CN103021887B - 有散热要求fc电路的气密性封帽方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法,包括以下步骤:首先将FC芯片倒扣焊接在基板上;接着把导热胶涂覆在FC芯片的背面,并把盖板定位在外壳焊接环上,盖板内表面与导热胶充分接触粘连;然后进行第一阶段缝焊,将盖板的上边、下边与外壳焊接环进行缝焊,盖板的左边和右边上除未缝焊预留区外其它部分与外壳焊接环进行缝焊;进行导热胶的固化,随后将盖板下的腔体内的气体排出;将氮气充入盖板下的腔体。最后将盖板的左边、右边上未缝焊预留区与外壳焊接环进行缝焊。本发明可以保证有散热设计要求FC电路封帽后,气密性和内部气氛均能满足设计要求;本方法的过程简单,容易实现。
Description
技术领域
本发明涉及一种芯片电路封帽的方法,尤其是一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法。
背景技术
本发明出现以前,FC电路(FC:倒扣焊芯片)的气密性常规平行缝焊方式封帽(方形盖板的每两个对应边缝焊一次完成)只适用于无特殊散热要求的小功率芯片封装。目前,随着大功率FC芯片的出现,其对散热设计有了要求,需要让芯片的背面通过导热胶粘结盖板(盖板可以当作散热板),而导热胶在固化时不可避免会产生一些有害气体。在此情况下,如还采用常规平行缝焊方式封帽,无法兼顾气密性要求和FC电路内部气氛要求;而目前二者又是有散热要求FC电路必需要保证的,封帽以后一方面要保证FC电路的气密性,即与外界空气隔绝,另外一方面要保证FC电路内部尽量减少有害气体的存在和水汽的存在。
发明内容
本发明的目的是补充现有技术中存在的不足,提供一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法,分阶段完成整个缝焊的过程,能够在缝焊过程中排出有害气体,保证了气密性要求和FC电路内部气氛要求。本发明采用的技术方案是:
一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法,包括以下工艺步骤:
步骤101,首先将FC芯片倒扣焊接在基板上;
步骤102,接着把导热胶涂覆在FC芯片的背面,并把盖板定位在外壳焊接环上,盖板内表面与导热胶充分接触粘连;
步骤103,然后把还未气密性封帽的FC电路放入平行缝焊机中,进行第一阶段缝焊,将盖板的上边、下边与外壳焊接环进行缝焊;在盖板的左边和右边上留出未缝焊预留区不进行缝焊,盖板的左边和右边上除未缝焊预留区外其它部分与外壳焊接环进行缝焊;
步骤104,随后在平行缝焊机中进行导热胶的固化,导热胶的固化温度为120~150℃,固化时间为2~4小时;然后将盖板下的腔体内的气体排出;
步骤105,接着在平行缝焊机中将氮气充入盖板下的腔体,氮气纯度≥99.0%,充入时间5分钟~10分钟;
步骤106,最后进行第二阶段缝焊,将盖板的左边、右边上未缝焊预留区与外壳焊接环进行缝焊,完成FC电路最后的气密封封帽。
进一步地,上述步骤103中,盖板4的左边、右边上未缝焊预留区6的长度为右边的1/4左右。
本发明的优点:采用此方法对FC电路进行封帽,可以保证有散热设计要求FC电路封帽后,气密性和内部气氛均能满足设计要求。本方法的过程简单,容易实现。
附图说明
图1为FC电路涂覆导热胶后示意图。
图2为FC电路加放盖板后示意图。
图3为第一阶段缝焊示意图。
图4为第二阶段缝焊示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
具体地,如图1、图2、图3、图4所示:
实施例一:一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法,包括以下工艺步骤:
步骤101,首先将FC芯片1(即Flip Chip倒扣焊芯片)倒扣焊接在基板5上;
步骤102,接着把导热胶2涂覆在FC芯片1的背面,并把盖板4定位在外壳焊接环3上,盖板4内表面与导热胶2充分接触粘连;导热胶2的生产厂家为美国Tech Bond公司,型号为TB3619;
步骤103,然后把还未气密性封帽的FC电路放入平行缝焊机中,进行第一阶段缝焊,将盖板4的上边、下边与外壳焊接环3进行缝焊;在盖板4的左边和右边上留出未缝焊预留区6不进行缝焊,盖板4的左边和右边上除未缝焊预留区6外其它部分与外壳焊接环3进行缝焊;
步骤104,随后在平行缝焊机中进行导热胶2的固化,导热胶2的固化温度为150℃,固化时间为2小时,然后将盖板4下的腔体内的气体排出;以排出有害气体,以及水汽等。盖板4的左边和右边上未缝焊预留区6可用于气体排出;
步骤105,接着在平行缝焊机中将氮气充入盖板4下的腔体,氮气纯度≥99.0%,充入时间5分钟~10分钟;以满足FC电路内部的气氛要求;
步骤106,最后进行第二阶段缝焊,将盖板4的左边、右边上未缝焊预留区6与外壳焊接环3进行缝焊,完成FC电路最后的气密封封帽。
进一步地,上述步骤103中,盖板4的左边、右边上未缝焊预留区6的长度为右边的1/4左右。
实施例二:一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法,包括以下工艺步骤:
步骤101,首先将FC芯片1(即Flip Chip倒扣焊芯片)倒扣焊接在基板5上;
步骤102,接着把导热胶2涂覆在FC芯片1的背面,并把盖板4定位在外壳焊接环3上,盖板4内表面与导热胶2充分接触粘连;导热胶2的生产厂家为美国Tech Bond公司,型号为TB3619;
步骤103,然后把还未气密性封帽的FC电路放入平行缝焊机中,进行第一阶段缝焊,将盖板4的上边、下边与外壳焊接环3进行缝焊;在盖板4的左边和右边上留出未缝焊预留区6不进行缝焊,盖板4的左边和右边上除未缝焊预留区6外其它部分与外壳焊接环3进行缝焊;
步骤104,随后在平行缝焊机中进行导热胶2的固化,导热胶2的固化温度为120℃,固化时间为4小时,然后将盖板4下的腔体内的气体排出;以排出有害气体,以及水汽等。盖板4的左边和右边上未缝焊预留区6可用于气体排出;
步骤105,接着在平行缝焊机中将氮气充入盖板4下的腔体,氮气纯度≥99.0%,充入时间5分钟~10分钟;以满足FC电路内部的气氛要求;
步骤106,最后进行第二阶段缝焊,将盖板4的左边、右边上未缝焊预留区6与外壳焊接环3进行缝焊,完成FC电路最后的气密封封帽。
进一步地,上述步骤103中,盖板4的左边、右边上未缝焊预留区6的长度为右边的1/4左右。
本发明的关键在于分阶段完成整个缝焊的过程:第一阶段缝焊后,盖板4的左边、右边各留出一段不进行缝焊(后期排气用,见图3),待排气结束,充入氮气后再进行剩余部分的补焊(第二阶段缝焊,完成气密性封帽,见图4)。
由于本发明中的封帽采用了分段进行,在第一阶段缝焊后,进行导热胶2的固化,随后将盖板4下的腔体内的气体充分排出;然后将氮气充入盖板4下的腔体,最后进行第二阶段的气密性缝焊(最终封帽)。采用此方法封帽,可以保证有散热设计要求FC电路的气密性封帽后,内部气氛满足设计要求。满足了有散热要求FC电路的气密性和内部气氛,内部压力亦能控制在1个大气压左右。
Claims (2)
1. 一种有散热要求FC电路的气密性封帽方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤101,首先将FC芯片(1)倒扣焊接在基板(5)上;
步骤102,接着把导热胶(2)涂覆在FC芯片(1)的背面,并把盖板(4)定位在外壳焊接环(3)上,盖板(4)内表面与导热胶(2)充分接触粘连;
步骤103,然后把还未气密性封帽的FC电路放入平行缝焊机中,进行第一阶段缝焊,将盖板(4)的上边、下边与外壳焊接环(3)进行缝焊;在盖板(4)的左边和右边上留出未缝焊预留区(6)不进行缝焊,盖板(4)的左边和右边上除未缝焊预留区(6)外其它部分与外壳焊接环(3)进行缝焊;
步骤104,随后在平行缝焊机中进行导热胶(2)的固化,导热胶(2)的固化温度为120~150℃,固化时间为2~4小时;然后将盖板(4)下的腔体内的气体排出;
步骤105,接着在平行缝焊机中将氮气充入盖板(4)下的腔体,氮气纯度≥99.0%,充入时间5分钟~10分钟;
步骤106,最后进行第二阶段缝焊,将盖板(4)的左边、右边上未缝焊预留区(6)与外壳焊接环(3)进行缝焊,完成FC电路最后的气密性封帽。
2.如权利要求1所述的有散热要求FC电路的气密性封帽方法,其特征在于:上述步骤103中,盖板(4)的左边、右边上未缝焊预留区(6)的长度为盖板(4)的右边的1/4。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204552A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-30 | Nec Corp | 半導体装置のパッケージ方法および半導体装置 |
US6445062B1 (en) * | 1999-02-19 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Semiconductor device having a flip chip cavity with lower stress and method for forming same |
CN201478293U (zh) * | 2009-08-20 | 2010-05-19 | 无锡中微高科电子有限公司 | 芯片倒扣焊封装的气密密封结构 |
CN101728340A (zh) * | 2008-10-22 | 2010-06-09 | 索尼株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN102646607A (zh) * | 2012-01-15 | 2012-08-22 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 毫米波t/r组件高导热材料平行缝焊的工艺方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204552A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-30 | Nec Corp | 半導体装置のパッケージ方法および半導体装置 |
US6445062B1 (en) * | 1999-02-19 | 2002-09-03 | Nec Corporation | Semiconductor device having a flip chip cavity with lower stress and method for forming same |
CN101728340A (zh) * | 2008-10-22 | 2010-06-09 | 索尼株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN201478293U (zh) * | 2009-08-20 | 2010-05-19 | 无锡中微高科电子有限公司 | 芯片倒扣焊封装的气密密封结构 |
CN102646607A (zh) * | 2012-01-15 | 2012-08-22 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 毫米波t/r组件高导热材料平行缝焊的工艺方法 |
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