CN103066941A - 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 - Google Patents
一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103066941A CN103066941A CN2012103543725A CN201210354372A CN103066941A CN 103066941 A CN103066941 A CN 103066941A CN 2012103543725 A CN2012103543725 A CN 2012103543725A CN 201210354372 A CN201210354372 A CN 201210354372A CN 103066941 A CN103066941 A CN 103066941A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- hole
- metal coating
- support platform
- metallic support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 65
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 18
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 9
- 230000010412 perfusion Effects 0.000 claims description 8
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract 1
- -1 second Substances 0.000 abstract 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000009411 base construction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004540 pour-on Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及SMD石英晶体谐振器基座及其加工方法,属于石英晶体谐振器技术领域。本发明采用单层陶瓷基板,陶瓷基板上开通有通孔;上表面分布有外周金属环平台、环内支撑平台,下表面分布有:电极金属涂层。加工方法:采用单层陶瓷基板,打通孔灌注导电金属材料;陶瓷基板上表面、下表面分别形成相应位置的金属涂层;干燥后,再印刷一层金属钨;烧结陶瓷基板;对陶瓷基板电解镀镍,形成镀镍层;加工Fe-Co-Ni合金环、烧结在陶瓷基板的环形金属环平台上形成腔体;对上述完成品再进行电解镀镍,形成镀镍层;电解镀金,形成镀金层。本发明采用在单层陶瓷基板上印刷金属化涂层,再进行钎焊烧结金属环,导电、绝缘、支撑效果好,降低了材料成本,满足石英晶体谐振器低成本、小型化的要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种SMD石英晶体谐振器基座及其加工方法,属于SMD石英晶体谐振器结构技术领域。
背景技术
目前,SMD石英晶体谐振器的基座结构有两种,一是金属封装结构:多层陶瓷板上烧结可伐材料金属环,然后平行封焊盖板,缺点是价格高;二是玻璃胶封装结构:单层陶瓷板与金属外壳或陶瓷上盖用玻璃胶密封,缺点是玻璃胶有微量气体挥发,影响产品老化率。
发明内容
本发明的目的在于解决目前SMD石英晶体谐振器现有基座多层陶瓷板难加工成本高,主要依靠国外加工的问题,提供一种改善后为单层基板结构,直接降低材料成本、设计简单合理、易加工、成本低的SMD石英晶体谐振器基座及加工方法。
技术方案如下:
一种SMD石英晶体谐振器基座,其特殊之处在于采用单层陶瓷基板,陶瓷基板上开通有灌注导电材料的第一通孔5、第二通孔6,第三通孔15、第四通孔16,单层陶瓷基板上做金属化进行电极联通;
陶瓷基板1上表面分布有:在上表面外周环形金属涂层上烧结的金属环平台2、环内左侧设有用于晶片点胶的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4,环内右侧设有用于支撑晶片的第三金属支撑平台11;
陶瓷基板1下表面分布有:分别与上表面的金属环平台2、第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4相连接的四个电极金属涂层。
陶瓷基板1上表面所设的外周环形金属环平台2通过第三通孔15、第四通孔16灌注的导电材料分别与陶瓷基板下表面所设的对角位置的电极金属涂层即第一电极金属涂层9、第二电极金属涂层10导通连接;陶瓷基板上表面环内左侧的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4分别通过所述第一通孔5、第二通孔6灌注的导电材料与陶瓷基板下表面所设的对角位置的电极金属涂层即第三电极金属涂层7、第四电极金属涂层8导通连接。
所述金属涂层是由钨材料制成的金属涂层。
所述上表面环内左侧的金属支撑平台中的第一金属支撑平台3通过金属涂层13连接至第一通孔5。
所述陶瓷基板1是氧化铝材料制成。
上述本发明的SMD石英晶体谐振器基座的一种加工方法如下:
1、采用单层陶瓷基板,在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔5、第二通孔6、第三通孔15、第四通孔16,第一通孔5、第二通孔6、第三通孔15、第四通孔16内均灌注导电金属材料;
所述导电金属材料采用金属钨浆料。
2、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别进行金属化印刷,形成相应位置的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板1上表面分布的外周环形金属环平台2位置,内设的环内左侧用于晶片点胶的第一金属支撑平台3与第二金属支撑平台4位置,环内右侧用于支撑晶片的的第三金属支撑平台11位置,陶瓷基板1下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
干燥后,在陶瓷基板1上表面分布的环内左侧用于晶片点胶的第一金属支撑平台3与第二金属支撑平台4位置、环内右侧用于支撑晶片的第三金属支撑平台11位置再印刷一层金属钨。
3、进行烧结;
烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板1,利用金属化进行上表面、下表面的电极联通。
4、电解(或化学)镀镍,在步骤2已经印刷金属化部位形成镀镍层;
5、加工Fe-Co-Ni合金环(可伐环),其底面敷有Ag-Cu焊料,可伐环形状与上述环形金属环平台2相匹配;
6、将步骤5得到的可伐环烧结在步骤4已镀镍陶瓷基板环形金属环平台2位置;
7、再对产品电解(或化学)镀镍,在产品金属层上形成镀镍层;
8、对产品进行电解(或化学)镀金,在已经金属化部位形成镀金层。
上述步骤3将排列单层陶瓷基板组成的大板进行烧结前,在大板上陶瓷基板连接部位打裁板孔17利于大板分割。
所述陶瓷基板下表面所设的电极金属涂层即第一电极金属涂层9、第二电极金属涂层10、第三电极金属涂层7、第四电极金属涂层8均分别连接延伸到陶瓷基板下表面的四个夹角,以方便上述大板上陶瓷基板连接部位打裁板孔进行大板分割,裁板孔以不切断乡邻四个夹角的导电连通为准。
本发明的石英晶体谐振器基座,采用在单层陶瓷基板上印刷金属化涂层,再进行钎焊烧结金属环,在导电、绝缘、支撑方面都能达到很好效果的同时,解决了原先基座多层板难加工、成本高的问题,直接降低了材料成本,满足石英晶体谐振器低成本、小型化的要求,产品推出后完全可以取代目前SMD石英晶体谐振器基座,具有广阔的应用前景。
附图说明
图1:本发明一种SMD石英晶体谐振器基座的上表面结构示意图;
图2:图1的M-M剖视放大图;
图3:图1的L - L剖视放大图;
图4:本发明一种SMD石英晶体谐振器基座的下表面结构示意图;
图5:本发明一种SMD石英晶体谐振器基座的大板结构示意图。
具体实施方式
以下参考附图给出本发明的具体实施方式,对本发明做进一步说明。
实施例1
本实施例的SMD石英晶体谐振器基座,采用单层陶瓷基板,陶瓷基板1上开通有四个灌注导电材料的第一通孔5、第二通孔6,第三通孔15、第四通孔16,单层陶瓷基板上做金属化进行电极联通;
陶瓷基板1上表面分布有:在上表面外周环形金属涂层上烧结的金属环平台2、环内左侧设有用于晶片点胶的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4,环内右侧设有用于支撑晶片的第三金属支撑平台11;
陶瓷基板1下表面分布有:分别与上表面的金属环平台2、第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4相连接的四个电极金属涂层;
陶瓷基板1上表面所设的外周环形金属环平台2通过第三通孔15、第四通孔16灌注的导电材料分别与陶瓷基板下表面所设的对角位置的电极金属涂层即第一电极金属涂层9、第二电极金属涂层10导通连接;陶瓷基板上表面环内左侧的第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4分别通过所述第一通孔5、第二通孔6灌注的导电材料与陶瓷基板下表面所设的对角位置的电极金属涂层即第三电极金属涂层7、第四电极金属涂层8导通连接。
上述金属涂层是由钨材料制成的金属涂层,上表面环内左侧的金属支撑平台中的一个金属支撑平台3通过金属涂层13连接至第一通孔5,陶瓷基板是氧化铝材料制成。
上述实施例SMD石英晶体谐振器基座的加工方法如下:
1、采用单层陶瓷基板,在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔5、第二通孔6、第三通孔15、第四通孔16,第一通孔5、第二通孔6、第三通孔15、第四通孔16内均灌注导电金属材料,导电金属材料采用金属钨浆料;
2、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别进行金属化印刷,形成相应位置的金属涂层;
所述金属涂层位于:陶瓷基板1上表面分布的外周环形金属环平台2位置,内设的环内左侧用于晶片点胶的第一金属支撑平台3与第二金属支撑平台4位置,环内右侧用于支撑晶片的的第三金属支撑平台11位置,陶瓷基板1下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;
干燥后,在陶瓷基板1上表面分布的环内左侧用于晶片点胶的第一金属支撑平台3与第二金属支撑平台4位置、环内右侧用于支撑晶片的第三金属支撑平台11位置再印刷一层金属钨。
3、进行烧结;
烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板1,利用金属化进行上表面、下表面的电极联通。
根据需要可以多次印刷金属涂层,通过多次烘烤形成相应的金属环平台与金属支撑平台。
将排列单层陶瓷基板组成的大板进行烧结前,在大板上陶瓷基板连接部位打裁板孔利于大板分割。
4、电解(或化学)镀镍,在步骤2已经印刷金属化部位形成镀镍层;
5、加工Fe-Co-Ni合金环(可伐环),其底面敷有Ag-Cu焊料,可伐环形状与上述环形金属环平台2相匹配;
6、将步骤5得到的可伐环烧结在步骤4已镀镍陶瓷基板环形金属环平台2位置;
7、再对产品电解(或化学)镀镍,在产品金属层上形成镀镍层;
8、对产品进行电解(或化学)镀金,在已经金属化部位形成镀金层。
以上实施例的陶瓷基板做通孔填充金属材料,以及在陶瓷基板上、下表面做金属化处理。陶瓷基板上表面烧结的金属环第一金属支撑平台3、第二金属支撑平台4与陶瓷基板下表面的第三电极金属涂层7、第四电极金属涂层8导通;陶瓷基板上表面外周环形金属环平台2与陶瓷基板下表面的第一电极金属涂层9、第二电极金属涂层10导通。采用在单层陶瓷基板上印刷金属化涂层,再进行烧结,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板1,在导电、绝缘、支撑方面都能达到很好效果的同时,所有金属结构的表面均做电解镀金层。解决了原先基座多层板难加工、成本高的问题,直接降低了材料成本,产品推出后完全可以取代目前SMD石英晶体谐振器基座,具有广阔的应用前景。
Claims (7)
1.一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于采用单层陶瓷基板,陶瓷基板上开通有灌注导电材料的第一通孔(5)、第二通孔(6),第三通孔(15)、第四通孔(16),单层陶瓷基板上做金属化进行电极联通;陶瓷基板(1)上表面分布有:在上表面外周环形金属涂层上烧结的金属环平台(2)、环内左侧设有用于晶片点胶的第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4),环内右侧设有用于支撑晶片的第三金属支撑平台(11);陶瓷基板(1)下表面分布有:分别与上表面的金属环平台(2)、第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4)相连接的电极金属涂层。
2.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述陶瓷基板(1)上表面所设的外周环形金属环平台(2)通过第三通孔(15)、第四通孔(16)灌注的导电材料分别与陶瓷基板下表面所设的对角位置的电极金属涂层即第一电极金属涂层(9)、第二电极金属涂层(10)导通连接;陶瓷基板上表面环内左侧的第一金属支撑平台(3)、第二金属支撑平台(4)分别通过所述第一通孔(5)、第二通孔(6)灌注的导电材料与陶瓷基板下表面所设的对角位置的电极金属涂层即第三电极金属涂层(7)、第四电极金属涂层(8)导通连接。
3.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述金属涂层是由钨材料制成的金属涂层。
4.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述上表面环内左侧的金属支撑平台中的第一金属支撑平台(3)通过金属涂层(13)连接至第一通孔(5)。
5.按照权利要求1所述的一种SMD石英晶体谐振器基座,其特征在于所述所述陶瓷基板(1)是氧化铝材料陶瓷基板。
6.权利要求1-5任一权利要求所述SMD石英晶体谐振器基座的加工方法,其特征在于包括以下步骤:
1)、采用单层陶瓷基板,在单层陶瓷基板上对角位置打第一通孔(5)、第二通孔(6)、第三通孔(15)、第四通孔(16),第一通孔(5)、第二通孔(6)、第三通孔(15)、第四通孔(16),内均灌注导电金属材料;
2)、在单层陶瓷基板上表面、下表面分别进行金属化印刷,形成相应位置的金属涂层;所述金属涂层位于:陶瓷基板(1)上表面分布的外周环形金属环平台(2)位置,内设的环内左侧用于晶片点胶的第一金属支撑平台(3)与第二金属支撑平台(4)位置,环内右侧用于支撑晶片的的第三金属支撑平台(11)位置,陶瓷基板(1)下表面分布的相对应的四个电极金属涂层位置;干燥后,在陶瓷基板(1)上表面分布的环内左侧用于晶片点胶的第一金属支撑平台(3)与第二金属支撑平台(4)位置、环内右侧用于支撑晶片的第三金属支撑平台(11)位置再印刷一层金属钨;
3)、进行烧结;
烧结单层陶瓷基板,形成带金属化金属涂层的陶瓷基板(1),利用金属化进行上表面、下表面的电极联通;
4)、电解(或化学)镀镍,在步骤2已经印刷金属化部位形成镀镍层;
5)、加工Fe-Co-Ni合金环,其底面敷有Ag-Cu焊料,可伐环形状与上述环形金属环平台(2)相匹配;
6)、将步骤5得到的可伐环烧结在步骤4已镀镍陶瓷基板环形金属环平台(2)位置;
7)、再对产品电解或化学镀镍,在产品金属层上形成镀镍层;
8)、对产品进行电解或化学镀金,在已经金属化部位形成镀金层。
7.按照权利要求6所述SMD石英晶体谐振器基座的加工方法,其特征在于所述导电金属材料采用金属钨浆料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012103543725A CN103066941A (zh) | 2012-09-22 | 2012-09-22 | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012103543725A CN103066941A (zh) | 2012-09-22 | 2012-09-22 | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103066941A true CN103066941A (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=48109430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012103543725A Pending CN103066941A (zh) | 2012-09-22 | 2012-09-22 | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103066941A (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106374869A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-01 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种贴片式石英晶体谐振器基座 |
CN106685375A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-17 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 |
CN107040235A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-11 | 湖南省福晶电子有限公司 | 音叉晶振基座 |
CN107332537A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-11-07 | 杨小木 | 新型结构smd石英晶体谐振器 |
CN107517044A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-12-26 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
CN107666296A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-06 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | 一种石英晶体谐振器的加工方法 |
CN111049494A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-21 | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 | 一种新型可伐腔体smd石英晶体陶瓷基座结构 |
CN111245398A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 郑州登电银河科技有限公司 | 一种陶瓷封装基座用点胶电极平台的制备方法、谐振器晶片的固定方法及印刷金属浆料 |
CN112185925A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-05 | 日本碍子株式会社 | 晶片载置台及其制法 |
CN114337586A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-04-12 | 深圳市科瀚电子有限公司 | 一种贴片音叉谐振器的结构及加工方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201298829Y (zh) * | 2008-11-12 | 2009-08-26 | 东莞创群石英晶体有限公司 | 精密石英晶体谐振器 |
CN102638243A (zh) * | 2012-05-07 | 2012-08-15 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 |
CN202424638U (zh) * | 2011-12-30 | 2012-09-05 | 辜达元 | 一种smd石英谐振器 |
CN202750054U (zh) * | 2012-09-22 | 2013-02-20 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座 |
-
2012
- 2012-09-22 CN CN2012103543725A patent/CN103066941A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201298829Y (zh) * | 2008-11-12 | 2009-08-26 | 东莞创群石英晶体有限公司 | 精密石英晶体谐振器 |
CN202424638U (zh) * | 2011-12-30 | 2012-09-05 | 辜达元 | 一种smd石英谐振器 |
CN102638243A (zh) * | 2012-05-07 | 2012-08-15 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 |
CN202750054U (zh) * | 2012-09-22 | 2013-02-20 | 烟台森众电子科技有限公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106374869A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-01 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种贴片式石英晶体谐振器基座 |
CN106685375A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-17 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | 一种smd石英晶体谐振器基座以及加工方法 |
CN107040235B (zh) * | 2017-06-08 | 2023-05-02 | 湖南省福晶电子有限公司 | 音叉晶振基座 |
CN107040235A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-11 | 湖南省福晶电子有限公司 | 音叉晶振基座 |
CN107517044A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-12-26 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
CN107517044B (zh) * | 2017-08-10 | 2024-04-09 | 四川明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
WO2019029132A1 (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 烟台明德亨电子科技有限公司 | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 |
CN107332537A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-11-07 | 杨小木 | 新型结构smd石英晶体谐振器 |
CN107666296A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-06 | 合肥晶威特电子有限责任公司 | 一种石英晶体谐振器的加工方法 |
CN112185925A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-05 | 日本碍子株式会社 | 晶片载置台及其制法 |
CN111049494A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-21 | 南京中电熊猫晶体科技有限公司 | 一种新型可伐腔体smd石英晶体陶瓷基座结构 |
CN111245398A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 郑州登电银河科技有限公司 | 一种陶瓷封装基座用点胶电极平台的制备方法、谐振器晶片的固定方法及印刷金属浆料 |
CN111245398B (zh) * | 2020-01-20 | 2022-12-20 | 瓷金科技(河南)有限公司 | 一种陶瓷封装基座用点胶电极平台的制备方法、谐振器晶片的固定方法及印刷金属浆料 |
CN114337586A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-04-12 | 深圳市科瀚电子有限公司 | 一种贴片音叉谐振器的结构及加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103066941A (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 | |
CN102638243A (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座及加工方法 | |
CN202750054U (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座 | |
CN103535121B (zh) | 陶瓷电子元器件及其制造方法 | |
CN103840790A (zh) | 冷压焊陶瓷封装外壳及使用该外壳的晶体振荡器 | |
CN103441053B (zh) | 集成气体放电管及其制备方法 | |
CN107517044B (zh) | 一种整板smd石英晶体谐振器基板结构及其加工方法 | |
CN202513886U (zh) | 一种smd石英晶体谐振器基座 | |
CN106604567A (zh) | 布线基板和其制造方法 | |
CN108399988B (zh) | 电子封装用陶瓷绝缘子及其制作方法 | |
JP2014229866A (ja) | 電子部品搭載用基板およびそれを用いた電子部品実装パッケージ | |
CN209544336U (zh) | 一种提高平整度的陶瓷封装基板组合板 | |
CN107785470A (zh) | Uv‑led附框陶瓷基板及其制造方法 | |
CN207021973U (zh) | 新型结构smd石英晶体谐振器 | |
US20160095214A1 (en) | Ceramic substrate | |
CN216106651U (zh) | 一种csp陶瓷基板的组合板 | |
JP4570301B2 (ja) | 電子部品収納用容器 | |
CN203014756U (zh) | 储能焊陶瓷封装外壳及使用该外壳的晶体振荡器 | |
CN203014758U (zh) | 单层陶瓷封装外壳及使用该外壳的晶体振荡器 | |
CN201383796Y (zh) | 一种石英谐振器的基座结构 | |
CN103840789A (zh) | 单层陶瓷封装外壳及使用该外壳的晶体振荡器 | |
CN111945202B (zh) | 陶瓷无引线外壳的盲孔电镀方法 | |
CN209184568U (zh) | 一种易于生产的谐振器 | |
CN202050390U (zh) | 具有上盖的表面贴装石英晶体谐振器 | |
CN107483026A (zh) | 一种全陶瓷粘结封装的音叉晶振以及应用于音叉晶振的全陶瓷封装工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130424 |