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CN102737724B - 非易失性随机访问存储器测试方法 - Google Patents

非易失性随机访问存储器测试方法 Download PDF

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CN102737724B CN201110086332.2A CN201110086332A CN102737724B CN 102737724 B CN102737724 B CN 102737724B CN 201110086332 A CN201110086332 A CN 201110086332A CN 102737724 B CN102737724 B CN 102737724B
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Abstract

一种非易失性随机访问存储器测试方法，该方法包括：设置诊断模式的测试参数及压力模式的测试参数；初始化所设置的测试参数以得到诊断模式及压力模式；在诊断模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试；在压力模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试；生成诊断模式下进行测试的日志文件及压力模式下进行测试的日志文件。本发明还提供一种非易失性随机访问存储器测试系统。利用本发明测试人员可以不用停留在测试机台旁边，完全摆脱测试人员手动测试，程序自动侦测对BIOS中NVRAM的读写的开始和结束时间，指定保存文件后，相关的日志文件自动保存，方便测试人员查看。

Description

非易失性随机访问存储器测试方法
技术领域
本发明涉及一种非易失性随机访问存储器测试方法。
背景技术
随着产品的更新换代，主板上搭载的基本输入输出系统(BasicInputandOutputSystem，BIOS)主要是统一可扩展固件接口(UnifiedExtensibleFirmwareInterface，UEFI)BIOS。储存UEFIBIOS数据的ROM有一块区域为非易失性随机访问存储器(Non-VolatileRandomAccessMemory，NVRAM)，作用在于保存BIOSSETUP内的所有设置值，系统正常工作的情况下，由电源系统供给NVRAM需要的工作电压，实时刷新数据，保证数据不丢失，在系统不加电的情况下，由系统自带的电池供电，以保证此区域的设置值得以保存。
目前对NVRAM测试主要通过手动方式进行，第一，频繁进入BIOSSETUP修改相关Option的设置值，然后再进入BIOSSETUP检测修改值是否被保存；其次，就是利用可以读写NVRAM值的工具，保存几个不同的设置，读取几个NVRAM设置值的只读文件，再写入到NVRAM，然后手动重启系统进入BIOSSETUP进行检测以判断相关信息是否被保存。
以上的测试存在很大的局限性，第一，所有的操作需要手动完成；第二，需要人工记录进行了多少次NVRAM100的读写操作，来判定NVRAM的稳定性；第三，使用读写NVRAM的工具无法自动保存测试的结果，无法提供相关数据依据；第四，需要测试人员自己通过反复操作判定是否出现不能保存的问题，这就需要测试人员长时间的呆在测试机台旁，大大浪费了人力，拉长了正常的测试周期；第五，上述技术方法不适合用于产品处在量产阶段的稳定性验证。
发明内容
鉴于以上内容，还有必要提供一种非易失性随机访问存储器测试方法，测试人员可以不用停留在测试机台旁边，完全摆脱测试人员手动测试，程序自动侦测对BIOS中非易失性随机访问存储器的读写的开始和结束时间，指定保存文件后，相关的日志文件自动保存，方便测试人员查看。
一种非易失性随机访问存储器测试方法，该方法包括：设置诊断模式的测试参数及压力模式的测试参数；初始化所设置的测试参数以得到诊断模式及压力模式；在诊断模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试；在压力模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试；生成诊断模式下进行测试的日志文件及压力模式下进行测试的日志文件。
相较于现有技术，利用所述的非易失性随机访问存储器测试方法，首先，测试人员可以不用停留在测试机台旁边，节省了人力和工时投入；其次，可以完全摆脱测试人员手动测试，程序自动执行；第三，程序自动侦测对BIOS中非易失性随机访问存储器的测试的开始和结束时间；第四，指定保存文件后，相关的日志自动保存，方便测试人员查看。
附图说明
图1是本发明非易失性随机访问存储器测试系统较佳实施例的应用环境图。
图2是本发明图1中非易失性随机访问存储器测试系统较佳实施例的功能模块图。
图3是本发明非易失性随机访问存储器测试方法较佳实施例的流程图。
图4是图3中步骤S30的具体作业流程图，即在诊断模式下对BIOS中的NVRAM进行测试的细化流程图。
图5是图3中步骤S40的具体作业流程图，即在压力模式下对BIOS中的NVRAM进行测试的细化流程图。
主要元件符号说明
主板 1
BIOS 10
NVRAM 100
计算机 2
非易失性随机访问存储器测试系统 20
存储器 22
设置模块 210
初始化模块 220
诊断模式测试模块 230
压力模式测试模块 240
生成模块 250
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
如图1所示，是本发明非易失性随机访问存储器测试系统较佳实施例的应用环境图。其中，该非易失性随机访问存储器测试系统20运行在计算机2上，该计算机2包括存储器22，该存储器22上存储有一个或一个以上的只读文件，所述只读文件包含有基本输入输出系统(basicinputandoutputsystem，BIOS)10(以下简称为BIOS10)的设置(SETTING)信息。该计算机2与BIOS10的主板1相连接，以便将存储器22保存的只读文件中的信息写到BIOS10中。在本较佳实施例中，所述计算机2将只读文件中的信息写到BIOS10的非易失性随机访问存储器(Non-VolatileRandomAccessMemory，NVRAM)100(以下简称为NVRAM100)中，再从NVRAM100读取信息，通过判断读取的信息与写入的信息是否一致，来测试NVRAM100的性能。所述BIOS10为统一可扩展固件接口(UnifiedExtensibleFirmwareInterface，UEFI)BIOS。所述非易失性随机访问存储器测试系统20的功能将在图2及图3中做详细描述。
此外，所述主板1上还包括主板1在启动过程中所用到的必备部件，例如，CPU、内存(图中未标示)等，所述必备部件使该主板1能够正常运行。
如图2所示，是本发明图1中非易失性随机访问存储器测试系统20较佳实施例的功能模块图。该非易失性随机访问存储器测试系统20包括设置模块210、初始化模块220、诊断模式测试模块230、压力模式测试模块240及生成模块250。本发明所称的模块是完成一特定功能的计算机程序段，比程序更适合于描述软件在计算机中的执行过程，因此在本发明以下对软件描述中都以模块描述。
所述设置模块210用于设置诊断模式(DiagnoseMode)的测试参数及压力模式(StressMode)的测试参数。所述诊断模式的测试参数包括BIOS10的版本号、关键字、延迟时间、开始时间、结束时间及测试结束后所生成的日志文件保存路径信息。所述压力模式的测试参数包括BIOS10的版本号、关键字、延迟时间、测试总次数及测试结束后所生成的日志文件保存路径信息。
其中，若用户通过所述诊断模式对NVRAM100进行测试，只要出现一次读写操作出错，则测试结束。所述关键字是指一个固定位置的字段或者数值，该关键字用于判断写入到NVRAM100的信息与从NVRAM100读取的信息是否一致。具体而言，用户先将信息写入到NVRAM100中，再从NVRAM100中读取信息，通过关键字进行比较，以判断写入到NVRAM100的固定位置的字段(或者数值)与从NVRAM100读取的该固定位置的字段(或者数值)是否一致，从而判断NVRAM100的性能。所述延迟时间是指相邻两次对NVRAM100进行读写操作的间隔时间，即完成一次对NVRAM100的读写操作之后，启动下一次读写操作的间隔时间。
此外，当用户通过所述压力模式对NVRAM100进行测试时，若出现读写出错，则记录读写出错的次数及原因，测试继续进行，直到到达所设置的测试次数(例如，8000次)，测试才结束。
所述初始化模块220用于初始化所设置的测试参数以得到诊断模式及压力模式。具体而言，初始化模块220通过初始化函数(Initialization)将所设置的测试参数加入到诊断模式及压力模式中，使得用户通过诊断模式及压力模式对NVRAM100的测试是按照用户设置的测试参数进行。
所述诊断模式测试模块230用于在诊断模式下对NVRAM100进行测试。所述在诊断模式下对NVRAM100的测试将在图4中做详细描述。
所述压力模式测试模块240用于在压力模式下对NVRAM100进行测试。所述在压力模式下对NVRAM100的测试将在图5中做详细描述。
所述生成模块250用于生成诊断模式下进行测试的日志文件及压力模式下进行测试的日志文件。所述生成模块250按照设置的存储路径将所生成的日志文件保存到存储器22中。
如图3所示，是本发明非易失性随机访问存储器测试方法较佳实施例的流程图。
步骤S10，设置模块210设置诊断模式(DiagnoseMode)的测试参数及压力模式(StressMode)的测试参数。所述诊断模式的测试参数包括BIOS10的版本号、关键字、延迟时间、开始时间、结束时间及测试结束后所生成的日志文件保存路径信息。所述压力模式的测试参数包括BIOS10的版本号、关键字、延迟时间、测试总次数及测试结束后所生成的日志文件保存路径信息。
其中，若用户通过所述诊断模式对NVRAM100进行测试，只要出现一次读写操作出错，则测试结束。所述关键字是指一个固定位置的字段或者数值，该关键字用于判断写入到NVRAM100的信息与从NVRAM100读取的信息是否一致。具体而言，用户先将信息写入到NVRAM100中，再从NVRAM100中读取信息，通过关键字进行比较，以判断写入到NVRAM100的固定位置的字段(或者数值)与从NVRAM100读取的该固定位置的字段(或者数值)是否一致，从而判断NVRAM100的性能。所述延迟时间是指相邻两次对NVRAM100进行读写操作的间隔时间，即完成一次对NVRAM100的读写操作之后，启动下一次读写操作的间隔时间。
此外，当用户通过所述压力模式对NVRAM100进行测试时，若出现读写出错，则记录读写出错的次数及原因，测试继续进行，直到到达所设置的测试次数(例如，8000次)，测试才结束。
步骤S20，初始化模块220初始化所设置的测试参数以得到诊断模式及压力模式。具体而言，初始化模块220通过初始化函数(Initialization)将所设置的测试参数加入到诊断模式及压力模式中，使得用户通过诊断模式及压力模式对NVRAM100的测试是按照用户设置的测试参数进行。
步骤S30，诊断模式测试模块230在诊断模式下对NVRAM100进行测试。所述在诊断模式下对NVRAM100的测试将在图4中做详细描述。
步骤S40，压力模式测试模块240在压力模式下对NVRAM100进行测试。所述在压力模式下对NVRAM100的测试将在图5中做详细描述。
步骤S50，生成模块250生成诊断模式下进行测试的日志文件及压力模式下进行测试的日志文件。所述生成模块250按照设置的存储路径将所生成的日志文件保存到存储器22中。
如图4所示，是图3中步骤S30在诊断模式下对BIOS的NVRAM进行测试的细化流程图。
如图4所示，是图3中步骤S30的细化流程图。
步骤S310，将存储器22上保存的只读文件中的信息写入到BIOS10的NVRAM100中。正常情况下，用户将只读文件中的信息写入到BIOS10的NVRAM100时，会覆盖NVRAM100中原有的信息。
步骤S320，从NVRAM100中读取信息。
步骤S330，判断读取的信息与步骤S310中写入的信息是否一致，以判断读写操作是否出错。具体而言，为了缩短测试时间，诊断模式测试模块230从读取的信息中获取某一个固定位置的字段或者数值(即关键字)，若所获取的字段(或者数值)与写入的信息中该固定位置的字段(或者数值)一致，则说明读取的信息与写入的信息一致。例如，若写入的信息中某一固定位置的字段是“SAVE”，而用户从NVRAM100中读取的信息中在同样固定位置的字段也是“SAVE”，则说明读取的信息与写入的信息一致，步骤进入S340。若写入的信息中某一固定位置的字段是“SAVE”，而用户从NVRAM100中读取的信息在同样固定位置的字段不是“SAVE”，则说明读取的信息与写入的信息不一致，步骤进入S350。
步骤S340，判断是否到达所设置的结束时间。具体而言，假设用户设置的结束时间为2011-3-30晚上12点整，若当前时间是2011-3-30晚上12点整或者是2011-3-30晚上12点零1分，步骤进入S350。若当前时间为2011-3-30晚上8点，返回步骤S310。需要说明的是，若存储器22中保存一个以上的只读文件，例如，保存两个只读文件，分别为只读文件A及只读文件B，步骤S310将轮流交替的将只读文件A的信息及只读文件B的信息写入到中。具体而言，若在步骤S310中最初将只读文件A的信息写入到NVRAM100，当流程返回到步骤S310时，将写入只读文件B的信息到NVRAM100，当流程再一次返回到步骤S310时，将写入只读文件A的信息到NVRAM100，如此交替反复，直到达到设置的结束时间，测试结束。
步骤S350，记录诊断模式下测试的信息。所述诊断模式下测试的信息包括诊断模式下测试的起始时间、结束时间、读写操作出错的时间、测试次数等信息。
如图5所示，是图3中步骤S40的细化流程图。
步骤S410，将存储器22上保存的只读文件中的信息写入到NVRAM100中。正常情况下，用户将信息写入到NVRAM100中时，该写入的信息会覆盖NVRAM100中原有的信息。
步骤S420，从NVRAM100中读取信息。
步骤S430，判断读取的信息与写入的信息是否一致，以判断读写操作是否出错。具体而言，为了缩短测试时间，压力模式测试模块240从读取的信息中获取某一个固定位置的字段或者数值(即关键字)，若所获取的字段(或者数值)与写入的信息中该固定位置的字段(或者数值)一致，则说明读取的信息与写入的信息一致。例如，若写入的信息中某一固定位置的数值是“5minutes”，而用户从NVRAM100中该固定位置读取的数值不是“5minutes”，则说明读取的信息与写入的信息不一致，读写操作出错，步骤进入S440。若写入的信息中某一固定位置的数值是“5minutes”，而用户从NVRAM100中该固定位置读取的数值也是“5minutes”，则说明读取的信息与写入的信息一致，步骤进入S450。
步骤S440，记录读写操作出错的次数以及读写操作出错的原因。
步骤S450，对读写操作的次数进行统计。具体而言，每进行一次读写，将统计次数加一。
步骤S460，判断统计的次数是否与所设置的测试次数一致。具体而言，假设设置的测试次数为8000次，若统计的次数为8000次，则说明统计的次数与设置的测试次数一致，流程进入步骤S470。若统计的次数小于8000次，流程返回到步骤S410。
需要说明的是，若存储器22中保存一个以上的只读文件，例如，保存两个只读文件，分别为只读文件A及只读文件B，步骤S410将轮流交替的将只读文件A的信息及只读文件B的信息写入到NVRAM100中。具体而言，若在步骤S410中最初将只读文件A的信息写入到NVRAM100，当流程返回到步骤S410时，将写入只读文件B的信息到NVRAM100，当流程再一次返回到步骤S410时，将写入只读文件A的信息到NVRAM100，如此反复交替，直到达到所设置的测试次数，测试结束。
步骤S470，记录压力模式下测试的信息。所述压力模式下测试的信息包括压力模式下测试的起始时间、结束时间、读写操作出错的次数，每次读写操作出错的时间、总的测试次数等信息。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (3)

1.一种非易失性随机访问存储器测试方法，其特征在于，该方法包括：
设置诊断模式的测试参数及压力模式的测试参数；
初始化所设置的测试参数以得到诊断模式及压力模式；
在诊断模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试，所述在诊断模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试的步驟包括以下步驟：
将计算机上保存的只读文件中的信息写入到BIOS的非易失性随机访问存储器；
从非易失性随机访问存储器中读取信息；
判断读取的信息与写入的信息是否一致；
当判断读取的信息与写入的信息一致时，判断是否到达所设置的结束时间；
当没有到达所设置的结束时间时，返回将计算机上保存的只读文件中的信息写入到BIOS的非易失性随机访问存储器的步骤；及
当判断读取的信息与写入的信息不一致或者到达所设置的结束时间时，记录诊断模式下测试的信息；
在压力模式下对BIOS的非易失性随机访问存储器进行测试；及
生成诊断模式下进行测试的日志文件及压力模式下进行测试的日志文件。
2.如权利要求1所述的非易失性随机访问存储器测试方法，其特征在于，所述诊断模式的测试参数包括BIOS的版本号、关键字、延迟时间、开始时间、结束时间及测试结束后所生成的日志文件保存路径信息。
3.如权利要求1所述的非易失性随机访问存储器测试方法，所述压力模式的测试参数包括BIOS的版本号、关键字、延迟时间、测试总次数及测试结束后所生成的日志文件保存路径信息。
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