个共同的区域(以下表示为“1×4”。)使成型体26单片化为,或者以4×1共同的区域使成型体26单片化为。这样,能够制造分别由四个区域18构成的四个电子器件28。进而,能够以2×2的区域使成型体26单片化,制造分别由四个区域18构成的四个电子器件28。进一步,能够从成型体26中去除端部中的不需要的部分,以4×4的区域使成型体26单片化,制造由十六个区域18构成的一个电子器件28。因此,芯片14为LED芯片时,能够容易地制造列状或面状的光学器件(发光体)。
本发明并不限定于上述的实施例,在不脱离本发明的宗旨的范围内,可以根据需要,任意且适宜组合、变更或选择采用。
Claims (30)
1.一种树脂密封装置,具备具有型腔的压缩成型用的成型模,使用供给到所述型腔中的粉状或粒状的树脂密封用材料,通过成型对厚度的目标值t(mm)设定第一规格的密封树脂从而对电子部件进行树脂密封,所述树脂密封装置的特征在于,具备:
基板接收单元,从所述树脂密封装置的外部接收安装有所述电子部件的密封前基板;
树脂材料接收单元,从所述树脂密封装置的外部接收所述树脂密封用材料;
分拣单元,在从所述树脂密封用材料被供给到所述树脂密封装置到被搬入所述成型模之间,根据所述树脂密封用材料的粒径D相关的第二规格D≤a×t(mm)分拣所述树脂密封用材料,其中a为正实数;
第一搬送单元,将分拣的结果判断为满足所述第二规格的规格内材料搬送到所述成型模中;以及
加热单元,通过加热熔融供给到所述型腔中的所述树脂密封用材料其从而生成熔融树脂,
所述第一规格为0.03(mm)≤t≤1.2(mm),
通过所述熔融树脂固化从而成型所述密封树脂。
2.根据权利要求1所述的树脂密封装置,其特征在于,所述第一规格为0.05(mm)≤t≤1.0(mm)。
3.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,所述分拣单元通过根据拍摄所述树脂密封用材料得到的图像计算出投影面积,将该投影面积的面积等效圆直径处理作为所述粒径D从而分拣所述树脂密封用材料,
所述a的值为3.0。
4.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,所述分拣单元利用气流产生的离心力或利用筛分拣所述树脂密封用材料。
5.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,进一步具备分别具有所述成型模的一个或多个成型单元,
所述基板接收单元与所述树脂材料接收单元在俯视中对于一个或多个所述成型单元在同一侧并列配置,
一个或多个所述成型单元之中的一个所述成型单元在俯视中与所述基板接收单元和所述树脂材料接收单元的至少一个相邻,且在所述树脂密封装置中装卸自如地设置。
6.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,进一步具备分别具有所述成型模的一个或多个成型单元,
所述基板接收单元与所述树脂材料接收单元在俯视中夹着一个或多个所述成型单元相对置配置,
一个或多个所述成型单元之中的一个所述成型单元在俯视中与所述基板接收单元和所述树脂材料接收单元的至少一个相邻,且在所述树脂密封装置中装卸自如地设置。
7.根据权利要求5所述的树脂密封装置,其特征在于,设置有多个所述成型单元,这些多个所述成型单元之中的一个在俯视中与其他所述成型单元相邻,且在所述树脂密封装置中装卸自如地设置。
8.根据权利要求6所述的树脂密封装置,其特征在于,设置有多个所述成型单元,这些多个所述成型单元之中的一个在俯视中与其他所述成型单元相邻,且在所述树脂密封装置中装卸自如地设置。
9.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,进一步具备:
粉碎单元,粉碎通过所述分拣单元分拣的结果判断为不满足所述第二规格(D≤a×t(mm))的规格外材料;以及
第二搬送单元,将粉碎的所述规格外材料搬送到所述分拣单元中。
10.根据权利要求9所述的树脂密封装置,其特征在于,进一步具备:
分隔单元,分隔至少包括所述树脂材料接收单元、所述分拣单元和所述粉碎单元的空间;以及
集尘单元,吸引分隔后的所述空间。
11.根据权利要求9所述的树脂密封装置,其特征在于,所述分拣单元与所述粉碎单元包含在处理接收的所述树脂密封用材料的树脂材料处理单元中,
所述树脂材料处理单元与所述树脂材料接收单元相邻,且在所述树脂密封装置中装卸自如地设置。
12.根据权利要求10所述的树脂密封装置,其特征在于,所述分拣单元与所述粉碎单元包含在处理接收的所述树脂密封用材料的树脂材料处理单元中,
所述树脂材料处理单元与所述树脂材料接收单元相邻,且在所述树脂密封装置中装卸自如地设置。
13.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,所述树脂密封用材料包括树脂材料,
所述树脂材料具有热固性,
所述加热单元通过加热固化所述熔融树脂从而成型所述密封树脂。
14.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,进一步具备:第一供给单元,对所述型腔供给所述树脂密封用材料;
移动单元,至少使所述第一供给单元移动到所述型腔的上方;以及
加振单元,在所述型腔的上方或所述第一供给单元的上方,对应被供给到所述型腔中的所述树脂密封用材料施加振动。
15.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,进一步具备:外气隔绝单元,至少在所述成型模合模的状态下将包括所述型腔的空间与所述成型模的外部隔绝形成外气隔绝空间;以及
减压单元,对所述外气隔绝空间进行减压。
16.根据权利要求1或2所述的树脂密封装置,其特征在于,进一步具备:第二供给单元,在所述成型模开模的状态下以与所述型腔重叠的方式供给脱模膜;以及
吸引单元,通过向着所述型腔中的型面吸引所述脱模膜从而使所述脱模膜紧贴所述型面。
17.一种树脂密封体的制造方法,对树脂密封装置具备的压缩成型用的成型模具有的型腔供给呈粉状或粒状的树脂密封用材料,使该树脂密封用材料熔融并生成熔融树脂,使该熔融树脂固化,通过成型对厚度的目标值t(mm)设定第一规格的密封树脂从而对电子部件进行树脂密封并制造树脂密封体,所述树脂密封体的制造方法的特征在于,包括:
所述树脂密封装置接收所述树脂密封用材料的工序;
根据所述树脂密封用材料的粒径D相关的第二规格D≤a×t(mm)分拣所述树脂密封用材料的工序,其中a为正实数;以及
将分拣所述树脂密封用材料的结果判断为满足所述第二规格的第一规格内材料搬送到所述成型模中的工序,
所述第一规格为0.03(mm)≤t≤1.2(mm)。
18.根据权利要求17所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,所述第一规格为0.05(mm)≤t≤1.0(mm)。
19.根据权利要求18所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,在分拣所述树脂密封用材料的工序中,通过根据拍摄所述树脂密封用材料得到的图像计算出投影面积,将该投影面积的面积等效圆直径处理作为所述粒径D从而分拣所述树脂密封用材料,
所述a的值为3.0。
20.根据权利要求18所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,在分拣所述树脂密封用材料的工序中,利用气流产生的离心力或利用筛分拣所述树脂密封用材料。
21.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,在分拣所述树脂密封用材料的工序中,在所述树脂密封装置的内部分拣所述树脂密封用材料。
22.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,在分拣所述树脂密封用材料的工序中,在所述树脂密封装置的外部分拣所述树脂密封用材料。
23.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,进一步包括:
粉碎分拣的结果判断为不满足所述第二规格(D≤a×t(mm))的规格外材料并生成粉碎后材料的工序;
根据所述第二规格分拣所述粉碎后材料的工序;以及
将分拣所述粉碎后材料的结果判断为满足所述第二规格的第二规格内材料搬送到所述成型模中的工序。
24.根据权利要求23所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,在生成所述粉碎后材料的工序中,在所述树脂密封装置的内部粉碎所述规格外材料。
25.根据权利要求23所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,在生成所述粉碎后材料的工序中,在所述树脂密封装置的外部粉碎所述规格外材料。
26.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,进一步包括:
准备所述树脂密封装置的工序,所述树脂密封装置具有从所述树脂密封装置的外部接收安装有所述电子部件的密封前基板的基板接收单元、从所述树脂密封装置的外部接收所述树脂密封用材料的树脂材料接收单元、以及分别具有所述成型模的一个或多个成型单元;
对所述基板接收单元供给所述密封前基板的工序;以及
对所述树脂材料接收单元供给所述树脂密封用材料的工序,
在供给所述密封前基板的工序与供给所述树脂密封用材料的工序中,对相邻的所述基板接收单元与所述树脂材料接收单元分别供给所述密封前基板与所述树脂密封用材料。
27.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,进一步包括:
准备所述树脂密封装置的工序,所述树脂密封装置具有从所述树脂密封装置的外部接收安装有所述电子部件的密封前基板的基板接收单元、从所述树脂密封装置的外部接收所述树脂密封用材料的树脂材料接收单元、以及分别具有所述成型模的一个或多个成型单元;
对所述基板接收单元供给所述密封前基板的工序;以及
对所述树脂材料接收单元供给所述树脂密封用材料的工序,
在供给所述密封前基板的工序与供给所述树脂密封用材料的工序中,对夹着一个或多个所述成型单元相对置配置的所述基板接收单元与所述树脂材料接收单元分别供给所述密封前基板与所述树脂密封用材料。
28.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,进一步包括:
使对所述型腔供给所述树脂密封用材料的第一供给单元移动到所述型腔的上方的工序;以及
对被供给到所述型腔中的所述树脂密封用材料施加振动的工序,
在对所述树脂密封用材料施加振动的工序中,在所述型腔的上方或所述第一供给单元的上方对所述树脂密封用材料施加振动。
29.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,进一步包括:
将判断为满足所述第二规格的所述第一规格内材料搬送到所述成型模中的工序之后,在合模所述成型模的中途或合模所述成型模的状态下,将包括所述型腔的空间与所述成型模的外部隔绝形成外气隔绝空间的工序;以及
对所述外气隔绝空间进行减压的工序。
30.根据权利要求17~20所述的树脂密封体的制造方法,其特征在于,进一步包括:
在开模所述成型模的状态下以与所述型腔重叠的方式供给脱模膜的工序;以及
通过向着所述型腔中的型面吸引所述脱模膜从而使所述脱模膜紧贴所述型面的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012-041624 | 2012-02-28 | ||
JP2012041624A JP5627619B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 樹脂封止装置及び樹脂封止体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103295921A true CN103295921A (zh) | 2013-09-11 |
CN103295921B CN103295921B (zh) | 2016-05-04 |
Family
ID=49096591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310056521.4A Active CN103295921B (zh) | 2012-02-28 | 2013-02-22 | 树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5627619B2 (zh) |
KR (1) | KR101374331B1 (zh) |
CN (1) | CN103295921B (zh) |
TW (1) | TWI513049B (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104515105A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 西安信唯信息科技有限公司 | 球灯led的cob工艺灯板降温方法 |
CN104859089A (zh) * | 2014-02-24 | 2015-08-26 | 东和株式会社 | 树脂成型装置及树脂成型方法 |
CN109808132A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 东和株式会社 | 搬送装置、树脂成形装置及树脂成形品的制造方法 |
CN110154300A (zh) * | 2018-02-16 | 2019-08-23 | 山田尖端科技株式会社 | 树脂模制装置以及树脂模制方法 |
CN111403303A (zh) * | 2015-11-09 | 2020-07-10 | 东和株式会社 | 树脂封装装置以及树脂封装方法 |
CN111785698A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-16 | 杭州很美网络科技有限公司 | 一种集成电路封装工艺 |
CN111791421A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-20 | 无锡利普思半导体有限公司 | 适用于塑封功率模块的压缩模具及其塑封方法 |
CN113903682A (zh) * | 2020-06-22 | 2022-01-07 | Towa株式会社 | 树脂成形装置以及树脂成形品的制造方法 |
CN114423582A (zh) * | 2019-09-18 | 2022-04-29 | 东和株式会社 | 成型模、树脂成型装置以及树脂成型品的制造方法 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6071216B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2017-02-01 | Towa株式会社 | 樹脂封止用材料の製造方法及び樹脂封止装置 |
JP6104787B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-03-29 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形方法 |
JP6143665B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-06-07 | Towa株式会社 | 半導体封止方法及び半導体封止装置 |
JP6071869B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-02-01 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形方法 |
JP6491508B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2019-03-27 | Towa株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂成形品の製造方法 |
TWI618615B (zh) * | 2015-08-12 | 2018-03-21 | Zhao Chang Wen | Method for forming thermosetting resin package sheet |
CN106827343A (zh) * | 2016-01-28 | 2017-06-13 | 诸建芬 | 一种汽车减震器油封密封圈挤压模具 |
JP6491120B2 (ja) * | 2016-02-13 | 2019-03-27 | Towa株式会社 | 樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂成形品の製造方法 |
JP6672103B2 (ja) * | 2016-08-01 | 2020-03-25 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品製造方法 |
JP6212609B1 (ja) * | 2016-08-19 | 2017-10-11 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品製造方法 |
JP6923503B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2021-08-18 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置、及び樹脂成形品の製造方法 |
JP6802314B2 (ja) * | 2018-11-28 | 2020-12-16 | 宗哲 蔡 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
US10923435B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-02-16 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance |
US11239179B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-02-01 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package and fabrication method thereof |
TWI744572B (zh) | 2018-11-28 | 2021-11-01 | 蔡憲聰 | 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法 |
US10896880B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-01-19 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof |
US11211340B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-12-28 | Shiann-Tsong Tsai | Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004148621A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド方法、樹脂モールド装置およびこれに用いる支持治具 |
JP2004174801A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止装置 |
JP2008194904A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止装置 |
TW200843930A (en) * | 2007-03-13 | 2008-11-16 | Towa Corp | Method of compression molding for electronic part and apparatus therefor |
US20100062572A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2656350B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1997-09-24 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置およびその製法ならびにそれに用いる光半導体封止用樹脂組成物 |
EP0742586A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
JPH09314612A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-09 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
JP2833589B2 (ja) * | 1996-07-31 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の樹脂封止成形装置及び樹脂封止方法 |
JP3642637B2 (ja) * | 1996-08-20 | 2005-04-27 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置 |
US7022410B2 (en) * | 2003-12-16 | 2006-04-04 | General Electric Company | Combinations of resin compositions and methods of use thereof |
JP4855329B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2012-01-18 | Towa株式会社 | 電子部品の圧縮成形方法及び装置 |
KR20110104507A (ko) * | 2008-12-10 | 2011-09-22 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 과립상의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용한 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN102246296B (zh) * | 2008-12-10 | 2014-02-05 | 住友电木株式会社 | 半导体封装用树脂组合物、半导体装置的制造方法及半导体装置 |
JP2010247429A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置とこれを用いた樹脂封止方法 |
WO2011125753A1 (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-13 | 株式会社カネカ | 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード |
JP5744422B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2015-07-08 | キヤノン株式会社 | インプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法 |
JP6071216B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2017-02-01 | Towa株式会社 | 樹脂封止用材料の製造方法及び樹脂封止装置 |
-
2012
- 2012-02-28 JP JP2012041624A patent/JP5627619B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-04 TW TW102100214A patent/TWI513049B/zh active
- 2013-01-22 KR KR1020130006917A patent/KR101374331B1/ko active Active
- 2013-02-22 CN CN201310056521.4A patent/CN103295921B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004148621A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド方法、樹脂モールド装置およびこれに用いる支持治具 |
JP2004174801A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止装置 |
JP2008194904A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止装置 |
TW200843930A (en) * | 2007-03-13 | 2008-11-16 | Towa Corp | Method of compression molding for electronic part and apparatus therefor |
US20100062572A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104515105A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 西安信唯信息科技有限公司 | 球灯led的cob工艺灯板降温方法 |
CN104859089A (zh) * | 2014-02-24 | 2015-08-26 | 东和株式会社 | 树脂成型装置及树脂成型方法 |
CN104859089B (zh) * | 2014-02-24 | 2017-07-14 | 东和株式会社 | 树脂成型装置及树脂成型方法 |
CN111403303A (zh) * | 2015-11-09 | 2020-07-10 | 东和株式会社 | 树脂封装装置以及树脂封装方法 |
CN111403303B (zh) * | 2015-11-09 | 2023-09-01 | 东和株式会社 | 树脂封装装置以及树脂封装方法 |
CN109808132A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 东和株式会社 | 搬送装置、树脂成形装置及树脂成形品的制造方法 |
CN110154300A (zh) * | 2018-02-16 | 2019-08-23 | 山田尖端科技株式会社 | 树脂模制装置以及树脂模制方法 |
CN110154300B (zh) * | 2018-02-16 | 2022-02-11 | 山田尖端科技株式会社 | 树脂模制装置以及树脂模制方法 |
CN114423582A (zh) * | 2019-09-18 | 2022-04-29 | 东和株式会社 | 成型模、树脂成型装置以及树脂成型品的制造方法 |
CN113903682A (zh) * | 2020-06-22 | 2022-01-07 | Towa株式会社 | 树脂成形装置以及树脂成形品的制造方法 |
CN111785698A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-16 | 杭州很美网络科技有限公司 | 一种集成电路封装工艺 |
CN111791421A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-20 | 无锡利普思半导体有限公司 | 适用于塑封功率模块的压缩模具及其塑封方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201340412A (zh) | 2013-10-01 |
KR20130098899A (ko) | 2013-09-05 |
CN103295921B (zh) | 2016-05-04 |
JP2013176874A (ja) | 2013-09-09 |
JP5627619B2 (ja) | 2014-11-19 |
KR101374331B1 (ko) | 2014-03-14 |
TWI513049B (zh) | 2015-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103295921A (zh) | 树脂密封装置以及树脂密封体的制造方法 | |
CN103295975A (zh) | 树脂密封用材料及其制造方法 | |
US10800104B2 (en) | 3D printing device for multiple materials and 3D printing method for multiple materials | |
CN102971127B (zh) | 树脂密封电子器件的制造方法以及电子器件的树脂密封装置 | |
CN104708734B (zh) | 压缩成形装置的树脂材料供给方法及供给机构、以及压缩成形方法及压缩成形装置 | |
CN104550900B (zh) | 激光烧结用粉末、结构物的制造方法及结构物的制造装置 | |
CN103930252A (zh) | 树脂密封装置 | |
CN105562689A (zh) | 一种双向铺粉的粉末基增材制造设备及其铺粉方法 | |
CN102105282A (zh) | 电子部件的压缩成形方法及模具装置 | |
CN102717469A (zh) | 树脂模塑方法、树脂模塑装置和给送处理机 | |
CN105397088A (zh) | 激光烧结和3dp综合的3d打印加工系统及打印方法 | |
US20180345411A1 (en) | Apparatus with a module for the layered manufacture of a product | |
CN104023965B (zh) | 提供有剩余粉状材料回收机构的粉状材料填充设备和旋转压缩成型机 | |
JP2016093909A (ja) | 三次元造形装置 | |
Godec et al. | Introduction to additive manufacturing | |
JP7328024B2 (ja) | 3次元造形装置、立体物の造形方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
KR20190036813A (ko) | 삼차원 프린터 | |
CN110560691A (zh) | 一种粉末床熔融增材制造粉末用量的估算方法 | |
CN110901070A (zh) | 一种3d打印设备及其物料供给搅拌系统 | |
KR20180083087A (ko) | 분말 평탄화도를 측정할 수 있는 3d 프린터 장치 | |
CN204844872U (zh) | 三维打印装置 | |
CN110356005A (zh) | 一种可硫化光固化3d打印系统 | |
US11491726B2 (en) | Method for the treatment of residual thermoplastic powders | |
CN119458664B (zh) | 一种适用于胶料自动化生产的输送线 | |
CN205705326U (zh) | 一种3d打印机耗材自动更换机构及3d打印机 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |