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CN102769089B - 半导体封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体封装结构制程，其包括步骤：提供一个第一电极以及一个第二电极，在所述第一电极上设置至少一个半导体晶粒，使所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接；形成一个封装层，在所述两个电极的顶面以及底面，并包覆所述半导体晶粒及其电性连接处，同时在所述封装层的周围侧边上形成一个环状凸出，所述封装层的底部形成一凸包；形成一个反射层，在所述两个电极的顶面以及所述封装层的环状凸出顶面上；形成一个荧光层，在所述反射层内部并覆盖所述封装层；及弯折所述两个电极，使所述两个电极的端部位于所述封装层的底部，所述两个电极的所述两个端部直接抵接凸包的两相对侧面，所述凸包和所述两端部的底面齐平。

Description

半导体封装结构
技术领域
本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种具有较佳密合性的半导体封装结构。
背景技术
半导体封装的LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED的半导体封装结构为了增加发光效率，具有一个反射层设置。所述反射层主要环绕着所述半导体晶粒(即所述LED芯片)，以对所述半导体晶粒发出的光线进行反射，产生集中光线增加发光亮度的效果。但是，所述反射层设置的位置会与所述半导体晶粒电性连接的电极接触，所述电极是为金属材质，而所述反射层是为塑料材质，这两种材质之间的附着性不佳，因此在两者之间的界面常会有水气渗入，从而导致所述半导体晶粒的功能丧失。所以如何避免水气渗入，提高所述半导体封装结构的密合度，是目前半导体封装产业努力的课题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种密合度良好的半导体封装结构。
一种半导体封装结构制程，其包括以下的步骤，
提供一个第一电极以及一个第二电极，在所述第一电极上设置至少一个半导体晶粒，使所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接；
形成一个封装层，在所述两个电极的顶面以及底面，并包覆所述半导体晶粒及其电性连接处，同时在所述封装层的周围侧边上形成一个环状凸出，所述封装层的底部形成一凸包；
形成一个反射层，在所述两个电极的顶面以及所述封装层的环状凸出顶面上；
形成一个荧光层，在所述反射层内部并覆盖所述封装层；及
弯折所述两个电极，使所述两个电极的端部位于所述封装层的底部，所述两个电极的所述两个端部直接抵接凸包的两相对侧面，所述凸包和所述两端部的底面齐平。
上述的半导体封装结构及制程中，由于所述封装层完整地包覆所述半导体晶粒以及所述半导体晶粒与所述两个电极的电性连接处，可以有效避免水气渗入所述半导体晶粒与所述两个电极的电性连接处，尤其是所述封装层的环状凸出更具有阻挡水气的作用,从而有效提高所述半导体封装结构的密合度。
附图说明
图1是本发明半导体封装结构实施方式的剖视图。
图2是本发明半导体封装结构制程的步骤流程图。
图3是对应图2形成一个封装层步骤的剖视图。
图4是对应图2形成一个反射层步骤的剖视图。
图5是对应图2形成一个荧光层步骤的剖视图。
主要元件符号说明
封装结构                    10
第一电极                    11
顶面                        112、122、1422
底面                        114、124
端部                        116、126
第二电极                    12
半导体晶粒                  13
导电线                      132
封装层                      14
环状凸出                    142
凹槽                        140
反射层                      15
荧光层                      16
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作一具体介绍。
请参阅图1，所示为本发明半导体封装结构实施方式的剖视图，所述封装结构10，包括一个第一电极11、一个第二电极12、至少一个半导体晶粒13、一个封装层14、一个反射层15以及一个荧光层16。所述第一电极11与所述第二电极12左右对称设置，并分别具有一个顶面112、122以及一个底面114、124。所述第一电极11的顶面112设置所述半导体晶粒13，所述半导体晶粒13通过导电线132分别与所述第一电极11及所述第二电极12电性连接。所述半导体晶粒13为发光二极管(Light Emitting Diode,LED)。所述封装层14包覆所述第一电极11以及第二电极12的所述顶面112、122以及底面114、124，并同时使所述半导体晶粒13以及其与所述第一电极11以及第二电极12的电性连接处也包覆在所述封装层14内。所述封装层14的周围侧边上具有一个环状凸出142，所述环状凸出142也包覆所述第一电极11以及第二电极12的所述顶面112、122以及底面114、124。所述封装层14为透明材料，如环氧树脂(epoxy)、硅利康(silicon)或其相关混合物。所述封装层14在所述半导体晶粒13以及其与所述第一电极11以及第二电极12的电性连接处的完整包覆，形成密合度极高的所述封装结构10，从而可以防止水气渗入所述半导体晶粒13的电性连接处，维护其良好的使用效能。所述封装层14环状凸出142的顶面1422以及其周围所述第一电极11以及第二电极12的顶面112、122具有一个反射层15设置，有助于提升所述封装结构10的发光效能，所述反射层15的材料为反射材料或是高分子的材料，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料。所述反射层15内部设置所述荧光层16并覆盖所述封装层14的上部。所述荧光层16可以包含至少一种荧光粉，所述荧光层16的材料为环氧树脂(epoxy)或硅利康(silicon)。所述荧光层16的折射率小于所述封装层14的折射率。所述第一电极11以及第二电极12的两侧端部116、126弯折位于所述封装层14的底部，使所述封装结构10形成一个表面贴装器件(Surface Mount Device,SMD)，方便所述封装结构10的组装使用。
请再参阅图2，所示为本发明半导体封装结构制程的步骤流程图，其包括以下的步骤：
S11提供一个第一电极以及一个第二电极，在所述第一电极上设置至少一个半导体晶粒，使所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接；
S12形成一个封装层，在所述两个电极的顶面以及底面，并包覆所述半导体晶粒及其电性连接处，同时在所述封装层的周围侧边上形成一个环状凸出；
S13形成一个反射层，在所述两个电极的顶面以及所述封装层的环状凸出顶面上；
S14形成一个荧光层，在所述反射层内部并覆盖所述封装层；及
S15弯折所述两个电极，使所述两个电极的端部位于所述封装层的底部。
所述步骤S11提供一个第一电极11以及一个第二电极12，在所述第一电极11上设置至少一个半导体晶粒13，使所述半导体晶粒13与所述两个电极11、12电性连接，如图3所示，所述半导体晶粒13设置在所述第一电极11的顶面112上，所述半导体晶粒13通过导电线132分别与所述第一电极11及所述第二电极12电性连接。
然后进行所述步骤S12形成一个封装层14，在所述两个电极11、12的顶面112、122以及底面114、124，并包覆所述半导体晶粒13及其电性连接处，同时在所述封装层14的周围侧边上形成一个环状凸出142，所述封装层14是以模造成型(Molding)方式成型，在所述第一电极11以及第二电极12的所述顶面112、122上为所述封装层14的上部，在所述第一电极11以及第二电极12的所述底面114、124为所述封装层14的底部。所述封装层14的上部包覆所述半导体晶粒13及其电性连接处，配合所述环状凸出142形成密合度极高的结构，可以有效防止水气渗入所述半导体晶粒13及其电性连接处。
接着进行所述步骤S13形成一个反射层15，在所述两个电极11、12的顶面112、122以及所述封装层14的环状凸出142顶面上(如图4所示)，所述反射层15以模造成型(Molding)方式成型，环绕所述封装层14上部的外周围。所述反射层15的内部与所述封装层14的上部之间会形成一个凹槽140，所述凹槽140为一个容置空间。
再进行所述步骤S14形成一个荧光层16，在所述反射层15内部并覆盖所述封装层14(如图5所示)，所述荧光层16以射出成型(Injection Molding)方式成型，在所述反射层15的内部与所述封装层14的上部之间的所述凹槽140容置空间内。
最后，所述步骤S15弯折所述两个电极11、12，使所述两个电极11、12的端部116、126位于所述封装层14的底部(如图1所示)。
综上，本发明半导体封装结构，在所述第一电极11以及第二电极12的所述顶面112、122及底面114、124，包括所述半导体晶粒13及其电性连接处，具有所述封装层14的完整包覆，可以有效地防止水气渗入，增加所述封装结构10的密合度。本发明半导体封装结构制程，利用模造成型以及射出成型方式，完成所述封装结构10的制造，对于高密合度封装结构10的制作极为方便并可以大量生产。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (4)

1.一种半导体封装结构制程，其包括以下的步骤：
提供一个第一电极以及一个第二电极，在所述第一电极上设置至少一个半导体晶粒，使所述半导体晶粒与所述两个电极电性连接；
形成一个封装层，在所述两个电极的顶面以及底面，并包覆所述半导体晶粒及其电性连接处，同时在所述封装层的周围侧边上形成一个环状凸出，所述封装层的底部形成一凸包；
形成一个反射层，在所述两个电极的顶面以及所述封装层的环状凸出顶面上；
形成一个荧光层，在所述反射层内部并覆盖所述封装层；及
弯折所述两个电极，使所述两个电极的端部位于所述封装层的底部，所述两个电极的所述两个端部直接抵接凸包的两相对侧面，所述凸包和所述两端部的底面齐平。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构制程，其特征在于：所述形成一个封装层步骤，是以模造成型方式成型，在所述第一电极以及第二电极的所述顶面上为所述封装层的上部，在所述第一电极以及第二电极的所述底面为所述封装层的底部。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构制程，其特征在于：所述形成一个反射层步骤，是以模造成型方式成型，环绕所述封装层上部的外周围，所述反射层的内部与所述封装层的上部之间形成一个凹槽。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构制程，其特征在于：所述形成一个荧光层步骤，是以射出成型方式成型。
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