CN103178180A - 低成本高导电率的新型金属电极垫片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种低成本高导电率的新型金属电极垫片及其制备方法，该金属电极垫片的结构自下而上依次为衬底、延展层、支撑层和接触层；本发明还涉及前述的金属电极垫片的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1，一次蒸镀处理；步骤2，二次蒸镀处理；步骤3，等离子灰化处理；步骤4，三次蒸镀处理，即可。本发明结构简单，成本低，导电率高，效果明显，方法容易实现，其方法制得的产品不易氧化，延展性好、柔软性能好，有较好的应用前景。

Description

低成本高导电率的新型金属电极垫片及其制备方法

 

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体地，涉及一种低成本高导电率的新型金属电极垫片及其制备方法。

背景技术

随着半导体科技的进步，现今的 LED 已具备了高亮度的输出，加上 LED 具有省电、体积小、低电压驱动以及不含汞等优点，因此 LED 已广泛地应用在显示器与照明等领域。

众所周知，黄金 (Au) 电学性质稳定，低电阻，良好的欧姆接触，对于 LED 的电性和可靠度有极大的关键影响性；同时黄金 (Au)具有不易氧化，延展性好、柔软性好，有利于封装打线；但由于黄金成本昂贵，加工工艺又受限，因此其使用范围收到了限制。

但是，对导电性而言，银、铜、铝都比黄金好得多，并且成本低。但银、铜、铝，加工工艺中会出现很多问题，金属的易氧化对存储条件要求苛刻，封装键合时需要施加更大的超声能量和键合压力，导致易造成芯片裂掉，施力过小，则容易出现焊线焊不上的情况，生产很难把控，严重影响了生产效率。

目前，还没有能同时满足以要求的产品。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种低成本高导电率的新型金属电极垫片其制备方法。

第一方面，本发明提供一种低成本高导电率的新型金属电极垫片，所述金属电极垫片的结构自下而上依次为衬底、延展层、支撑层和接触层。

优选地，所述衬底为Cr、Pt、Ti、Ag、Pd、Ni、ITO、IZO、IGZO中的一种或者多种的混合。

优选地，所述支撑层为Ag 、Cu 、Al、Au中的一种或者多种的混合。

优选地，所述接触层为Au。

第二方面，本发明还涉及前述的新型金属电极垫片的制备方法，所述生产方法包括如下步骤：

步骤1，一次蒸镀处理；

步骤2，二次蒸镀处理；

步骤3，等离子灰化处理；

步骤4，三次蒸镀处理，即可。

优选地，步骤1中，所述一次蒸镀为所述衬底层的蒸镀。

优选地，步骤2中，所述二次蒸镀为所述延展层与支撑层的蒸镀。

优选地，步骤4中，所述三次蒸镀为所述延展层、支撑层和接触层的蒸镀。

与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：本专利采用特殊设计结构及等离子灰化退光阻的技术相结合制得的电极垫片，不仅大幅降低芯片的生产成本、提高了产品的导电率，而且又能保证在封装时产品不易氧化，从而延长了产品的使用寿命，同时还能增加产品的延展性佳、柔软的性能；本发明结构简单，成本低，导电率高，效果明显，方法容易实现，其方法制得的产品不易氧化，延展性好、柔软性能好，有较好的应用前景。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。

实施例1

本实施例涉及一种低成本高导电率的新型金属电极垫片，所述金属电极垫片的结构自下而上依次为衬底、延展层、支撑层和接触层。

进一步地，所述衬底为Cr、Pt、Ti、Ag、Pd、Ni、ITO、IZO、IGZO中的任意一种。

进一步地，所述支撑层为Ag 、Cu 、Al、Au中的任意一种。

进一步地，所述接触层为Au。

本实施例还涉及前述的新型金属电极垫片的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1，一次蒸镀处理；

步骤2，二次蒸镀处理；

步骤3，等离子灰化处理；

步骤4，三次蒸镀处理，即可。

进一步地，步骤1中，所述一次蒸镀为所述衬底层的蒸镀。

进一步地，步骤2中，所述二次蒸镀为所述延展层与支撑层的蒸镀。

进一步地，步骤4中，所述三次蒸镀为所述延展层、支撑层和接触层的蒸镀。

实施例2

本实施例涉及一种低成本高导电率的新型金属电极垫片，所述金属电极垫片的结构自下而上依次为衬底、延展层、支撑层和接触层。

进一步地，所述衬底为Cr、Pt、Ti、Ag、Pd、Ni、ITO、IZO、IGZO中的任意混合。

进一步地，所述支撑层为Ag 、Cu 、Al、Au中的任意混合。

进一步地，所述接触层为Au。

本实施例还涉及前述的新型金属电极垫片的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1，一次蒸镀处理；

步骤2，二次蒸镀处理；

步骤3，等离子灰化处理；

步骤4，三次蒸镀处理，即可。

进一步地，步骤1中，所述一次蒸镀为所述衬底层的蒸镀。

进一步地，步骤2中，所述二次蒸镀为所述延展层与支撑层的蒸镀。

进一步地，步骤4中，所述三次蒸镀为所述延展层、支撑层和接触层的蒸镀。

综上所述，本专利采用特殊设计的电极结构及等离子灰化退光阻的技术相结合，不仅大幅降低芯片的生产成本、提高了产品的导电率，而且又能保证在封装时不易氧化，延长了产品的使用寿命，同时还能增加产品的延展性佳、柔软的性能；本发明结构简单，成本低，导电率高，效果明显，方法容易实现，其方法制得的产品不易氧化，延展性好、柔软性能好，有较好的应用前景。

以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。

Claims (8)

1.一种低成本高导电率的新型金属电极垫片，其特征在于，所述金属电极垫片的结构自下而上依次为衬底、延展层、支撑层和接触层。

2.如权利要求1所述的低成本高导电率的新型金属电极垫片，其特征在于，所述衬底为Cr、Pt、Ti、Ag、Pd、Ni、ITO、IZO、IGZO中的一种或者多种的混合。

3.如权利要求1所述的低成本高导电率的新型金属电极垫片，其特征在于，所述支撑层为Ag 、Cu 、Al、Au中的一种或者多种的混合。

4.如权利要求1所述的低成本高导电率的新型金属电极垫片，其特征在于，所述接触层为Au。

5.一种如权利要求1所述的新型金属电极垫片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤1，一次蒸镀处理；

步骤2，二次蒸镀处理；

步骤3，等离子灰化处理；

步骤4，三次蒸镀处理，即可。

6.根据权利要求5所述的新型金属电极垫片的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述一次蒸镀为所述衬底层的蒸镀。

7.根据权利要求5所述新型金属电极垫片的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述二次蒸镀为所述延展层与支撑层的蒸镀。

8.根据权利要求5所述新型金属电极垫片的制备方法，其特征在于，步骤4中，所述三次蒸镀为所述延展层、支撑层和接触层的蒸镀。