CN102931324B - 一种led芯片 - Google Patents
一种led芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102931324B CN102931324B CN201210469421.XA CN201210469421A CN102931324B CN 102931324 B CN102931324 B CN 102931324B CN 201210469421 A CN201210469421 A CN 201210469421A CN 102931324 B CN102931324 B CN 102931324B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type electrode
- type
- layer
- led chip
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 238000012800 visualization Methods 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种LED芯片，所述N型电极（22）为阶梯结构；所述N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接；所述N型电极（22）的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜（13）上；所述N型电极（22）的上端位于最上方绝缘介质膜（13）之上并且向P型电极（21）的位置延伸，所述N型电极（22）的上端与第二PCB板（23）连接，所述N型电极（22）的上端与P型电极（21）存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面。本发明由于把LED芯片的N型电极与N型电极设置相同高度的或近似高度的共同锡焊面，因而增加了LED芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片，尤其是涉及一种倒装结构的LED芯片。
背景技术
在蓝宝石衬底上制作的蓝、绿或紫光LED芯片的发光面为外延材料的生长表面，即P型表面。在LED的封装过程中，都把蓝宝石衬底面直接固定在散热板上。在LED的工作过程中，其发光区是器件发热的根源。由于蓝宝石衬底本身是一种绝缘体材料，且导热性能和GaN材料比较差，所以对这种正装的LED器件其工作电流都有一定的限制，以确保LED的发光效率和工作寿命。为改善器件的散热性能，人们设计了一种LED芯片结构，即倒装结构的LED芯片。
自从提出芯片的倒装设计之后，人们针对其可行性进行了大量的研究和探索。由于LED芯片设计的局限性，封装良率一直很低，原因如下：第一、N型电极区域相对小，很难与PCB板的相应区域对位；第二、N型电极位置比P型电极位置高很多，很容易造成虚焊、脱焊情形；第三、为制作N型电极，往往要人为地去掉很大一部分有源区，这样大大地减少了器件的发光面积，直接影响了LED发光效率。
如图1所示，利用MOCVD、VPE、MBE或LPE技术在衬底30上生长器件（如LED、LD等）结构，从上至下依次分别为衬底30、N型材料层31、发光区32、P型材料层33、P型电极34、P级焊锡层35、PCB板36以及散热板40。其中N型材料层31与散热板40之间还依次连接N型电极37、N级焊锡层38和PCB板39。
该传统的LED芯片存在的技术缺陷如下：
1、在水平方向N型电极37所处位置与P型电极34相距较远，N型电极37对其下方的PCB板27的位置设计有苛刻的要求，影响到封装优良率。
2、N型电极37位置比P型电极34位置高很多，导致其与下方的PCB板39之间的间隙较大，在焊锡时很容易使得N级焊锡层38过长而造成虚焊或脱焊的发生。
3、为了使得N型电极37与其下方的PCB板39可以进行焊接，需要去掉很大一部分发光区，影响到LED芯片的发光效率。
发明内容
本发明设计了一种LED芯片，其解决了以下技术问题是：
（1）N型电极区域相对小，很难与PCB板的相应区域对位，会影响到封装效果和LED产品的优良率；
（2）N型电极位置比P型电极位置高很多，很容易造成虚焊、脱焊情形；
（3）为制作N型电极，往往要人为地去掉很大一部分有源区，这样大大地减少了器件的发光面积，直接影响了LED发光效率。
为了解决上述存在的技术问题，本发明采用了以下方案：
一种LED芯片，包括P型电极区（17）和N型电极区（18），所述P型电极区（17）从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光反射层（9）以及绝缘介质膜（13），所述N型电极区（18）从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）以及绝缘介质膜（13），P型电极（21）下端穿过所述绝缘介质膜（13）与光反射层（9）连接，P型电极（21）上端与第一PCB板（24）连接，所述衬底（1）由上凹孔结构（26）和下凹孔结构（27）组合而成。所述N型电极（22）为阶梯结构；所述N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接；所述N型电极（22）的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜（13）上；所述N型电极（22）的上端位于最上方绝缘介质膜（13）之上并且向P型电极（21）的位置延伸，所述N型电极（22）的上端与第二PCB板（23）连接，所述N型电极（22）的上端与P型电极（21）存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面。
进一步，所述上凹孔结构（26）的各个凹孔直径大于都所述下凹孔结构（27）各个凹孔的直径。
进一步，所述P型电极（21）上端通过焊锡与第一PCB板（24）进行固定。
进一步，所述P型电极（21）通过所述第一PCB板（24）与散热板（25）进行固定连接。
进一步，所述N型电极（22）上端通过焊锡与第二PCB板（23）进行固定。
进一步，所述N型电极（22）通过所述第二PCB板（23）与散热板（25）进行固定连接。
进一步，所述绝缘介质膜（13）的厚度在150nm-450nm之间。
进一步，所述衬底（1）的材质为蓝宝石、碳化硅或GaN。
该LED芯片的制作方法，LED芯片从下至上依次为衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）以及P型欧姆接触层（8），
包括以下制作步骤：
步骤01、在P型欧姆接触层（8）表面形成光反射层（9）；
步骤02、形成N型电极形成区（12）；
步骤03、形成绝缘介质膜（13）；
步骤04、形成P型电极区（17）和N型电极区（18）；
步骤05、制作形成P型电极（21）和N型电极（22），其中N型电极（22）为阶梯结构，N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接，N型电极（22）的上端向P型电极（21）的位置延伸，并且上端的N型电极（22）与P型电极（21）存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面；
步骤06、P型电极（21）和N型电极（22）通过锡焊的方式固定在各自的PCB板上；
步骤07、对LED芯片进行封装。
进一步，所述步骤01中光反射层（9）通过蒸镀或溅射方式附着在P型欧姆接触层（8）上。
进一步，所述步骤02中包括以下具体分步骤：
步骤021、在光反射层（9）表面涂敷第一光刻胶层（10）；
步骤022、LED芯片一侧的第一光刻胶层（10）通过曝光或显影方式去除；
步骤023、利用干刻或化学腐蚀的方法，将暴露部分的N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光反射层（9）以及部分的N型层（3）去除并且形成N型电极形成区（12），使得整个LED芯片形成阶梯结构；
步骤024、将LED芯片另一侧剩余的第一光刻胶层（10）全部去除。
进一步，所述步骤03中的绝缘介质膜（13）通过镀膜的方式均匀地覆盖在阶梯结构的LED芯片上表面。
进一步，所述步骤04中包括以下具体分步骤：
步骤041、在绝缘介质膜（13）表面涂敷第二光刻胶层（14）；
步骤042、通过曝光或显影方法，在阶梯结构的LED芯片上下两端部分去除第二光刻胶层（14），并且形成两个绝缘介质膜暴露区（15）；
步骤043、通过干刻或化学腐蚀方法，将两个绝缘介质膜暴露区（15）覆盖的绝缘介质膜（13）去除，形成两个去除绝缘介质膜暴露区（16）；
步骤044、去除绝缘介质膜（13）上的所有剩余第二光刻胶层（14）后，在LED芯片的阶梯上下两端分别形成P型电极区（17）和N型电极区（18）。
进一步，所述步骤05中包括以下具体分步骤：
步骤051、将步骤04得到阶梯结构的LED芯片表面涂敷第三光刻胶层（19）；
步骤052、去除P型电极区（17）和N型电极区（18）上方的第三光刻胶层（19）以及去除P型电极区（17）和N型电极区（18）之间部分的第三光刻胶层（19），保留的部分第三光刻胶层（19）用于将来P型电极和N型电极之间形成隔离；
步骤053、将步骤052得到阶梯结构的LED芯片表面制作一金属合金层（20）；
步骤054、去除步骤052中保留的部分第三光刻胶层（19）及其上方的金属合金层（20），最终形成P型电极（21）和N型电极（22）。
进一步，所述步骤07中P型电极（21）和N型电极（22）通过各自的PCB板与散热板（25）进行固定连接。
进一步，所述第一光刻胶层（10）、第二光刻胶层（14）以及第三光刻胶层（19）的涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
进一步，所述绝缘介质膜（13）的厚度在150nm-450nm之间。
进一步，所述衬底（1）的材质为蓝宝石、碳化硅或GaN。
该LED芯片与传统的LED芯片相比，具有以下有益效果：
（1）本发明由于把LED芯片的N型电极与N型电极设置相同高度的或近似高度的共同锡焊面，使得在锡焊时，两个电极焊锡厚度相同并且可以减少N型电极的焊锡厚度，因而增加了LED芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。
（2）本发明由于将衬底由上凹孔结构和下凹孔结构组合而成，使得部分全反射光线以散射的形式射出，或者通过多次折射进入临界角射出，从而实现出光效率的提高。
（3）本发明由于P型电极的N型电极为阶梯结构，无需去掉很大一部分发光区，因而减少制作N型欧姆接触的面积，增加发光区面积，以提高LED的发光效率。
（4）本发明由于P型电极的N型电极为阶梯结构，与N型电极连接的PCB板位置可以自由进行调整，提高了LED芯片封装结构的优良率。
附图说明
图01是传统LED芯片的结构示意图；
图02是本发明中倒装LED裸芯片结构示意图；
图03是本发明中倒装LED裸芯片设置光反射层结构示意图；
图04是本发明LED芯片制作步骤1；
图05是本发明LED芯片制作步骤2；
图06是本发明LED芯片制作步骤3；
图07是本发明LED芯片制作步骤4；
图08是本发明LED芯片制作步骤5；
图09是本发明LED芯片制作步骤6；
图10是本发明LED芯片制作步骤7；
图11是本发明LED芯片制作步骤8；
图12是本发明LED芯片制作步骤9；
图13是本发明LED芯片制作步骤10；
图14是本发明LED芯片制作步骤11；
图15是本发明LED芯片制作步骤12；
图16是本发明LED芯片制作步骤13；
图17是本发明LED芯片制作步骤14；
图18是本发明LED芯片的结构示意图。
附图标记说明：
1—衬底；2—缓冲层；3—N型层；4—N型分别限制层；5—发光区层；6—P型分别限制层；7—P型层；8—P型欧姆接触层；9—光反射层；10—第一光刻胶层；11—N型电极形成开口；12—N型电极形成区；13—绝缘介质膜；14—第二光刻胶层；15—绝缘介质膜暴露区；16—去除绝缘介质膜暴露区；17—P型电极区；18—N型电极区；19—第三光刻胶层；20—金属合金层；21—P型电极；22—N型电极；23—第二PCB板；24—第一PCB板；25—散热板；26—上凹孔结构；27—下凹孔结构；
30—衬底；31—N型材料层；32—发光区；33—P型材料层；34—P型电极；35—P级焊锡层；36—PCB板；37—N型电极；38—N级焊锡层；39—PCB板；40—散热板。
具体实施方式
下面结合图2至图17，对本发明做进一步说明：
如图2所示，衬底1是载体，一般是蓝宝石、碳化硅或GaN等材料。缓冲层2是一个过度层，在此基础上生长高质量的N, P, 量子阱等其它材料。LED由pn结构成，缓冲层2、N型层3层、N型分别限制层4，P型分别限制层6以及P型层7是为了形成制作LED所需的P和N型材料。发光区层5是LED的发光区，光的颜色由有源区的结构决定。P型欧姆接触层8是材料生长的最后一层，这一层的载流子搀杂浓度较高，目的是为制作较小的欧姆接触电阻。P型金属欧姆接触层不是由生长形成的，而是通过蒸镀或溅射等方法形成的，目的之一是制作器件的电极，目的之二是为了封装打线用。
如图3所示，通过蒸镀、溅射或其它薄膜制作方法，在P型欧姆接触层8表面形成一层或多层薄膜（如ITO、银镜、镍金、合金或半金属等），用于制作发光二极管的光反射层9。
如图4所示，在图3结构的表面涂布第一光刻胶层10（正胶或负胶），涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图5所示，LED芯片一侧的第一光刻胶层10通过曝光或显影方式去除，用于形成N型电极形成区12。
如图6所示，利用干刻或化学腐蚀的方法，将暴露部分的N型分别限制层4、发光区层5、P型分别限制层6、P型层7、P型欧姆接触层8、光反射层9以及部分的N型层3去除并且形成N型电极形成区12，使得整个LED芯片形成阶梯结构。
如图7所示，将LED芯片另一侧剩余的第一光刻胶层10全部去除。
如图8所示，利用PECVD或其它镀膜技术，在图7所示的结构表面制备一层绝缘介质膜13，厚度在100nm-500nm之间。绝缘介质膜13通过镀膜的方式均匀地覆盖在阶梯结构的LED芯片上表面。
如图9所示，在绝缘介质膜13表面涂敷第二光刻胶层14。涂布速度在2500-5000转/分，并对涂布温度控制90摄氏度-100摄氏度之间，在烘箱里或铁板表面烘烤，烘烤时间分别为30分钟和2分钟。
如图10所示，通过曝光或显影方法，在阶梯结构的LED芯片上、下两端部分去除第二光刻胶层14，并且形成两个绝缘介质膜暴露区15，用于制作P型电极区17和N型电极区18。
如图11所示，通过干刻或化学腐蚀方法，将两个绝缘介质膜暴露区15覆盖的绝缘介质膜13去除，形成两个去除绝缘介质膜暴露区16。
如图12所示，去除绝缘介质膜13上的所有剩余第二光刻胶层14后，在LED芯片的阶梯上下两端分别形成P型电极区17和N型电极区18。
如图13所示，将图12中得到阶梯结构的LED芯片表面涂敷第三光刻胶层19。
如图14所示，去除P型电极区17和N型电极区18上方的第三光刻胶层19以及去除P型电极区17和N型电极区18之间部分的第三光刻胶层19，保留的部分第三光刻胶层19用于将来P型电极和N型电极之间形成隔离。
如图15所示，将图14中得到阶梯结构的LED芯片表面制作一金属合金层20；
如图16所示，去除图14中保留的部分第三光刻胶层19及其上方的金属合金层20，最终形成P型电极21和N型电极22。
图17所示，一种LED芯片，包括P型电极区17和N型电极区18，P型电极区17从下至上依次包括衬底1、缓冲层2、N型层3、N型分别限制层4、发光区层5、P型分别限制层6、P型层7、P型欧姆接触层8、光反射层9以及绝缘介质膜13，N型电极区18从下至上依次包括衬底1、缓冲层2、N型层3以及绝缘介质膜13，P型电极21下端穿过所述绝缘介质膜13与光反射层9连接，P型电极21上端与第一PCB板24连接，N型电极22为阶梯结构；N型电极22的下端穿过绝缘介质膜13与N型层3连接；N型电极22的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜13上；N型电极22的上端位于最上方绝缘介质膜13之上并且向P型电极21的位置延伸，N型电极22的上端与第二PCB板23连接，N型电极22的上端与P型电极21存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面。
P型电极21上端通过焊锡与第一PCB板24进行固定。P型电极21通过所述第一PCB板24与散热板25进行固定连接。N型电极22上端通过焊锡与第二PCB板23进行固定。N型电极22通过第二PCB板23与散热板25进行固定连接。
绝缘介质膜13的厚度在150nm-450nm之间。衬底1的材质为蓝宝石、碳化硅或GaN。
上面结合附图对本发明进行了示例性的描述，显然本发明的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。
Claims (1)
1. 一种LED芯片，包括P型电极区（17）和N型电极区（18），所述P型电极区（17）从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光反射层（9）以及绝缘介质膜（13），所述N型电极区（18）从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）以及绝缘介质膜（13），P型电极（21）下端穿过所述绝缘介质膜（13）与光反射层（9）连接，P型电极（21）上端与第一PCB板（24）连接，所述衬底（1）由上凹孔结构（26）和下凹孔结构（27）组合而成，所述N型电极（22）为阶梯结构；所述N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接；所述N型电极（22）的中间部分贴在垂直部分的绝缘介质膜（13）上；所述N型电极（22）的上端位于最上方绝缘介质膜（13）之上并且向P型电极（21）的位置延伸，所述N型电极（22）的上端与第二PCB板（23）连接，所述N型电极（22）的上端与P型电极（21）存在相同高度的共同锡焊面，其特征在于：该LED芯片通过如下步骤进行制作：步骤01、在P型欧姆接触层（8）表面形成光反射层（9）；所述步骤01中光反射层（9）通过蒸镀或溅射方式附着在P型欧姆接触层（8）上；
步骤02、形成N型电极形成区（12）；其中，步骤021、在光反射层（9）表面涂敷第一光刻胶层（10）；步骤022、LED芯片一侧的第一光刻胶层（10）通过曝光或显影方式去除；步骤023、利用干刻或化学腐蚀的方法，将暴露部分的N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光反射层（9）以及部分的N型层（3）去除并且形成N型电极形成区（12），使得整个LED芯片形成阶梯结构；步骤024、将LED芯片另一侧剩余的第一光刻胶层（10）全部去除；
步骤03、形成绝缘介质膜（13）；所述步骤03中的绝缘介质膜（13）通过镀膜的方式均匀地覆盖在阶梯结构的LED芯片上表面；
步骤04、形成P型电极区（17）和N型电极区（18）；步骤041、在绝缘介质膜（13）表面涂敷第二光刻胶层（14）；步骤042、通过曝光或显影方法，在阶梯结构的LED芯片上下两端部分去除第二光刻胶层（14），并且形成两个绝缘介质膜暴露区（15）；步骤043、通过干刻或化学腐蚀方法，将两个绝缘介质膜暴露区（15）覆盖的绝缘介质膜（13）去除，形成两个去除绝缘介质膜暴露区（16）；步骤044、去除绝缘介质膜（13）上的所有剩余第二光刻胶层（14）后，在LED芯片的阶梯上下两端分别形成P型电极区（17）和N型电极区（18）；
步骤05、制作形成P型电极（21）和N型电极（22），其中N型电极（22）为阶梯结构，N型电极（22）的下端穿过所述绝缘介质膜（13）与所述N型层（3）连接，N型电极（22）的上端向P型电极（21）的位置延伸，并且上端的N型电极（22）与P型电极（21）存在相同高度的或近似高度的共同锡焊面；其中，步骤051、将步骤04得到阶梯结构的LED芯片表面涂敷第三光刻胶层（19）；步骤052、去除P型电极区（17）和N型电极区（18）上方的第三光刻胶层（19）以及去除P型电极区（17）和N型电极区（18）之间部分的第三光刻胶层（19），保留的部分第三光刻胶层（19）用于将来P型电极和N型电极之间形成隔离；步骤053、将步骤052得到阶梯结构的LED芯片表面制作一金属合金层（20）；步骤054、去除步骤052中保留的部分第三光刻胶层（19）及其上方的金属合金层（20），最终形成P型电极（21）和N型电极（22）；
步骤06、P型电极（21）和N型电极（22）通过锡焊的方式固定在各自的PCB板上；
步骤07、对LED芯片进行封装。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210469421.XA CN102931324B (zh) | 2011-11-25 | 2012-11-20 | 一种led芯片 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110379192 | 2011-11-25 | ||
| CN201110379192.8 | 2011-11-25 | ||
| CN201210469421.XA CN102931324B (zh) | 2011-11-25 | 2012-11-20 | 一种led芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102931324A CN102931324A (zh) | 2013-02-13 |
| CN102931324B true CN102931324B (zh) | 2014-11-26 |
Family
ID=47646079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210469421.XA Active CN102931324B (zh) | 2011-11-25 | 2012-11-20 | 一种led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102931324B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103515504A (zh) * | 2013-10-23 | 2014-01-15 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种led芯片及其加工工艺 |
| CN104795480A (zh) * | 2014-01-22 | 2015-07-22 | 南通同方半导体有限公司 | 一种n电极延伸线点状分布的正装led芯片及其制备方法 |
| CN103855149A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-06-11 | 中国科学院半导体研究所 | 倒装高压发光二极管及其制作方法 |
| CN104269471A (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 全角度侧壁反射电极的led芯片及其制作方法 |
| CN104377298A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-02-25 | 北京工业大学 | 一种表面型半导体激光器件倒装焊电极结构 |
| CN104576867B (zh) * | 2015-01-20 | 2017-08-29 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种 iii 族半导体发光器件的制作方法 |
| TWI701847B (zh) * | 2015-02-19 | 2020-08-11 | 晶元光電股份有限公司 | 具有高效率反射結構之發光元件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102157654A (zh) * | 2011-03-30 | 2011-08-17 | 重庆大学 | 基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装led芯片 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3896704B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2007-03-22 | 松下電器産業株式会社 | ＧａＮ系化合物半導体発光素子 |
| TW200945627A (en) * | 2007-12-07 | 2009-11-01 | Alps Electric Co Ltd | Semiconductor light-emitting device |
-
2012
- 2012-11-20 CN CN201210469421.XA patent/CN102931324B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102157654A (zh) * | 2011-03-30 | 2011-08-17 | 重庆大学 | 基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装led芯片 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开2000-114595A 2000.04.21 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102931324A (zh) | 2013-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102931311B (zh) | 一种倒装led芯片的制作方法 | |
| CN102931324B (zh) | 一种led芯片 | |
| CN102810609B (zh) | 一种紫外半导体发光器件及其制造方法 | |
| JP2008047860A (ja) | 表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 | |
| CN102427107A (zh) | 一种大功率白光led倒装芯片及其制作方法 | |
| WO2014036803A1 (zh) | 一种改善出光率的发光二极管倒装芯片及其制备方法 | |
| CN109524514A (zh) | 一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片及其制作方法 | |
| US20180145220A1 (en) | Bonding Electrode Structure of Flip-chip LED Chip and Fabrication Method | |
| CN103700736A (zh) | 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法 | |
| CN105336829A (zh) | 倒装发光二极管结构及其制作方法 | |
| CN102593304A (zh) | 一种使用陶瓷散热的高功率led灯具 | |
| TWI398967B (zh) | 發光二極體晶片及其製法 | |
| CN102569585A (zh) | 一种led芯片 | |
| CN105355729B (zh) | Led芯片及其制作方法 | |
| CN106449931A (zh) | 一种led倒装芯片的钝化沉积方法 | |
| CN110429098A (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN102544266B (zh) | 一种高光效白光led倒装芯片的制作方法 | |
| CN102544296A (zh) | 一种倒装led芯片的制作方法 | |
| CN108400213A (zh) | 具有占空比优化的通孔超结构的led芯片及其制备方法 | |
| CN109004042A (zh) | 垂直型光电子器件及其制造方法 | |
| CN203503689U (zh) | 覆晶式led芯片 | |
| TWI499083B (zh) | 發光二極體晶片的封裝方法、封裝結構及用於發光二極體封裝之反射杯的製法 | |
| CN106531859B (zh) | 免封装高亮度led芯片结构及其制作方法 | |
| CN202405306U (zh) | 一种高光效、低光衰以及高封装良率led芯片 | |
| CN104638077A (zh) | 一种光输出增强的发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: QIDONG TIANFEN ELECTRIC TOOL TECHNOLOGY INNOVATION Free format text: FORMER OWNER: YU GUOHONG Effective date: 20150806 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150806 Address after: Qidong City, Jiangsu province 226244 Nantong lvsigang Tianfen electric tools trade city comprehensive building Patentee after: QIDONG TIANFEN ELECTRIC TOOL TECHNOLOGY INNOVATION CENTER Address before: 3 floor 322000, E District, Yiwu International Trade City, Zhejiang, 8643 Patentee before: Yu Guohong |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20241227 Address after: Building 21, Qirui Industrial Park, No. 2099 Century Avenue, Qidong Economic Development Zone, Nantong City, Jiangsu Province, 226200 Patentee after: Nantong Quanxin Electronic Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 226244 Tianfen Electric Tool Trade Center Complex Building, Lusigang Town, Qidong City, Nantong City, Jiangsu Province Patentee before: QIDONG TIANFEN ELECTRIC TOOL TECHNOLOGY INNOVATION CENTER Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |