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CN103000125A - 显示面板和显示器 - Google Patents

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CN103000125A
CN103000125A CN2012103207298A CN201210320729A CN103000125A CN 103000125 A CN103000125 A CN 103000125A CN 2012103207298 A CN2012103207298 A CN 2012103207298A CN 201210320729 A CN201210320729 A CN 201210320729A CN 103000125 A CN103000125 A CN 103000125A
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organic
transistor
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display
display panel
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尾本启介
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

本发明提供了一种显示面板和显示器，其中，显示面板针对每个像素包括有机EL器件和像素电路。像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由第一晶体管写入的图像信号来驱动有机EL器件的第二晶体管，第二晶体管具有栅极、源极和漏极。有机EL器件具有阳极、有机层和阴极。第二晶体管的栅极是透明导电层的单层结构，或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构。有机EL器件的阳极具有形成在与透明导电层相同的层上且由与透明导电层相同的材料制成的层。

Description

显示面板和显示器
技术领域
本技术涉及一种包括有机EL（电致发光）器件的显示面板，以及包括这种显示面板的显示器。
背景技术
近年来，在用于执行图像显示的显示器领域中，已开发出使用其发光根据流通的电流值来改变的电流驱动型光学器件（诸如有机EL器件）作为像素发光器件的显示器，且其商品化已在进行（例如，见日本待审查专利申请公开第2011-23240号）。
与液晶器件等不同，有机EL器件是自发光器件。因此，使用有机EL器件的显示器（有机EL显示器）消除了对光源（背光）的需求，从而与包括光源的液晶显示器相比，实现了更高图像可视性、更低功耗和更高器件响应速度。
与液晶显示器相同，有机EL显示器具有简单（无源）矩阵方法和有源矩阵方法作为其驱动方法。前者的缺陷在于尽管结构简单，但其难以实现大尺寸和高清晰显示器。因此，目前已在积极开发有源矩阵方法。该方法使用配置在为每个发光器件制备的驱动电路内的有源器件（通常是TFT（薄膜晶体管））来控制流过为每个像素配置的发光器件的电流。
图18示出了有机EL显示器中典型子像素的截面结构。例如，图18所示的作为底发光结构子像素的子像素100包括电路基板110上的平面层120，其中，诸如TFT的像素电路形成于其上；以及在平面层120上具有有机EL器件130。例如，有机EL器件130从平面层120侧起顺序具有阳极131、有机层132和阴极133。有机层132与阳极131上的阴极133的层叠部分由形成在窗口限定层140上的开口来定义。
发明内容
同时，图18所示子像素包括在电路基板110形成后的大量工艺。这导致了制造成本增加的不利。
期望提供一种确保减少一些电路基板形成后的工艺的显示面板，以及包括这种显示面板的显示器。
根据本公开的实施方式，提供了一种显示面板，其针对每个像素包括有机EL器件和像素电路。像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由第一晶体管写入的图像信号来驱动有机EL器件的第二晶体管，第二晶体管具有栅极、源极和漏极。有机EL器件具有阳极、有机层和阴极。第二晶体管的栅极是透明导电层的单层结构，或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构。有机EL器件的阳极具有形成在与透明导电层相同的层上且由与透明导电层相同的材料制成的层。
根据本公开的实施方式，提供了一种显示器，包括：显示面板；以及驱动每个像素的驱动电路。显示面板对于每个像素具有有机EL器件和像素电路。像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由第一晶体管写入的图像信号来驱动有机EL器件的第二晶体管，第二晶体管具有栅极、源极和漏极。有机EL器件具有阳极、有机层和阴极。第二晶体管的栅极是透明导电层的单层结构，或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构。有机EL器件的阳极具有形成在与透明导电层相同的层上且由与透明导电层相同的材料制成的层。
在根据本公开实施方式的发光板和显示器中，有机EL器件的阳极上，配置了在与栅极的透明导电层相同的层上形成且由与透明导电层相同的材料制成的层。例如，这允许阳极在其上形成栅极的基板上制成，还允许阳极与栅极一同形成。
根据本公开实施方式的显示面板和显示器允许阳极在其上形成栅极的基板上形成，还允许阳极与栅极一同形成，这使得省去形成平面层或单独形成阳极的步骤成为可能。因此，可以减少电路基板形成后的一些工艺。
需要理解，之前一般描述和以下详细描述均是示例性的，且旨在提供对如权利要求所述的本技术的进一步说明。
附图说明
所包括的附图用于提供对本公开的进一步理解，且结合进本说明书中并构成其一部分。附图示出了实施方式，并与本说明书一起用于说明本技术的原理。
图1是根据本技术实施方式的显示器的示意性框图。
图2是示出图1所示子像素的电路结构的一个实例的示意图。
图3是示出图1所示子像素的截面结构的一个实例的示意图。
图4是用于说明制造图3所示子像素的方法的一个实例的示意图。
图5是用于说明图4工艺之后的一步工艺的示意图。
图6是用于说明图5工艺之后的一步工艺的示意图。
图7是用于说明图6工艺之后的一步工艺的示意图。
图8是用于说明图7工艺之后的一步工艺的示意图。
图9是用于说明图8工艺之后的一步工艺的示意图。
图10是用于说明图9工艺之后的一步工艺的示意图。
图11是示出图3所示子像素的一个变形例的示意图。
图12是示出包括根据本技术上述实施方式的显示器的模块的示意性结构的平面图。
图13是示出根据本技术上述实施方式的显示器的应用实例1的外观的透视图。
图14A是示出从其前侧看的应用实例2的外观的透视图，而图14B是示出从后侧看的外观的透视图。
图15是示出应用实例3的外观的透视图。
图16是示出应用实例4的外观的透视图。
图17A是处于打开状态的应用实例5的前视图，图17B是其侧视图，图17C是处于闭合状态的前视图，图17D是左侧视图，图17E是右侧视图，图17F是顶视图，以及图17G是底视图。
图18是示出现有子像素的电路结构的一个实例的示意图。
具体实施方式
下文中，参照附图来详细描述本公开的实施方式。需要注意，将按照以下给定顺序来提供描述。
1．实施方式
2．变形例
3．模块和应用实例
（1．实施方式）
图1示出了根据本技术实施方式的显示器1的总体结构的一个实例。显示器1包括显示面板10和驱动显示面板10的驱动电路20。
显示面板10具有显示区10A，其中，多个显示像素14成二维排布。显示面板10基于外部输入的图像信号20A通过驱动每个显示像素14的有源矩阵来显示图像。每个显示像素14均包括多种类型的具有彼此不同的发光颜色的子像素。具体而言，每个显示像素14包括红色子像素13R、绿色子像素13G、蓝色子像素13B和白色子像素13W。需要注意，子像素13R、13G、13B和13W在下文中统称为子像素13。
图2示出了子像素13的电路结构的一个实例。如图2所示，子像素13具有有机EL器件11和驱动有机EL器件11的像素电路12。需要注意，子像素13R配置有发红EL光的有机EL器件11R作为有机EL器件11。类似地，子像素13G配置有发绿EL光的有机EL器件11G作为有机EL器件11。子像素13B配置有发蓝EL光的有机EL器件11B作为有机EL器件11。子像素13W配置有发白EL光的有机EL器件11W作为有机EL器件11。
例如，像素电路12被配置为包括写入晶体管Tws（第一晶体管）、驱动晶体管Tdr（第二晶体管）和保持电容器Cs，其采用2Tr1C的电路结构。需要注意，像素电路12不限于这种2Tr1C的电路结构，而是可具有彼此串联连接的两个写入晶体管Tws，或者可包括除上述那些的任何晶体管和电容器。
写入晶体管Tws是将对应于图像信号20A的电压写入保持电容器Cs的晶体管。驱动晶体管Tdr是基于由写入晶体管Tws写入保持电容器Cs的电压来驱动有机EL器件11的晶体管。写入晶体管Tws和驱动晶体管Tdr例如由n沟道MOS TFT（薄膜晶体管）构成。需要注意，可替代地，写入晶体管Tws和驱动晶体管Tdr可由p沟道MOS TFT构成。
驱动电路20具有时序发生电路21、图像信号处理电路22、数据线驱动电路23、栅极线驱动电路24和漏极线驱动电路25。驱动电路20还具有与数据线驱动电路23的输出相连接的数据线DTL、与栅极线驱动电路24的输出相连接的栅极线WSL、以及与漏极线驱动电路25的输出相连接的漏极线DSL。此外，驱动电路20具有与有机EL器件11的阴极相连接的地线GND（见图2）。需要注意，地线GND旨在与地连接，且当与地连接时变为地电压。
时序发生电路21例如控制数据线驱动电路23、栅极线驱动电路24和漏极线驱动电路25，以使其彼此相结合来工作。例如，时序发生电路21根据外部输入的同步信号20B（与这一信号同步），向这些电路输出控制信号21A。
图像信号处理电路22例如校正外部输入的数字图像信号20A，并将校正后的图像信号转换成模拟信号，从而作为输出，向数据线驱动电路23传递所产生的信号电压22B。
数据线驱动电路23响应控制信号21A的输入（与该信号同步），将从图像信号处理电路22输入的模拟信号电压22B写入经由每条数据线DTL选择的显示像素14（或子像素13）。数据线驱动电路23例如能输出信号电压22B和独立于图像信号的恒定电压。
栅极线驱动电路24响应控制信号21A的输入（与该信号同步），相继向多条栅极线WSL施加选择脉冲，从而相继选择栅极线WSL单元中的多个显示像素14（或子像素13）。栅极线驱动电路24例如能输出被用于开启写入晶体管Tws的电压，以及被用于关闭写入晶体管Tws的电压。
漏极线驱动电路25响应控制信号21A的输入（与该信号同步），经由各条漏极线DSL，向各像素电路12中的驱动晶体管Tdr的漏极输出预定电压。漏极线驱动电路25例如能输出被用于使有机EL器件11进入发光状态的电压，以及被用于使有机EL器件11进入消光状态的电压。
接下来，参照图2来描述元件的连接关系和配置。栅极线WSL沿行方向延伸形成，且与写入晶体管Tws的栅极相连接。漏极线DSL也沿行方向延伸形成，且与驱动晶体管Tdr的漏极相连接。数据线DTL沿列方向延伸形成，且与写入晶体管Tws的漏极相连接。
写入晶体管Tws的源极与驱动晶体管Tdr的栅极和保持电容器Cs的第一端相连接。驱动晶体管Tdr的源极和保持电容器Cs的第二端（与写入晶体管Tws不连接的端）与有机EL器件11的阳极（anode）相连接。有机EL器件11的阴极（cathode）与地线GND相连接。例如，该阴极遍及显示区10A的整个区域而形成。
随后，参照图3来描述显示面板10上显示区10A的截面结构。例如，如图3所示，显示面板10在玻璃基板31上具有栅电极32、栅极绝缘膜33、沟道层34、绝缘保护层35、源电极36、漏电极37、开口定义绝缘层38以及有机EL器件11。
形成在玻璃基板31的前表面上，栅电极32例如是由从玻璃基板31侧起顺序层叠的透明导电层32A和金属导电层32B构成的层叠结构。栅极绝缘膜33覆盖包括栅电极32的玻璃基板31的前表面的几乎整个区域。
越过与栅电极32相对的区域而形成，沟道层34在源电极36和漏电极37的相反方向（下文将描述）上延伸形成。沟道层34的上表面上源电极36与漏电极37之间的间隔空间是一未被源电极36和漏电极37覆盖的暴露表面。沟道层34上包括暴露表面的预定区域是沟道区。
源电极36和漏电极37在沟道层34的面内方向上相对安置，且其间介有预定间隔空间。源电极36与沟道层34的第一端以及有机EL器件11的阳极41接触。另一方面，漏电极37与沟道层34的第二端以及漏极线DSL接触。绝缘保护膜35覆盖栅极绝缘层33和沟道层34的前表面的整个区域。开口定义绝缘层38具有对应于有机EL器件11的位置的开口38A。
有机EL器件11例如具有从玻璃基板31侧起顺序层叠阳极41、有机层42和阴极43的结构。有机层42例如具有从阳极41侧起顺序层叠的增强空穴注入效率的空穴注入层、增强向发光层的空穴传输效率的空穴传输层、基于电子-空穴重组来发光的发光层、以及增强向发光层的电子传输效率的电子传输层的层叠结构。阳极41在玻璃基板31的前表面（平面）上形成。因此，阳极41是跟随玻璃基板31的平面的平面膜。至少与作为开口38A的底面的阳极41的上表面接触而形成的有机层42和阴极43，例如覆盖开口38A的底面和开口定义绝缘层38的前表面的整个区域。
阳极41例如是由从玻璃基板31侧起顺序层叠的透明导电层41A和金属导电层41B组成的层叠结构。形成在与透明导电层32A相同的层上的透明导电层41A由与透明导电层32A相同的材料以相同膜厚度制成。形成在与金属导电层32B相同的层上的金属导电层41B由与金属导电层32B相同的材料以相同膜厚度制成。
接下来，对根据本公开实施方式的制造薄膜晶体管1的方法的一个实例给予描述。
首先，在玻璃基板31上形成栅电极32，并同时形成阳极41（图4）。随后，栅极绝缘膜33跨越包括栅电极32和阳极41的前表面的整个区域而形成，且随后沟道层34直接形成在栅电极32上（图5）。之后，形成具有开口35A和35B的绝缘保护层35。开口35A直接形成在阳极41上，且开口35B直接形成在沟道层34的两端上（图6）。此时，通过刻通开口35A来去除恰好在阳极41以上栅极绝缘膜33上的部分（图6）。
随后，淀积用于源电极36和漏电极37的材料作为跨越前表面的整个区域的膜，之后图形化并刻蚀，从而在对应于开口35B的位置处形成源电极36和漏电极37（图7）。此时，以源电极36的一部分与暴露于开口35A的底部的阳极41相接触这样一种方式形成源电极36。
其后，形成具有与开口35A对应的开口38A的开口定义绝缘层38（图8），且随后通过刻通开口38A来去除暴露于开口38A底部的金属导电层41B（图9）。这在对应于开口38A底部的金属导电层41B上形成开口H，从而产生在开口H（开口38A）内暴露的透明导电层41A。随后，形成有机层42来与暴露于开口38A底部的透明导电层41A接触，并在有机层42上形成阴极43。以这一方式，在开口38A内形成有机EL器件11。用上述方法，形成根据该实施方式的子像素13。
[操作和效果]
在根据实施方式的显示器1中，像素电路12处于每个显示像素14内的开/关控制之下，且驱动电流被注入每个显示像素14内的有机EL器件11中，从而使空穴与电子复合发光。该光通过阳极41和玻璃基板31传输，并被提取至外部。因此，在显示区10A上显示图像。
图18示出了有机EL显示器中典型子像素的截面结构。图18所示的作为底发光结构子像素的子像素100例如包括在其上形成有诸如TFT的像素电路的电路基板110上的平面层120，且具有平面层120上的有机EL器件130。有机EL器件130例如从平面层120侧起顺序具有阳极131、有机层132和阴极133。通过形成在窗口限定层140上的开口来定义有机层132和阳极131上的阴极133处的层叠区。
同时，图18所示子像素包括电路基板110形成之后的大量工艺。这导致制造成本增加的不利。
相反，在本公开的实施方式中，有机EL器件11的阳极41上，提供了形成在与驱动晶体管Tdr的栅电极32上的透明导电层32A相同的层上且由与透明导电层32A相同的材料制成的层（透明导电层41A）。例如，这允许阳极41在其上形成有栅电极32的玻璃基板31上形成，还允许阳极41与栅电极32一同形成，这使得省去形成图18的平面层120或单独形成图18的阳极131的步骤成为可能。因此，可以减少电路基板形成之后的一些工艺。
（2．变形例）
在根据本公开上述实施方式的制造工艺中，在开口定义绝缘层38形成之后，形成金属导电层41B上的开口H，尽管可替代地，这可在单独工艺中进行。例如，如图10所示，当绝缘保护层35形成时，开口H可通过刻通开口35A而在金属导电层41B上形成。
此外，在本公开的上述实施方式中，栅电极32和阳极41均为层叠结构，尽管它们可以是单层的。例如，如图11所示，栅电极32可由仅有透明导电层32A的单层结构构成，以及阳极41也可由仅有透明导电层41A的单层结构构成。
（3．模块和应用实例）
下文中，提供了对上述实施方式及其变形例中所述的显示器的应用实例的描述。根据上述实施方式等的显示器可适于在各种将外部输入的图像信号或内部产生的图像信号作为图像或图片来显示的领域内的电子单元（诸如电视接收器、数码相机、个人笔记本电脑、诸如移动电话的移动终端或摄像机）上显示。
[模块]
例如，根据上述实施方式等的显示器被内置于下文所述的应用实例1至5中的各种电子单元内，作为图12所示的模块。例如，该模块具有从基板3一侧封装显示区10的构件（图中未示出）暴露出的区域210，且时序控制电路21、水平驱动电路22、写扫描电路23以及电源扫描电路24的布线旨在在该暴露区域210处形成外部连接端（图中未示出）。可为外部连接端提供用于信号输入/输出的FPC（柔性印刷电路）220。
[应用实例1]
图13示出了根据上述实施方式等的显示器可适用的电视接收器的外部视图。该电视接收器例如具有包括前面板310和滤光镜片320的图像显示屏区300，且图像显示屏区300由根据上述实施方式等的显示器构成。
[应用实例2]
图14A和图14B示出了根据上述实施方式等的显示器可适用的数码相机的外部视图。该数码相机例如具有用于闪光的发光部410、显示部420、菜单开关430和快门按钮440，且显示部420由根据上述实施方式等的显示器构成。
[应用实例3]
图15示出了根据上述实施方式等的显示器可适用的个人笔记本电脑的外部视图。该个人笔记本电脑例如具有主体510、用于输入字符等操作的键盘520和用于图像显示的显示部530，且显示部530由根据上述实施方式等的显示器构成。
[应用实例4]
图16示出了根据上述实施方式等的显示器可适用的摄像机的外部视图。该摄像机例如具有主体部610、配置在主体部610的前侧面用于拍摄对象的镜头620、拍摄时的开始/停止开关630和显示部640，且显示部640由根据上述实施方式等的显示器构成。
[应用实例5]
图17A至图17G示出了根据上述实施方式等的显示器可适用的移动电话的外部视图。例如，该移动电话由用耦接部（铰链部）730彼此耦接的上盖710和下盖720配置而成，且具有显示器740、子显示器750、图片光（picture light）760和摄相机770。显示器740或子显示器750由根据上述实施方式等的显示器构成。
到目前为止，通过引用上述实施方式和应用实例来描述本技术，尽管本技术不限于此，而是不同变形例可用。
例如，在上述实施方式等中，描述了本技术被应用于显示器的情况，尽管本技术也适用于诸如照明单元的任何其他装置。在照明单元的情况下，上述显示面板即为发光板。
此外，在上述实施方式等中，描述了显示器是有源矩阵型的情况，尽管用于有源矩阵驱动的像素电路12的结构不限于上述实施方式等所述的那些。因此，可以适当为显示电路12增加电容器器件或晶体管。在该情况下，除上述时序发生电路21、图像信号处理电路22、数据线驱动电路23、栅极线驱动电路24和漏极线驱动电路25之外，可根据像素电路12的变化增加其它所需的驱动电路。
此外，在上述实施方式等中，时序发生电路21和图像信号处理电路22控制数据线驱动电路23、栅极线驱动电路24和漏极线驱动电路25的驱动，尽管可替代地，其它电路也可执行这一驱动控制。此外，数据线驱动电路23、栅极线驱动电路24和漏极线驱动电路25的控制可用硬件（电路）或软件（程序）来执行。
此外，在上述实施方式等中，描述了写入晶体管Tws的源极和漏极以及驱动晶体管Tdr的源极和漏极是固定的，尽管不言而喻，根据电流方向，源极与漏极之间的相对位置关系可以与上述相反。
此外，在上述实施方式等中，描述了写入晶体管Tws和驱动晶体管Tdr由n沟道MOS TFT构成，尽管写入晶体管Tws和驱动晶体管Tdr中的一个或两者均可由p沟道MOS TFT构成。需要注意，在上述实施方式等中，当驱动晶体管Tdr由p沟道MOS TFT构成时，有机EL器件11的阳极35A变为阴极，而有机EL器件11的阴极35B变为阳极。此外，在上述实施方式等中，写入晶体管Tws和驱动晶体管Tdr不一定在任何时候均是非晶硅型TFT或微硅型TFT，而它们例如可以是低温多晶硅型TFT。此外，形成有栅极的基板不限于玻璃基板，且可以是诸如Si基板的绝缘基板。
注意，本技术还可包括以下配置。
（1）一种显示面板，针对每个像素包括：
有机EL器件和像素电路，
其中，像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由第一晶体管写入的图像信号来驱动有机EL器件的第二晶体管，第二晶体管具有栅极、源极和漏极，
有机EL器件具有阳极、有机层和阴极，
第二晶体管的栅极是透明导电层的单层结构，或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构，以及
有机EL器件的阳极具有形成在与透明导电层相同的层上且由与透明导电层相同的材料制成的层。
（2）根据（1）所述的显示面板，其中，有机EL器件的阳极形成在玻璃基板上。
（3）一种显示器，包括：
显示面板；以及
驱动每个像素的驱动电路，
其中，显示面板对于每个像素具有有机EL器件和像素电路，
像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由第一晶体管写入的图像信号来驱动有机EL器件的第二晶体管，第二晶体管具有栅极、源极和漏极，
有机EL器件具有阳极、有机层和阴极，
第二晶体管的栅极是透明导电层的单层结构，或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构，以及
有机EL器件的阳极具有形成在与透明导电层相同的层上且由与透明导电层相同的材料制成的层。
（4）根据（1）或（2）所述的显示面板，其中，阳极与第二晶体管的栅极一同形成。
（5）根据（1）、（2）和（4）中任一项所述的显示面板，其中，配置了发白色EL光的有机EL器件。
（6）根据（1）、（2）、（4）和（5）中任一项所述的显示面板，其中，像素电路包括保持电容器。
（7）根据（1）、（2）和（4）至（6）中任一项所述的显示面板，其中，像素电路具有与第一晶体管串联连接的写入晶体管。
（8）根据（1）、（2）和（4）至（7）中任一项所述的显示面板，其中，有机EL器件的阴极连接至地线。
（9）根据（1）、（2）和（4）至（8）中任一项所述的显示面板，其中，层叠结构通过从玻璃基板侧起顺序层叠透明导电层和金属导电层来形成。
（10）根据（1）、（2）和（4）至（9）中任一项所述的显示面板，其中，形成具有与透明导电层相同的膜厚度的有机EL器件的阳极。
（11）根据（1）、（2）和（4）至（10）中任一项所述的显示面板，其中，第二晶体管的栅极形成在玻璃基板上。
（12）根据（3）所述的显示器，其中，有机EL器件的阳极形成在玻璃基板上。
（13）根据（3）或（12）所述的显示器，其中，阳极与第二晶体管的栅极一同形成。
（14）根据（3）、（12）和（13）中任一项所述的显示器，其中，配置了发白色EL光的有机EL器件。
（15）根据（3）和（12）至（14）中任一项所述的显示器，其中，像素电路包括保持电容器。
（16）根据（3）和（12）至（15）中任一项所述的显示器，其中，像素电路具有与第一晶体管串联连接的写入晶体管。
（17）根据（3）和（12）至（16）中任一项所述的显示器，其中，有机EL器件的阴极连接至地线。
（18）根据（3）和（12）至（17）中任一项所述的显示器，其中，层叠结构通过从玻璃基板起顺序层叠透明导电层和金属导电层来形成。
（19）根据（3）和（12）至（18）中任一项所述的显示器，其中，形成具有与透明导电层相同的膜厚度的阳极。
（20）根据（3）和（12）至（19）中任一项所述的显示器，其中，第二晶体管的栅极形成在玻璃基板上。
本公开包括涉及于2011年9月7日在日本专利局提交的日本在先专利申请第JP 2011-194958号所公开的主题，其全部内容通过引用结合于此。
本领域技术人员应当理解，根据设计需求和其他因素，在所附权利要求或其等价物范围内，可进行各种修改、组合、子组合和变更。

Claims (20)

1.一种显示面板，对于每个像素包括：
有机EL器件和像素电路，
其中，所述像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由所述第一晶体管写入的图像信号来驱动所述有机EL器件的第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，
所述有机EL器件具有阳极、有机层和阴极，
所述第二晶体管的所述栅极是透明导电层的单层结构，或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构，以及
所述有机EL器件的所述阳极具有形成在与所述透明导电层相同的层上且由与所述透明导电层相同的材料制成的层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机EL器件的所述阳极形成在玻璃基板上。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述阳极与所述第二晶体管的所述栅极一同形成。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，配置了发白色EL光的有机EL器件。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素电路包括保持电容器。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素电路具有与所述第一晶体管串联连接的写入晶体管。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机EL器件的所述阴极连接至地线。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述层叠结构通过从玻璃基板侧起顺序层叠所述透明导电层和所述金属导电层来形成。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述有机EL器件的所述阳极被形成为具有与所述透明导电层相同的膜厚度。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二晶体管的所述栅极形成在玻璃基板上。
11.一种显示器，包括：
显示面板；以及
驱动每个像素的驱动电路，
其中，所述显示面板对于每个像素具有有机EL器件和像素电路，
所述像素电路具有用于写入图像信号的第一晶体管和用于基于由所述第一晶体管写入的图像信号来驱动所述有机EL器件的第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，
所述有机EL器件具有阳极、有机层和阴极，
所述第二晶体管的所述栅极是透明导电层的单层结构，或者是透明导电层和金属导电层的层叠结构，以及
所述有机EL器件的所述阳极具有形成在与所述透明导电层相同的层上且由与所述透明导电层相同的材料制成的层。
12.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述有机EL器件的所述阳极形成在玻璃基板上。
13.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述阳极与所述第二晶体管的所述栅极一同形成。
14.根据权利要求11所述的显示器，其中，配置了发白色EL光的有机EL器件。
15.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述像素电路包括保持电容器。
16.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述像素电路具有与所述第一晶体管串联连接的写入晶体管。
17.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述有机EL器件的所述阴极连接至地线。
18.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述层叠结构通过从玻璃基板起顺序层叠所述透明导电层和所述金属导电层来形成。
19.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述阳极被形成为具有与所述透明导电层相同的膜厚度。
20.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述第二晶体管的所述栅极形成在玻璃基板上。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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