CN102969417A - 一种绿光氮化物led外延片及其生长方法 - Google Patents
一种绿光氮化物led外延片及其生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102969417A CN102969417A CN201210429419XA CN201210429419A CN102969417A CN 102969417 A CN102969417 A CN 102969417A CN 201210429419X A CN201210429419X A CN 201210429419XA CN 201210429419 A CN201210429419 A CN 201210429419A CN 102969417 A CN102969417 A CN 102969417A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- source
- layer
- growth
- quantum
- quantum well
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 25
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000005701 quantum confined stark effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种绿光氮化物LED外延片及其生长方法，属于半导体光电技术领域，特点是在生长多量子阱有源区时于在每个量子阱有源区的量子垒与量子阱之间生长一层In组分含量较低的InGaN材料层；在最后一个量子阱有源区的cap层上生长量子垒，在量子垒上生长空穴注入层，在空穴注入层上生长p-AlGaN电子阻挡层。本发明工艺合理，方便生产，采用标准芯片工艺制成LED芯片，使得内量子效率得到提高，空穴注入效率大大提高，制作成芯片封装后光通量高，反向抗静电能力达到一万伏以上，在反向电压8伏测量下，无漏电，在15mA正向电流下，工作电压小于3.1V。
Description
技术领域
本发明属于半导体光电技术领域，特别是指一种氮化物绿光LED外延片的生产技术领域。
背景技术
GaN基蓝绿光技术实现了LED对于可见光波段的全覆盖，同时由于基于LED的照明技术具有节能、环保、无毒害、无污染、响应速度快、固体光源、抗震、抗冲击、轻薄短小等特点，LED现在已经广泛的渗透进了我们的日常生活如：信号指示和信息显示等领域；液晶显示用背光源、户外及室内等照明领域；以及生物、医疗等特殊领域的辐射照明功用。其中基于平板显示产业以及在各照明领域的巨大市场，LED平面光源已成为其最重要的应用方向之一，对LED背光源市场需求逐渐强劲，已成为LED产业增长性相对突出的应用新领域。
但是LED也有一些限制其发光效率的一些因素，其中一大难题是QSCE效应，它会导致电子与空穴波函数在空间上的分离，导致内量子效率下降。尤其在绿光LED中，其有源区的量子阱InGaN 材料中In组分高达40%，所以在绿光LED有源区中GaN材料与InGaN材料存在着更严重的晶格不匹配现象，因而会产生更严重的计划效应，更严重的极化电场会导致更严重的能带弯曲。这样绿光的内量子效率就会严重下降。另外一大难题是空穴注入不足理论，GaN材料中，电子迁移率比空穴迁移率要高一到两个数量级，而且p-GaN中Mg的激活能高达200meV,其电离率仅有1%左右。因此p-GaN中空穴的浓度很低。而AlGaN阻挡层的存在会在一定程度上进一步阻挡空穴向量子阱中的注入，这些因素都将导致低的空穴注入效率，使得在有源区中电子与空穴的浓度严重不匹配，从而限制了LED的发光效率。怎样解决或改善这两大难题，提高绿光LED的发光效率势在必行。
发明内容
本发明的目的是提出一种增加辐射复合、提高内量子效率的绿光氮化物LED外延片。
本发明包括依次设置在衬底上的低温缓冲层、非故意掺杂的GaN层、N型电子注入层、N型InGaN/GaN插入层、多量子阱有源区、p-AlGaN电子阻挡层、P型空穴注入层和接触层，所述多量子阱有源区包括4至20个量子阱有源区，每个量子阱有源区包括量子垒、量子阱和cap层，其特征在于在每个量子阱有源区的量子垒与量子阱之间设置一层In组分含量较低的InxGa(1-x)N材料层，组分x为3%~10%；在最后一个量子阱有源区的cap层上设置量子垒，在所述量子垒与p-AlGaN电子阻挡层之间设置空穴注入层。
本发明由于在量子垒与量子阱之间插入一层低In组分的InxGa(1-x)N材料层，这层结构能够缓解QCSE效应带来的电子与空穴波函数分离的现象，使得电子与空穴波函数在空间上重叠几率变高。增加辐射复合，提高内量子效率。本发明还在最后一层量子垒与p-AlGaN电子阻挡层之间设置了空穴注入层，该空穴注入层在低温生长，低温有利于空穴的激发；另外在低In组分的InxGa(1-x)N材料层中，Mg的激活能也有所下降，使得Mg的电离率进一步上升。因为空穴注入层具有高空穴浓度，大大提高了空穴注入效率，使得绿光氮化物LED外延片的内量子效率大大提高。
本发明上述在量子垒与p-AlGaN电子阻挡层的空穴注入层可以为一层p型InGaN 材料，也可以为成对的p型InGaN/GaN超晶格材料。
本发明另一目的是提出具有增加辐射复合、提高内量子效率的绿光氮化物LED外延片的生长方法。
本发明方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、非故意掺杂的GaN层、N型电子注入层、N型InGaN/GaN插入层和由4至20个量子阱有源区组成的多量子阱有源区，每个量子阱有源区依次包括量子垒、量子阱和cap层；在p-AlGaN电子阻挡层上依次生长P型空穴注入层和接触层；其特征在于在生长多量子阱有源区时于在每个量子阱有源区的量子垒与量子阱之间生长一层In组分含量较低的InGaN材料层；在最后一个量子阱有源区的cap层上生长量子垒，在所述量子垒上生长空穴注入层，在空穴注入层上生长p-AlGaN电子阻挡层。
在各量子垒的生长时，采用三甲基镓作为Ga源与NH3进行生长，生长的温度条件为800～1000℃、压力条件为290～420mbar，并采用SiH4为Si源，对量子垒进行n型掺杂，掺杂浓度为1×1017～1×1018cm-3；生长的量子垒的厚度为8～18nm。
在各量子垒与量子阱之间的所述InGaN材料层生长时，采用三乙基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源，所述In源占Ga源和In源总体积的0.1%~10%，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar；生长的InGaN材料层厚度为2～8nm。
在各量子阱生长时，采用三乙基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源，所述In源占Ga源和In源总体积的20～50%，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar；生长的量子阱的厚度为2～8nm。
在各cap层的生长时，采用三甲基镓与NH3进行生长，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar，并采用SiH4为Si源对量子垒进行n型掺杂，掺杂浓度为5×1016～1×1018cm-3；生长的cap层厚度为2～8nm。
为了形成单层的p型InGaN 材料作为空穴注入层，在所述空穴注入层生长时，采用三甲基镓作为Ga源，三家基铟作为In源，CP2Mg作为Mg源，其中，所述Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1019～2×1020cm-3，所述In源占Ga源、In源和Mg源总体积的0~10%；生长的温度条件为650～900℃、压力条件为200～400mbar；生长成厚度为10～60nm的一单层p型InGaN 材料。
为了形成成对的p型InGaN/GaN超晶格材料为作空穴注入层，在所述空穴注入层生长时，采用三甲基镓作为Ga源，三家基铟作为In源，CP2Mg作为Mg源，其中，所述Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1019～2×1020cm-3，所述In源占Ga源、In源和Mg源总体积的0~10%；生长的温度条件为650～900℃、压力条件为200～400mbar；生长成2～20对p型InGaN/GaN超晶格材料，每对中，InGaN 的厚度为0.5～8nm，GaN 的厚度为1～15nm。
本发明工艺合理，方便生产，产品稳定性好，合格率高。用本发明生长的氮化物外延片用标准芯片工艺制成LED芯片，使得内量子效率得到提高，空穴注入效率大大提高，制作成8mil*10mil芯片封装后光通量能达到4.5lm以上，制作成10mil*12mil尺寸的芯片，其封装后光通量能达到6lm以上，反向抗静电能力达到一万伏以上，在反向电压8伏测量下，无漏电。在15mA正向电流下，其工作电压小于3.1V。
附图说明
图1为本发明所述绿光氮化物LED外延片的一种结构示意图。
图中，100：衬底；101：低温缓冲层；102：非掺杂GaN；103：N型电子注入层；104：N型InGaN/GaN插入层；105：有源区；106：HIL层；107：p-AlGaN电子阻挡层；108：p-GaN；109：n-InGaN接触层。
图2 为本发明的一个量子阱有源区的结构示意图。
图3 为具有单层的p型InGaN 材料作为空穴注入层106的本发明产品与常规的无空穴注入层结构产品的电流与电压曲线和输出光功率曲线的对比图。
具体实施方式
本发明利用MOCVD设备（Aixtron公司的G5 56 片商用机），所用V族源为氨气(NH3)，III族有机源材料为三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)， P型和N型的掺杂阱元素分别采用Mg和Si。衬底可以采用蓝宝石、硅、碳化硅或砷化镓中任意一种。如图1、2所示，生长具体步骤如下：
一、在衬底100上生长低温缓冲层101：生长温度为550℃，压力600mbar，形成的低温缓冲层101的厚度为30nm。
二、在低温缓冲层101上生长非故意掺杂的GaN层102：生长温度为1100℃，压力600mbar，形成的非故意掺杂的GaN层102的厚度为1μm。
三、在非故意掺杂的GaN层102上生长N型电子注入层103：温度为1200℃，压力600mbar，形成的N型电子注入层103的厚度为1.5μm。
四、在N型电子注入层103上生长InGaN/GaN插入层104：N型InGaN/GaN插入层104的对数为6对，InGaN厚度为100?，GaN厚度为200?，可对InGaN，或者GaN，或者InGaN/GaN同时进行N型掺杂，掺杂浓度为3×1018cm-3。生长温度为830℃。
五、在InGaN/GaN插入层104上多量子阱有源区105的生长，如图2所示：
1、进行有源区中量子垒1051的生长：
采用三甲基镓作为Ga源与NH3进行生长，生长的温度条件为800～1000℃、压力条件为290～420mbar，并采用SiH4为Si源，对量子垒进行n型掺杂，掺杂浓度为1×1017～1×1018cm-3；生长的量子垒1051的厚度为8～18nm。
本例中，温度为920℃，压力为400mbar，掺杂浓度为1×1017cm-3。生长的量子垒的厚度为10nm。
2、在量子垒1051上进行In组分含量较低的InxGa(1-x)N材料层1052生长，In组分可以通过X射线衍射测量其(002)方向的ω-2theta衍射谱拟合得到In的组分x，In的组分x占InxGa(1-x)N材料层总量的3%~10%。
采用三乙基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源， In源占Ga源和In源总体积的0.1%~10%，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar；生长的InGaN材料层1052厚度为2～8nm。
本例中，In源占Ga源和In源总体积的1%，生长的温度条件为750℃、压力为400mbar，生长的InGaN材料层1052的厚度为8nm。
3、在InGaN材料层1052上进行量子阱1053生长：
采用三乙基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源， In源占Ga源和In源总体积的20～50%，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar；生长的量子阱1053的厚度为2～8nm。
本例中，In源占Ga源和In源总体积的30%，生长的温度条件为750℃、压力为400mbar，生长的量子阱InGaN 材料1053厚度为3nm。
4、在量子阱1053上进行cap层1054的生长：
采用三甲基镓与NH3进行生长，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar，并采用SiH4为Si源对量子垒进行n型掺杂，掺杂浓度为5×1016～1×1018cm-3；生长的cap层厚度为2～8nm。
本例中，对量子垒进行n型掺杂的浓度为8×1016 cm-3。生长的温度条件为750℃、压力为400mbar，生长的cap层1054厚度为4nm。
按以上方法重复循环生长量子垒1051、InGaN材料层1052、量子阱1053、cap层1054，共16次。
然后再在最后一层cap层1054上按以上方法生长厚度为15nm的最后一层量子垒。
六、在最后一层最子垒上生长空穴注入层106，有以下两种方法：
1、方法一：空穴注入层106为单层p型InGaN 材料：
采用三甲基镓作为Ga源，三家基铟作为In源，CP2Mg作为Mg源，其中， Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1019～2×1020cm-3， In源占Ga源、In源和Mg源总体积的0~10%；生长的温度条件为650～900℃、压力条件为200～400mbar；生长成厚度为10～60nm的一单层p型InGaN 材料。
本例中，生长温度为820℃、生长压力为300mbar，生长厚度为40nm，其中通过SIMS进行测量的Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1020 cm-3，其中In源占Ga源、In源和Mg源总体积的2%。
2、方法二：空穴注入层106为成对的p型InGaN/GaN超晶格材料：
采用三甲基镓作为Ga源，三家基铟作为In源，CP2Mg作为Mg源，其中， Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1019～2×1020cm-3， In源占Ga源、In源和Mg源总体积的0~10%；生长的温度条件为650～900℃、压力条件为200～400mbar；生长成2～20对p型InGaN/GaN超晶格材料，每对中，InGaN 的厚度为0.5～8nm，GaN 的厚度为1～15nm。
本例中，生长温度为820℃、生长压力为300mbar，对数为6对，每对中，InGaN 的厚度为3 nm ，GaN 的厚度为3nm。其中通过SIMS进行测量的Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1020 cm-3，其中In源占Ga源、In源和Mg源总体积的2%。
七、在空穴注入层106上生长p-AlGaN电子阻挡层107：
采用三甲基镓作为Ga源，三甲基铝作为Al源，CP2Mg作为Mg源，Al源占Ga源、Al源和Mg源总体积的10%，生长温度设定在920℃，生长压力为300mbar，生长的p-AlGaN电子阻挡层107厚度是60nm。
八、在p-AlGaN电子阻挡层107上生长P型空穴注入层108——p-GaN材料：
采用三甲基镓作为Ga源， CP2Mg作为Mg源。生长温度条件为1000℃、压力为200mbar，生长的P型空穴注入层108厚度为200nm。
九、在P型空穴注入层108上生长接触层109——n-InGaN 材料：
采用三乙基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源，In组分为5%，温度条件为800℃，压力条件为300mbar，生长的接触层109厚度为10nm。
十、比较试验：
将本发明制成的产品与常规的无空穴注入层结构产品分别进行试验。
从图3可见，本发明产品电压大幅降低，输出光功率大大增加。
十一、应用：
用本发明生长的氮化物外延片用标准芯片工艺制成LED芯片，使得内量子效率得到提高，空穴注入效率大大提高，制作成8mil*10mil芯片封装后光通量能达到4.5lm以上，制作成10mil*12mil尺寸的芯片，其封装后光通量能达到6lm以上，反向抗静电能力达到一万伏以上，在反向电压8伏测量下，无漏电。在15mA正向电流下，工作电压小于3.1V。
Claims (10)
1.一种绿光氮化物LED外延片，包括依次设置在衬底上的低温缓冲层、非故意掺杂的GaN层、N型电子注入层、N型InGaN/GaN插入层、多量子阱有源区、p-AlGaN电子阻挡层、P型空穴注入层和接触层，所述多量子阱有源区包括4至20个量子阱有源区，每个量子阱有源区包括量子垒、量子阱和cap层，其特征在于在每个量子阱有源区的量子垒与量子阱之间设置一层In组分含量较低的InxGa(1-x)N材料层，组分x为3%~10%；在最后一个量子阱有源区的cap层上设置量子垒，在所述量子垒与p-AlGaN电子阻挡层之间设置空穴注入层。
2.根据权利要求1所述绿光氮化物LED外延片，其特征在于所述在量子垒与p-AlGaN电子阻挡层的空穴注入层为一层p型InGaN 材料。
3.根据权利要求1所述绿光氮化物LED外延片，其特征在于所述在量子垒与p-AlGaN电子阻挡层的空穴注入层为成对的p型InGaN/GaN超晶格材料。
4.如权利要求1所述绿光氮化物LED外延片的生长方法，包括在衬底上依次生长低温缓冲层、非故意掺杂的GaN层、N型电子注入层、N型InGaN/GaN插入层和由4至20个量子阱有源区组成的多量子阱有源区，每个量子阱有源区包括量子垒、量子阱和cap层；在p-AlGaN电子阻挡层上依次生长P型空穴注入层和接触层；其特征在于在生长多量子阱有源区时于在每个量子阱有源区的量子垒与量子阱之间生长一层In组分含量较低的InGaN材料层；在最后一个量子阱有源区的cap层上生长量子垒，在所述量子垒上生长空穴注入层，在空穴注入层上生长p-AlGaN电子阻挡层。
5.根据权利要求4所述绿光氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在各量子垒的生长时，采用三甲基镓作为Ga源与NH3进行生长，生长的温度条件为800～1000℃、压力条件为290～420mbar，并采用SiH4为Si源，对量子垒进行n型掺杂，掺杂浓度为1×1017～1×1018cm-3；生长的量子垒的厚度为8～18nm。
6.根据权利要求4所述绿光氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在各量子垒与量子阱之间的所述InGaN材料层生长时，采用三乙基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源，所述In源占Ga源和In源总体积的0.1%~10%，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar；生长的InGaN材料层厚度为2～8nm。
7.根据权利要求4所述绿光氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在各量子阱生长时，采用三乙基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源，所述In源占Ga源和In源总体积的20～50%，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar；生长的量子阱的厚度为2～8nm。
8.根据权利要求4所述绿光氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在各cap层的生长时，采用三甲基镓与NH3进行生长，生长的温度条件为650～750℃、压力条件为290～420mbar，并采用SiH4为Si源对量子垒进行n型掺杂，掺杂浓度为5×1016～1×1018cm-3；生长的cap层厚度为2～8nm。
9.根据权利要求4所述绿光氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在所述空穴注入层生长时，采用三甲基镓作为Ga源，三家基铟作为In源，CP2Mg作为Mg源，其中，所述Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1019～2×1020cm-3，所述In源占Ga源、In源和Mg源总体积的0~10%；生长的温度条件为650～900℃、压力条件为200～400mbar；生长成厚度为10～60nm的一单层p型InGaN 材料。
10.根据权利要求4所述绿光氮化物LED外延片的生长方法，其特征在于在所述空穴注入层生长时，采用三甲基镓作为Ga源，三甲基铟作为In源，CP2Mg作为Mg源，其中，所述Mg源占Ga源、In源和Mg源总体积的1×1019～2×1020cm-3，所述In源占Ga源、In源和Mg源总体积的0~10%；生长的温度条件为650～900℃、压力条件为200～400mbar；生长成2～20对p型InGaN/GaN超晶格材料，每对中，InGaN 的厚度为0.5～8nm，GaN 的厚度为1～15nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210429419XA CN102969417A (zh) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | 一种绿光氮化物led外延片及其生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210429419XA CN102969417A (zh) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | 一种绿光氮化物led外延片及其生长方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102969417A true CN102969417A (zh) | 2013-03-13 |
Family
ID=47799431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210429419XA Pending CN102969417A (zh) | 2012-11-01 | 2012-11-01 | 一种绿光氮化物led外延片及其生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102969417A (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103311389A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-18 | 华灿光电股份有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN103824917A (zh) * | 2014-02-25 | 2014-05-28 | 圆融光电科技有限公司 | 一种led制备方法、led和芯片 |
| CN104009136A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-08-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 提高发光效率的led外延层生长方法及led外延层 |
| CN106025016A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN106057995A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-26 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法 |
| CN106784210A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制作方法 |
| CN108831975A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-11-16 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN109545913A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-29 | 江苏晶曌半导体有限公司 | 一种Si衬底大功率绿光LED外延结构的优化方法 |
| CN111223970A (zh) * | 2014-07-29 | 2020-06-02 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光装置 |
| CN111864017A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-30 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 一种micro-LED外延结构及其制造方法 |
| CN116154060A (zh) * | 2023-04-18 | 2023-05-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 黄绿光led外延片及其制备方法、黄绿光led |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101488548A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-07-22 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED |
| CN102005513A (zh) * | 2009-08-28 | 2011-04-06 | 上海蓝宝光电材料有限公司 | 具有低温p型GaN层的氮化镓系发光二极管 |
| CN102208505A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 |
-
2012
- 2012-11-01 CN CN201210429419XA patent/CN102969417A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101488548A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-07-22 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED |
| CN102005513A (zh) * | 2009-08-28 | 2011-04-06 | 上海蓝宝光电材料有限公司 | 具有低温p型GaN层的氮化镓系发光二极管 |
| CN102208505A (zh) * | 2010-03-29 | 2011-10-05 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| CHIH-TENG LIAO ETC.: "Improvement in output power of a 460 nm InGaN light-emitting diode using staggered quantum well", 《 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》 * |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103311389A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-18 | 华灿光电股份有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN103824917A (zh) * | 2014-02-25 | 2014-05-28 | 圆融光电科技有限公司 | 一种led制备方法、led和芯片 |
| CN103824917B (zh) * | 2014-02-25 | 2017-01-18 | 圆融光电科技有限公司 | 一种led制备方法、led和芯片 |
| CN104009136A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-08-27 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 提高发光效率的led外延层生长方法及led外延层 |
| CN104009136B (zh) * | 2014-06-16 | 2017-01-04 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 提高发光效率的led外延层生长方法及led外延层 |
| CN111223970B (zh) * | 2014-07-29 | 2023-12-05 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光装置 |
| CN111223970A (zh) * | 2014-07-29 | 2020-06-02 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光装置 |
| CN106025016B (zh) * | 2016-05-17 | 2018-07-31 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN106025016A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-10-12 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN106057995A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-26 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法 |
| CN106784210A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片及其制作方法 |
| CN108831975A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-11-16 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN108831975B (zh) * | 2018-04-28 | 2020-04-07 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN109545913A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-03-29 | 江苏晶曌半导体有限公司 | 一种Si衬底大功率绿光LED外延结构的优化方法 |
| CN111864017A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-30 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 一种micro-LED外延结构及其制造方法 |
| CN116154060A (zh) * | 2023-04-18 | 2023-05-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 黄绿光led外延片及其制备方法、黄绿光led |
| CN116154060B (zh) * | 2023-04-18 | 2023-06-23 | 江西兆驰半导体有限公司 | 黄绿光led外延片及其制备方法、黄绿光led |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102969417A (zh) | 一种绿光氮化物led外延片及其生长方法 | |
| CN101645480B (zh) | 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 | |
| CN103531680B (zh) | 一种led外延结构及其制备方法 | |
| CN101582478B (zh) | 用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法 | |
| CN103474539B (zh) | 含有超晶格层的led结构外延生长方法及其结构 | |
| CN102969416A (zh) | 一种氮化物led外延片及其生长方法 | |
| CN104064643B (zh) | Led的p型外延层、其制作方法及包括其的led外延片 | |
| CN106611808B (zh) | 一种发光二极管外延片的生长方法 | |
| CN102157646A (zh) | 一种氮化物led结构及其制备方法 | |
| CN102364706A (zh) | 一种发光二极管的外延生产方法 | |
| CN107293624B (zh) | 一种基于h-BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构 | |
| CN105206726A (zh) | 一种led结构及其生长方法 | |
| CN101740693A (zh) | 一种降低ⅲ族氮化物发光二极管光衰的方法 | |
| CN103413879A (zh) | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 | |
| CN105405942B (zh) | Si衬底LED外延片及其制备方法 | |
| CN104091871B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN109004074A (zh) | Led外延结构及其制备方法 | |
| CN103346219B (zh) | 复式多量子阱发光层结构的生长方法及led外延结构 | |
| CN103413871B (zh) | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 | |
| CN106887493B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制备方法 | |
| CN205092260U (zh) | GaN基LED外延结构 | |
| CN103413872B (zh) | Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片 | |
| CN103996766B (zh) | 氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| CN102332510A (zh) | 采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法 | |
| CN106910802B (zh) | 一种实现短波长紫外led的外延结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130313 |