CN103137525A - 气化原料供给装置、基板处理装置及气化原料供给方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供气化原料供给装置、基板处理装置及气化原料供给方法。气化原料供给装置能够提高载气中的液体原料的蒸气的饱和度。利用气化原料供给装置解决上述课题，气化原料供给装置包括：贮存罐，其用于贮存液体原料；第1温度控制部，其用于将贮存罐控制在第1温度；载气导入管，其用于向贮存罐内导入载气；处理气体导出管，其连接于贮存罐，用于使处理气体从贮存罐流出，处理气体通过在载气中含有液体原料的蒸气而生成；容器，其包括用于连接处理气体导出管的流入口、供从流入口流入的处理气体流出的流出口；障碍构件，其设置在容器内的流入口与流出口之间，用于阻碍处理气体的流动；第2温度控制部，其用于将容器控制在比第1温度低的第2温度。

Description

气化原料供给装置、基板处理装置及气化原料供给方法

技术领域

本发明涉及用于供给使液体原料气化而得到的气体原料的气化原料供给装置、基板处理装置及气化原料供给方法。

背景技术

在用于制造半导体器件的半导体制造装置中，存在使例如溶剂、疏水化处理剂等在常温下为液体的原料气化（或者蒸发）而用作气体原料的装置。为了使液体原料气化，例如公知有利用载气使液体鼓泡而在载气中混入液体的蒸气的起泡罐（例如专利文献1和专利文献2）。起泡罐具有用于贮存液体的罐、用于向贮存在罐内的液体中导入载气的载气导入管、用于将从载气导入管导入到罐内且混入有液体原料的蒸气的载气供给到半导体制造装置的处理室中的供给配管（例如专利文献1和专利文献2）。

专利文献1：日本特开2009－22905号公报

专利文献2：日本特开2011－44671号公报

在起泡罐中，载气在贮存于罐内的液体中流动时，在载气中混入有液体的蒸气。例如在载气的流量较大、载气以较大的流速在罐内流动的情况下，有可能在载气中蒸气不饱和。在这种情况下，无法供给期望的量的原料，难以控制处理气体的浓度。

发明内容

本发明即是鉴于上述情况而做成的，提供一种能够提高载气中的液体原料的蒸气的饱和度的气化原料供给装置。

采用本发明的第1技术方案，提供一种气化原料供给装置，该气化原料供给装置包括：贮存罐，其用于贮存液体原料；第1温度控制部，其用于将上述贮存罐控制在第1温度；载气导入管，其用于向上述贮存罐内导入载气；处理气体导出管，其连接于上述贮存罐，用于使处理气体从上述贮存罐流出，该处理气体是通过在从上述载气导入管导入到上述贮存罐内的上述载气中含有上述液体原料的蒸气而生成的；容器，其包括用于连接上述处理气体导出管的流入口、供从上述流入口流入的上述处理气体流出的流出口；障碍构件，其设置在上述容器内且位于上述流入口与上述流出口之间，用于阻碍上述处理气体的流动；第2温度控制部，其用于将上述容器控制在比上述第1温度低的第2温度。

采用本发明的第2技术方案，提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：导气管，其用于从第1技术方案的气化原料供给装置中的上述容器的上述流出口引导上述处理气体；腔室，其与上述导气管相连，上述处理气体经由上述导气管被导入上述腔室；载置部，其配置在上述腔室内，用于载置作为利用上述处理气体进行的处理的对象的基板。

采用本发明的第3技术方案，提供一种气化原料供给方法，该气化原料供给方法包括这些步骤：维持步骤，将用于贮存液体原料的贮存罐维持在第1温度；生成步骤，向维持为上述第1温度的上述贮存罐内供给载气，生成含有上述液体原料的蒸气和上述载气的处理气体；冷却步骤，将上述处理气体冷却到比上述第1温度低的第2温度。

采用本发明的实施方式，提供一种能够提高载气中的液体原料的蒸气的饱和度的气化原料供给装置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的气化原料供给装置中的起泡器的示意图。

图2是表示本发明的实施方式的气化原料供给装置中的气体饱和器的示意图。

图3是表示本发明的实施方式的气化原料供给装置的示意图。

图4是表示本发明的实施方式的基板处理装置的一例子的示意图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的并非用于限定本发明的例示实施方式。在全部附图中，对相同或者对应的构件或者零件标注相同或者对应的参照附图标记，省略重复的说明。另外，附图的目的并非用于表示构件或者零件之间的相对比，因而，构件或者零件的具体的尺寸应对照以下并非用于限定本发明的实施方式，由本领域技术人员决定。

首先，参照图1说明本发明的实施方式的气化原料供给装置所包括的起泡器。

如图1所示，起泡器10包括用于贮存例如溶剂、疏水化处理剂等在常温下为液体的原料L的贮存罐11（以下，称作“罐”）、配置在罐11的周围且用于加热罐11和罐11的内部的液体原料L的外部加热器13、以包围罐11和外部加热器13的方式配置的绝热构件15。

罐11具有大致圆筒形的形状，其利用相对于贮存在罐11内的液体原料L具有耐腐蚀性的例如不锈钢、铝等金属或者聚四氟乙烯（PTFE）等树脂制作而成。在罐11的下部设有贯穿罐11的侧周部且沿着罐11的内底部延伸的载气导入管11a。载气导入管11a连接于载气供给源（见后述），用于将来自载气供给源的载气供给到罐11内。另外，在载气导入管11a的位于罐11内的部分，沿着其长度方向以预定的间隔形成有多个孔（orifice）11b。来自载气供给源的载气从载气导入管11a被导入到罐11内，通过孔11b喷出到液体原料L中。该载气在液体原料L内向上方流动时混入液体原料L的蒸气，而且与充满在液体原料L的上方的空间中的液体原料L的蒸气混合，因此，能够得到由载气和液体原料L的蒸气构成的处理气体。在罐11的上部连接有处理气体导出管11c，处理气体通过处理气体导出管11c流出到罐11外。

另外，作为载气，可以使用氦（He）气、氩（Ar）气等稀有气体、氮气等。

另外，在罐11内设有主要用于加热液体原料L的液层加热器11d、用于加热罐11内的充满液体原料L的上方的空间的处理气体的气层加热器11e、用于测定处理气体的温度的温度传感器17。在液层加热器11d和气层加热器11e上分别设有未图示的电源装置和温度调节器，根据温度传感器17的测定值，将液层加热器11d和气层加热器11e调整为预定的温度（第1温度）。由此，液体原料L和处理气体的温度维持在第1温度。第1温度能够根据使用的液体原料L的性质、需要的处理气体的供给量来决定。例如在将作为疏水化处理剂的一种的六甲基二硅氮烷（Hexamethyl－disilazane；HMDS）用作液体原料L的情况下，第1温度在约24℃～40℃的范围内较佳，优选为例如约30℃。

外部加热器13以包围罐11的外周面的方式配置。另外，在外部加热器13中设有未图示的温度传感器、电源装置和温度调节器，外部加热器13也被调整为第1温度。由此，容易将罐11内的液体原料L和处理气体维持在第1温度。另外，外部加热器13也可以以不仅覆盖罐11的外周面、还覆盖罐11的上表面和下表面的方式配置。

绝热构件15可由这样的绝热材料构成，该绝热材料包含由导热系数较小的例如硅玻璃等构成的纤维状的玻璃棉或者粉末状的填充物、以覆盖该硅玻璃的方式设置的例如布等成为捆包材料的外皮层。另外，优选绝热构件15具有面向外部加热器13的外表面的例如铝等金属的膜。并且，也可以由这样的真空绝热体构成绝热构件15，该真空绝热体利用由例如聚乙烯等树脂构成的两张膜、收容在这些膜之间的由硅玻璃构成的纤维或粉末构成，膜之间的空间维持为真空。

接着，参照图2说明本发明的实施方式的气化原料供给装置所包括的、与上述起泡器相连接的气体饱和器。

如图2所示，气体饱和器20具有壳体（或容器）21和包围壳体21的周围的绝热构件23。

壳体21具有例如大致长方体的形状，其利用相对于导入到壳体21内的处理气体具有耐腐蚀性的例如不锈钢、铝等金属或者聚四氟乙烯（PTFE）、过氟烷氧基（perfluoroalkoxy；PFA）等树脂制作而成。在壳体21的上部的一端侧设有流入口21a，利用预定的接头在流入口21a上连接有来自起泡器10的处理气体导出管11c。由此，利用起泡器10得到的处理气体通过处理气体导出管11c和流入口21a被导入到壳体21内。另外，在壳体21的上部，在与设有流入口21a的一端侧相反的一侧设有流出口21b。在流出口21b上连接有与基板处理装置100（见后述）相连接的处理气体供给管21c。由此，从流入口21a导入到壳体21内的处理气体被供给到基板处理装置100。

另外，在壳体21的内表面的6个面上配置有温度调整板21h（在图2中图示了4个温度调整板21h）。在温度调整板21h内形成有供流体流动的导管（未图示）。通过使利用未图示的温度调整器调整了温度后的流体在温度调整板21h与温度调整器之间循环，调整温度调整板21h的温度，壳体21的温度维持在预定的温度（第2温度）。优选第2温度例如是室温（23℃）。

另外，在壳体21的内部设有多个挡板21d（作为障碍构件发挥作用）。在挡板21d上，与温度调整板21h同样地设有导管（未图示），通过使被调整了温度后的流体在导管中流动，调整挡板21d的温度。挡板21d的温度优选与温度调整板21h的温度相等，例如室温（23℃）较佳。另外，本实施方式的挡板21d具有扁平的长方体的立体形状。该扁平的长方体的4个侧面中的3个侧面接触于对应的3个温度调整板21h，而剩余的一个侧面与温度调整板21h分开。通过挡板21d的一个侧面与温度调整板21h分开，在挡板21d与温度调整板21h之间形成气体的流通路S。

另外，多个挡板21d配置为：在一个挡板21d与一个温度调整板21h分开的情况下，与该挡板21d邻近的挡板21d同与一个温度调整板21h相对的温度调整板21h分开。由此，流通路S交错配置，在壳体21内形成迷宫状的较长的气体流路。因此，如箭头A1所示，从流入口21a导入到壳体21内的处理气体利用挡板21d、温度调整板21h使其流动方向变更多次，并朝向流出口21b流动。由此，处理气体从第1温度被冷却到第2温度，维持在第2温度。

另外，多个挡板21d设在壳体21内的预定区域，在该区域与流出口21b之间的空间中设有一个或者多个过滤器21f。具体地讲，过滤器21f沿与壳体21内的处理气体流动的方向交叉的方向延伸。因此，处理气体穿过过滤器21f到达流出口21b。另外，过滤器21f的网眼（网眼孔径）根据贮存在罐11中的液体原料的性质（例如粘性等）来决定较佳。另外，在图2所示的例子中，配置有4个过滤器21f，在这种情况下，4个过滤器21f具有不同大小的网眼。而且，这4个过滤器21f沿着处理气体的流动方向以网眼变小的方式配置。另外，过滤器21f优选由例如聚乙烯、PTFE等材料制作而成。另外，只要用不锈钢、铝等导热系数较高的材料制作过滤器21f，就能够使过滤器21f的温度与温度调整板21h、挡板21d的温度相等。

另外，在壳体21的底部形成有一个或者多个液体口21g，在液体口21g上连接有回流配管21j。更具体地讲，液体口21g设置在与配置于壳体21底部的温度调整板21h相接触的两个相邻的挡板21d之间。由此，蓄积在这些挡板21d之间的液体原料L（见后述）从液体口21g流出到回流配管21j中。回流配管21j连接于起泡器10的罐11。由此，蓄积在气体饱和器20的壳体21中的液体原料L能够返回到起泡器10的罐11中。

另外，包围壳体21的周围的绝热构件23与罐11所采用的绝热构件15同样地构成。

接着，参照图3说明包含上述起泡器10和气体饱和器20的本发明的实施方式的气化原料供给装置。另外，在图3中简化了起泡器10和气体饱和器20。

如图3所示，本实施方式的气化原料供给装置30除了具有上述起泡器10和气体饱和器20之外，还具有连接于载气供给源40的配管31、设置在利用接头39a自配管31分支的载气导入管11a的中途且用于控制载气流量的流量控制器32。另外，配管31通过接头39b汇合于气体饱和器20的处理气体供给管21c，在配管31的位于接头39a和接头39b之间的部分上设有用于控制在配管31中流动的载气的流量的流量控制器33。作为流量控制器32和流量控制器33，例如可以适当地使用质量流量控制器。

并且，在本实施方式中，在处理气体供给管21c的比接头39b靠下游侧的位置设有三通阀34。另外，在三通阀34上连接有旁通管34a，旁通管34a在三通阀34的下游侧通过接头39c汇合于处理气体供给管21c。通常，三通阀34使在处理气体供给管21c内流动的处理气体如箭头A2所示那样直接在处理气体供给管21c内流动，在对三通阀34进行了切换时，使处理气体如箭头A3所示那样流入到旁通管34a中。在旁通管34a上设有用于测定在旁通管34a中流动的处理气体的流量的流量计35。作为流量计35，可以适当地使用质量流量计、浮子流量计（日文：フロ一ト式の流量計）。

另外，在连接起泡器10和气体饱和器20的处理气体导出管11c上设有绝热构件12。由此，能够将处理气体导出管11c维持在利用起泡器10得到的处理气体的温度。因而，能够防止在处理气体导出管11c中流动的处理气体中的液体原料L的蒸气在处理气体导出管11c内冷凝，从而能够避免处理气体导出管11c被液体原料L堵塞。

另外，如上所述，在形成于气体饱和器20的壳体21底部的液体口21g上连接有回流配管21j，回流配管21j连接于起泡器10的上部。在回流配管21j上设有泵36、过滤器37和开闭阀38。通过打开开闭阀38并起动泵36，蓄积在气体饱和器20的壳体21底部的液体原料从壳体21向罐11回流。

接着，说明如上所述地构成的气化原料供给装置30的动作（作用）。自载气供给源40供给的载气从配管31流入到载气导入管11a，利用设置在载气导入管11a中的流量控制器32控制载气的流量，被控制了流量的载气被导入到起泡器10中。像参照图1说明的那样，载气从载气导入管11a的多个孔11b喷出，在液体原料L中通过而到达液体原料L的上方的空间。此时，液体原料L利用起泡器10的外部加热器13、液层加热器11d、气层加热器11e和温度传感器17等维持在第1温度，液体原料L的蒸气以在第1温度下决定的蒸气压包含在载气中，生成由载气和液体原料L的蒸气（或者气体）构成的处理气体。这样地生成的处理气体通过处理气体导出管11c被导入到气体饱和器20中。

在气体饱和器20中，温度调整板21h和挡板21d维持在比第1温度低的第2温度（例如室温（23℃））。因此，导入到壳体21中的处理气体在由温度调整板21h和挡板21d划分的流路中流动的期间里，一边与温度调整板21h、挡板21d多次碰撞，一边被冷却到第2温度。由此，能够提高处理气体中的液体原料L的蒸气的饱和度。

通过这样使液体原料L的蒸气的饱和度升高了的处理气体穿过设有挡板21d的区域而到达过滤器21f。在处理气体中有可能含有由于被冷却到第2温度而产生的雾沫等，经过过滤器21f，能够除去雾沫等。通过了过滤器21f后的处理气体从流出口21b流出到处理气体供给管21c中。然后，通过处理气体供给管21c向基板处理装置100（见后述）中供给处理气体。

如上所述，采用本发明的实施方式的气化原料供给装置30，在起泡器10中生成由载气和维持在第1温度的液体原料L的蒸气构成的处理气体，该处理气体在气体饱和器20中被冷却到比起泡器10中的液体原料L的第1温度低的第2温度，因此，能够将液体原料L的蒸气的饱和度上升了的处理气体供给到基板处理装置100。另外，只要决定第1温度和第2温度，以使处理气体中的液体原料L的蒸气压成为饱和蒸气压，就能够饱和，以使处理气体中的蒸气在壳体21内冷凝，使处理气体中的液体原料L的蒸气的蒸气压达到大致饱和蒸气压。

另外，特别是在控制第2温度使得处理气体中的液体原料L的蒸气压达到饱和蒸气压的情况下，液体原料L在壳体21内的挡板21d、温度调整板21h上结露。结露后的液体原料L在挡板21d、温度调整板21h上淌下，蓄积在壳体21的底部。通过打开设置在回流配管21j上的开闭阀38，起动泵36（图3），蓄积在壳体21的底部的液体原料L返回到罐11中。因而，不会白白消耗液体原料L，能够降低基板处理装置100的基板处理成本。

此时，即使在壳体21内的液体原料中含有微粒等，也能够利用过滤器37除去微粒等，从而能够使清洁的液体原料返回到起泡器10的罐11中。

另外，也可以通过利用接头39b汇合于处理气体供给管21c的配管31向处理气体供给管21c中供给载气，从而稀释来自气体饱和器20的处理气体。在这种情况下，优选通过利用设置在配管31上的流量控制器33控制载气的供给量，并打开三通阀34，使被来自配管31的载气稀释后的处理气体适当地流到旁通管34a中。由此，能够根据由设置在旁通管34a上的流量计35测定的流量和由配管31的流量控制器33调整后的载气流量求出来自气体饱和器20的处理气体的流量（流量计35的测定值－流量控制器33的设定流量）。特别是，只要在气体饱和器20中使处理气体中的液体原料L的蒸气饱和，就能够计算稀释后的处理气体中的液体原料L的蒸气浓度，从而能够精度较佳地知晓向基板处理装置100供给的液体原料L的蒸气的供给量。也能够利用流量控制器33调整处理气体中的液体原料L的蒸气的浓度。

接着，参照图4说明能够适当地应用本发明的实施方式的气化原料供给装置30的基板处理装置100。

参照图4，基板处理装置100包括上端开口的容器主体202、以覆盖该容器主体202的上部开口的方式设置的盖体203。容器主体202包括俯视形状为圆形的框体221、从框体221的底部向内侧延伸的凸缘状的凸缘部222、支承在凸缘部222上的晶圆载置台204。在晶圆载置台204的内部设有加热部204h，由此，能够加热被载置在晶圆载置台204上的晶圆W。

另一方面，盖体203以盖体203的周缘部231接近容器主体202的框体221的上表面的方式覆盖容器主体202，在盖体203和容器主体202之间划分有处理室220。

在晶圆载置台204中设有用于与外部的输送装置（未图示）之间交接晶圆W的多根升降销241，该升降销241能够利用升降机构242升降自如。图中的参照附图标记243是设置在晶圆载置台204的背面侧的包围该升降机构242的周围的罩体。容器主体202和盖体203能够相对于对方相对地升降自如。在该例子中，盖体203利用升降机构（未图示）能在与容器主体202相连接的处理位置和位于容器主体202的上方侧的基板搬出搬入位置之间升降自如。

另外，在盖体203的背面侧（里面侧）中央部设有用于向载置在晶圆载置台204上的晶圆W供给处理气体的处理气体供给部205。另外，在盖体203的内部形成有与处理气体供给部205连通的气体供给通路233。在该例子中，气体供给通路233以在盖体203的内侧上部弯曲且大致水平地延伸的方式形成，气体供给通路233在上游端与气体供给管261相连接，气体供给管261的上游端借助处理气体供给管21c连接于气化原料供给装置30的气体饱和器20。处理气体供给部205、气体供给通路233和气体供给管261形成用于引导由气化原料供给装置30生成的处理气体的导气管。由此，从气化原料供给装置30向基板处理装置100的处理室220供给由载气和液体原料L的蒸气构成的处理气体，载置在晶圆载置台204上的晶圆W暴露在处理气体中。

另外，在盖体203中形成有用于从比晶圆载置台204上的晶圆W靠直径方向外侧的位置对处理室220内进行排气的排气通路281。另外，在盖体203的上壁部232的内部形成有在除了设有处理气体供给部205的中央区域之外的区域中以面状延伸的、具有例如环状的平面形状的扁平的空洞部282。上述排气通路281的下游端连接于该空洞部282。并且，在该空洞部282，例如在盖体203的中央附近区域连接有多根例如6根排气管283。另外，排气管283的下游端借助排气流量调整阀V4连接于形成排气部件284的喷射器（injector）。排气流量调整阀V4的开闭由阀控制器209进行控制。

采用这样的结构，从气化原料供给装置30的处理气体供给管21c经由气体供给管261、气体供给通路233和处理气体供给部205向载置在晶圆载置台204上的晶圆W供给处理气体，利用排气部件284从排气通路281经由空洞部282和排气管283进行排气。

由于在基板处理装置100上连接有气化原料供给装置30，因此，在使用基板处理装置100时，也能够发挥气化原料供给装置30的效果。

参照上述实施方式说明了本发明，但本发明并不限定于公开的实施方式，能够在技术方案的主旨内进行变形、变更。

例如在上述实施方式中，载气导入管11a贯穿罐11的侧周部，沿着罐11的内底部延伸，但取而代之，也可以在罐11中设置贯穿罐11的上部（盖部）、延伸至贮存在罐11中的液体原料中（优选为底面附近）的载气导入管。

罐11内的液层加热器11d和气层加热器11e并不限定于由镍－铬合金、铁－镍－铬合金、铁－铬－铝合金等构成的电热线，也可以由耐药液性优良的例如护套加热器（日语：シ一スヒ一タ）、陶瓷加热器构成。

作为贮存在罐11中的液体原料，例示了HMDS，但并不限定于此，也可以与基板处理相应地贮存其他的疏水化处理剂、显影液、冲洗液（冲淡剂）、纯水、双氧水等液体原料，向基板处理装置供给由上述原料的蒸气（或者气体）和载气构成的处理气体。

另外，在上述实施方式中，在罐11上设有外部加热器13和绝热构件15，但取而代之，也可以使用恒温槽。另外，在气体饱和器20中设有温度调整板21h和绝热构件23，但取而代之，也可以使用恒温槽。在这种情况下，挡板21d既可以能够调整温度，也可以无法调整温度。另外，在不使用温度调整板21h的情况下，在壳体21的内壁与挡板21d之间形成间隙，由此形成气体流路。

另外，对于连接起泡器10和气体饱和器20的处理气体导出管11c，也可以替代绝热构件12或者在设有绝热构件12的基础上，通过在处理气体导出管11c上卷绕带状加热器、条状加热器等挠性的加热器构件来设置加热器。通过利用电源、温度传感器和温度调节器调整该加热器的温度，从而能够更可靠地将处理气体导出管11c维持在预定的温度。该温度优选例如与上述第1温度相等或者为比该第1温度高的温度。

另外，在上述实施方式中，说明了气体饱和器20的温度是室温的情况，但也可以将气体饱和器控制为比室温高的温度。在这种情况下，不言而喻，应该使罐11内的处理气体的温度和处理气体导出管11c的温度高于气体饱和器20的温度。另外，在将气体饱和器20维持在比室温高的温度的情况下，优选将从气体饱和器20到基板处理装置100的处理气体供给管21c控制在与气体饱和器20的温度（第2温度）相等或者比该气体饱和器20的温度高的温度。

另外，在连接气体饱和器20的壳体21和起泡器10的罐11的回流配管21j上设有泵36，利用泵36使蓄积在壳体21底部的液体原料L返回到罐11，但例如只要将气体饱和器20配置在比罐11高的位置，就能够利用自重使壳体21底部的液体原料L返回到罐11。因而，也能够不使用泵36而通过打开开闭阀38，使液体原料L返回到罐11中。

另外，回流配管21j也可以不连接于罐11的上部，而连接于该罐11的侧面部。

并且，优选在气体饱和器20的壳体21内设置液面计（未图示），监视蓄积在壳体21底部的液体原料L的量。另外，也可以根据液面计的测定结果控制开闭阀38的打开／关闭、泵36的起动，从而使壳体21内的液体原料L自动地返回到罐11中。

另外，也可以是在气体饱和器20内设置的各挡板21d具有预定大小的开口部且4个边均与壳体21的内表面（或者温度调整板21h）接触。在这种情况下，优选以开口部沿着壳体21内的处理气体的流动方向不对齐的方式（以开口部沿着流动方向交错的方式）配置挡板21d。由此，在处理气体与挡板21d（的除开口部之外的部分）碰撞时，处理气体可被冷却。另外，也可以由多孔质材料形成挡板21d，使处理气体穿过孔而流动。换言之，也可以将过滤器21f用作挡板21d。另外，也可以替代挡板21d，使用通过在多个位置弯曲而提供迷宫状的气体流路、能够调整温度地构成的弯曲管。

另外，在气体饱和器20内，也可以替代过滤器21f而设置雾沫捕集器。

另外，也可以在回流配管21j上设置加热器，将回流配管21j控制为第1温度。由此，能够抑制随着液体原料L的回流，起泡器10的罐11内的液体原料L的温度变动。

附图标记说明

10、起泡器；11、罐；11a、载气导入管；11b、孔；11c、处理气体导出管；11d、液层加热器；11e、气层加热器；13、外部加热器；15、绝热构件；17、温度传感器；20、气体饱和器；21、壳体；21a、流入口；21b、流出口；21d、挡板；21f、过滤器；21g、液体口；21h、温度调整板；23、绝热构件；30、气化原料供给装置；31、配管；32、33、流量控制器；34、三通阀；34a、旁通管；35、流量计；36、泵；38、开闭阀；40、载气供给源。

Claims (11)

1.一种气化原料供给装置，其特征在于，

该气化原料供给装置包括：

贮存罐，其用于贮存液体原料；

第1温度控制部，其用于将上述贮存罐控制在第1温度；

载气导入管，其用于向上述贮存罐内导入载气；

处理气体导出管，其连接于上述贮存罐，用于使处理气体从上述贮存罐流出，该处理气体是通过在从上述载气导入管导入到上述贮存罐内的上述载气中含有上述液体原料的蒸气而生成的；

容器，其包括用于连接上述处理气体导出管的流入口、供从上述流入口流入的上述处理气体流出的流出口；

障碍构件，其设置在上述容器内且位于上述流入口与上述流出口之间，用于阻碍上述处理气体的流动；

第2温度控制部，其用于将上述容器控制在比上述第1温度低的第2温度。

2.根据权利要求1所述的气化原料供给装置，其特征在于，

该气化原料供给装置还包括：

处理气体供给管，其连接于上述流出口；

载气供给管，其连接于上述处理气体供给管，用于向上述处理气体供给管供给上述载气。

3.根据权利要求1所述的气化原料供给装置，其特征在于，

该气化原料供给装置还包括：

处理气体供给管，其连接于上述流出口；

旁通管，其自上述处理气体供给管分支，又汇合于该处理气体供给管；

流量计，其设置于上述旁通管。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的气化原料供给装置，其特征在于，

上述容器包含配置在上述障碍构件与上述流出口之间、容许上述处理气体流通的一个过滤器构件或者两个以上的过滤器构件。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的气化原料供给装置，其特征在于，

该气化原料供给装置还包括回流配管，该回流配管连接上述容器和上述贮存罐，供在上述容器内冷凝的上述液体原料流入到上述贮存罐中。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的气化原料供给装置，其特征在于，

该气化原料供给装置还包括用于将上述处理气体导出管调整为上述第1温度的第3温度调整部。

7.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置包括：

导气管，其用于从权利要求1～6中任一项所述的气化原料供给装置中的上述容器的上述流出口引导上述处理气体；

腔室，其与上述导气管相连，上述处理气体经由上述导气管被导入上述腔室；

载置部，其配置在上述腔室内，用于载置作为利用上述处理气体进行的处理的对象的基板。

8.一种气化原料供给方法，其特征在于，

该气化原料供给方法包括：

维持步骤，将用于贮存液体原料的贮存罐维持在第1温度；

生成步骤，向维持为上述第1温度的上述贮存罐内供给载气，生成含有上述液体原料的蒸气和上述载气的处理气体；

冷却步骤，将上述处理气体冷却到比上述第1温度低的第2温度。

9.根据权利要求8所述的气化原料供给方法，其特征在于，

该气化原料供给方法还包括添加步骤，对在上述冷却步骤中被冷却到上述第2温度的上述处理气体添加载气。

10.根据权利要求9所述的气化原料供给方法，其特征在于，

该气化原料供给方法还包括这样的步骤：

根据在上述添加步骤中添加的上述载气的流量和添加了该载气后的上述处理气体的流量求出添加该载气之前的上述处理气体的流量。

11.根据权利要求8～10中任一项所述的气化原料供给方法，其特征在于，

该气化原料供给方法还包括这样的步骤：

使由于在上述冷却步骤中上述处理气体被冷却而结露的上述液体原料返回到上述贮存罐。

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