CN102938644A - 数字控制振荡器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种数字控制振荡器。上述数字控制振荡器包括一晶体管对、耦接于上述晶体管对的一切换电容阵列以及耦接于上述晶体管对的多个频率追踪单元。上述晶体管对包括两晶体管互相交叉耦接，用以提供一输出信号。上述切换电容阵列用于对上述输出信号的频率进行调频。上述频率追踪单元将上述输出信号的频率调整至一目标频率。至少一上述频率追踪单元能选择性地提供一第一电容值以及一第二电容值。上述频率追踪单元的调频解析度由上述第一电容值以及上述第二电容值的差值所决定。本发明的数字控制振荡器，其频率追踪单元具有可调整的调频解析度。

Description

数字控制振荡器

技术领域

本发明有关于一种振荡器，且特别有关于一种数字控制振荡器。

背景技术

一般而言，数字控制振荡器(digitally controlled oscillator，DCO)具有相对宽的调频范围，以为了能够执行锁相回路(phase locked loop，PLL)、电压控制振荡器(voltage controlled oscillator，VCO)或是其他电路的自动频率校正。数字控制振荡器是透过控制多个数字控制频率追踪单元来调整所振荡的频率的。为了能提供精细的调频解析度以及较宽的调频范围，需要使用到大量的频率追踪单元来进行振荡频率的调整。

在锁相回路中，由于频率追踪单元具有有限的调频解析度，数字控制振荡器会引起额外的量化噪声(quantization noise)。在部分改善电路中，额外的量化噪声会被三角积分(delta-sigma，Δ∑)调变器进行噪声整形(noise shaping)，以符合相位噪声(phase noise，PN)的要求。然而，频率追踪单元会增加设计的复杂度，并且会反向地影响到三角积分调变器的操作频率。

然而，当频率追踪单元的数量增加时，由于不同频率追踪单元中电容之间的失配(mismatch)，数字控制振荡器的效能会受到影响。例如，电容之间的失配将会降低上述使用了大量的频率追踪单元的数字控制振荡器的直接频率调变传送器的相位误差(phase error)、误差向量大小(error vector magnitude，EVM)以及输出射频频谱(output RF spectrum，ORFS)等效能。此外，较大的寄生电容将会使得数字控制振荡器所能提供的振荡频率的全部调频范围变窄。

因此，若要实作一具有较高解析度的DCO具有一定困难。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种数字控制振荡器，以解决上述问题。

一方面，本发明提供一种数字控制振荡器，其包括：一晶体管对，包括两个互相交叉耦接的晶体管，用以提供一输出信号；切换电容阵列，耦接于上述晶体管对，用以对上述输出信号的频率进行调频；以及多个频率追踪单元，耦接于上述晶体管对，用以将上述输出信号的频率调整至一目标频率。至少一上述频率追踪单元能选择性地提供一第一电容值以及一第二电容值。上述频率追踪单元的调频解析度由上述第一电容值以及上述第二电容值的差值所决定。

再者，本发明提供另一种数字控制振荡器。上述数字控制振荡器包括：一放大器，具有一负阻抗，以及具有一第一输入端、一第二输入端以及用以提供一输出信号的一输出端；以及一电感电容电路，耦接于上述放大器的上述第一输入端以及上述第二输入端。上述电感电容电路包括：一电感，耦接于上述放大器的上述第一输入端以及上述第二输入端之间；以及多个频率追踪单元，并联于上述电感。至少一上述频率追踪单元根据一控制信号而提供一第一电容值或是一第二电容值，以便对上述输出信号的频率进行微调。上述频率追踪单元的调频解析度根据上述第一电容值以及上述第二电容值的差值而决定。

本发明实施例提供的数字控制振荡器，其频率追踪单元具有可调整的调频解析度。

附图说明

图1为根据本发明一实施例所述的数字控制振荡器的结构示意图；

图2为根据本发明一实施例所述的图1中的频率追踪单元的结构示意图；

图3为根据本发明另一实施例所述的数字控制振荡器的结构示意图；

图4为根据本发明一实施例所述的图3中的子单元的结构示意图；

图5为根据本发明另一实施例所述的图3中的子单元的结构示意图；

图6为根据本发明再一实施例所述的图3中的子单元的结构示意图；

图7为根据本发明再一实施例所述的数字控制振荡器的结构示意图；

图8为根据本发明又一实施例所述的数字控制振荡器的结构示意图。

具体实施方式

为让本发明的其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

在说明书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域的技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书当中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或者透过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。

图1为根据本发明一实施例所述的数字控制振荡器(DCO)100的结构示意图。数字控制振荡器100包括晶体管M1与M2、切换电容阵列10、频率追踪阵列20、两个电感L1与L2以及电阻R。晶体管M1与M2互相交叉耦接。切换电容阵列10耦接于晶体管M1与M2之漏极，而频率追踪阵列20并联于切换电容阵列10。电感L1耦接于共同节点Ncom以及晶体管M1的漏极之间，而电感L2耦接于共同节点Ncom以及晶体管M2的漏极之间。电阻R耦接于共同节点Ncom以及接地端GND之间。

在图1中，切换电容阵列10包括多个以并联方式耦接的切换电容单元30。每一切换电容单元30包括耦接于晶体管M1的漏极的电容C1、耦接于晶体管M2的漏极的电容C2以及耦接于电容C1与C2之间的开关SW，其中开关SW由一单独的控制信号所控制。通过对切换电容阵列10内的开关SW进行切换，可以对信号Sout的输出频率进行粗调(coarsely tune)。切换电容单元30仅是一举例，并非用以限定本发明。此外，频率追踪阵列20包括多个以并联方式耦接的频率追踪单元40，其用来将信号Sout的输出频率微调(finely tune)至目标频率。在频率追踪阵列20中，每一频率追踪单元40由单独的控制信号所控制，其中控制信号会控制频率追踪单元40来提供第一电容值或是第二电容值。在此实施例中，每一频率追踪单元40的第一电容值是相同的，且每一频率追踪单元40的第二电容值是相同的。

图2为根据本发明一实施例所述的图1中的频率追踪单元40的结构示意图。频率追踪单元40包括三个电容CA1、CA2与CB、两个电阻R1与R2以及一开关MSW。同时参考图1及图2，电容CA1耦接于晶体管M1的漏极以及节点N1之间，而电容CA2耦接于晶体管M2的漏极以及节点N2之间，其中电容CA1与CA2具有相同的电容值。电容CB耦接于节点N1与N2之间。电阻R1耦接于节点N1以及接地端GND之间，而电阻R2耦接于节点N2以及接地端GND之间。开关MSW并联于电容CB，其中开关MSW由一单独的控制信号Sctrl所控制。当控制信号Sctrl控制开关MSW为导通时，频率追踪单元40会根据电容CA1与CA2来提供一等效电容值CON。当控制信号Sctrl控制开关MSW为不导通时，频率追踪单元40会根据电容CA1、CA2与CB来提供等效电容值COFF，其中可根据下列算式得到等效电容值CON与COFF：

$C_{\mathrm{ON}}=\frac{C_A}{2}=C_{\mathrm{AD}}$

$C_{\mathrm{OFF}}=\frac{\frac{C_A}{2}\·C_B}{\frac{C_A}{2}+C_B}=\frac{C_{\mathrm{AD}}\·C_B}{C_{\mathrm{AD}}+C_B}.$

因此，根据等效电容值CON与COFF之间的差值，可得到单位电容值Cstep，其中可根据下列算式得到单位电容值Cstep：

$C_{\mathrm{step}}=C_{\mathrm{ON}}-C_{\mathrm{OFF}}=\frac{{C_{\mathrm{AD}}}^2}{C_{\mathrm{AD}}+C_B}$

$=\frac{{C_{\mathrm{AD}}}^2}{C_B},$ 假設C_AD＜＜C_B

在此实施例中，单位电容值Cstep作为频率追踪单元40的调频解析度，用以将信号Sout的输出频率调整至目标频率。需注意，三个电容CA1、CA2与CB为被动式金属电容，其对噪声以及电压摆动(swing)不灵敏。此外，对电容CA1、CA2与CB而言，具有低且固定的寄生电容值，且频率追踪单元40的布局结构较容易匹配。例如，可根据下列算式得到频率追踪单元40的失配(mismatching)：

$\frac{\mathrm{\Δ}{C}_{\mathrm{step}}}{C_{\mathrm{step}}}=2\frac{{\mathrm{\ΔC}}_{\mathrm{AD}}}{C_{\mathrm{AD}}}-\frac{{\mathrm{\ΔC}}_B}{C_B}.$

因此，可根据下列算式得到图1中数字控制振荡器100的增益因数(gainfactor)KDCO：

$K_{\mathrm{DCO}}=\frac{C_{\mathrm{step}}}{2\·C_{\tan k}}\·f_{\mathrm{DCO}}$

其中fDCO表示信号Sout的输出频率，即

Ctank与L分别表示槽电容值以及槽电感值。在一实施例中，每一电容CA1、CA2与CB可以是由多个电容以串联方式、并联方式或其组合所形成。

图3为根据本发明另一实施例所述的数字控制振荡器200的结构示意图。相较于图1中的数字控制振荡器100，数字控制振荡器200的频率追踪阵列50包括多个以并联方式连接的频率追踪单元60，其中每一频率追踪单元60包括耦接于晶体管M1的漏极以及接地端GND之间的子单元70A以及耦接于晶体管M2的漏极以及接地端GND之间的子单元70B，其中子单元70A与70B具有相同的电路结构。同样地，每一频率追踪单元60由单独的控制信号所控制，即子单元70A与70B由相同的控制信号所控制，其中该控制信号会控制子单元70A与70B同时提供第一电容值或是第二电容值。在此实施例中，每一频率追踪单元60的子单元70A与70B具有相同的第一电容值，且每一频率追踪单元60的子单元70A与70B具有相同的第二电容值。

图4为根据本发明一实施例所述的图3中的子单元70A/70B的结构示意图。同时参考图3以及图4，电容CA耦接于对应的晶体管的漏极。举例来说，子单元70A的电容CA耦接于晶体管M1的漏极，而子单元70B的电容CA耦接于晶体管M2的漏极。此外，电容CB耦接于电容CA以及接地端GND之间，而开关MSW并联于电容CB，其中开关MSW由一单独的控制信号Sctrl所控制。当控制信号Sctrl控制开关MSW为导通时，子单元70A/70B会根据电容CA来提供等效电容值CON1。当控制信号Sctrl控制开关MSW为不导通时，子单元70A/70B会根据电容CA与CB来提供等效电容值COFF1，其中可根据下列算式得到等效电容值CON1与COFF1：

C_ON1＝C_A

$C_{\mathrm{OFF}1}=\frac{C_A\·C_B}{C_A+C_B}.$

因此，根据等效电容值CON1与COFF1之间的差值，可得到单位电容值Cstep1，其中可根据下列算式得到单位电容值Cstep1：

$C_{\mathrm{step}1}=C_{\mathrm{ON}1}-C_{\mathrm{OFF}1}=\frac{C_A^2}{C_A+C_B}$

在此实施例中，单位电容值Cstep1作为频率追踪单元60的调频解析度，用以将信号Sout的输出频率调整至目标频率。此外，电容CA与CB为被动式金属电容。

图5为根据本发明另一实施例所述的图3中的子单元70A/70B的结构示意图。同时参考图3以及图5，电容CA1与CA2耦接于对应的晶体管的漏极，且电容CA1与CA2具有相同的电容值CA。举例来说，子单元70A的电容CA1与CA2耦接于晶体管M1的漏极，而子单元70B的电容CA1与CA2耦接于晶体管M2的漏极。电容CB1耦接于电容CA1以及接地端GND之间，而开关MSW1并联于电容CB1，其中开关MSW1由个别的控制信号Sctrl所控制。电容CB2耦接于电容CA2以及接地端GND之间，其中开关MSW2由互补(complementary)于控制信号Sctrl的控制信号SBctrl所控制，且电容CB1与电容CB2具有不同的电容值。当控制信号Sctrl控制开关MSW1为导通而控制信号SBctrl控制开关MSW2为不导通时，子单元70A/70B会根据电容CA1、CA2与CB2来提供等效电容值CON2。当控制信号Sctrl控制开关MSW1为不导通而控制信号SBctrl控制开关MSW2为不导通时，子单元70A/70B会根据电容CA1、CB1与CB2来提供等效电容值COFF2。在此实施例中，电容CA1与CA2具有相同的电容值CA，于是可根据下列算式得到等效电容值CON2与COFF2：

$C_{\mathrm{ON}2}=\frac{C_A\·C_{B2}}{C_A+C_{B2}}+C_A$

$C_{\mathrm{OFF}2}=\frac{C_A\·C_{B1}}{C_A+C_{B1}}+C_A.$

因此，根据等效电容值CON2与COFF2之间的差值，可得到单位电容值Cstep2，其中可根据下列算式得到单位电容值Cstep2：

$C_{\mathrm{step}2}=C_{\mathrm{ON}2}-C_{\mathrm{OFF}2}=\frac{C_A^2(C_{B2}-C_{B1})}{(C_A+C_{B1})(C_A+C_{B2})}$

在此实施例中，单位电容值Cstep2作为频率追踪单元60的调频解析度，用以将信号Sout的输出频率调整至目标频率。此外，电容CA1、CA2、CB1与CB2为被动式金属电容。

图6为根据本发明再一实施例所述的图3中的子单元70A/70B的结构示意图。同时参考图3以及图6，电容CA耦接于对应的晶体管的漏极。举例来说，子单元70A的电容CA耦接于晶体管M1的漏极，而子单元70B的电容CA耦接于晶体管M2的漏极。两电容CB1与CB2耦接于电容CA，且电容CB1与CB2具有不同的电容值。开关MSW1耦接于电容CB1以及接地端GND之间，其中开关MSW1由单独的控制信号Sctrl所控制。开关MSW2耦接于电容CB2以及接地端GND之间，其中开关MSW2由互补于控制信号Sctrl的控制信号SBctrl所控制。当控制信号Sctrl控制开关MSW1为导通而控制信号SBctrl控制开关MSW2为不导通时，子单元70A/70B会根据电容CA与CB1来提供等效电容值CON3。当控制信号Sctrl控制开关MSW1为不导通而控制信号SBctrl控制开关MSW2为导通时，子单元70A/70B会根据电容CA与CB2来提供等效电容值COFF3，其中可根据下列算式得到等效电容值CON3与COFF3：

$C_{\mathrm{ON}3}=\frac{C_A\·C_{B1}}{C_A+C_{B1}}$

$C_{\mathrm{OFF}3}=\frac{C_A\·C_{B2}}{C_A+C_{B2}}.$

因此，根据等效电容值CON3与COFF3之间的差值，可得到单位电容值Cstep3，其中可根据下列算式得到单位电容值Cstep3：

$C_{\mathrm{step}3}=C_{\mathrm{ON}3}-C_{\mathrm{OFF}3}=\frac{C_A^2(C_{B1}-C_{B2})}{(C_A+C_{B1})(C_A+C_{B2})}$

在此实施例中，单位电容值Cstep3作为频率追踪单元60的调频解析度，用以将信号Sout的输出频率调整至目标频率。此外，电容CA、CB1与CB2为被动式金属电容。

图7为根据本发明再一实施例所述的数字控制振荡器300的结构示意图。数字控制振荡器300包括具有负阻抗的放大器80以及电感电容(LC)电路90。电感电容电路90包括耦接于放大器80的输入端In1与In2之间的电感L、切换电容阵列10以及频率追踪阵列20，其中切换电容阵列10与频率追踪阵列20并联于电感L。在一实施例中，放大器80包括互相交叉耦接的一对晶体管，例如图1以及图3的晶体管对M1与M2。如先前所描述，切换电容阵列10包括多个以并联方式耦接的切换电容单元30。每一个切换电容单元30包括耦接于放大器80的输入端In1的电容C1、耦接于放大器80的输入端In2的电容C2以及耦接于电容C1与C2之间的开关SW，其中开关SW由一单独的控制信号所控制。通过对切换电容阵列10内的开关SW进行切换，可以对信号Sout的输出频率进行粗调。此外，频率追踪阵列20包括多个耦接于放大器80之输入端In1与In2之间的频率追踪单元40，其用来将信号Sout的输出频率微调至目标频率。在频率追踪阵列20中，每一频率追踪单元40由一单独的控制信号所控制，其中控制信号会控制频率追踪单元40来提供第一电容值(例如CON)或是第二电容值(例如COFF)，以便得到单位电容值(例如Cstep)，其中单位电容值作为调整信号Sout的输出频率的调频解析度。而图7中每一频率追踪单元40的具体电路结构均可参照上述图2中所示，在此不再加以叙述。

图8为根据本发明又一实施例所述的数字控制振荡器400的结构示意图。在数字控制振荡器400中，频率追踪阵列50包括多个耦接于放大器80的输入端In1与In2之间的频率追踪单元60。如先前所描述，每一频率追踪单元60包括耦接于放大器80的输入端In1以及接地端GND之间的子单元70A以及耦接于放大器80的输入端In2以及接地端GND之间的子单元70B，其中子单元70A与70B具有相同的电路结构。同样地，每一频率追踪单元60由一单独的控制信号所控制，即各频率追踪单元60的子单元70A与70B由相同的控制信号所控制，其中该控制信号会控制子单元70A与70B同时提供第一电容值(例如CON1、CON2与CON3)或是第二电容值(例如COFF1、COFF2与COFF3)，以便得到单位电容值(例如Cstep1、Cstep2与Cstep3)，其中单位电容值作为调整信号Sout的输出频率的调频解析度。而图8中每一频率追踪单元40的具体电路结构均可参照上述图4～6中所示，在此不再加以叙述。

本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的范围为准。

Claims (19)

1.一种数字控制振荡器，其特征在于，包括：

一晶体管对，包括互相交叉耦接的两个晶体管，用以提供一输出信号；

一切换电容阵列，耦接于上述晶体管对，用以对上述输出信号的频率进行调频；以及

多个频率追踪单元，耦接于上述晶体管对，用以将上述输出信号的频率调整至一目标频率，其中至少一上述频率追踪单元能选择性地提供一第一电容值或者一第二电容值，以及上述频率追踪单元的调频解析度由上述第一电容值以及上述第二电容值的差值所决定。

2.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括：

一开关，耦接于上述晶体管对的上述两个晶体管的漏极之间，

其中当上述开关为导通时，上述频率追踪单元提供上述第一电容值，以及当上述开关为不导通时，上述频率追踪单元提供上述第二电容值。

3.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括：

一第一电容，耦接于一第一节点与上述晶体管对中的一个晶体管的漏极之间；

一第二电容，耦接于一第二节点与上述晶体管对中的另一个晶体管的漏极之间；

一第三电容，耦接于上述第一节点与上述第二节点之间；以及

一开关，并联于上述第三电容，

其中上述第一电容、上述第二电容以及上述第三电容为金属电容。

4.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，还包括：

一第一电感，耦接于一共同节点与上述晶体管对中的一个晶体管的漏极之间；以及

一第二电感，耦接于上述共同节点与上述晶体管对中的另一晶体管的漏极之间。

5.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，上述切换电容阵列包括以并联方式连接的多个切换电容单元，每个上述切换电容单元包括：

一第一电容，耦接于上述晶体管对中的一个晶体管的漏极；

一第二电容，耦接于上述晶体管对中的另一个晶体管的漏极；以及

一开关，耦接于上述第一电容以及上述第二电容之间。

6.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括一第一子单元以及一第二子单元，其中上述第一子单元耦接于上述晶体管对中的一个晶体管的漏极与一接地端之间，而上述第二子单元耦接于上述晶体管对中的另一个晶体管的漏极与上述接地端之间，上述第一子单元以及上述第二子单元具有相同的电路结构，以及上述第一子单元以及上述第二子单元中的至少一者包括：

一第一电容，耦接于上述晶体管对中对应的晶体管的漏极；

一第二电容，耦接于上述第一电容以及上述接地端之间；以及

一开关，并联于上述第二电容，

其中上述第一电容以及上述第二电容为金属电容，上述第一子单元以及上述第二子单元的开关由同一控制信号所控制。

7.如权利要求3或6所述的数字控制振荡器，其特征在于，当上述开关为导通时，上述频率追踪单元提供上述第一电容值，以及当上述开关为不导通时，上述频率追踪单元提供上述第二电容值。

8.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括一第一子单元以及一第二子单元，其中上述第一子单元耦接于上述晶体管对中的一个晶体管的漏极与一接地端之间，而上述第二子单元耦接于上述晶体管对中的另一个晶体管的漏极与上述接地端之间，以及上述第一子单元以及上述第二子单元中的至少一者包括：

一第一电容，耦接于上述晶体管对中对应的晶体管的漏极；

一第二电容，耦接于上述第一电容与上述接地端之间；

一第一开关，并联于上述第二电容；

一第三电容，耦接于上述晶体管对中对应的晶体管的漏极，具有相同于上述第一电容的电容值；

一第四电容，耦接于上述第三电容以及上述接地端之间，具有不同于上述第二电容的电容值；以及

一第二开关，并联于上述第四电容，

其中上述第一电容、上述第二电容、上述第三电容以及上述第四电容为金属电容，上述第一开关与上述第二开关由互补的控制信号所控制。

9.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括一第一子单元以及一第二子单元，其中上述第一子单元耦接于上述晶体管对中的一个晶体管的漏极以及一接地端之间，而上述第二子单元耦接于上述晶体管对中的另一个晶体管的漏极以及上述接地端之间，以及上述第一子单元以及上述第二子单元中的至少一者包括：

一第一电容，耦接于上述晶体管对中对应的晶体管的漏极；

一第二电容，耦接于上述第一电容；

一第一开关，耦接于上述第二电容以及上述接地端之间；

一第三电容，耦接于上述第一电容，具有不同于上述第二电容的电容值；以及

一第二开关，耦接于上述第三电容以及上述接地端之间，

其中上述第一电容、上述第二电容以及上述第三电容为金属电容，上述第一开关与上述第二开关由互补的控制信号所控制。

10.如权利要求8或9所述的数字控制振荡器，其特征在于，当上述第一开关为导通而上述第二开关为不导通时，上述频率追踪单元提供上述第一电容值，以及当上述第一开关为不导通而上述第二开关为导通时，上述频率追踪单元提供上述第二电容值。

11.如权利要求1所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元的上述调频解析度是相同的。

12.一种数字控制振荡器，其特征在于，包括：

一放大器，具有一负阻抗，以及具有一第一输入端、一第二输入端以及用以提供一输出信号的一输出端；以及

一电感电容电路，耦接于上述放大器的上述第一输入端以及上述第二输入端，包括：

一电感，耦接于上述放大器的上述第一输入端以及上述第二输入端之间；以及

多个频率追踪单元，并联于上述电感，其中至少一上述频率追踪单元根据一控制信号而提供一第一电容值或是一第二电容值，以便对上述输出信号的频率进行微调，

其中上述频率追踪单元的调频解析度根据上述第一电容值以及上述第二电容值的差值而决定。

13.如权利要求12所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括：

一第一电容，耦接于一第一节点与上述放大器的上述第一输入端之间；

一第二电容，耦接于一第二节点与上述放大器的上述第二输入端之间；

一第三电容，耦接于上述第一节点与上述第二节点之间；以及

一开关，并联于上述第三电容，

其中上述第一电容、上述第二电容以及上述第三电容为金属电容。

14.如权利要求12所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括一第一子单元以及一第二子单元，其中上述第一子单元耦接于上述放大器的上述第一输入端与一接地端之间，而上述第二子单元耦接于上述放大器的上述第二输入端与上述接地端之间，以及上述第一子单元以及上述第二子单元中的至少一者包括：

一第一电容，耦接于上述放大器的第一输入端与第二输入端中的对应一者；

一第二电容，耦接于上述第一电容以及上述接地端之间；以及

一开关，并联于上述第二电容，其中上述开关由上述控制信号所控制，

其中上述第一电容以及上述第二电容为金属电容。

15.如权利要求12所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括一第一子单元以及一第二子单元，其中上述第一子单元耦接于上述放大器的上述第一输入端与一接地端之间，而上述第二子单元耦接于上述放大器的上述第二输入端与上述接地端之间，以及上述第一子单元以及上述第二子单元中的至少一者包括：

一第一电容，耦接于上述放大器的上述第一输入端与上述第二输入端中的对应一者；；

一第二电容，耦接于上述第一电容与上述接地端之间；

一第一开关，并联于上述第二电容，其中上述第一开关由上述控制信号所控制；

一第三电容，耦接于上述放大器的上述第一输入端与上述第二输入端中的对应一者，具有相同于上述第一电容的电容值；

一第四电容，耦接于上述第三电容与上述接地端之间，具有不同于上述第二电容的电容值；以及

一第二开关，并联于上述第四电容，其中上述第二开关由互补于上述控制信号的一信号所控制；

其中上述第一电容、上述第二电容、上述第三电容以及上述第四电容为金属电容。

16.如权利要求12所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元包括一第一子单元以及一第二子单元，其中上述第一子单元耦接于上述放大器的上述第一输入端与一接地端之间，而上述第二子单元耦接于上述放大器的上述第二输入端与上述接地端之间，以及上述第一子单元以及上述第二子单元中的至少一者包括：

一第一电容，耦接于上述放大器的上述第一输入端与上述第二输入端中的对应一者；

一第二电容，耦接于上述第一电容；

一第一开关，耦接于上述第二电容与上述接地端之间，其中上述开关由上述控制信号所控制；

一第三电容，耦接于上述第一电容，具有不同于上述第二电容的电容值；以及

一第二开关，耦接于上述第三电容与上述接地端之间，其中上述第二开关由互补于上述控制信号的一信号所控制，

其中上述第一电容、上述第二电容以及上述第三电容为金属电容。

17.如权利要求12所述的数字控制振荡器，其特征在于，上述放大器包括：

一第一晶体管，具有耦接于一电源的源极、耦接于上述第二输入端的栅极以及耦接于上述第一输入端的漏极；以及

一第二晶体管，具有耦接于上述电源的一源极、耦接于上述第一输入端的一栅极以及耦接于上述第二输入端的漏极。

18.如权利要求12所述的数字控制振荡器，其特征在于，上述电感电容电路还包括：

一切换电容阵列，并联于上述电感，用以对上述输出信号的频率进行粗调，以及包括多个切换电容单元，其中每一上述切换电容单元包括：

一第一电容，耦接于上述放大器的上述第一输入端；

一第二电容，耦接于上述放大器哦上述第二输入端；以及

一开关，耦接于上述第一电容与上述第二电容之间。

19.如权利要求12所述的数字控制振荡器，其特征在于，每一上述频率追踪单元的调频解析度为相同的。

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