CN103094935B - 一种电池均衡电路及mos管开关电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电池均衡电路，包括：电容，其第一端接收电压控制信号，电压控制信号为包括第一电平信号和第二电平信号的脉冲信号；MOS管，其第一端连接电容的第二端；电阻，其第一端连接MOS管的第一端，第二端连接MOS管的第三端；钳位元件，其第一端连接MOS管的第一端，第二端连接MOS管的第三端，钳位元件在电压控制信号从第二电平信号跳变到第一电平信号时断开，并在电压控制信号从第一电平信号跳变到第二电平信号时导通。本发明进一步提供一种MOS管开关电路。通过以上方式，本发明提供的电池均衡电路以及MOS管开关电路可有效地提高电路的工作稳定性。

Description

一种电池均衡电路及MOS管开关电路

技术领域

本发明涉及一种电池均衡电路，特别是涉及一种对串联使用的电池内的电量进行均衡的电池均衡电路及MOS管开关电路。

背景技术

在电池的使用过程中，电池通常被串联使用以提供较高的输出电压和较大的电能容量来满足负载驱动的需求。然而，不管是锂充电电池、铅酸充电电池还是镍氢充电电池，由于其工艺条件的限制，导致电池单体之间可能存在一定的差异。虽然可通过配组的方式来解决电池单体之间的差异问题，但在多次充放电循环后，电池单体之间仍会产生较大的电压差，使得串联电池组的有效容量减小，进而影响电池组的使用性能和寿命。

因此，需要提供一种电池均衡电路，以解决现有技术中串联使用的电池单体之间的差异问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种电池均衡电路及MOS管开关电路，以有效地提高电路的工作稳定性。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种电池均衡电路，包括：电容，电容的第一端接收电压控制信号，电压控制信号为包括第一电平信号和第二电平信号的脉冲信号；MOS管，MOS管的第一端连接电容的第二端；电阻，电阻的第一端连接MOS管的第一端，电阻的第二端连接MOS管的第三端，以使MOS管的第二端和第三端在第一电平信号的作用下导通，并在第二电压信号的作用下断开；钳位元件，钳位元件的第一端连接MOS管的第一端，钳位元件的第二端连接MOS管的第三端，钳位元件在电压控制信号从第二电平信号跳变到第一电平信号时断开，并在电压控制信号从第一电平信号跳变到第二电平信号时导通；

MOS管为P型MOS管，MOS管的第一端、第二端以及第三端分别为P型MOS管的栅极、漏极和源极；

钳位元件为单向导通器件，单向导通器件的正极连接MOS管的第一端，单向导通器件的负极连接MOS管的第三端，单向导通器件为二极管，二极管为稳压二极管或瞬态抑制二极管；

钳位元件在MOS管的第三端上电时反向导通，且钳位元件反向导通时两端的电压差小于MOS管的第一端和第三端之间的耐受电压。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种MOS管开关电路，包括：电容，电容的第一端接收电压控制信号，电压控制信号为包括第一电平信号和第二电平信号的脉冲信号；MOS管，MOS管的第一端连接电容的第二端；电阻，电阻的第一端连接MOS管的第一端，电阻的第二端连接MOS管的第三端，以使MOS管的第二端和第三端在第一电平信号的作用下导通，并在第二电压信号的作用下断开；钳位元件，钳位元件的第一端连接MOS管的第一端，钳位元件的第二端连接MOS管的第三端，钳位元件在电压控制信号从第二电平信号跳变到第一电平信号时断开，并在电压控制信号从第一电平信号跳变到第二电平信号时导通；钳位元件在MOS管的第三端上电时反向导通，且钳位元件反向导通时两端的电压差小于MOS管的第一端和第三端之间的耐受电压，钳位元件为单向导通器件，单向导通器件为二极管，二极管为稳压二极管或瞬态抑制二极管。

根据本发明一优选实施例，MOS管为P型MOS管，MOS管的第一端、第二端以及第三端分别为P型MOS管的栅极、漏极和源极，单向导通器件的正极连接MOS管的第一端，单向导通器件的负极连接MOS管的第三端。

根据本发明一优选实施例，MOS管为N型MOS管，MOS管的第一端、第二端以及第三端分别为N型MOS管的栅极、漏极和源极单向导通器件的负极连接MOS管的第一端，单向导通器件的正极连接MOS管的第三端。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的电池均衡电路以及MOS管开关电路可有效地提高电路的工作稳定性。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的电池均衡电路的电路图；

图2是根据本发明第二实施例的电池均衡电路的电路图；

图3是根据本发明第三实施例的电池均衡电路的电路图；

图4是根据本发明第四实施例的电池均衡电路的电路图；

图5是根据本发明第五实施例的电池均衡电路的电路图；

图6是根据本发明第三实施例和第五实施例的电池均衡电路的波形图；

图7是根据本发明第三实施例和第五实施例的电池均衡电路的另一波形图。

具体实施方式

请参见图1，图1根据本发明第一实施例的电池均衡电路的电路图。在本实施例中，电池BT1、BT2串联连接。具体来说，电池BT1的负极与电池BT2的正极连接。本实施例的电池均衡电路包括开关K1、K2、电感L1以及二极管D1、D2。

在本实施例中，开关K1包括第一端、第二端和第三端。开关K1的第一端用于接收第一控制信号CTL1，以使开关K1的第二端和第三端在第一控制信号CTL1的作用下选择性导通。开关K1的第三端进一步与电池BT1的正极连接。

在本实施例中，开关K2同样包括第一端、第二端和第三端。开关K2的第一端用于接收第二控制信号CTL2，以使开关K2的第二端和第三端在第二控制信号CTL2的作用下选择性导通。开关K2的第二端进一步与开关K1的第二端连接，开关K2的第三端进一步与电池BT2的负极连接。

在本实施例中，电感L1的第一端连接于电池BT1的负极与电池BT2的正极之间，电感L1的第二端连接于开关K1的第二端和开关K2的第二端之间。

在本实施例中，二极管D1的正极连接电感L1的第二端，二极管D1的负极连接电池BT1的正极。二极管D2的负极连接电感L1的第二端，二极管D2的正极连接电池BT2的负极。

在使用过程中，当检测到电池BT1的电压高于电池BT2的电压，需要将电池BT1的电量转移到电池BT2时，通过控制第一控制信号CTL1使得开关K1的第二端和第三端在第一控制信号CTL1的作用下导通，电池BT1对电感L1进行充电，进而将电池BT1的电量存储于电感L1内。随后，通过控制第一控制信号CTL1使得开关K1的第二端和第三端在第一控制信号CTL1的作用下断开。此时，电感L1存储的电量经二极管D2转移到电池BT2。反之，当检测到电池BT2的电压高于电池BT1的电压，需要将电池BT2的电量转移到电池BT1时，通过控制第二控制信号CTL2使得开关K2的第二端和第三端在第二控制信号CTL2的作用下导通，电池BT2对电感L1进行充电，进而将电池BT2的电量存储于电感L1内。随后，通过控制第二控制信号CTL2使得开关K2的第二端和第三端在第二控制信号CTL2的作用下断开。此时，电感L1存储的电量经二极管D1转移到电池BT1。

在本实施例中，二极管D1、D2可以是普通二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管(TVS)、稳压二极管或其他单向导通元件。

请参见图2，图2是根据本发明第二实施例的电池均衡电路的电路图。在本实施例中，电池BT1、BT2串联连接。具体来说，电池BT1的负极与电池BT2的正极连接。本实施例的电池均衡电路包括开关K1、K2、电感L1、二极管D1、D2以及电容C1、C2。本实施例与图1所示的第一实施例的区别之处在于：本实施例的电池均衡电路进一步包括电容C1、C2，其中电容C1与电池BT1并联，电容C2与电池BT2并联。电容C1、C2的作用是在电感L1对电池BT1、BT2进行充电时起到一定的缓冲作用，提高电池BT1、BT2的充电效果。

请参见图3，图3是根据本发明第三实施例的电池均衡电路的电路图。在本实施例中，电池BT1、BT2串联连接。具体来说，电池BT1的负极与电池BT2的正极连接。本实施例的电池均衡电路包括电容C1、C2、MOS管Q1、Q2、电阻R1、R2、电感L1以及二极管D1、D2。

在本实施例中，电容C1的第一端接收第一控制信号CTL1，MOS管Q1的第一端连接电容C1的第二端。在本实施例中，第一控制信号CTL1具体为第一电压控制信号CTL1。MOS管Q1的第三端进一步与电池BT1的正极连接。电阻R1的第一端连接MOS管Q1的第一端，电阻R1的第二端连接MOS管Q1的第三端。由此，MOS管Q1的第二端和第三端可在第一电压控制信号CTL1的作用下选择性导通。在本实施例中，MOS管Q1为P型MOS管，MOS管Q1的第一端、第二端以及第三端分别为P型MOS管的栅极、漏极和源极。

在本实施例中，电容C2的第一端接收第二控制信号CTL2，MOS管Q2的第一端连接电容C2的第二端。在本实施例中，第二控制信号CTL2具体为第二电压控制信号CTL2。MOS管Q2的第二端进一步与MOS管Q1的第二端连接，MOS管Q2的第三端进一步与电池BT2的负极连接。电感L1的第二端连接于MOS管Q1的第二端和MOS管Q2的第二端之间。电阻R2的第一端连接MOS管Q2的第一端，电阻R2的第二端连接MOS管Q2的第三端。由此，MOS管Q2的第二端和第三端可在第二电压控制信号CTL2的作用下选择性导通。在本实施例中，MOS管Q2为N型MOS管，MOS管Q2的第一端、第二端以及第三端分别为N型MOS管的栅极、漏极和源极。

从图1和图3的比较结果可以发现，第三实施例中的电容C1、MOS管Q1以及电阻R1起到第一实施例的开关K1的作用，电容C2、MOS管Q2以及电阻R2起到第一实施例的开关K2的作用。当然，本领域技术人员完全可以想到利用本领域公知的其他开关来实现开关K1、K2的作用，例如三极管开关或继电器开关。

请参见图4，图4根据本发明第四实施例的电池均衡电路的电路图。在本实施例中，电池BT1、BT2串联连接。具体来说，电池BT1的负极与电池BT2的正极连接。本实施例的电池均衡电路包括电容C1、C2、C3、MOS管Q1、Q2、电阻R1、R2、电感L1以及二极管D1、D2。本实施例与图3所示的第三实施例的区别之处在于：本实施例的电池均衡电路进一步设置电容C3，其中电容C3的第一端连接MOS管Q1的第一端，电容C3的第二端连接MOS管Q1的第三端。

下面将结合图3和图4进一步描述电容C3的功能。请参见图3，在图3所示的第三实施例中，当驱动MOS管Q2工作时，第二电压控制信号CTL2通过电容C2在MOS管Q2的第一端产生一定频率的脉冲信号，进而控制MOS管Q2的导通和断开。由于MOS管Q2的导通和断开会导致在MOS管Q2的第二端产生相同频率的脉冲信号。同时，由于MOS管Q2的第二端与MOS管Q1的第二端连接，且MOS管Q1的第一端与第二端以及第一端与第三端之间存在结电容，因此将会产生电容分压的效果，使得MOS管Q1的第一端与第三端之间出现一个相同频率的脉冲分压信号。当流经MOS管Q2的电流足够大时，MOS管Q1的第一端与第三端之间的脉冲分压信号的幅度足以将MOS管Q1打开，使得MOS管Q1的第二端与第三端导通。此时，由于MOS管Q1、Q2同时打开，造成短路，因此会烧坏MOS管Q1、Q2。

在本实施例中，电容C3的第一端连接MOS管Q1的第一端，电容C3的第二端连接MOS管Q1的第三端，相当于将MOS管Q1的第一端与第三端之间的结电容与电容C3并联，导致并联后的电容值增大。根据电容分压原理，电容分压与电容值成反比，因此使得MOS管Q1的第一端与第三端之间的脉冲分压信号的幅度变小，进而保证无法打开MOS管Q1，提高了电池均衡电路的稳定性。

同理，在图4所示的第四实施例中，当驱动MOS管Q1工作时，在MOS管Q2的第一端与第三端之间也会出现一个相同频率的脉冲分压信号。因此，可以在MOS管Q2的第一端与第三端之间同样并联一电容，来降低MOS管Q2的第一端与第三端之间的电容分压，进而提高电池均衡电路的稳定性。

请参见图5，图5是根据本发明第五实施例的电池均衡电路的电路图。在本实施例中，电池BT1、BT2串联连接。具体来说，电池BT1的负极与电池BT2的正极连接。本实施例的电池均衡电路包括电容C1、C2、MOS管Q1、Q2、电阻R1、R2、电感L1以及二极管D1、D2、D3、D4。本实施例与图3所示的第三实施例的区别之处在于：本实施例的电池均衡电路进一步设置二极管D3、D4，其中二极管D3的正极连接MOS管Q1的栅极，二极管D3的负极连接MOS管Q1的源极，二极管D4的负极连接MOS管Q2的栅极，二极管D4的正极连接MOS管Q2的源极。

下面将结合图3、5-7进一步描述二极管D3、D4的功能。请参见图6-7，如图6的波形1和图7的波形4所示，在图3所示的电池均衡电路中，电容C1、C2接收的第一电压控制信号CTL1和第二电压控制信号CTL2分别为包括高电平信号(5V)和低电平信号(0V)的脉冲信号。其中，当第一电压控制信号CTL1为低电平信号时，MOS管Q1的第二端和第三端导通，当第一电压控制信号CTL1为高电平信号时，MOS管Q1的第二端和第三端断开。当第二电压控制信号CTL2为高电平信号时，MOS管Q2的第二端和第三端导通，当第二电压控制信号CTL2为低电平信号时，MOS管Q2的第二端和第三端断开。

具体来说，如图6的波形1和波形2所示，当MOS管Q1不工作时，电容C1所接收的第一电压控制信号CTL1为持续的高电平信号。此时，MOS管Q1的栅极电压等于MOS管Q1的源极电压Vs1，MOS管Q1截止。当需要打开MOS管Q1时，电容C1所接收的第一电压控制信号CTL1从持续的高电平信号跳变到低电平信号，MOS管Q1的栅极电压从Vs1瞬间跳变到Vs1-5V。此时，MOS管Q1的源极电压Vs1高于MOS管Q1的栅极电压，使得MOS管Q1打开，进而MOS管Q1的源极与MOS管Q1的漏极导通。与此同时，电容C1通过电阻R1进行充电，使得MOS管Q1的栅极电压从Vs1-5V缓慢升高。当需要关闭MOS管Q1时，电容C1所接收的第一电压控制信号CTL1从低电平信号跳变到高电平信号，MOS管Q1的栅极电压向上跳变5V。此时，MOS管Q1的源极电压与MOS管Q1的栅极电压之间的电压差不足以打开MOS管Q1，使得MOS管Q1截止，进而MOS管Q1的源极与MOS管Q1的漏极断开。与此同时，电容C1通过电阻R1进行放电，使得MOS管Q1的栅极电压缓慢下降。然而，由如图6的波形2所示，当第一电压控制信号CTL1的有效占空比不断增加(超过50％)时，由于电容C1的充电时间大于电容C1的放电时间，导致MOS管Q1的栅极电压持续升高，以至于在第一电压控制信号CTL1为低电平信号时，MOS管Q1的栅极电压与MOS管Q1的源极电压之间的电压差也无法正常打开MOS管Q1，导致MOS管Q1无法正常工作。

同理，如图7的波形4和波形5所示，当MOS管Q2不工作时，电容C2所接收的第二电压控制信号CTL2为持续的低电平信号。此时，MOS管Q2的栅极电压等于MOS管Q2的源极电压Vs2，MOS管Q2截止。当需要打开MOS管Q2时，电容C2所接收的第二电压控制信号CTL2从持续的低电平信号跳变到高电平信号，MOS管Q2的栅极电压从Vs2跳变到Vs2+5V。此时，MOS管Q2的源极电压低于MOS管Q2的栅极电压，使得MOS管Q2打开，进而MOS管Q2的源极与MOS管Q2的漏极导通。以此同时，电容C2通过电阻R2进行充电，使得MOS管Q2的栅极电压从Vs2+5V缓慢降低。当需要关闭MOS管Q2时，电容C2所接收的第二电压控制信号CTL2从高电平信号跳变到低电平信号时，MOS管Q2的栅极电压向下跳变5V。此时，MOS管Q2的栅极电压与MOS管Q2的源极电压之间电压差不足以打开MOS管Q2，MOS管Q2截止，进而MOS管Q2的源极与MOS管Q2的漏极断开。与此同时，电容C2通过电阻R2进行放电，使得MOS管Q2的栅极电压缓慢升高。然而，由如图7的波形5所示，当第二电压控制信号CTL2的有效占空比不断增加(超过50％)时，由于电容C2的充电时间大于电容C2的放电时间，导致MOS管Q2的栅极电压持续降低，以至于在第二电压控制信号CTL2为高电平信号时，MOS管Q2的栅极电压与MOS管Q2的源极电压之间的电压差也无法打开MOS管Q2，导致MOS管Q2无法正常工作。

如图5所示，在本实施例中，二极管D3的正极连接MOS管Q1的栅极，而二极管D3的负极连接MOS管Q1的源极。此时，如图6的波形3所示，当第一电压控制信号CTL1从高电平信号跳变到低电平信号时，由于MOS管Q1的栅极电压低于MOS管Q1的源极电压，使得二极管D3截止断开，电容C1通过电阻R1缓慢充电。当第一电压控制信号CTL1从低电平信号跳变到高电平信号时，由于MOS管Q1的栅极电压大于MOS管Q1的源极电压，使得二极管D3导通。此时，电容C1通过二极管D3迅速放电，将MOS管Q1的栅极电压快速钳位到MOS管Q1的源极电压。具体来说，当MOS管Q1的栅极电压与MOS管Q1的源极电压之间电压差大于二极管D3的导通电压时，二极管D3导通，电容C1通过二极管D3迅速放电。当MOS管Q1的栅极电压与MOS管Q1的源极电压之间电压差等于及小于二极管D3的导通电压时，二极管D3截止断开，电容C1通过电阻R1缓慢放电。

同理，如图5所示，在本实施例中，二极管D4的负极连接MOS管Q2的栅极，而二极管D4的正极连接MOS管Q2的源极。此时，如图7的波形6所示，当第二电压控制信号CTL2从低电平信号跳变到高电平信号时，由于MOS管Q2的栅极电压高于MOS管Q2的源极电压，使得二极管D4截止断开，电容C4通过电阻R2缓慢充电。当第二电压控制信号CTL2从高电平信号跳变到低电平信号时，由于MOS管Q2的源极电压大于MOS管Q2的栅极电压，使得二极管D4导通。此时，电容C2通过二极管D4迅速放电，将MOS管Q2的栅极电压快速钳位到MOS管Q2的源极电压。具体来说，当MOS管Q2的源极电压与MOS管Q2的栅极电压之间电压差大于二极管D4的导通电压时，二极管D4导通，电容C2通过二极管D4迅速放电。当MOS管Q2的栅极电压与MOS管Q2的源极电压之间电压差等于及小于二极管D3的导通电压时，二极管D3截止断开，电容C2通过电阻R2缓慢放电。

通过上述方式，利用二极管D3、D4的钳位作用，避免了由于有效占空比增加产生的电容C1、C2放电不充分而引起的MOS管Q1、Q2无法正常工作。

在本实施例中，二极管D3、D4可以是普通二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管(TVS)、稳压二极管或其他单向导通元件。

在优选实施例，二极管D3采用稳压二极管。该稳压二极管的进一步作用是：在MOS管Q1的源极瞬间上电时，稳压二极管反向导通，将MOS管Q1的栅极电压钳位到MOS管Q1的源极电压。此时，由于稳压二极管两端的电压差小于MOS管Q1的源极与栅极之间的耐受电压，因此避免了在瞬间上电时由于MOS管Q1的源极与栅极之间电压差大于耐受电压而导致的MOS管Q1的源极和栅极被击穿。

在其他实施例中，稳压二极管也可以由其他钳位元件实现，例如单向TVS、双向TVS或者压敏电阻，只需确保在MOS管Q1的源极瞬间上电时钳位元件能够导通且导通时钳位元件两端的电压差小于MOS管Q1的源极与栅极之间的耐受电压即可。需要注意的是，在单独采用压敏电阻的情况下，将无法实现上文所描述的对电容C1的快速放电，因此可以将压敏电阻与普通二极管并联来同时实现上述两个效果。

在阅读上述内容后，本领域技术人员完全可以想到将上述实施例进行结合，或转用到其他类似的MOS管开关电路上。

通过以上方式，本发明的电池均衡电路有效地均衡电池电量，从而提高电池组的寿命。此外，该电池均衡电路及MOS管开关电路提高电路的工作稳定性。

以上仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (2)

1.一种电池均衡电路，其特征在于，包括：

电容，所述电容的第一端接收电压控制信号，所述电压控制信号为包括第一电平信号和第二电平信号的脉冲信号；

MOS管，所述MOS管的第一端连接所述电容的第二端；

电阻，所述电阻的第一端连接所述MOS管的第一端，所述电阻的第二端连接所述MOS管的第三端，以使所述MOS管的第二端和第三端在所述第一电平信号的作用下导通，并在所述第二电平信号的作用下断开；

钳位元件，所述钳位元件的第一端连接所述MOS管的第一端，所述钳位元件的第二端连接所述MOS管的第三端，所述钳位元件在所述电压控制信号从所述第二电平信号跳变到所述第一电平信号时断开，并在所述电压控制信号从所述第一电平信号跳变到所述第二电平信号时导通，所述钳位元件为单向导通器件，所述单向导通器件为二极管，所述二极管为稳压二极管或瞬态抑制二极管；

当所述MOS管为P型MOS管时，所述MOS管的第一端、第二端以及第三端分别为所述P型MOS管的栅极、漏极和源极，所述二极管的正极连接所述MOS管的栅极，所述二极管的负极连接所述MOS管的源极，所述二极管在所述MOS管的源极上电时反向导通，将所述MOS管的栅极电压钳位到所述MOS管的源极电压，且所述二极管反向导通时两端的电压差小于所述MOS管的栅极和源极之间的耐受电压；

当所述MOS管为N型MOS管时，所述MOS管的第一端、第二端以及第三端分别为所述N型MOS管的栅极、漏极和源极，所述二极管的正极连接所述MOS管的源极，所述二极管的负极连接所述MOS管的栅极，所述二极管在所述MOS的源极电压大于所述MOS管的栅极电压时导通，将所述MOS管的栅极电压钳位到所述MOS管的源极电压。

2.一种MOS管开关电路，其特征在于，包括：

电容，所述电容的第一端接收电压控制信号，所述电压控制信号为包括第一电平信号和第二电平信号的脉冲信号；

MOS管，所述MOS管的第一端连接所述电容的第二端；

电阻，所述电阻的第一端连接所述MOS管的第一端，所述电阻的第二端连接所述MOS管的第三端，以使所述MOS管的第二端和第三端在所述第一电平信号的作用下导通，并在所述第二电平信号的作用下断开；

钳位元件，所述钳位元件的第一端连接所述MOS管的第一端，所述钳位元件的第二端连接所述MOS管的第三端，所述钳位元件在所述电压控制信号从所述第二电平信号跳变到所述第一电平信号时断开，并在所述电压控制信号从所述第一电平信号跳变到所述第二电平信号时导通，所述钳位元件为单向导通器件，所述单向导通器件为二极管，所述二极管为稳压二极管或瞬态抑制二极管；

当所述MOS管为P型MOS管时，所述MOS管的第一端、第二端以及第三端分别为所述P型MOS管的栅极、漏极和源极，所述二极管的正极连接所述MOS管的栅极，所述二极管的负极连接所述MOS管的源极，所述二极管在所述MOS管的源极上电时反向导通，将所述MOS管的栅极电压钳位到所述MOS管的源极电压，且所述二极管反向导通时两端的电压差小于所述MOS管的栅极和源极之间的耐受电压；

当所述MOS管为N型MOS管时，所述MOS管的第一端、第二端以及第三端分别为所述N型MOS管的栅极、漏极和源极，所述二极管的正极连接所述MOS管的源极，所述二极管的负极连接所述MOS管的栅极，所述二极管在所述MOS的源极电压大于所述MOS管的栅极电压时导通，将所述MOS管的栅极电压钳位到所述MOS管的源极电压。