[go: up one dir, main page]

CN103189979A - 补偿封装电感的可调谐电容器电路 - Google Patents

补偿封装电感的可调谐电容器电路 Download PDF

Info

Publication number
CN103189979A
CN103189979A CN2011800519446A CN201180051944A CN103189979A CN 103189979 A CN103189979 A CN 103189979A CN 2011800519446 A CN2011800519446 A CN 2011800519446A CN 201180051944 A CN201180051944 A CN 201180051944A CN 103189979 A CN103189979 A CN 103189979A
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitor
ground connection
circuit
tunable
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800519446A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103189979B (zh
Inventor
B·闵
D-W·吴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN103189979A publication Critical patent/CN103189979A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103189979B publication Critical patent/CN103189979B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00—Continuous tuning
    • H03J3/20—Continuous tuning of single resonant circuit by varying inductance only or capacitance only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J1/00—Details of adjusting, driving, indicating, or mechanical control arrangements for resonant circuits in general
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J2200/00—Indexing scheme relating to tuning resonant circuits and selecting resonant circuits
    • H03J2200/10—Tuning of a resonator by means of digitally controlled capacitor bank

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

公开了用于补偿封装电感的集成电路（IC）。第一接地焊盘被直接连接到片上接地节点。第二IC接地焊盘经由可调谐电容器电路连接到该片上接地节点，其中该可调谐电容器电路的电容与该封装电感在该IC的工作频率处谐振。

Description

补偿封装电感的可调谐电容器电路
技术领域
本公开一般性涉及用于通信系统的电子设备。具体而言，本公开涉及补偿封装电感的可调谐电容器电路。
背景
电子设备（蜂窝电话、无线调制解调器、计算机、数字音乐播放器、全球定位系统单元、个人数字助理、游戏设备等）已成为日常生活的一部分。小型计算设备如今被放置在从汽车到住房用锁等各种事物中。在过去的几年里电子设备的复杂度有了惊人的上升。例如，许多电子设备具有一个或更多个帮助控制该设备的处理器，以及支持该处理器及该设备的其他部件的数个数字电路。
无线通信系统被广泛部署以提供诸如语音、视频、数据等各种类型的通信内容。这些系统可以是能够支持多个无线通信设备与一个或更多个基站的同时通信的多址系统。
为了无线信号在无线通信网络上的正确接收和传送，无线通信设备可使用一个或更多个射频（RF）通信电路。无线通信设备和/或无线通信系统规范可能要求在无线通信设备内生成的信号的振幅满足某些要求同时还保持高可靠性水平。另外，无线通信设备可使用电池工作。因此，可通过向RF电路提供改善来实现效益。
概述
公开了用于补偿封装电感的集成电路（IC）。第一接地焊盘被直接连接到片上（on-chip）接地节点。第二IC接地焊盘经由可调谐电容器电路连接到该片上接地节点，其中该可调谐电容器电路的电容与该封装电感在该IC的工作频率处谐振。
在一个配置中，印刷电路板（PCB）接地节点可被连接到该第一集成电路（IC）焊盘和该第二IC焊盘，并且该封装电感来自于该第二IC焊盘和该PCB接地节点之间的连接。当可调谐电容器电路与封装电感谐振时，片上接地在该集成电路的工作频率处的阻抗可比没有可调谐电容器电路的情况要低。
该可调谐电容器电路可包括与开关电容器并联的固定电容器。该开关电容器可包括与电容器串联的开关，并且该开关可操作以基于控制电压来在可调谐电容器排中纳入或排除该电容器的电容。
在一种配置中，该开关可以是晶体管。而且，该开关可以是n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。该可调谐电容器电路可包括彼此并联并且与固定电容器并联的多个开关电容器。这些开关电容器中的电容器的电容可根据二进制比特递增来增大并且这些开关电容器中的晶体管的“接通”电阻根据二进制比特递增来增大。
还公开了一种用于补偿封装电感的装置。该装置包括直接连接到片上接地节点的第一集成电路（IC）接地焊盘。该装置还包括经由可调谐电容器电路连接到该片上接地节点的第二IC接地焊盘，并且该可调谐电容器电路的电容与该封装电感在该IC的工作频率处谐振。
还公开了一种用于补偿封装电感的设备。该设备包括用于连接集成电路（IC）的第一装置，该第一装置被直接连接到片上接地节点。该设备还包括用于连接IC的第二装置，该第二装置经由可调谐电容性装置连接到该片上接地节点，其中该可调谐电容性装置的电容与封装电感在该IC的工作频率处谐振。
还公开了一种用于补偿封装电感的方法。将第一集成电路（IC）焊盘直接连接到片上接地节点。将第二IC焊盘经由可调谐电容器电路连接到该片上接地节点，并且该可调谐电容器电路的电容与封装电感在该IC的工作频率处谐振。
附图简述
图1是解说无线通信系统的框图；
图2是解说补偿封装电感的可调谐电容器电路的框图；
图3是解说补偿封装电感的可调谐电容器电路的电路图；
图4a是解说具有单个片上接地到印刷电路板（PCB）接地连接的电路的电路图，该电路不包括补偿封装电感的可调谐电容器电路；
图4b是解说在片上接地和PCB接地之间具有双重连接的电路的一种配置的电路图；
图5是解说阻抗作为RF电路的片上接地的工作频率的函数的标绘图；
图6是解说可结合PCB接地来补偿寄生电感的电路的电路图；
图7是解说可使用补偿封装电感的可调谐电容器电路的RF放大器的电路图；
图8是解说可使用补偿封装电感的可调谐电容器电路的发射/接收开关的电路图；
图9是解说一种用于使用与封装电感谐振的片上可调谐电容器电路来补偿IC接地连接的封装电感的方法的流程图；
图10解说了基站内可包括的某些组件；以及
图11解说了无线通信设备内可包括的某些组件。
具体描述
图1是解说无线通信系统100的框图。基站102可与一个或更多个无线通信设备104通信。基站102还可被称为接入点、广播发射机、B节点、演进B节点等，并且可包括其功能性的部分或全部。每个基站102可提供对特定地理区域的通信覆盖。
无线通信设备104可被称为终端、接入终端、用户装备（UE）、移动设备、订户单元、站等，并且可包括其功能性的部分或全部。无线通信设备104可以是蜂窝电话、个人数字助理（PDA）、无线设备、无线调制解调器、手持式设备、膝上型计算机等。无线通信设备104在任何给定时刻可使用天线在下行链路（DL）108和/或上行链路（UL）106上与零个、一个、或多个基站102通信。下行链路108（或即前向链路）是指从基站102至无线通信设备104的通信链路，而上行链路106（或即反向链路）是指从无线通信设备104至基站102的通信链路。
无线通信设备104和基站102可具有一个或更多个射频（RF）集成电路（IC）110a-b。例如，RF集成电路110a-b可以是RF放大器或RF发射/接收开关。RF集成电路110a-b可在附接到印刷电路板（PCB）114a-b的RF集成电路封装112a-b中。当RF集成电路封装112a-b被添加到印刷电路板114b上时，会期望在IC接地焊盘和PCB接地之间有“良好”的接地连接，即，该IC接地焊盘和该PCB接地之间的连接在工作频率处引入很少或不引入芯片侧阻抗。可使用线接合或倒装芯片方法来将该IC接地焊盘连接到该PCB接地。然而，这两种连接类型均会产生与RF集成电路110a-b的工作频率成比例地增加接地阻抗的某种寄生电感。该接地阻抗会降低RF放大器中的功率增益。诸如发射/接收开关之类的RF开关可因接地电感而具有低RF隔离性。因此，会期望以使IC接地焊盘到PCB接地连接的寄生电感的阻抗最小化的方式来使该PCB接地延伸到RF集成电路110a-b。换言之，会期望使接地电感效应最小化并且期望考虑到电感变动性。
无线通信系统100可以是能够通过共享可用系统资源（例如，带宽和发射功率）来支持与多个用户通信的多址系统。此类多址系统的示例包括码分多址（CDMA）系统、时分多址（TDMA）系统、频分多址（FDMA）系统、正交频分多址（OFDMA）系统、以及空分多址（SDMA）系统。
图2是解说补偿封装电感230的可调谐电容器电路220的框图。如前，包括RF集成电路210的集成电路封装212可被连接到印刷电路板214。RF集成电路210可包括RF电路元件224，例如，晶体管、电阻器、电容器、等。例如，这些RF电路元件224可组合以形成RF放大器、RF发射/接收开关、或使用射频来工作的另一类型的电路。本系统和方法可以是可调谐的并且被实现在芯片侧上，即，不对PCB进行修改。在一种配置中，本系统和方法可不以要求偏置二极管或负电压偏置。
从集成电路210到PCB214的强接地连接可使封装电感230（即，IC接地焊盘216a-b和PCB接地218之间的电感）最小化。随着IC芯片210尺寸增大并且IC210的工作频率提高，（从IC接地焊盘216a-b到PCB接地218的）封装电感230可更显著地使IC210性能降格。本系统和方法可使用片上接地222和诸IC接地焊盘216之一之间的可调谐电容器电路220来补偿接地连接的封装电感230。该可调谐电容器电路220可包括操作以产生特定电容的多个开关电容器。可使用开关来在RF集成电路210中纳入或排除可调谐电容器电路220中的这些电容器，例如，每个电容器可与将该电容器切进或切出RF集成电路210的晶体管串联。
封装电感230可取决于IC接地焊盘216a-b和PCB接地218之间的连接类型（例如接合线或倒装芯片凸块）有0.3nH至2nH的变动性。RF电路接地的该封装电感230可对电路性能有负面影响。例如，RF放大器中的该接地电感、或封装电感230可降低功率增益和稳定性余裕。诸如发射/接收开关之类的RF开关可因接地电感而具有低RF隔离性。另外，封装电感230部分地因封装工艺中的显著工艺变动而可能是不可预测的。
图3是解说补偿封装电感的可调谐电容器电路300的电路图。电路300可包括用于从片上接地322到PCB接地318a-b的连接的两个集成电路（IC）焊盘316a-b。第一IC焊盘316a可被直接连接到PCB接地318a，即，形成直流（DC）路径326。第二IC焊盘316b可通过一个或更多个电容器320来连接到PCB接地318b以形成射频（RF）路径328。DC路径326可包括第一封装电感L1330a，并且RF路径328可包括第二封装电感L2 330b。尽管被示为单个电容器C0320，但是该电容可由例如开关电容器排等的可调谐电容器产生。片上电容器（C0）320可被选择成根据式(1)在工作频率（w0）处与第二封装电感L2330b谐振：
C 0 = 1 ( L 2 * w 0 2 ) - - - ( 1 )
可由式(2)来描述片上接地322通过RF路径328的阻抗：
Z 0 = jwL 2 + 1 jw C 0 = j ( w - w 0 2 w ) * L 2 - - - ( 2 )
因此，片上接地322在集成电路的工作频率（w0）处的阻抗Z0可为零，即，片上接地322在工作频率（w0）处变成理想接地。
图4a是解说具有单个片上接地422a到印刷电路板（PCB）接地418a连接的电路438的电路图，该电路438不包括补偿封装电感的可调谐电容器电路的。换言之，IC接地焊盘可使用线接合或倒装芯片凸块来连接到PCB接地418a，这会引入第一寄生电感（L1）434a。取决于所使用的连接类型，第一电感（L1）434a的可能值可以是0.3nH至2nH。该连接可包括连接负载432a。连接负载432a可代表接地阻抗，即，其可被视为是图2中解说的RF电路元件的简化模型。在没有补偿封装电感的可调谐电容器电路的情况下，该连接在工作频率（例如，2.4GHz）处的阻抗可以是相对高的。换言之，该连接在不具有可调谐电容器电路的情况下在工作频率处可具有比具有可调谐电容器电路的情况高的阻抗。芯片侧阻抗会随工作频率线性地升高。
图4b是解说在片上接地422b和PCB接地418b-c之间具有双重连接的电路440的一种配置的电路图。该电路440可包括连接负载432b、RF路径428和DC路径426。连接负载432b可代表接地阻抗，即，其可被视为是图2中解说的RF电路元件的简化模型。电路440可包括补偿封装电感的可调谐电容器电路，即，电容420可在IC的工作频率处与RF路径428中的第二电感（L2）434b谐振。这可降低片上接地422b阻抗。电容420可用包括一个或更多个晶体管的可调谐电容器电路来产生。用来产生电容420的晶体管开关的电阻被建模成RF路径428中的电阻器436。由此，当电容420在该IC的工作频率处与RF路径428中的第二电感（L2）434b谐振时，对工作频率的阻抗可比没有电容420的情况下的阻抗低。而且，DC路径426可对DC信号呈现相对低的阻抗，不管DC路径426中的第三电感（L3）434c如何。取决于所使用的连接类型，第二电感（L2）434b和第三电感（L3）424c的可能值可以是0.3nH至2nH。电容420和电阻器436的可能值可以分别是9pF和1欧姆。
图5是解说阻抗作为RF电路的片上接地的工作频率的函数的标绘图。具体而言，单连接电路标绘538可对应于图4A中解说的单连接电路438。类似地，双重连接电路标绘540可对应于图4中解说的双重连接电路440。对于这些标绘，封装电感434a-c被建模为0.5nH并且电阻436被建模为1欧姆。单连接电路标绘538的阻抗可随工作频率线性地升高。接地连接在工作频率（例如，2.4GHz）541处的阻抗可以是大约7.54欧姆。相反，双重连接电路标绘540的阻抗可能并不线性升高，但是可在大约工作频率（例如，2.4GHz）541处谐振，由此将片上接地在工作频率541处的阻抗减小到大约1.076欧姆。该谐振可由RF路径428中的电容420引起。在此意义上，电容器排可被调谐到工作频率541，即，在工作频率541处引起低片上接地阻抗。而且，对DC信号（例如，0Hz）的阻抗可以是0欧姆，或接近0欧姆。
图6是解说与PCB接地618a-b连接着的可补偿寄生电感的电路640的电路图。电路640可包括从片上接地622到第一IC焊盘616a且随后到PCB接地618a的直接路径，由此引入第一封装电感（L1）630a。电路640还可包括将片上接地通过一个或更多个电容器连接到第二IC焊盘616b、且随后连接到PCB接地618b的路径，由此引入第二封装电感（L2）630b。该直接连接可为片上接地622提供DC路径626，并且通过诸电容器的连接可提供RF路径628。
电路640可包括可调谐电容器电路641。第一电容器（C0）620可与可调谐电容器电路641中的一个或更多个开关电容器642a-d并联。第一电容器（C0）620可以不是开关电容器，以便使谐振品质（Q）因数最大化。第一开关电容器C642a可与第二开关电容器2C642b、第三开关电容器4C642c、和第四开关电容器8C642d并联，其中“2C”指示为“C”的两倍大且为“4C”的一半大的电容，即，开关电容器642的值可使用二进制比特递增来增大。换言之，这些电容器可被线性缩放以将RF路径628中包括的电容从C0620调谐到C0+15C。由此，RF路径628的有效电容可以是可调谐的。
RF路径628的有效电容（Ceff）可被选择成使其根据式(3)在工作频率（w0）处与第二封装电感（L2）630b谐振：
C eff = 1 L 2 * w 0 2 - - - ( 3 )
可随后根据式(4)给出片上接地622的阻抗（Z0）：
Z 0 = / [ 1 jwL 1 + 1 jwL 2 + 1 / jw C eff ] = 1 / [ 1 jwL 1 + 1 j ( w - w 0 2 / w ) L 2 ] - - - ( 4 )
因此，阻抗（Z0）在工作频率（w0）处可以是零（理想接地），或接近于零。有效电容（Ceff）可以是可调谐的以考虑到封装电感可能是不可预测的并且会随封装工艺变动而变动这一事实。同样，可调谐电容器电路641可补偿片上电容器的IC工艺变动。为了使谐振品质因数最大化，电容器（C0）620可不具有晶体管开关。而且，由晶体管添加到电路上的等效电阻可由该晶体管的大小来控制，例如，随沟道宽度上升，电阻下降。由此，晶体管644的大小可随电容器642一起缩放。
开关电容器642中的每个开关电容器可与晶体管644a-d串联，即，第一开关电容器C642a与第一晶体管X644a串联，第二开关电容器2C642b与第二晶体管2X644b串联，第三开关电容器4C642c与第三晶体管4X644c串联，并且第四开关电容器8C642d与第四晶体管8X644d串联。如用来描述晶体管644的，术语“2X”指示添加到电路540上的为“X”的两倍且为“4X”的一半的等效“接通”电阻。晶体管644可以是n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。晶体管644可操作以基于其各自的控制电压648a-d来在RF路径628中纳入或排除电容。每个晶体管644可使用电阻器来被偏置，即，第一电阻器646a用来使第一晶体管644a从第一控制电压（V0）648a发生偏置，第二电阻器646b用来使第二晶体管644b从第二控制电压（V1）648b发生偏置，第三电阻器646c用来使第三晶体管644c从第三控制电压（V2）648c发生偏置，并且第四电阻器646d用来使第四晶体管644d从第四控制电压（V3）648d发生偏置。这些控制电压648a-d可在工厂校准期间或在系统校准期间设置以达成来自电路640的最佳性能。
图7是解说可使用补偿封装电感的可调谐电容器电路641的RF放大器750的电路图。RF放大器750可接收RF输入信号752并且输出RF输出信号754。RF输出信号754可以是RF输入信号752的经放大版本。可在第一晶体管756和第二晶体管758的栅极接收RF输入信号752。这些晶体管可以是n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。第一晶体管756的漏极可被连接到第一IC焊盘762，第一IC焊盘762连接到电源电压（Vdd）760。第一晶体管756的源极和第二晶体管758的漏极可被连接以产生RF输出信号754。第二晶体管758的源极可被连接到片上接地722节点。
片上接地722可连接到第二IC焊盘716。当第二IC焊盘716连接到PCB接地718时，接地封装电感730可被引入到RF放大器750。该接地电感730会降低RF放大器750的功率增益和稳定性余裕。因此，在一种配置中，可调谐电容器电路641可被引入到RF放大器750以补偿接地封装电感730。这可能需要添加第三IC焊盘（未示出），其也连接到PCB接地718以允许DC路径626和RF路径628。可调谐电容器电路641可被调谐成包括在C0和C0+15C之间某处的电容。随着接地连接变得更理想，RF路径628在工作频率处的阻抗可降低并且RF放大器750的增益可提高。因此，调谐过程可包括将可调谐电容器电路641的电容调节到产生最高可能增益的值。
图8是解说可使用补偿封装电感的可调谐电容器电路641的发射/接收开关864的电路图。开关864可包括呈交叉耦合配置的四个晶体管。在一种配置中，第一晶体管866的栅极和第四晶体管872的栅极可经由第一电阻器874和第四电阻器880来连接到发射控制信号882。第二晶体管868的栅极和第三晶体管870的栅极可经由第二电阻器876和第三电阻器878来连接到接收控制信号884。第一晶体管866和第二晶体管868的漏极可被连接到与一个或更多个天线888通信的IC焊盘886。第一晶体管866的源极和第三晶体管870的漏极可与发射机890通信，而第二晶体管868的源极和第四晶体管872的漏极可与接收机892通信。第三晶体管870和第四晶体管872的源极可被连接到片上接地822。
片上接地822可连接到第二IC焊盘816。当第二IC焊盘816连接到PCB接地818时，接地封装电感830会被引入到发射/接收开关864。该接地封装电感830会引起低RF隔离性。因此，在一种配置中，可调谐电容器电路641可被引入到发射/接收开关864以补偿接地封装电感830。这可能需要添加第三IC焊盘（未示出），其也连接到PCB接地818以允许DC路径626和RF路径628。可调谐电容器电路641可被调谐成包括在C0和C0+15C之间某处的电容。随着接地连接变得更理想，RF路径628在工作频率处的阻抗可降低并且发射/接收开关864中的RF隔离性可提高。因此，此调谐过程可包括将可调谐电容器电路641的电容调节到产生最高可能的RF隔离性的值。
图9是解说一种用于使用与封装电感谐振的片上可调谐电容器电路641来补偿IC接地连接的封装电感的方法900的流程图。可使用图6中解说的电路640来执行该方法900。电路640可将第一集成电路（IC）焊盘616a直接连接（994）到片上接地节点622。电路640还可将第二IC焊盘616b通过可调谐电容器电路641连接（996）到片上接地节点622。可使用一个或更多个控制信号648来调谐可调谐电容器电路641，其中每个控制信号648控制例如晶体管644等的一开关。这些开关可操作以将特定电容纳入在电路640中，即，将C0和C0+15C之间的电容纳入在电路640的RF路径628中。这些控制信号648可在工厂校准期间设置以得到诸如RF放大器或发射/接收开关之类的较大电路中的最佳性能。作为替换，控制信号648可在系统校准期间设置，例如，控制信号648可就在IC被使用的紧前确定或周期性地在IC空闲时确定。电路640还可将PCB接地节点618连接（998）到第一IC焊盘616a（例如，以形成DC路径626）和第二IC焊盘616b（例如，以形成RF路径628）。该电路可执行（999）校准过程来为调谐可调谐电路的诸控制信号648确定一个或更多个最佳值。可就在IC被使用的前一刻或周期性地在空闲时段期间执行（999）该校准过程。换言之，该校准可在IC被售卖之前在工厂处执行（工厂校准）或由用户周期性地执行（自校准）。
图10解说了基站1002内可包括的某些组件。可类似于图10中示出的基站1002地配置基站102或如前讨论的通信设备。还应注意，基站1002可以是本文中所术语化的通信设备。
基站1002包括处理器1049。处理器1049可以是通用单芯片或多芯片微处理器（例如，ARM）、专用微处理器（例如，数字信号处理器（DSP））、微控制器、可编程门阵列等。处理器1049可被称为中央处理单元（CPU）。尽管在图10的基站1002中仅示出了单个处理器1049，但在替换配置中，可使用处理器的组合（例如，ARM与DSP的组合）。
基站1002还包括与处理器1049处于电子通信中的存储器1033（即，处理器1049可从/向存储器1033读信息和/或写信息）。存储器1033可以是能够存储电子信息的任何电子组件。存储器1033可以是随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、磁盘存储介质、光学存储介质、RAM中的闪存设备、随处理器包括的板载存储器、可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除PROM（EEPROM）、寄存器等等，包括其组合。
数据1035和指令1037可被存储于存储器1033中。指令1037可包括一个或更多个程序、例程、子例程、函数、规程等。指令1037可包括单个计算机可读语句或许多计算机可读语句。指令1037可以是处理器1049可执行的以实现结合接入点102、基站或通信设备所公开的方法。执行指令1037可涉及对存储于存储器1033中的数据1035的使用。图10示出了一些指令1037a和数据1035a正被加载到处理器1049中。
基站1002还可包括发射机1045和接收机1047，以允许基站1002与远程位置之间进行信号发射和接收。发射机1045和接收机1047可被合称为收发机1043。天线1041可电耦合至收发机1043。基站1002还可包括（未示出）多个发射机、多个接收机、多个收发机和/或多个天线。
基站1002的各种组件可由一条或更多条总线耦合在一起，总线可包括电源总线、控制信号总线、状态信号总线、数据总线等。为简单化起见，图10中将各种总线解说为总线系统1039。
图11解说了无线通信设备1122内可包括的某些组件。可类似于图11中示出的无线通信设备1122地配置图1中的无线通信设备104。无线通信设备1122的示例包括蜂窝电话、手持式无线设备、无线调制解调器、膝上型计算机、个人计算机等。
无线通信设备1122包括处理器1167。处理器1167可以是通用单芯片或多芯片微处理器（例如，ARM）、专用微处理器（例如，数字信号处理器（DSP））、微控制器、可编程门阵列等。处理器1167可被称为中央处理单元（CPU）。尽管在图11的无线通信设备1122中仅示出了单个处理器1167，但在替换配置中，可使用处理器的组合（例如，ARM与DSP的组合）。
无线通信设备1122还包括与处理器1167处于电子通信中的存储器1151（即，处理器1167可从/向存储器1151读信息和/或写信息）。存储器1151可以是能够存储电子信息的任何电子组件。存储器1151可以是随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、磁盘存储介质、光学存储介质、RAM中的闪存设备、随处理器包括的板载存储器、可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除PROM（EEPROM）、寄存器等等，包括其组合。
数据1153和指令1155可被存储于存储器1151中。指令1155可包括一个或更多个程序、例程、子例程、函数、规程等。指令1155可包括单个计算机可读语句或许多计算机可读语句。指令1155可由处理器1167执行以实现以上结合接入终端122所描述的方法。执行指令1155可涉及对存储于存储器1151中的数据1153的使用。图11示出了一些指令1155a和数据1153a正被加载到处理器1167中。
无线通信设备1122还可包括发射机1163和接收机1165，以允许能在无线通信设备1122与远程位置之间进行信号的发射和接收。发射机1163和接收机1165可被合称为收发机1161。天线1126可电耦合至收发机1161。无线通信设备1122还可包括（未示出）多个发射机、多个接收机、多个收发机和/或多个天线。
无线通信设备1122的各种组件可由一条或更多条总线耦合在一起，总线可包括电源总线、控制信号总线、状态信号总线、数据总线等。为简单化起见，图11中将各种总线解说为总线系统1157。
术语“确定”广泛涵盖各种各样的动作，并且因此“确定”可包括演算、计算、处理、推导、调研、查找（例如，在表、数据库或其他数据结构中查找）、探明、和类似动作。另外，“确定”还可包括接收（例如，接收信息）、访问（例如，访问存储器中的数据）、和类似动作。另外，“确定”还可包括解析、选择、选取、建立、和类似动作。
除非明确另行指出，否则短语“基于”并非意味着“仅基于”。换言之，短语“基于”描述“仅基于”和“至少基于”两者。
术语“处理器”应被宽泛地解读为涵盖通用处理器、中央处理单元（CPU）、微处理器、数字信号处理器（DSP）、控制器、微控制器、状态机，等等。在某些情景下，“处理器”可以是指专用集成电路（ASIC）、可编程逻辑器件（PLD）、现场可编程门阵列（FPGA），等等。术语“处理器”可以是指处理设备的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协作的一个或多个微处理器、或任何其他这类配置。
术语“存储器”应被宽泛地解读为涵盖能够存储电子信息的任何电子组件。术语存储器可以是指各种类型的处理器可读介质，诸如随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、非易失性随机存取存储器（NVRAM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦式可编程只读存储器（EPROM）、电可擦式PROM（EEPROM）、闪存、磁或光学数据存储、寄存器等等。如果处理器能从存储器读信息和/或向存储器写信息，则认为该存储器与该处理器正处于电子通信中。整合到处理器的存储器与该处理器处于电子通信中。
术语“指令”和“代码”应被宽泛地解读为包括任何类型的（诸）计算机可读语句。例如，术语“指令”和“代码”可以是指一个或更多个程序、例程、子例程、函数、规程等。“指令”和“代码”可包括单条计算机可读语句或许多条计算机可读语句。
本文中所描述的功能可以在硬件、软件、固件、或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令存储在计算机可读介质上。术语“计算机可读介质”或“计算机程序产品”是指能由计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘储存、磁盘储存或其他磁储存设备、或任何其他能够用于携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能由计算机访问的介质。如本文中所使用的盘（disk）和碟（disc）包括压缩碟（CD）、激光碟、光碟、数字多用碟（DVD）、软盘和蓝光
Figure BDA00003111075000131
碟，其中盘常常磁性地再现数据，而碟用激光来光学地再现数据。
软件或指令还可以在传输介质上传送。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线（DSL）、或诸如红外、无线电、以及微波等无线技术从web站点、服务器或其它远程源传送而来的，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波等无线技术就被包括在传输介质的定义里。
本文所公开的方法包括用于达成所描述的方法的一个或多个步骤或动作。这些方法步骤和/或动作可以彼此互换而不会脱离权利要求的范围。换言之，除非所描述的方法的正确操作要求步骤或动作的特定次序，否则便可改动具体步骤和/或动作的次序和/或使用而不会脱离权利要求的范围。
进一步，还应领会，用于执行本文中所描述的（诸如图9所解说那些）方法和技术的模块和/或其他恰适装置可以由设备下载和/或以其他方式获得。例如，可以将设备耦合至服务器以便于转送用于执行本文中所描述的方法的装置。替换地，本文中所描述的各种方法可经由存储装置（例如，随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、诸如压缩碟（CD）或软盘等物理存储介质）来提供，以使得一旦将该存储装置耦合至或提供给设备，该设备就可获得各种方法。此外，能利用适于向设备提供本文中所描述的方法和技术的任何其他合适的技术。
应该理解的是，权利要求并不被限定于以上所解说的精确配置和组件。可在本文中所描述的系统、方法、和装置的布局、操作及细节上作出各种改动、变化和变型而不会脱离权利要求的范围。

Claims (41)

1.一种用于补偿封装电感的集成电路（IC），包括：
第一IC接地焊盘，其被直接连接到片上接地节点；以及
第二IC接地焊盘，其经由可调谐电容器电路连接到所述片上接地节点，其中所述可调谐电容器电路的电容与封装电感在所述IC的工作频率处谐振。
2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，印刷电路板（PCB）接地节点被连接到所述第一集成电路（IC）焊盘和所述第二IC焊盘，其中所述封装电感来自于所述第二IC焊盘和所述PCB接地节点之间的连接。
3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，当所述可调谐电容器电路与所述封装电感谐振时，所述片上接地在所述集成电路的所述工作频率处的阻抗比没有所述可调谐电容器电路的情形要低。
4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述可调谐电容器电路包括与开关电容器并联的固定电容器。
5.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述开关电容器包括与电容器串联的开关，其中所述开关操作以基于控制电压在可调谐电容器排中纳入或排除所述电容器的电容。
6.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述开关是晶体管。
7.如权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述开关是n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。
8.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述可调谐电容器电路包括彼此并联并且与所述固定电容器并联的多个开关电容器。
9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述开关电容器中的所述电容器的电容根据二进制比特递增来增大。
10.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述开关电容器中的所述晶体管的“接通”电阻根据二进制比特递增来增大。
11.一种用于补偿封装电感的装置，包括：
第一集成电路（IC）接地焊盘，其被直接连接到片上接地节点；以及
第二IC接地焊盘，其经由可调谐电容器电路连接到所述片上接地节点，其中所述可调谐电容器电路的电容与封装电感在所述IC的工作频率处谐振。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，印刷电路板（PCB）接地节点被连接到所述第一集成电路（IC）焊盘和所述第二IC焊盘，其中所述封装电感来自于所述第二IC焊盘和所述PCB接地节点之间的连接。
13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，当所述可调谐电容器电路与所述封装电感谐振时，所述片上接地在所述集成电路的所述工作频率处的阻抗比没有所述可调谐电容器电路的情形要低。
14.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述可调谐电容器电路包括与开关电容器并联的固定电容器。
15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述开关电容器包括与电容器串联的开关，其中所述开关操作以基于控制电压在可调谐电容器排中纳入或排除所述电容器的电容。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述开关是晶体管。
17.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述开关是n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。
18.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述可调谐电容器电路包括彼此并联并且与所述固定电容器并联的多个开关电容器。
19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述开关电容器中的所述电容器的电容根据二进制比特递增来增大。
20.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述开关电容器中的所述晶体管的“开”电阻根据二进制比特递增来增大。
21.一种用于补偿封装电感的设备，包括：
用于连接集成电路（IC）的第一装置，其被直接连接到片上接地节点；以及
用于连接IC的第二装置，其经由可调谐电容性装置连接到所述片上接地节点，其中所述可调谐电容性装置的电容与封装电感在所述IC的工作频率处谐振。
22.如权利要求21所述的设备，其特征在于，印刷电路板（PCB）接地节点被连接到所述用于连接的第一装置和所述用于连接的第二装置，其中所述封装电感来自于所述用于连接的第二装置和所述PCB接地节点之间的连接。
23.如权利要求22所述的设备，其特征在于，当所述可调谐电容性装置与所述封装电感谐振时，所述片上接地在所述集成电路的所述工作频率处的阻抗比没有所述可调谐电容性装置的情形要低。
24.如权利要求21所述的设备，其特征在于，所述可调谐电容性装置包括与开关电容性装置并联的固定电容性装置。
25.如权利要求24所述的设备，其特征在于，所述开关电容性装置包括与电容性装置串联的用于切换的装置，其中所述用于切换的装置操作以基于控制电压在所述可调谐电容性装置中纳入或排除所述电容性装置的电容。
26.如权利要求25所述的设备，其特征在于，所述用于切换的装置是晶体管。
27.如权利要求25所述的设备，其特征在于，所述用于切换的装置是n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。
28.如权利要求26所述的设备，其特征在于，所述可调谐电容性装置包括彼此并联并且与所述固定电容性装置并联的多个开关电容性装置。
29.如权利要求28所述的设备，其特征在于，所述开关电容性装置中的所述电容性装置的电容根据二进制比特递增来增大。
30.如权利要求28所述的设备，其特征在于，所述开关电容性装置中的所述晶体管的“接通”电阻根据二进制比特递增来增大。
31.一种用于补偿封装电感的方法，包括：
将第一集成电路（IC）焊盘直接连接到片上接地节点；以及
将第二IC焊盘经由可调谐电容器电路连接到所述片上接地节点，其中所述可调谐电容器电路的电容与封装电感在所述IC的工作频率处谐振。
32.如权利要求31所述的方法，其特征在于，还包括将印刷电路板（PCB）接地节点连接到所述第一集成电路（IC）焊盘和所述第二IC焊盘，其中所述封装电感来自于所述第二IC焊盘和所述PCB接地节点之间的连接。
33.如权利要求32所述的方法，其特征在于，当所述可调谐电容器电路与所述封装电感谐振时，所述片上接地在所述集成电路的所述工作频率处的阻抗比没有所述可调谐电容器电路的情形要低。
34.如权利要求31所述的方法，其特征在于，所述可调谐电容器电路包括与开关电容器并联的固定电容器。
35.如权利要求34所述的方法，其特征在于，所述开关电容器包括与电容器串联的开关，其中所述开关操作以基于控制电压在可调谐电容器排中纳入或排除所述电容器的电容。
36.如权利要求35所述的方法，其特征在于，所述开关是晶体管。
37.如权利要求35所述的方法，其特征在于，所述开关是n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。
38.如权利要求36所述的方法，其特征在于，所述可调谐电容器电路包括彼此并联并且与所述固定电容器并联的多个开关电容器。
39.如权利要求38所述的方法，其特征在于，所述开关电容器中的所述电容器的电容根据二进制比特递增来增大。
40.如权利要求38所述的方法，其特征在于，所述开关电容器中的所述晶体管的“接通”电阻根据二进制比特递增来增大。
41.如权利要求31所述的方法，其特征在于，还包括将所述可调谐电容器电路的所述电容调节到产生最高可能增益的电容。
CN201180051944.6A 2010-10-29 2011-10-27 补偿封装电感的可调谐电容器电路 Active CN103189979B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/916,338 2010-10-29
US12/916,338 US8791767B2 (en) 2010-10-29 2010-10-29 Package inductance compensating tunable capacitor circuit
PCT/US2011/058152 WO2012058471A2 (en) 2010-10-29 2011-10-27 Package inductance compensating tunable capacitor circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103189979A true CN103189979A (zh) 2013-07-03
CN103189979B CN103189979B (zh) 2016-02-24

Family

ID=44983703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180051944.6A Active CN103189979B (zh) 2010-10-29 2011-10-27 补偿封装电感的可调谐电容器电路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8791767B2 (zh)
EP (1) EP2633553A2 (zh)
JP (1) JP2013541308A (zh)
KR (1) KR101540526B1 (zh)
CN (1) CN103189979B (zh)
WO (1) WO2012058471A2 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104935174A (zh) * 2015-06-10 2015-09-23 三峡大学 一种含有可调电感网络的全桥dc/dc变换器
CN105048964A (zh) * 2014-04-29 2015-11-11 英飞凌科技股份有限公司 用于可开关电容的系统和方法
CN107769734A (zh) * 2016-08-23 2018-03-06 株式会社村田制作所 功率放大模块

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4042520B1 (en) 2019-10-23 2024-09-04 Vayyar Imaging Ltd. Systems and methods for improving radio frequency integrated circuits
US20250007508A1 (en) * 2023-06-28 2025-01-02 Psemi Corporation Resonance cancellation devices and methods

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6681102B1 (en) * 1999-07-19 2004-01-20 Cambridge Silicon Radio Ltd. Adjustable filter
CN1871767A (zh) * 2003-08-20 2006-11-29 马克西姆综合产品公司 宽带集成数字可调滤波器
CN1947330A (zh) * 2004-02-10 2007-04-11 比特沃半导体公司 可编程无线收发器
US20090039986A1 (en) * 2007-08-08 2009-02-12 Telesphor Kamgaing Package-based filtering and matching solutions
US20090236701A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Nanyang Technological University Chip arrangement and a method of determining an inductivity compensation structure for compensating a bond wire inductivity in a chip arrangement

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4107728A (en) 1977-01-07 1978-08-15 Varian Associates, Inc. Package for push-pull semiconductor devices
GB2190255B (en) * 1986-04-30 1989-11-29 Philips Electronic Associated Electrical filter
JPH0543478Y2 (zh) * 1987-01-22 1993-11-02
US5392456A (en) * 1989-10-06 1995-02-21 Hitachi, Ltd. Method of controlling filter time constant and filter circuit having the time constant control function based on the method
JPH04207521A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Toshiba Corp 時定数調整回路
JPH1013204A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 New Japan Radio Co Ltd 半導体スイッチ回路
US6417727B1 (en) * 1999-11-30 2002-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Circuit for automatically tuning filter circuits over process, voltage, and temperature
US6294966B1 (en) 1999-12-31 2001-09-25 Hei, Inc. Interconnection device
JP2001320235A (ja) * 2000-05-09 2001-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧制御発振器
JP3612268B2 (ja) * 2000-07-27 2005-01-19 株式会社東芝 高周波集積回路及び半導体装置
US7068987B2 (en) * 2000-10-02 2006-06-27 Conexant, Inc. Packet acquisition and channel tracking for a wireless communication device configured in a zero intermediate frequency architecture
US6735422B1 (en) * 2000-10-02 2004-05-11 Baldwin Keith R Calibrated DC compensation system for a wireless communication device configured in a zero intermediate frequency architecture
JP2003324315A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧制御発振器
CN1176555C (zh) * 2002-12-25 2004-11-17 大唐移动通信设备有限公司 一种对智能天线阵系统进行实时校准的方法
US7071799B2 (en) * 2003-10-23 2006-07-04 Broadcom Corporation High performance switch for switched inductor tuned RF circuit
US7254379B2 (en) * 2004-07-09 2007-08-07 Silicon Storage Technology, Inc. RF receiver mismatch calibration system and method
US20090021332A1 (en) * 2004-10-08 2009-01-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Array of capacitors switched by mos transistors
JP2006121187A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Toshiba Corp 半導体切替回路
JP4587842B2 (ja) * 2005-02-28 2010-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 通信用半導体集積回路
US8436450B2 (en) * 2008-02-01 2013-05-07 Viasat, Inc. Differential internally matched wire-bond interface
EP3346611B1 (en) * 2008-02-28 2021-09-22 pSemi Corporation Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device
US20100085130A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Manufacturable tunable matching network for wire and ribbon bond compensation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6681102B1 (en) * 1999-07-19 2004-01-20 Cambridge Silicon Radio Ltd. Adjustable filter
CN1871767A (zh) * 2003-08-20 2006-11-29 马克西姆综合产品公司 宽带集成数字可调滤波器
CN1947330A (zh) * 2004-02-10 2007-04-11 比特沃半导体公司 可编程无线收发器
US20090039986A1 (en) * 2007-08-08 2009-02-12 Telesphor Kamgaing Package-based filtering and matching solutions
US20090236701A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Nanyang Technological University Chip arrangement and a method of determining an inductivity compensation structure for compensating a bond wire inductivity in a chip arrangement

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105048964A (zh) * 2014-04-29 2015-11-11 英飞凌科技股份有限公司 用于可开关电容的系统和方法
CN105048964B (zh) * 2014-04-29 2018-11-06 英飞凌科技股份有限公司 用于可开关电容的系统和方法
CN104935174A (zh) * 2015-06-10 2015-09-23 三峡大学 一种含有可调电感网络的全桥dc/dc变换器
CN107769734A (zh) * 2016-08-23 2018-03-06 株式会社村田制作所 功率放大模块
US10985710B2 (en) 2016-08-23 2021-04-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier module
CN107769734B (zh) * 2016-08-23 2021-09-10 株式会社村田制作所 功率放大模块

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013541308A (ja) 2013-11-07
US8791767B2 (en) 2014-07-29
WO2012058471A2 (en) 2012-05-03
KR20140012620A (ko) 2014-02-03
US20120105167A1 (en) 2012-05-03
CN103189979B (zh) 2016-02-24
EP2633553A2 (en) 2013-09-04
WO2012058471A3 (en) 2012-08-16
KR101540526B1 (ko) 2015-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220200574A1 (en) Apparatus and method for controlling a resonator
CN103189979B (zh) 补偿封装电感的可调谐电容器电路
US9698853B2 (en) Power amplifier open loop current clamp
Heydari et al. Low-Power mm-Wave Components up to 104GHz in 90nm CMOS
Li et al. Fully integrated SiGe VCOs with powerful output buffer for 77-GHz automotive radar systems and applications around 100 GHz
Li et al. Millimeter-wave VCOs with wide tuning range and low phase noise, fully integrated in a SiGe bipolar production technology
US20200106403A1 (en) Radio frequency amplifiers with an injection-locked oscillator driver stage and a stacked output stage
Fritsche et al. A Broadband 200 GHz Amplifier with 17 dB Gain and 18 mW DC-Power Consumption in 0.13$\mu $ m SiGe BiCMOS
CN105471394A (zh) 支持双模包络和平均功率跟踪性能的可变负载功率放大器
CN105187013B (zh) 具有减小的单端电容的电压控制振荡器
CN104011998A (zh) 用于功率放大器的装置和方法
CN101711458A (zh) 用于无线电频率接收器的数字受控天线调谐电路
CN104113287B (zh) 功率放大器
US10027291B2 (en) Power amplification circuit
CN104242856A (zh) 平衡-不平衡变换器、推挽式放大器电路及四lc元件平衡-不平衡变换器
CN105324936A (zh) 功率放大模块
US12126308B2 (en) Tracker module, power amplifier module, radio frequency module, and communication device
Ahn et al. 28 GHz GaAs pHEMT MMICs and RF front‐end module for 5G communication systems
CN208874541U (zh) 功率放大模块
Pinuela et al. Current state of research at Imperial College London in RF harvesting and inductive power transfer
US20120242395A1 (en) Low loss switched capacitor
Adabi et al. Analysis and Design of Transformer‐Based mm‐Wave Transmit/Receive Switches
Nesimoglu et al. An eclectic approach to design tunable amplifiers
Peng et al. A 7‐to 14‐GHz GaAs pHEMT LNA with 1.1 dB noise figure and 26 dB gain
US20250096737A1 (en) Low-noise amplifier (lna) input impedance improvement using coupling between output inductor and degeneration inductor

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant