CN102929054B - 一种阵列基板及像素的驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板及像素的驱动方法，其中，阵列基板包括：栅线和数据线，一条栅线和两条数据线限定了像素区域，并在交叉处形成两个薄膜晶体管，所述像素区域内具有间隔排列的像素电极；其中，两个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管与第一像素电极连接，第二薄膜晶体管与第二像素电极连接；其特征在于，通过所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别向所述第一像素电极和所述第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。本发明的实施例可以避免由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象。

Description

一种阵列基板及像素的驱动方法

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种阵列基板及像素的驱动方法。

背景技术

在显示技术领域，高级超维场转换技术（ADvanced Super DimensionSwitch）可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。因此被广泛应用于各种显示产品中，高级超维场转换技术是平面电场宽视角核心技术，即通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质。而TFS（Triple fieldswitching）模式为在ADS技术的进一步改进，具有像素电容小，且透过率高的优点，TFS模式也可以认为是New ADS模式，即新的ADS模式。TFS模式的像素区域中，一个像素区域是由一根栅线（Gate）和两根数据线（Data）交叉形成的，即1G2D结构；通常情况下，像素区域的数据线与源极连接，数据线由驱动电路施加电压，并通过TFT开关，向像素电极传递信号；然而，该新的TFS模式下的阵列基板，两根数据线会分别与像素电极产生耦合电容，对于两根同样电压的数据线来讲，数据线与像素电极之间的耦合电容就是该两根数据线分别与像素电极之间的耦合电容的和，由于该耦合电容的存在，使从数据线传递给像素电极的信号有一定的延迟，从而导致画面显示出现问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及像素的驱动方法，可以避免由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括：栅线和数据线，一条栅线和两条数据线限定了像素区域，并在交叉处形成两个薄膜晶体管，所述像素区域内具有间隔排列的像素电极；其中，两个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管与第一像素电极连接，第二薄膜晶体管与第二像素电极连接；通过所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别向所述第一像素电极和所述第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

其中，所述第一像素电极设置在所述两条数据线上方或者所述第二像素电极设置在所述两条数据线上方，且所述第一像素电极或者所述第二像素电极覆盖在所述两条数据线上方正投影的位置。

其中，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度大于所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度。

其中，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度比所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度宽6~12μm。

其中，与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板上还设置有公共电极。

其中，所述彩膜基板上，相对于所述数据线上方的对应位置的黑矩阵的宽度为12~26μm。

本发明的实施例还提供一种如上所述的阵列基板的像素的驱动方法，包括：

步骤1，分别向第一像素电极和第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

其中，所述步骤1包括：

步骤11，获取第一像素电极和第二像素电极显示用的第一像素电压和第二像素电压，所述第一像素电压和第二像素电压大小相等，极性相反；

步骤12，确定数据线与像素电极产生的耦合电容；

步骤13，依据所述第一像素电压和所述第二像素电压以及所述耦合电容，确定第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤14，通过驱动电路向第一数据线和第二数据线分别输出步骤13确定的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤15，根据所述第一数据线电压和所述第二数据线电压，通过所述像素区域的薄膜晶体管TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极。

其中，所述步骤12包括：

步骤121，根据第一数据线与所述第一像素电极之间的距离以及所述第一像素电极的宽度，确定所述第一数据线与所述像素区域的第一像素电极之间的第一耦合电容；

步骤122，根据第二数据线与所述第二像素电极之间的距离以及所述第二像素电极的宽度，确定所述第二数据线与所述像素区域的第二像素电极之间的第二耦合电容。

其中，所述步骤121或者步骤122中，所述第一耦合电容和第二耦合电容通过以下公式确定：

$C\_\mathrm{dp}(M+2)=C\_\mathrm{dp}(M+3)=\frac{\mathrm{\ϵS}}{d};$

其中，C_dp(M+2)为所述第一耦合电容，C_dp(M+3)为所述第二耦合电容，ε是一个介电常数，S为第一数据线和第二数据线所在电容极板与像素电极所在电容极板的正对面积，d为电容极板间的距离。

其中，所述步骤13包括：

步骤131，确定所述第一数据线与所述第一像素电极之间，由所述第一耦合电容引起的所述第一像素电极的第一电压跳变量；

步骤132，确定所述第二数据线与所述第二像素电极之间，由所述第二耦合电容引起的所述第二像素电极的第二电压跳变量；

步骤133，根据所述第一耦合电容，所述第二耦合电容，所述第一电压跳变量和所述第二电压跳变量，确定像素电极的总的电压跳变量；

步骤134，根据所述像素电极的总的电压跳变量，确定所述第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压。

其中，C_dp(M+2)＝C_dp(M+3)；且ΔV(M+2)=-ΔV(M+3)；其中，若ΔV(M+2)为对所述第一像素电极提高的电压跳变量，则ΔV(M+3)为对所述第二像素电极降低的电压跳变量，且二者的大小相等且极性相反。

其中，第一像素电极和第二像素电极的总电压跳变量通过以下关系式确定：

总 $\mathrm{\ΔVPixelVoltage}=\frac{C\_\mathrm{dp}(M+2)}{C\_\mathrm{lc}+C\_\mathrm{gs}}\×\mathrm{\ΔV}(M+2)+\frac{C\_\mathrm{dp}(M+3)}{C\_\mathrm{lc}+C\_\mathrm{gs}}\×\mathrm{\ΔV}(M+3)=0$

其中，总ΔV PixelVoltage为第一像素电极和第二像素电极的总电压跳变量，C_lc为液晶电容，C_gs为栅极和源极之间的寄生电容，C_lc和C_gs为固定值或者是常数。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述方案中，通过为第一数据线和第二数据线施加大小相等，极性相反的输入电压，使得在第一数据线通过TFT（薄膜晶体管）为像素电极传递第一强度的电压信号，第二数据线为像素电极传递第二强度的电压信号时，第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的电量相等，极性相反，这样第一数据线与像素电极所产生的耦合电容与第二数据线与像素电极所产生的耦合电容的大小相等，由于第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的极性相反，当第一数据线与像素电极所产生的第一耦合电容导致的跳变电压使像素电极电压增大时，第二数据线与像素电极所产生的第二耦合电容导致的跳变电压则会使像素电极电压降低，第一耦合电容与第二耦合电容引起的像素电极的跳变电压相互抵消，使像素电极的电压趋于稳定，从而避免了由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象。

附图说明

图1为本发明的TFS模式阵列基板的像素区域的平面图；

图2为本发明的TFS模式的像素区域的电路示意图；

图3为图1中的TFS模式的阵列基板A1-A2的横向剖示图；

图4为本发明的TFS模式的显示面板的一具体实施例的纵向剖示图。

具体实施方式

为了更好的说明本发明要解决的技术问题，首先对于本发明所提供的工作原理进行详细说明。

如图1所示，为本发明的实施例TFS模式阵列基板的像素区域的平面图，本发明的实施例提供的阵列基板，包括：栅线和数据线，一条栅线和两条数据线限定了像素区域（即1G2D的结构），栅线与数据线可以是垂直交叉形成限定像素区域，或者数据线也可以是折线型与栅线交叉限定像素区域，并在栅线与数据线的交叉处形成两个薄膜晶体管（即两个TFT），所述像素区域内具有间隔排列的像素电极，其中，两个薄膜晶体管TFT中第一薄膜晶体管（如图1中所示TFT1）与所述第一像素电极（如位于第一数据线上方的像素电极A）连接，所述第二薄膜晶体管（如图1中所示的TFT2）与所述第二像素电极（位于第二数据线上方的像素电极A）连接；通过所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别向所述第一像素电极和所述第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

其中，当数据线与其邻近的像素电极之间的距离较为接近时，数据线与像素电极之间会形成耦合电容，当数据线与像素电极交叠时也会产生耦合电容。通过为第一数据线和第二数据线施加大小相等，极性相反的输入电压，使得在第一数据线通过第一TFT（薄膜晶体管）为第一像素电极传递第一强度的电压信号，第二数据线通过第二TFT（薄膜晶体管）为第二像素电极传递第二强度的电压信号；第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的电量相等，极性相反，这样第一数据线与和其临近或交叠的像素电极所产生的耦合电容与第二数据线与和其临近或交叠的像素电极所产生的耦合电容的大小相等，由于第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的极性相反，当第一数据线和其临近或交叠的像素电极所产生的第一耦合电容导致的跳变电压使像素电极电压增大时，第二数据线和其临近或交叠的像素电极所产生的第二耦合电容导致的跳变电压则会使像素电极电压降低，第一耦合电容与第二耦合电容引起的像素电极的跳变电压相互抵消，使像素电极的电压趋于稳定，从而避免了由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象。

如图1所示的本发明TFS模式的像素区域的平面图以及图2所示的电路图；该阵列基板10包括：栅线N,栅线N+1和数据线M+1,M+2...至M+6，其中栅线N,栅线N+1和两条数据线即第一数据线M+2及第二数据线M+3(或者第一数据线M+4与第二数据线M+5,在此不做限定)限定了像素区域，并在交叉处形成两个薄膜晶体管，即第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2。

所述像素区域内具有间隔排列的像素电极，如图中所示的像素电极A像素电极B间隔排列，其中两个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管TFT1与所述第一像素电极（如位于第一数据线上方的像素电极A）连接，所述第二薄膜晶体管TFT2与所述第二像素电极连接(位于第二数据线上方的像素电极A)。

如图3为本发明图1中的TFS模式的阵列基板A1-A2的横向剖示图中所示的像素电极A和像素电极B，第一像素电极为位于第一数据线上方的像素电极A,第二像素电极为位于第二数据线上方的像素电极A；所述像素电极A设置在所述两条数据线上方或者所述像素电极B设置在所述两条数据线上方，且所述像素电极A或者所述像素电极B覆盖在所述两条数据线上方正投影的位置。具体的说，所述第一像素电极设置在第一数据线和第二数据线上方；或者所述第二像素电极设置在第一数据线和第二数据线上方。总之，所述第一数据线和第二数据线上方设置同一像素电极即可，在此不作限定。进一步的，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度大于所述数据线的宽度；优选的，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度比所述数据线的宽度宽6~12μm。

具体的如图3所示，数据线M+2和数据线M+3上方分别设置有像素电极A（也可以设置像素电极B，在此不作限定）,数据线M+2与M+3分别施加量相等且极性相反的电压信号，通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管（图中未示出）分别向像素电极A和像素电极B施加电压信号，这样数据线M+2与像素电极A所产生的第一耦合电容与数据线M+3与像素电极A所产生的第二耦合电容的大小相等，由于施加给M+2的电压信号与施加给M+3的电压信号的极性相反，当数据线M+2与像素电极A所产生的第一耦合电容导致的跳变电压使像素电极A电压降低时，数据线M+3与像素电极A所产生的第二耦合电容导致的跳变电压则会使像素电极A电压升高，第一耦合电容与第二耦合电容引起的像素电极A的跳变电压相互抵消，使数据线M+2与数据线M+3之间的整个像素电极的电压趋于稳定，从而避免了由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象。

具体地，上述阵列基板还可以包括；设置于所述基板上的栅线；设置于所述栅线之上的第一绝缘层；设置于所述第一绝缘层上的半导体层；设置于所述半导体层上的源漏电极层和数据线层，所述数据线层包括第一数据线和第二数据线，与所述第一薄膜晶体管的源极与所述第一数据线相连，第二薄膜晶体管的源极和第二数据线相连，在所述源漏电极层和数据线层上形成的第二绝缘层；设置于所述第二绝缘层上的像素电极层，通过过孔与所述漏极相连的第一像素电极和第二像素电极。

优选的，在所述半导体层与所述源漏电极层之间还设置有掺杂半导体层，以降低半导体层与源漏电极的接触电阻。

进一步的，所述第二绝缘层还可以用树脂材料形成，用以提高透过率,树脂层的使用一般情况下适用于大尺寸如TV等产品。

本发明的该实施例通过所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度大于所述数据线的宽度，可以使像素区域边缘的部分（即上述第一数据线和第二数据线对应的区域）的电场（由像素电极A和B产生的电场）更强，现有技术中是像素电极与公共电极产生电场驱动液晶偏转，而邻近数据线附近的液晶分子由于受到数据线与公共电极之间产生的耦合电容的影响，使液晶发生不正常偏转；

而本发明的实施例中均是通过间隔设置的两个像素电极之间产生电场，整个像素区域的电场均匀，因此，不会使液晶发生不正常偏转，特别是邻近数据线附近的像素区域，数据线上方的像素电极与其相邻的另一像素电极之间也产生电场，提高此处的液晶效率，从而提高透过率。

如图4所示，为显示面板的剖视图，在上述本发明的TFS模式的阵列基板实施例中，与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板20上还设置有公共电极（COM电极）202，所述彩膜基板上，相对于所述数据线上方的对应位置的黑矩阵201的宽度为12~26μm。

现有技术中，像素电极与公共电极产生电场驱动液晶分子偏转，在邻近数据线的区域，像素电极与数据线之间会产生耦合电容，使液晶发生不正常偏转，因此现有技术中将黑矩阵的宽度作成大于22μm，以使液晶发生不正常偏转的部分进行遮挡处理使其不透光，从而使显示画面看不出由于液晶不正常偏转产生的画面不正常现象；而本发明的实施例的上述结构，数据线正投影上方覆盖有像素电极，邻近数据线附近的像素区域，数据线上方的像素电极与其相邻的另一像素电极之间也产生正常的电场，提高液晶效率的同时，可以使黑矩阵的宽度小于现有技术中的黑矩阵的宽度，且能保证液晶正常显示，且显示区域也相对于现有技术扩大了。也就是说，本发明的实施例通过像素电极覆盖或者屏蔽数据线，黑矩阵的宽度更小的情况下，可以实现高开口率，提高液晶显示效率。

另外，上述方案中，通过为第一数据线和第二数据线施加大小相等，极性相反的输入电压，使得在第一数据线通过TFT为像素电极传递第一强度的信号时，第二数据线为像素电极传递第二强度的电压信号，第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的电量相等，极性相反，这样，这样第一数据线与其临近或交叠的像素电极所产生的耦合电容与第二数据线与其临近或交叠的像素电极所产生的耦合电容的大小相等，由于第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的极性相反，当第一数据线与其临近或交叠的像素电极所产生的第一耦合电容导致的跳变电压使像素电极电压增大时，第二数据线与其临近或交叠的像素电极所产生的第二耦合电容导致的跳变电压则会使像素电极电压降低，第一耦合电容与第二耦合电容引起的像素电极的跳变电压相互抵消，使像素电极的电压趋于稳定，从而避免了由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象，同时邻近数据线附近的像素区域，数据线上方的像素电极与其相邻的另一像素电极之间也产生正常的电场，提高液晶效率的同时，可以使黑矩阵的宽度小于现有技术中黑矩阵的宽度，可以实现提高开口率，提高液晶显示效率。

再如图2所示，本发明的实施例还提供一种像素的驱动方法，应用于如上述阵列基板或显示面板，该方法包括：

步骤1，分别向第一像素电极和第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

具体的：步骤1包括：

步骤11，获取第一像素电极和第二像素电极显示用的第一像素电压和第二像素电压，所述第一像素电压和第二像素电压大小相等，极性相反；

步骤12，确定数据线与像素电极产生的耦合电容；

步骤13，依据步骤11确定的所述第一像素电压和所述第二像素电压以及步骤12确定的耦合电容，确定第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤14，通过驱动IC向第一数据线和第二数据线分别输出步骤13确定的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤15，根据所述第一数据线电压和所述第二数据线电压，通过所述像素区域的薄膜晶体管TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极。

其中，所述第一数据线与所述第二数据线为所述像素区域内的相邻的数据线，所述第一数据线电压与所述第二数据线电压大小相等，且极性相反。

该第一数据线电压如图2中所示的数据线M+2的电压信号，该第二数据线电压如图2所示的数据线M+3的电压信号；同理，对于其它像素区域也具有同样原理，在另外一像素区域中，数据线M+4的电压信号和数据线M+5的电压信号也是大小相等，极性相反；而在相邻的像素区域的相邻的两个数据线之间的电压信号的极性不做限定，如图2中所示的数据线M+3和数据线M+4的电压极性可以相反，也可以相同。

在本发明的另一实施例中，包括上述步骤11-15的基础上，步骤12包括：

步骤121，确定所述第一数据线与所述像素区域的第一像素电极之间的第一耦合电容；具体可以根据第一数据线与所述第一像素电极之间的距离以及第一像素电极的宽度确定；

步骤122，确定所述第二数据线与所述像素区域的第二像素电极之间的第二耦合电容；具体可以根据第二数据线与所述第二像素电极之间的距离以及第二像素电极的宽度确定；

其中，所述第一耦合电容和第二耦合电容可以通过以下公式确定：

$C\_\mathrm{dp}(M+2)=C\_\mathrm{dp}(M+3)=\frac{\mathrm{\ϵS}}{d};$

其中，ε是一个介电常数，S为第一数据线所在电容极板与第一或者第二像素电极所在电容极板的正对面积，d为电容极板间的距离。

在本发明的另一实施例中，包括上述步骤11-15的基础上，步骤13可以具体包括：

步骤131，确定所述第一数据线与所述第一像素电极之间，由所述第一耦合电容引起的所述第一像素电极的第一电压跳变量；

步骤132，确定所述第二数据线与所述第二像素电极之间，由所述第二耦合电容引起的所述第二像素电极的第二电压跳变量；

步骤133，根据所述第一耦合电容，所述第二耦合电容，所述第一电压跳变量和所述第二电压跳变量，确定像素电极的总的电压跳变量；

步骤134，根据所述像素电极的总的电压跳变量，确定所述第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压。

其中，C_dp(M+2)＝C_dp(M+3)，C_dp(M+2)为所述第一耦合电容，C_dp(M+3)为所述第二耦合电容；

且ΔV(M+2)=－ΔV(M+3)；其中，若ΔV(M+2)为对所述第一像素电极提高的电压跳变量，则ΔV(M+3)为对所述第二像素电极降低的电压跳变量，且二者的大小相等且极性相反；

上述步骤中，像素电极的总电压跳变量通过以下关系式确定：

总 $\mathrm{\ΔVPixelVoltage}=\frac{C\_\mathrm{dp}(M+2)}{C\_\mathrm{lc}+C\_\mathrm{gs}}\×\mathrm{\ΔV}(M+2)+\frac{C\_\mathrm{dp}(M+3)}{C\_\mathrm{lc}+C\_\mathrm{gs}}\×\mathrm{\ΔV}(M+3)=0$

其中，总ΔV PixelVoltage为像素电极的总电压跳变量，C_dp(M+2)为所述第一耦合电容，C_dp(M+3)为所述第二耦合电容；C_lc为液晶电容，C_gs为栅极和源极之间的寄生电容；

其中，C_dp(M+2)＝C_dp(M+3)；对于同一阵列基板来讲，C_lc和C_gs为固定值或者是常数，ΔV(M+2)=－ΔV(M+3)，其中，若ΔV(M+2)为对所述第一像素电极提高的电压跳变量，则ΔV(M+3)为对所述第二像素电极降低的电压跳变量，且二者的极性相反，电量的绝对值相等。

在本发明的上述实施例中，上述第一数据线的所述第一数据线电压和所述第二数据线的第二数据线电压相对于所述阵列基板的公共电极（如图2中所示的COM电极）的电压为基准，大小相等，极性相反。

本发明的该方法实施例同样通过：为第一数据线和第二数据线施加大小相等，极性相反的输入电压，使得在第一数据线通过TFT为像素电极传递第一强度的电压信号时，第二数据线为像素电极传递第二强度的电压信号，第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的电量相等，极性相反；

这样第一数据线与像素电极所产生的第一耦合电容C_dp(M+2)与第二数据线与像素电极所产生的第二耦合电容C_dp(M+3)的大小相等；

由于第一强度的电压信号与第二强度的电压信号的极性相反，当第一数据线与像素电极所产生的第一耦合电容导致的跳变电压ΔV(M+2)使像素电极电压增大时，第二数据线与像素电极所产生的第二耦合电容导致的跳变电压ΔV(M+3)则会使像素电极电压降低；第一耦合电容与第二耦合电容引起的像素电极的跳变电压ΔV(M+2)+[－ΔV(M+3)]＝0相互抵消，使像素电极的电压趋于稳定，从而避免了由于数据线与像素电极之间的耦合电容而产生的跳变电压导致画面显示不均匀的现象。

本发明提供的显示装置，包括如上所述的阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。本发明所提供的上述显示装置具有低功耗，画面品质优异等特点。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板，包括：栅线和数据线，一条栅线和两条数据线限定了像素区域，并在交叉处形成两个薄膜晶体管，所述像素区域内具有间隔排列的像素电极；其中，两个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管与第一像素电极连接，第二薄膜晶体管与第二像素电极连接；其特征在于，通过所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别向所述第一像素电极和所述第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压；所述第一像素电极设置在所述两条数据线上方或者所述第二像素电极设置在所述两条数据线上方，且所述第一像素电极或者所述第二像素电极覆盖在所述两条数据线上方正投影的位置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度大于所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极或者第二像素电极的宽度比所述第一数据线或者所述第二数据线的宽度宽6～12μm。

4.根据权利要求1－3任一项所述的阵列基板，其特征在于，与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板上还设置有公共电极。

5.根据权利要求4所述阵列基板，其特征在于，所述彩膜基板上，相对于所述数据线上方的对应位置的黑矩阵的宽度为12～26μm。

6.一种如权利要求1所述的阵列基板的像素的驱动方法，其特征在于，包括：

步骤1，分别向第一像素电极和第二像素电极上施加极性相反，大小相等的电压。

7.根据权利要求6所述的像素的驱动方法，其特征在于，所述步骤1包括：

步骤11，获取第一像素电极和第二像素电极显示用的第一像素电压和第二像素电压，所述第一像素电压和第二像素电压大小相等，极性相反；

步骤12，确定数据线与像素电极产生的耦合电容；

步骤13，依据所述第一像素电压和所述第二像素电压以及所述耦合电容，确定第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤14，通过驱动电路向第一数据线和第二数据线分别输出步骤13确定的第一数据线电压和第二数据线电压；

步骤15，根据所述第一数据线电压和所述第二数据线电压，通过所述像素区域的薄膜晶体管TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极。

8.根据权利要求7所述的像素的驱动方法，其特征在于，所述步骤12包括：

步骤121，根据第一数据线与所述第一像素电极之间的距离以及所述第一像素电极的宽度，确定所述第一数据线与所述像素区域的第一像素电极之间的第一耦合电容；

步骤122，根据第二数据线与所述第二像素电极之间的距离以及所述第二像素电极的宽度，确定所述第二数据线与所述像素区域的第二像素电极之间的第二耦合电容。

9.根据权利要求8所述的像素的驱动方法，其特征在于，所述步骤121或者步骤122中，所述第一耦合电容和第二耦合电容通过以下公式确定：

$C\_\mathrm{dp}(M+2)=C\_\mathrm{dp}(M+3)=\frac{\mathrm{\ϵS}}{d};$

其中，C_dp(M+2)为所述第一耦合电容，C_dp(M+3)为所述第二耦合电容，ε是一个介电常数，S为第一数据线和第二数据线所在电容极板与像素电极所在电容极板的正对面积，d为电容极板间的距离。

10.根据权利要求9的像素的驱动方法，其特征在于，所述步骤13包括：

步骤131，确定所述第一数据线与所述第一像素电极之间，由所述第一耦合电容引起的所述第一像素电极的第一电压跳变量；

步骤132，确定所述第二数据线与所述第二像素电极之间，由所述第二耦合电容引起的所述第二像素电极的第二电压跳变量；

步骤133，根据所述第一耦合电容，所述第二耦合电容，所述第一电压跳变量和所述第二电压跳变量，确定像素电极的总的电压跳变量；

步骤134，根据所述像素电极的总的电压跳变量，确定所述第一数据线和第二数据线需要输入的第一数据线电压和第二数据线电压。

11.根据权利要求10的像素的驱动方法，其特征在于，C_dp(M+2)＝C_dp(M+3)；且

ΔV(M+2)＝－ΔV(M+3)；其中，若ΔV(M+2)为对所述第一像素电极提高的电压跳变量，则ΔV(M+3)为对所述第二像素电极降低的电压跳变量，且二者的大小相等且极性相反。

12.根据权利要求11的像素的驱动方法，其特征在于，第一像素电极和第二像素电极的总电压跳变量通过以下关系式确定：

其中，总ΔV PixelVoltage为第一像素电极和第二像素电极的总电压跳变量，C_lc为液晶电容，C_gs为栅极和源极之间的寄生电容，C_lc和C_gs为固定值或者是常数。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如上述权利要求1～5中任一所述阵列基板。