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CN103245992A - 1.55～1.75μm透过短波红外滤光片及制备方法 - Google Patents

1.55～1.75μm透过短波红外滤光片及制备方法 Download PDF

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CN103245992A
CN103245992A CN2013101453396A CN201310145339A CN103245992A CN 103245992 A CN103245992 A CN 103245992A CN 2013101453396 A CN2013101453396 A CN 2013101453396A CN 201310145339 A CN201310145339 A CN 201310145339A CN 103245992 A CN103245992 A CN 103245992A
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CN
China
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zns
film
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short
thickness
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Pending
Application number
CN2013101453396A
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English (en)
Inventor
王济洲
熊玉卿
王多书
董茂进
王超
张玲
李晨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lanzhou Institute of Physics of Chinese Academy of Space Technology
Original Assignee
Lanzhou Institute of Physics of Chinese Academy of Space Technology
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Publication date
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Priority to CN2013101453396A priority Critical patent/CN103245992A/zh
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Abstract

本发明涉及1.55～1.75μm通过短波红外滤光片及制备方法，属于表面技术领域。该滤光片包括硅基底、基底两侧的长、短波通膜系；长波通膜系结构为（0.5hl0.5h）^10，中心波长1250nm；短波通膜系结构为（0.5lh0.5l）^10（0.65l1.3h0.65l）^8，中心波长2030nm；h和l分别为硫化锌和氟化钇膜层；通过在真空中加热基底，用离子束轰击基底，用离子束辅助电子枪蒸发法分别在基底两侧沉积所述膜系，冷却后制得。该滤光片在1.55～1.75μm透过率高，0.2～1.45μm和1.95～3.35μm宽截止，膜层数少，可在微型基底两个表面上镀制，满足空间微型组合滤光片的工作要求。

Description

1.55～1.75μm透过短波红外滤光片及制备方法
技术领域
本发明涉及一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片及制备方法，具体地说，涉及一种在1.55～1.75μm谱段具有高透过率，同时在0.20～1.45μm和1.95～3.35μm谱段宽截止的短波红外滤光片；属于表面技术领域。
背景技术
目前遥感探测系统的空间微型组合滤光片中，亟需一种满足以下要求的关键滤光片：（1）在1.55～1.75μm谱段具有高透过率；（2）在0.20～1.45μm和1.95～3.35μm谱段具有抑制光信号的作用，以减少信号噪声的影响；（3）可在低温（80K）下使用；（4）基底尺寸小，基底所有面之间的夹角为直角，不存在倒角，膜层在拼接时不产生起膜或掉膜等膜层质量问题，以满足在所述空间微型组合滤光片中的拼接要求。
目前已有的短波红外滤光片截止宽度相对较窄，未见在1.55～1.75μm谱段具有高透过率，在0.20～1.45μm和1.95～3.35μm谱段宽截止的短波红外滤光片的相关报道；同时，现有的短波红外滤光片主要由高低折射率相差较少的两种氧化物形成，存在膜层数较多以及膜层应力大等特点，因此在微型基底上镀制将出现膜层断裂以及起膜等问题，不能满足在遥感探测系统的空间微型组合滤光片中拼接及低温使用要求。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的之一在于提供一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，所述滤光片在1.55～1.75μm谱段具有高透过率，在0.20～1.4μm和1.95～3.35μm谱段宽截止，具有基底尺寸小、可低温使用、膜层质量好以及可拼接等特点。
本发明的目的之二在于提供一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现。
一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，所述滤光片包括硅基底、硅基底一侧的长波通膜系和硅基底另一侧的短波通膜系；
其中，优选基底长29.5mm，宽1.6mm，厚1.2mm，优选基底的平行度<30″；长波通膜系包括交替叠加的硫化锌（ZnS）膜层和氟化钇（YF3）膜层，长波通膜系的结构为：（0.5hl0.5h）^10，中心波长为1250nm；其中，h为硫化锌膜层，0.5为硫化锌膜层厚度对应基本厚度的系数，0.5h表示硫化锌膜层厚度为0.5个基本厚度，l为氟化钇膜层，1为氟化钇膜层厚度对应基本厚度的系数，l表示氟化钇膜层厚度为1个基本厚度，所述基本厚度为光学厚度中心波长的四分之一，10为基本膜堆（0.5hl0.5h）的周期数。
采用Macleod软件对所述长波通膜系的结构进行优化，得到优选的长波通膜系，如表1所示，其中，层数为1的膜层为长波通膜系的最外层，层数为21的膜层沉积在硅基底上，为长波通膜系的最内层；
表1长波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm
1 ZnS 73.65629
2 YF3 229.0717
3 ZnS 135.0244
4 YF3 211.4819
5 ZnS 142.9307
6 YF3 228.0024
7 ZnS 138.991
8 YF3 233.0341
9 ZnS 138.0123
10 YF3 204.5475
11 ZnS 132.0798
12 YF3 236.6299
13 ZnS 140.2819
14 YF3 227.519
15 ZnS 137.6244
16 YF3 232.0906
17 ZnS 130.8051
18 YF3 181.713
19 ZnS 101.289
20 YF3 203.0133
21 ZnS 137.9793
。
短波通膜系包括交替叠加的硫化锌膜层和氟化钇膜层，短波通膜系的结构为：（0.5lh0.5l）^10（0.65l1.3h0.65l）^8，中心波长为2030nm；其中，h为硫化锌膜层，1和1.3为硫化锌膜层厚度对应基本厚度的系数，h表示硫化锌膜层厚度为1个基本厚度，1.3h表示硫化锌膜层厚度为1.3个基本厚度，l为氟化钇膜层，0.5和0.65为氟化钇膜层厚度对应基本厚度的系数，0.5l表示氟化钇膜层厚度为0.5个基本厚度，0.65l表示氟化钇膜层厚度为0.65个基本厚度；所述基本厚度为光学厚度中心波长的四分之一，10为基本膜堆（0.5lh0.5l）的周期数，8为基本膜堆（0.65l1.3h0.65l）的周期数。
采用Macleod软件对所述短波通膜系的结构进行优化，得到优选的短波通膜系，如表2所示，其中，层数为1的膜层为短波通膜系的最外层，层数为36的膜层沉积在硅基底上，为短波通膜系的最内层；
表2短波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm
1 YF3 166.2788
2 ZnS 242.1661
3 YF3 345.7783
4 ZnS 222.3584
5 YF3 364.0568
6 ZnS 216.6044
7 YF3 341.1178
8 ZnS 228.9187
9 YF3 321.8246
10 ZnS 234.5051
11 YF3 331.8118
12 ZnS 224.5521
13 YF3 337.5272
14 ZnS 212.5605
15 YF3 352.4304
16 ZnS 226.5863
17 YF3 340.2501
18 ZnS 195.706
19 YF3 390.7084
20 ZnS 222.6118
21 YF3 340.3875
22 ZnS 278.1993
23 YF3 479.9087
24 ZnS 320.9897
25 YF3 428.6931
26 ZnS 335.5638
27 YF3 461.8846
28 ZnS 274.8025
29 YF3 437.8232
30 ZnS 352.0753
31 YF3 416.7343
32 ZnS 258.0834
33 YF3 446.8998
34 ZnS 411.6732
35 YF3 411.5987
36 ZnS 351.7283
。
一种本发明所述1.55～1.75μm透过短波红外滤光片的制备方法，所述方法步骤如下：
（1）将干净的基底装入清洁的真空室中，抽真空至≤3×10-5Torr；
（2）将基底加热到200℃，并保持30min；
（3）用离子束轰击清洗基底10min，离子源工作气体为氩气，气体流量为17sccm，离子源型号为霍尔源型的CC-105；
（4）采用离子束辅助的电子枪蒸发法，分别在基底的一侧逐层交替沉积长波通膜系中的硫化锌膜层和氟化钇膜层，在基底的另一侧逐层交替沉积短波通膜系中的硫化锌膜层和氟化钇膜层，直至完成所述膜系的沉积；其中，硫化锌膜层的沉积速率为2.0nm/s，氟化钇膜层的沉积速率为0.8nm/s，离子源工作气体为氩气，气体流量为17sccm，离子源型号为霍尔源型的CC-105，膜层厚度采用石英晶体膜厚控制仪监控；
（5）基底自然冷却至室温，得到一种本发明所述1.55～1.75μm透过短波红外滤光片。
有益效果
1.本发明提供了一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，所述滤光片达到优良技术指标：在1.55～1.75μm谱段具有≥90%的高透过率，同时在0.20～1.45μm和1.95～3.35μm谱段宽截止，截止区域内平均透过率＜1%，可大大改进该谱段滤光片的通带以及截止带的特性，满足遥感探测系统的使用要求；
2.本发明提供了一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，所述滤光片采用高折射率的硫化锌膜层和低折射率的氟化钇交替叠加组成，膜层数较少，膜层厚度能够满足在微型基底（长29.5mm×宽1.6mm×厚1.2mm）两个表面上的镀制要求，所述滤光片满足空间微型组合滤光片拼接、低温（80K）下工作等使用要求；
3.本发明提供了一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，所述滤光片特别适用于空间遥感系统中全光谱相机等的微型组合滤光片；
4.本发明提供了一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片的制备方法，所述方法通过选择适当的制备材料和条件可制得本发明所述的滤光片。
附图说明
图1为实施例1中长波通膜系的理论透射光谱图。
图2为实施例1中短波通膜系的理论透射光谱图。
图3为实施例1制得的滤光片的透射光谱图。
具体实施方式
为了充分说明本发明的特性以及实施本发明的方式，下面给出实施例。
实施例1
一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，所述滤光片包括硅基底、硅基底一侧的长波通膜系和硅基底另一侧的短波通膜系；
其中，所述基底长29.5mm，宽1.6mm，厚1.2mm，平行度<30″；长波通膜系包括交替叠加的硫化锌膜层和氟化钇膜层，中心波长为1250nm，各膜层参数如表1所示，其中，层数为1的膜层为长波通膜系的最外层，层数为21的膜层沉积在硅基底上，为长波通膜系的最内层；
表1长波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm
1 ZnS 73.65629
2 YF3 229.0717
3 ZnS 135.0244
4 YF3 211.4819
5 ZnS 142.9307
6 YF3 228.0024
7 ZnS 138.991
8 YF3 233.0341
9 ZnS 138.0123
10 YF3 204.5475
11 ZnS 132.0798
12 YF3 236.6299
13 ZnS 140.2819
14 YF3 227.519
15 ZnS 137.6244
16 YF3 232.0906
17 ZnS 130.8051
18 YF3 181.713
19 ZnS 101.289
20 YF3 203.0133
21 ZnS 137.9793
。
采用Macleod软件对表1中数据分析可得长波通膜系的理论透射光谱图，如图1所示，显示长波通膜系在0.20～1.45μm谱段宽截止，在1.55～1.75μm谱段具有高透过率。
短波通膜系包括交替叠加的硫化锌膜层和氟化钇膜层，中心波长为2030nm，各膜层参数如表2所示，其中，层数为1的膜层为短波通膜系的最外层，层数为36的膜层沉积在硅基底上，为短波通膜系的最内层；
表2短波通膜系
层数膜层材料 膜层厚度/nm
1YF3 166.2788
2ZnS 242.1661
3YF3 345.7783
4ZnS 222.3584
5YF3 364.0568
6ZnS 216.6044
7YF3 341.1178
8ZnS 228.9187
9YF3 321.8246
10ZnS 234.5051
11YF3 331.8118
12ZnS 224.5521
13YF3 337.5272
14ZnS 212.5605
15YF3 352.4304
16ZnS 226.5863
17YF3 340.2501
18ZnS 195.706
19YF3 390.7084
20ZnS 222.6118
21YF3 340.3875
22ZnS 278.1993
23YF3 479.9087
24ZnS 320.9897
25YF3 428.6931
26 ZnS 335.5638
27 YF3 461.8846
28 ZnS 274.8025
29 YF3 437.8232
30 ZnS 352.0753
31 YF3 416.7343
32 ZnS 258.0834
33 YF3 446.8998
34 ZnS 411.6732
35 YF3 411.5987
36 ZnS 351.7283
。
采用Macleod软件对表2中数据分析可得短波通膜系的理论透射光谱图，如图2所示，显示短波通膜系在1.95～3.35μm谱段宽截止，在1.55～1.75μm谱段具有高透过率。
本实施例所述滤光片采用美国DENTON公司的Intergrity-39全自动光学镀膜机系统进行制备，具体步骤如下：
（1）用吸尘器清除真空室内的杂质，然后用脱脂纱布蘸无水乙醇擦拭干净真空室内壁；用无水丙酮对基底进行微波超声15min，再用无水乙醇对基底进行微波超声15min，然后用脱脂棉将基底擦拭干净，将干净的基底安装到夹具上并快速装入干净的真空室，抽真空至3×10-5Torr；
（2）将基底加热到200℃，并保持30min；
（3）用离子束轰击清洗基底10min，离子源工作气体为氩气，气体流量为17sccm，离子源型号为霍尔源型的CC-105；
（4）用离子束辅助的电子枪蒸发法，按照表1中的数据在基底的一侧逐层交替沉积长波通膜系中的硫化锌膜层和氟化钇膜层；按照表2中的数据在基底的另一侧逐层交替沉积短波通膜系中的硫化锌膜层和氟化钇膜层，完成所述膜系的沉积；
其中，硫化锌膜层的沉积速率为2.0nm/s，氟化钇膜层的沉积速率为0.8nm/s，离子源工作气体为氩气，气体流量为17sccm，离子源型号为霍尔源型的CC-105，膜层厚度采用Inficon IC/5石英晶体膜厚控制仪监控；
（5）基底自然冷却至室温，得到本实施例所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片。
对所述滤光片进行如下性能测试：
（1）采用美国PE公司的Lambda900型号的分光光度计，在测试温度为80K低温环境下，测得所述滤光片的透射光谱如图3所示，用UVWINLAB软件对图3中的谱线进行计算可知，所述滤光片在0.20～1.45μm谱段内的平均透过率为0.09%，在1.95～3.35μm谱段内的平均透过率为0.05%，在1.55～1.75μm谱段内的平均透过率为91.79%。
（2）按照航天部标准“QJ1697-89”中关于膜层表面质量、附着力和环境性的试验要求进行试验，试验结果满足所述标准规定，说明所述滤光片满足空间微型组合滤光片关于1.55～1.75μm谱段高透过率滤光片的光谱及拼接要求。
本发明包括但不限于以上实施例，凡是在本发明的精神和原则之下进行的任何等同替换或局部改进，都将视为在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种55～1.75μm透过短波红外滤光片，其特征在于：所述滤光片包括硅基底、硅基底一侧的长波通膜系和另一侧的短波通膜系；
长波通膜系包括交替叠加的硫化锌和氟化钇膜层，结构为：（0.5hl0.5h）^10，中心波长为1250nm；h为硫化锌膜层，0.5h表示硫化锌膜层厚度为0.5个基本厚度，l为氟化钇膜层，表示氟化钇膜层厚度为1个基本厚度，基本厚度为光学厚度中心波长的四分之一，10为基本膜堆（0.5hl0.5h）的周期数；
短波通膜系包括交替叠加硫化锌和氟化钇膜层，结构为：（0.5lh0.5l）^10（0.65l1.3h0.65l）^8，中心波长为2030nm；h为硫化锌膜层，表示硫化锌膜层厚度为1个基本厚度，1.3h表示硫化锌膜层厚度为1.3个基本厚度，l为氟化钇膜层，0.5l表示氟化钇膜层厚度为0.5个基本厚度，0.65l表示氟化钇膜层厚度为0.65个基本厚度；基本厚度为光学厚度中心波长的四分之一，10为基本膜堆（0.5lh0.5l）的周期数，8为基本膜堆（0.65l1.3h0.65l）的周期数。
2.根据权利要求1所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，其特征在于：基底长29.5mm，宽1.6mm，厚1.2mm，平行度<30″。
3.根据权利要求1或2所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，其特征在于：长波通膜系如表1所示，层数为1的膜层为最外层，层数为21的膜层沉积在硅基底上，为最内层；
表1长波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm 1 ZnS 73.65629 2 YF3 229.0717 3 ZnS 135.0244 4 YF3 211.4819 5 ZnS 142.9307 6 YF3 228.0024 7 ZnS 138.991 8 YF3 233.0341 9 ZnS 138.0123 10 YF3 204.5475 11 ZnS 132.0798 12 YF3 236.6299 13 ZnS 140.2819 14 YF3 227.519 15 ZnS 137.6244 16 YF3 232.0906 17 ZnS 130.8051 18 YF3 181.713 19 ZnS 101.289
20 YF3 203.0133 21 ZnS 137.9793
。
4.根据权利要求1或2所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，其特征在于：短波通膜系如表2所示，层数为1的膜层为最外层，层数为36的膜层沉积在硅基底上，为最内层；
表2短波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm 1 YF3 166.2788 2 ZnS 242.1661 3 YF3 345.7783 4 ZnS 222.3584 5 YF3 364.0568 6 ZnS 216.6044 7 YF3 341.1178 8 ZnS 228.9187 9 YF3 321.8246 10 ZnS 234.5051 11 YF3 331.8118 12 ZnS 224.5521 13 YF3 337.5272 14 ZnS 212.5605 15 YF3 352.4304 16 ZnS 226.5863 17 YF3 340.2501 18 ZnS 195.706 19 YF3 390.7084 20 ZnS 222.6118 21 YF3 340.3875 22 ZnS 278.1993 23 YF3 479.9087 24 ZnS 320.9897 25 YF3 428.6931 26 ZnS 335.5638 27 YF3 461.8846 28 ZnS 274.8025 29 YF3 437.8232 30 ZnS 352.0753 31 YF3 416.7343 32 ZnS 258.0834 33 YF3 446.8998 34 ZnS 411.6732 35 YF3 411.5987 36 ZnS 351.7283
。
5.根据权利要求4所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片，其特征在于：长波通膜系如表1所示，层数为1的膜层为最外层，层数为21的膜层沉积在硅基底上，为最内层；
表1长波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm 1 ZnS 73.65629 2 YF3 229.0717 3 ZnS 135.0244 4 YF3 211.4819 5 ZnS 142.9307 6 YF3 228.0024 7 ZnS 138.991 8 YF3 233.0341 9 ZnS 138.0123 10 YF3 204.5475 11 ZnS 132.0798 12 YF3 236.6299 13 ZnS 140.2819 14 YF3 227.519 15 ZnS 137.6244 16 YF3 232.0906 17 ZnS 130.8051 18 YF3 181.713 19 ZnS 101.289 20 YF3 203.0133 21 ZnS 137.9793
。
6.一种如权利要求1或2所述的1.55～1.75μm透过短波红外滤光片的制备方法，其特征在于：所述制备方法步骤如下：
（1）将干净的基底装入清洁的真空室中，抽真空至≤3×10-5Torr；
（2）将基底加热到200℃，并保持30min；
（3）用离子束轰击清洗基底10min，离子源工作气体为氩气，气体流量为17sccm，离子源型号为霍尔源型的CC-105；
（4）采用离子束辅助的电子枪蒸发法，分别在基底的一侧逐层交替沉积长波通膜系中的硫化锌膜层和氟化钇膜层，在基底的另一侧逐层交替沉积短波通膜系中的硫化锌膜层和氟化钇膜层，直至完成所述膜系的沉积；硫化锌膜层的沉积速率为2.0nm/s，氟化钇膜层的沉积速率为0.8nm/s，离子源工作气体为氩气，气体流量为17sccm，离子源型号为霍尔源型的CC-105，膜层厚度采用石英晶体膜厚控制仪监控；
（5）基底自然冷却至室温，得到一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片。
7.根据权利要求6所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片的制备方法，其特征在于：长波通膜系如表1所示，层数为1的膜层为最外层，层数为21的膜层沉积在硅基底上，为最内层；
表1长波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm 1 ZnS 73.65629 2 YF3 229.0717 3 ZnS 135.0244 4 YF3 211.4819 5 ZnS 142.9307 6 YF3 228.0024 7 ZnS 138.991 8 YF3 233.0341 9 ZnS 138.0123 10 YF3 204.5475 11 ZnS 132.0798 12 YF3 236.6299 13 ZnS 140.2819 14 YF3 227.519 15 ZnS 137.6244 16 YF3 232.0906 17 ZnS 130.8051 18 YF3 181.713 19 ZnS 101.289 20 YF3 203.0133 21 ZnS 137.9793
8.根据权利要求6所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片的制备方法，其特征在于：短波通膜系如表2所示，层数为1的膜层为最外层，层数为36的膜层沉积在硅基底上，为最内层；
表2短波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm 1 YF3 166.2788 2 ZnS 242.1661 3 YF3 345.7783 4 ZnS 222.3584 5 YF3 364.0568 6 ZnS 216.6044 7 YF3 341.1178 8 ZnS 228.9187 9 YF3 321.8246 10 ZnS 234.5051 11 YF3 331.8118 12 ZnS 224.5521
13 YF3 337.5272 14 ZnS 212.5605 15 YF3 352.4304 16 ZnS 226.5863 17 YF3 340.2501 18 ZnS 195.706 19 YF3 390.7084 20 ZnS 222.6118 21 YF3 340.3875 22 ZnS 278.1993 23 YF3 479.9087 24 ZnS 320.9897 25 YF3 428.6931 26 ZnS 335.5638 27 YF3 461.8846 28 ZnS 274.8025 29 YF3 437.8232 30 ZnS 352.0753 31 YF3 416.7343 32 ZnS 258.0834 33 YF3 446.8998 34 ZnS 411.6732 35 YF3 411.5987 36 ZnS 351.7283
。
9.根据权利要求8所述的一种1.55～1.75μm透过短波红外滤光片的制备方法，其特征在于：长波通膜系如表1所示，层数为1的膜层为最外层，层数为21的膜层沉积在硅基底上，为最内层；
表1长波通膜系
层数 膜层材料 膜层厚度/nm 1 ZnS 73.65629 2 YF3 229.0717 3 ZnS 135.0244 4 YF3 211.4819 5 ZnS 142.9307 6 YF3 228.0024 7 ZnS 138.991 8 YF3 233.0341 9 ZnS 138.0123 10 YF3 204.5475 11 ZnS 132.0798 12 YF3 236.6299 13 ZnS 140.2819 14 YF3 227.519 15 ZnS 137.6244 16 YF3 232.0906 17 ZnS 130.8051
18 YF3 181.713 19 ZnS 101.289 20 YF3 203.0133 21 ZnS 137.9793
。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105487156A (zh) * 2015-12-30 2016-04-13 杭州麦乐克电子科技有限公司 应用于中波红外成像的红外滤光片
CN109143440A (zh) * 2018-11-05 2019-01-04 无锡泓瑞航天科技有限公司 3.50～3.90μm中波红外微型滤光片及其制备方法
CN109164528A (zh) * 2018-11-05 2019-01-08 无锡泓瑞航天科技有限公司 五通道多色滤光片的光学膜层制备方法
CN109212647A (zh) * 2018-10-31 2019-01-15 天津津航技术物理研究所 一种通带可调超宽带截止滤光片
CN109655954A (zh) * 2019-03-05 2019-04-19 浙江水晶光电科技股份有限公司 滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备
CN111061001A (zh) * 2019-12-26 2020-04-24 兰州空间技术物理研究所 一种480～580nm透过可见光滤光片及制备方法
CN114063280A (zh) * 2021-11-19 2022-02-18 天津津航技术物理研究所 一种用于非平面透镜的宽角谱带通滤光薄膜结构及设计方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003515196A (ja) * 1999-11-26 2003-04-22 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 熱フィルタおよびこのフィルタの製造方法
CN102323630A (zh) * 2011-08-23 2012-01-18 杭州科汀光学技术有限公司 一种宽带反热多层膜
CN202275172U (zh) * 2012-03-12 2012-06-13 杭州麦乐克电子科技有限公司 8000到14000纳米带通红外滤光片

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003515196A (ja) * 1999-11-26 2003-04-22 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 熱フィルタおよびこのフィルタの製造方法
CN102323630A (zh) * 2011-08-23 2012-01-18 杭州科汀光学技术有限公司 一种宽带反热多层膜
CN202275172U (zh) * 2012-03-12 2012-06-13 杭州麦乐克电子科技有限公司 8000到14000纳米带通红外滤光片

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨坤等: "《红外探测器光学系统滤光膜的研制》", 《红外与激光工程》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105487156A (zh) * 2015-12-30 2016-04-13 杭州麦乐克电子科技有限公司 应用于中波红外成像的红外滤光片
CN109212647A (zh) * 2018-10-31 2019-01-15 天津津航技术物理研究所 一种通带可调超宽带截止滤光片
CN109212647B (zh) * 2018-10-31 2021-05-11 天津津航技术物理研究所 一种通带可调超宽带截止滤光片
CN109143440A (zh) * 2018-11-05 2019-01-04 无锡泓瑞航天科技有限公司 3.50～3.90μm中波红外微型滤光片及其制备方法
CN109164528A (zh) * 2018-11-05 2019-01-08 无锡泓瑞航天科技有限公司 五通道多色滤光片的光学膜层制备方法
CN109655954A (zh) * 2019-03-05 2019-04-19 浙江水晶光电科技股份有限公司 滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备
CN109655954B (zh) * 2019-03-05 2024-04-16 浙江水晶光电科技股份有限公司 滤光片及其制备方法、指纹识别模组及电子设备
CN111061001A (zh) * 2019-12-26 2020-04-24 兰州空间技术物理研究所 一种480～580nm透过可见光滤光片及制备方法
CN114063280A (zh) * 2021-11-19 2022-02-18 天津津航技术物理研究所 一种用于非平面透镜的宽角谱带通滤光薄膜结构及设计方法
CN114063280B (zh) * 2021-11-19 2024-02-09 天津津航技术物理研究所 一种用于非平面透镜的宽角谱带通滤光薄膜结构及设计方法

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