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CN103294296A - 内置式电容触摸面板、显示器及制造方法 - Google Patents

内置式电容触摸面板、显示器及制造方法 Download PDF

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CN103294296A
CN103294296A CN201210350298XA CN201210350298A CN103294296A CN 103294296 A CN103294296 A CN 103294296A CN 201210350298X A CN201210350298X A CN 201210350298XA CN 201210350298 A CN201210350298 A CN 201210350298A CN 103294296 A CN103294296 A CN 103294296A
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CN
China
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black matrix
touch panel
capacitance touch
conducting layer
transparency conducting
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CN201210350298XA
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English (en)
Inventor
周星耀
耀绮君
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
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Publication date
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Priority to PCT/CN2012/084252 priority patent/WO2014043982A1/zh
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Abstract

本发明提供一种内嵌式电容触摸面板、显示器及制造方法，通过将透明导电层的刻缝隐藏在黑矩阵的不透光区域上方和/或同种色阻下方，提高了穿透率一致性，实现刻缝隐藏，避免刻缝图像显示，提高显示效果。

Description

内置式电容触摸面板、显示器及制造方法
技术领域
本发明涉及触摸显示技术领域，尤其涉及一种内置式电容触摸面板、显示器及制造方法。
背景技术
内嵌在液晶显示器(LCD)内部的触摸屏因为可以和彩色滤光片(CF基板)集成在一起，有效的减少了整个显示装置的厚度及简化工艺，因而很受厂商欢迎。如图1和图2所示，内嵌式触摸屏包括彩色滤光片（CF基板）10、黑矩阵11、触摸层12（包括金属网格121、透明导电层122、第一绝缘层123和金属跨桥124）、色阻（R、G、B）13、第二绝缘层14、薄膜晶体管基板（TFT基板）20、TFT基板20上的电路电极21以及液晶层30。黑矩阵11位于CF基板10上，黑矩阵（BM）11上设置有若干可透光区域，与TFT基板20上的。触摸层12上设置有驱动线和感应线，驱动线和感应线纵横交错设置，手指触摸在驱动线和感应线的交点处时产生触控信号。色阻13位于触摸层12上且覆盖黑矩阵11的可透光区域，第二绝缘层14位于色阻13上。
如图2所示，上述结构的内嵌式触摸屏，由于触摸层的驱动走线和触控走线由金属网格121和透明导电层122组成，其中金属网格121可以通过设计被BM遮挡至不可见，而透明导电层122图形的刻缝可能会被人眼观察到，这是由于透明导电层122图形的刻缝开在了像素的所在区域（即可透光区域）。由于光透过有透明导电层122处和无透明导电层122处穿透率不一，导致人眼能觉察。而且对于不同波长，穿透率不一（图3），故R、G、B三色画面看到透明导电层122刻缝明显程度还不一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种内置式电容触摸面板、显示器及制造方法，将透明导电层的刻缝设置在合理位置，实现刻缝隐藏，提高显示效果。
为解决上述问题，本发明提供一种内嵌式电容触摸面板，包括基板以及依次形成在基板上的黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，其中，所述透明导电层的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和/或设置在同种色阻下方。
进一步的，所述排列规律包括：在横向上依次排列R、G、B三种色阻，纵向上排列同种色阻。
进一步的，所纵向上的述黑矩阵不透光区域的线宽为7.0μm~8.0μm。
进一步的，所述横向上的黑矩阵不透光区域的线宽为24.5μm~26.5μm。
进一步的，所述透明导电层的横向刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方，纵向刻缝设置在同种色阻下方。
进一步的，所述透明导电层的横向刻缝线宽为所述横向上的黑矩阵不透光区域的线宽的0.1至0.9倍。进一步的，所述透明导电层横向刻缝线宽为3μm~22μm。
进一步的，所述透明导电层纵向刻缝线宽为一个像素的大小减去所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽至一个像素大小加上所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽。
进一步的，所述透明导电层纵向刻缝线宽为33.5μm~38.5μm。
进一步的，所述的内嵌式电容触摸面板还包括：位于所述黑矩阵和透明导电层之间的金属网格。
进一步的，所述的内嵌式电容触摸面板还包括：位于所述透明导电层和色阻之间的第一绝缘层和金属跨桥。
进一步的，所述的内嵌式电容触摸面板还包括：依次形成于所述色阻上的第二绝缘层和光刻隔垫物。
进一步的，所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、碳纳米管或铝钛共掺杂氧化锌。
本发明还提供一种内嵌式电容触摸显示器，包括上述的内嵌式电容触摸面板。
本发明还提供一种制造上述的内嵌式电容触摸面板的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，所述透明导电层的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和/或设置在同种色阻下方。
与现有技术相比，本发明提供的内嵌式电容触摸面板、显示器及制造方法，通过将透明导电层的刻缝隐藏在黑矩阵的不透光区域上方和/或同种色阻下方，提高了穿透率一致性，实现刻缝隐藏，避免刻缝图像显示，提高显示效果。
附图说明
图1是现有技术中一种内置式电容触摸显示器的剖面结构示意图；
图2是现有技术中ITO作透明导电层时的内置式电容触摸面板示意图；
图3是现有技术中ITO作透明导电层时的对各波长的光的透过率；
图4是本发明实施例一的内置式电容触摸面板示意图；
图5是本发明实施例二的内置式电容触摸面板示意图；
图6是本发明实施例三的内置式电容触摸面板示意图；
图7是本发明实施例四的内置式电容触摸面板示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应认为只是局限在所述的实施例。
实施例一
如图4所示，本实施例提供一种内嵌式电容触摸面板，包括基板20以及依次形成在基板20上的黑矩阵21、透明导电层22以及色阻23，所述黑矩阵21设有多个透光区域，所述色阻23按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵21的透光区域上方，其中，所述透明导电层23的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方。
本实施例中色阻包括R、G、B三种色阻，并且在行方向（横向）上依次排列三种色阻，列方向（纵向）上排列同种色阻。所述黑矩阵的不透光区域可以视作横向黑矩阵和纵向黑矩阵。优选的，所述纵向黑矩阵的线宽（即纵向上黑矩阵不透光区域的线宽）为7.0μm~8.0μm；所述横向黑矩阵的线宽（即横向上黑矩阵不透光区域的线宽）为24.5μm~26.5μm。
本实施例中，所述透明导电层23的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、碳纳米管或铝钛共掺杂氧化锌，其刻缝设置在两行色阻之间的所述黑矩阵的不透光区域，所述透明导电层的刻缝线宽，即横向刻缝线宽，可以设定为横向黑矩阵线宽的0.1至0.9倍，也可以直接设定为3μm~22μm。本实施例的所述透明导电层23通过横向刻缝形成多条横向平行的导电线，可以作为触摸屏的感应线。
优选的，所述的内嵌式电容触摸面板还包括：位于所述黑矩阵21和透明导电层22之间的金属网格（未图示）；位于所述透明导电层22和色阻23之间的第一绝缘层（未图示）和金属跨桥（未图示）以及依次形成于所述色阻23上的第二绝缘层（未图示）和光刻隔垫物（未图示）。
本实施例明还提供一种内嵌式电容触摸显示器，包括上述的内嵌式电容触摸面板。
本实施例还提供一种制造上述的内嵌式电容触摸面板的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，所述透明导电层的刻缝横向设置在所述黑矩阵不透光区域上方。
本实施例提供的内嵌式电容触摸面板、显示器及制造方法，通过将透明导电层的刻缝隐藏在黑矩阵的不透光区域上方，避免了刻缝设置在不同透光区域时光穿透率不一致性，实现刻缝隐藏，避免刻缝图像显示，提高显示效果。
实施例二
如图5所示，本实施例提供一种内嵌式电容触摸面板，包括基板20以及依次形成在基板20上的黑矩阵21、透明导电层22以及色阻23，所述黑矩阵21设有多个透光区域，所述色阻23按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵21的透光区域上方，其中，所述透明导电层23的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方。
本实施例中色阻包括R、G、B三种色阻，并且在行方向（横向）上依次排列三种色阻，列方向（纵向）上排列同种色阻。
所述黑矩阵的不透光区域可以视作横向黑矩阵和纵向黑矩阵。优选的，所述纵向黑矩阵的线宽（即纵向上黑矩阵不透光区域的线宽）为7.0μm~8.0μm；所述横向黑矩阵的线宽（即横向上黑矩阵不透光区域的线宽）为24.5μm~26.5μm。
本实施例中，所述透明导电层23的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、碳纳米管或铝钛共掺杂氧化锌，其刻缝设置在两列色阻之间的所述黑矩阵的不透光区域（即设置在纵向黑矩阵上），所述透明导电层的刻缝线宽，即纵向刻缝线宽，为2μm~6μm。本实施例的所述透明导电层23通过纵向刻缝形成多条纵向平行的导电线，可以作为触摸屏的驱动线。
优选的，所述的内嵌式电容触摸面板还包括：位于所述黑矩阵21和透明导电层22之间的金属网格；位于所述透明导电层22和色阻23之间的第一绝缘层和金属跨桥以及依次形成于所述色阻23上的第二绝缘层和光刻隔垫物。
本实施例明还提供一种内嵌式电容触摸显示器，包括上述的内嵌式电容触摸面板。
本实施例还提供一种制造上述的内嵌式电容触摸面板的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，所述透明导电层的刻缝纵向设置在所述黑矩阵不透光区域上方。
本实施例提供的内嵌式电容触摸面板、显示器及制造方法，通过将透明导电层的刻缝隐藏在黑矩阵的纵向上不透光区域上方，避免了刻缝设置在不同透光区域时光穿透率不一致性，实现刻缝隐藏，避免刻缝图像显示，提高显示效果。本实施例与实施例相比，由于横向上相邻两色阻之间的距离较小，刻缝的设置对面板其他性能的影响较小，但是提高了对工艺精度的要求。
实施例三
如图6所示，本实施例提供一种内嵌式电容触摸面板，包括基板20以及依次形成在基板20上的黑矩阵21、透明导电层22以及色阻23，所述黑矩阵21设有多个透光区域，所述色阻23按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵21的透光区域上方，其中，所述透明导电层23的刻缝设置在同种色阻下方，即同种色阻列下。
本实施例中色阻包括R、G、B三种色阻，并且在行方向（横向）上依次排列三种色阻，列方向（纵向）上排列同种色阻。
所述黑矩阵的不透光区域可以视作横向黑矩阵和纵向黑矩阵。优选的，所述纵向黑矩阵的线宽（即纵向上黑矩阵不透光区域的线宽）为7.0μm~8.0μm；所述横向黑矩阵的线宽（即横向上黑矩阵不透光区域的线宽）为24.5μm~26.5μm。
本实施例中，所述透明导电层23的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、碳纳米管或铝钛共掺杂氧化锌，其刻缝设置在同种色阻列上，所述透明导电层的刻缝线宽（纵向刻缝线宽），即色阻的横向宽度，即为一个像素的大小减去所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽至一个像素大小加上所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽，例如是33.5μm~38.5μm。本实施例的所述透明导电层23通过纵向刻缝形成多条纵向平行的导电线，可以作为触摸屏的驱动线。
优选的，所述的内嵌式电容触摸面板还包括：位于所述黑矩阵21和透明导电层22之间的金属网格；位于所述透明导电层22和色阻23之间的第一绝缘层和金属跨桥以及依次形成于所述色阻23上的第二绝缘层和光刻隔垫物。
本实施例明还提供一种内嵌式电容触摸显示器，包括上述的内嵌式电容触摸面板。
本实施例还提供一种制造上述的内嵌式电容触摸面板的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，所述透明导电层的刻缝纵向设置在同种色阻下方。
本实施例提供的内嵌式电容触摸面板、显示器及制造方法，通过将透明导电层的刻缝在同种色阻下方，避免了光穿透率不一致而引起的刻缝图像显现问题，实现刻缝隐藏，提高显示效果。
实施例四
如图7所示，本实施例提供一种内嵌式电容触摸面板，包括基板20以及依次形成在基板20上的黑矩阵21、透明导电层22以及色阻23，所述黑矩阵21设有多个透光区域，所述色阻23按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵21的透光区域上方，其中，所述透明导电层23的刻缝根据ITO图像的设计，分别设置在所述黑矩阵不透光区域上方和同种色阻下方，即同种色阻列下。
本实施例中色阻包括R、G、B三种色阻，并且在行方向（横向）上依次排列三种色阻，列方向（纵向）上排列同种色阻。
所述纵向黑矩阵的线宽（即纵向上黑矩阵不透光区域的线宽）为7.0μm~8.0μm；所述横向黑矩阵的线宽（即横向上黑矩阵不透光区域的线宽）为24.5μm~26.5μm。
本实施例中，所述透明导电层23的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、碳纳米管或铝钛共掺杂氧化锌，其刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和同种色阻列上，即所述透明导电层的刻缝有纵向刻缝和横向刻缝，其本质上是实施例一、二、三的刻缝的组合。
优选的，所述的内嵌式电容触摸面板还包括：位于所述黑矩阵21和透明导电层22之间的金属网格；位于所述透明导电层22和色阻23之间的第一绝缘层和金属跨桥以及依次形成于所述色阻23上的第二绝缘层和光刻隔垫物。
本实施例明还提供一种内嵌式电容触摸显示器，包括上述的内嵌式电容触摸面板。
本实施例还提供一种制造上述的内嵌式电容触摸面板的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，所述透明导电层的刻缝纵向设置在所述黑矩阵不透光区域上方和同种色阻下方。
本实施例提供的内嵌式电容触摸面板、显示器及制造方法，通过将透明导电层的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和同种色阻下方，避免了光穿透率不一致而引起的刻缝图像显现问题，实现刻缝隐藏，提高显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种内嵌式电容触摸面板，包括基板以及依次形成在基板上的黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，其特征在于，所述透明导电层的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和/或设置在同种色阻下方。
2.如权利要求1所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述排列规律包括：在横向上依次排列R、G、B三种色阻，纵向上排列同种色阻。
3.如权利要求2所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽为7.0μm~8.0μm。
4.如权利要求3所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述横向上的黑矩阵不透光区域的线宽为24.5μm~26.5μm。
5.如权利要求2所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述透明导电层的横向刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方，纵向刻缝设置在同种色阻下方。
6.如权利要求2至5中任一项所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述透明导电层的横向刻缝线宽为所述横向上的黑矩阵不透光区域的线宽的0.1至0.9倍。
7.如权利要求2至5中任一项所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述透明导电层横向刻缝线宽为3μm~22μm。
8.如权利要求2至5中任一项所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述透明导电层纵向刻缝线宽为一个像素的大小减去所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽至一个像素大小加上所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽。
9.如权利要求2至5中任一项所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述透明导电层纵向刻缝线宽为33.5μm~38.5μm。
10.如权利要求1所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，还包括：位于所述黑矩阵和透明导电层之间的金属网格。
11.如权利要求1或10所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，还包括：位于所述透明导电层和色阻之间的第一绝缘层和金属跨桥。
12.如权利要求1所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，还包括：依次形成于所述色阻上的第二绝缘层和光刻隔垫物。
13.如权利要求1所述的内嵌式电容触摸面板，其特征在于，所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、碳纳米管或铝钛共掺杂氧化锌。
14.一种内嵌式电容触摸显示器，其特征在于，包括如权利要求1至13中任一项所述的内嵌式电容触摸面板。
15.一种制造权利要求1至13中任一项所述的内嵌式电容触摸面板的方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成黑矩阵、透明导电层以及色阻，所述黑矩阵设有多个透光区域，所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方，所述透明导电层的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和/或设置在同种色阻下方。
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