CN102821563A

CN102821563A - 电子装置壳体及其制作方法

Info

Publication number: CN102821563A
Application number: CN2011101557254A
Authority: CN
Inventors: 吴照毅; 阎勇; 樊永发; 张薛丽
Original assignee: Shenzhen Futaihong Precision Industry Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Futaihong Precision Industry Co Ltd
Priority date: 2011-06-10
Filing date: 2011-06-10
Publication date: 2012-12-12
Also published as: TW201251197A; US20120313826A1

Abstract

本发明提供一种电子装置壳体及其制作方法。该电子装置壳体包括一基体层、一天线层及一装饰层；该天线层通过导电塑料注塑成型于基体层的外表面上，该装饰层覆盖所述天线层；该电子装置壳体的天线层为形成层所覆盖，其天线与基体不易分离，使用寿命长，且接收信号好。

Description

电子装置壳体及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种电子装置壳体，尤其涉及一种在壳体外层设有天线的电子装置壳体及其制作方法。

背景技术

随着移动通信、蓝牙等技术的发展，实现这些应用的电子装置具有了越来越多的功能，然而这些电子装置的体积向着轻、薄的方向发展，因此，如何简化这些电子装置中内置元件的结构、减小这些内置元件的体积对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有非常重要的作用。天线作为电子装置中一收发信号的重要元件，其结构的简化及体积的减小对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有重要的作用。

现有的电子装置包括一本体、一天线辐射体及一壳体。该天线辐射体通过粘贴的方式固定在本体的内壁上。该壳体通过卡合的方式固定在该本体上并覆盖该天线辐射体。

然而，通过上述方式形成电子装置，采用粘贴的方式将天线辐射体固定于本体上，天线容易脱胶而与本体相分离，影响了电子装置地使用寿命并且天线设置在本体的内壁上，从而影响了天线的接收效果。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种外部设有天线，且天线使用寿命长、接收效果好的电子装置壳体。

另外，还有必要提供一种上述天线的电子装置壳体的制作方法。

一种电子装置壳体，其包括一基体层、一天线层及一装饰层，该基体层为塑料层，该天线层为形成于该基体层外表面上的导电塑料层，该装饰层为通过磁控溅射或非导电性真空电镀形成在所述天线层上的非导电膜层一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤：

提供一成型模具，该成型模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的二次成型型腔；

向所述一次成型型腔中注塑塑料形成电子装置壳体的基体层；

向所述二次成型型腔中注塑可导电的塑料形成天线层，该天线层形成于基体层外表面；

通过通过磁控溅射或非导电性真空电镀于天线层上形成装饰层，该装饰层与该基体层连接并覆盖天线层。

相较于现有技术，本发明电子装置壳体的制作方法采用双射注塑成型，将天线层形成于基体层的外表面上，再通过装饰层覆盖天线层，该天线层为装饰层所覆盖，不易分离，使用寿命长，因为该天线层覆盖在基体层的外表面上，所以，安装有该天线的电子装置的接收信号好。

附图说明

图1为本发明较佳实施例的电子装置壳体立体示意图；

图2为图1中电子装置壳体的剖示图；

主要元件符号说明

电子装置壳体	10
		基体层	11
天线层	13
		装饰层	15
导电件	17

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1和图2，本发明较佳实施方式的电子装置壳体10包括一基体层11、一天线层13、一装饰层15。该基体层11通过注塑成型注入塑料形成，该天线层13通过注塑导电塑料形成于基体层11外表面上，该装饰层15通过磁控溅射或非导电性真空电镀的方式形成于该天线层13上，并全部覆盖天线层13，当然，也可使装饰层15部分覆盖天线层13。

该电子装置壳体10还包括一导电件17，所述导电件17嵌入成型于基体层11上并与天线层13电连接。

所述电子装置壳体10的基体层11以注塑成型的方式制成，该导电件17嵌入其中。注塑成型一次成型基体层11的塑料可选自为聚丙烯（PP）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中的任一种，该基体层11可直接成型为所述电子装置壳体10的形状；也可成型为所述电子装置壳体10的一部分。

所述天线层13通过注塑导电材料，并按预定的形状成型而得。即向所述二次成型型腔中注塑含可导电塑料形成电子装置壳体10的基体层11上的二次成型体即天线层13，该天线层13结合于所述一次成型体即基体层11上。

该注塑成型的导电材料优选为导电塑料。该导电塑料由质量百分比为35~45%的热塑性塑料、质量百分比为12~18%的有机填充物与质量百分比为43~47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成。所述热塑性塑料可为聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）或聚酰亚胺（PI）。所述有机填充物可为硅酸，该有机填充物也可为硅酸衍生物。该天线层13成型的位置要确保所述导电件17突出或者平齐于天线层13的表面。

本实施例为，该纳米导电颗粒可以为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米。该纳米导电颗粒也可以为导电纳米碳酸钙，该材料是以纳米碳酸钙为核体，在pH值为1~6条件下，采用化学共积沉淀法形成在纳米碳酸钙表面包覆二氧化锡掺杂锑的一种导电粉体前驱体，所述各成分的重量比例为CaCO3:Sn:Sb=55~90:9~40:1~10；将该导电粉体前驱体在300℃~800℃进行煅烧，即得到导电纳米碳酸钙。该纳米导电颗粒也可以为碳纳米管，该碳纳米管的直径为20~40纳米，长度为200~5000纳米。该纳米导电颗粒还可以为尺寸为20~40纳米的纳米碳纤维、纳米石墨纤维、纳米金属纤维。

所述装饰层15为通过磁控溅射或非导电性真空电镀形成，该装饰层15为一非导电膜层，该装饰层15可为一氮化硅层。

本发明一较佳实施方式的制作所述电子装置壳体10的方法包括如下步骤：

双射注塑成型，以形成该壳体10的基体层11和天线层13。首先，提供一第一注塑模具，该第一注塑模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的二次成型型腔。

向所述一次成型型腔中注塑塑料形成电子装置壳体10的基体层11。注塑成型基体层11的塑料可选自为聚丙烯（PP）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚对苯二甲酸乙二酯（PET）及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）中的任一种。

向所述二次成型型腔中注塑导电塑料以形成天线层13，该天线层13形成于该基体层11的外侧，该导电塑料电阻率为1.5~10×10^-8欧姆·米。该导电塑料为质量百分比为35~45%的热塑性塑料、12~18%有机填充物与43~47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料。所述热塑性塑料可为聚对苯二甲酸丁二醇酯（PBT）或聚酰亚胺（PI）。所述有机填充物可为硅酸和/或硅酸衍生物。该天线层13成型的位置要确保所述导电件17突出或者平齐于天线层13的表面。该纳米导电颗粒为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米或者上述在电子装置壳体10中介绍的其它纳米导电颗粒。

可以理解，通过二次成型本发明电子装置壳体的制作方法可通过激光照射路径的任意设置而制得所需任意形状及性能要求的三维天线。

最后，形成装饰层15可通过磁控溅射形成一非导电膜层，本优选的实施例中，该装饰层15可通过磁控溅射形成一氮化硅层。利用磁控溅射设备（未图示）来具体操作及工艺参数如下：以氩气为工作气体，调节氩气流量为100~200sccm，以氮气为反应气体，调节氮气流量为50~100sccm，设置占空比为30%~50%，于基体层11上施加-50~-100V的偏压，并加热镀膜室至100~150℃，选择硅为靶材，设置其功率为2~8kw，沉积装饰层15。沉积的时间为90~180min，其厚度为0.5~1.0μm，形成该氮化硅层。

形成该装饰层15还可通过非导电性真空电镀技术(NCVM)来制备，本发明中优选的实施例中，非导电性真空电镀技术中的材料可为锡（Sn）、铝(Al) 、铜（Cu）、铬（Cr）、钛（Ti）等金属。利用非导电性真空电镀技术形成的装饰膜15，其内形成的金属粒子之间可形成孔隙，使电流无法在装饰层内15通过，因此通过非导电性真空电镀技术(NCVM)形成的装饰膜15使得该电子装饰外壳有金属质感且不会影响覆盖其下部的天线接收信号。

该装饰层15覆盖天线层13最终形成所述电子装置壳体10的形状。该装饰层15完全覆盖天线层13，即装饰层15与基体层11将天线层13包裹于其内，该天线层13通过导电件17与电路板或者电子器件电连接。

本发明所述的电子装置壳体10的制作方法适用于无线通信产品、笔记本电脑等产品壳体的生产中。

本发明电子装置壳体的制作方法通过双射注塑成型，将天线层形成于基体层外表面上，因此，信号干扰屏蔽小，所以，该天线接收效果好，该天线层可以根据需要而在注塑成型的过程工形成预定形状，其可以通过二次成型制作三维天线，提高了设计者的自由度。

另外，本领域技术人员还可在本发明权利要求公开的范围和精神内做其它形式和细节上的各种修改、添加和替换。当然，这些依据本发明精神所做的各种修改、添加和替换等变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims

1.一种电子装置壳体，其包括一基体层、一天线层及一装饰层，其特征在于：该基体层为塑料层，该天线层为形成于该基体层外表面上的导电塑料层，该装饰层为通过磁控溅射或非导电性真空电镀形成在所述天线层上的非导电膜层。

2.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该导电塑料由质量百分比为35~45%的热塑性塑料、12~18%的有机填充物与43~47%的纳米导电颗粒形成的复合高分子材料组成。

3.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该纳米导电颗粒为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米，该碳纳米管的直径为20~40纳米，长度为200~5000纳米，纳米导电颗粒为尺寸为20~40纳米的纳米碳纤维、纳米石墨纤维、纳米金属纤维。

4.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该装饰层为一非导电的氮化硅层。

5.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该电子装置壳体包括至少一导电件，所述导电件一端与天线层电连接，另一端穿过基体层。

6.一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤：

通过通过磁控溅射或非导电性真空电镀于天线层上形成装饰层，该装饰层为一非导电膜层，该装饰层与该基体层连接并覆盖天线层。

7.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于：该纳米导电颗粒为金属纳米颗粒，所述的金属包括铜、金、银、钼、镍、铌、铝、铂、锡、钛、铟、镓、硒、含钠碱金属及其组合物，且其固态颗粒的尺寸小于或者等于75纳米。

8.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于：纳米导电颗粒为碳纳米管，该碳纳米管的直径为20~40纳米，长度为200~5000纳米，纳米导电颗粒为尺寸为20~40纳米的纳米碳纤维、纳米石墨纤维、纳米金属纤维。

9.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于：利用磁控溅射来形成一装饰层工艺参数如下：氩气流量为100~200sccm，氮气流量为50~100sccm，设置占空比为30%~50%，于基体层上施加-50~-100V的偏压，并加热镀膜室至100~150℃，开启硅靶材，设置其功率为2~8kw，沉积时间为90~180min，其厚度为0.5~1.0μm，形成一氮化硅层。

10.如权利要求6所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于：所述非导电性真空电镀中的材料可为锡、铝、铜、铬、钛等金属。