CN102723423B - 大功率白光led器件无金线双面出光的封装方法及封装结构 - Google Patents
大功率白光led器件无金线双面出光的封装方法及封装结构 Download PDFInfo
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Abstract
一种大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法及封装结构，属半导体发光器件领域。其在垂直结构LED芯片P-N结的两端面上设置两个荧光激发/转换层，在LED芯片P-N结的两个端面，分别对应形成第一、第三透明导电薄膜，在第一、第二荧光激发/转换层的表面，分别对应形成第二、第四透明导电薄膜，其透明导电薄膜直接与LED芯片P-N结的两个端面分别进行面接触式连接，在P端面、N端面电极与外引支架电极之间分别建立对应的电连接通道；LED芯片的P型端面、N型端面分别与第一荧光激发/转换层和第二荧光激发/转换层对应固接，构成具有双面出光结构的LED器件。其可有效增加LED芯片的出光面积和出光效率；所制成的LED器件具有球形光源特征。可广泛用于白光LED发光器件的生产制造领域。
Description
技术领域
本发明属于半导体发光器件领域，尤其涉及一种用于大功率白光LED器件的封装方法及其产品结构。
背景技术
在现有LED(Light Emitting Diode，发光二极管)的制造技术中，LED发光器件的封装通常是在蓝光芯片上制作P-N结电极，在电极上打制金线（金线是连接LED芯片的P端面或N端面与外部接线管脚的连接线），将芯片电极与外部管脚连接，然后在芯片上涂覆荧光粉。
公开日为2006年11月8日、公开号为CN 1858920A的中国发明专利申请“一种白光LED灯的封装方法”和公开日为2009年8月26日、公开号为CN 101514805A的中国发明专利申请“一种LED封装结构及其实现方法”中对于LED芯片的现有封装方式、封装结构均有较详细的公开和披露，在此不进行详细的叙述。
对于每个LED发光器件单体（业内习惯称之为LED芯片）而言，基于现有封装技术的LED发光器件，均只能实现单向发光/出光。
通过对上述资料的分析可知，现有技术路线存在有以下主要缺点：
1、所制造的LED器件只能在器件顶部单向发光，只有一个出光面；
2、LED发光芯片面向器件底部的光线，需要通过特制的反射层反射，再通过器件的顶部发光/出光，其发光效率大大降低；
3、单面发光使得目前的LED器件只能是一个半球形光源，极大限制了LED的适用场合及应用能力。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法及封装结构，其在LED芯片P-N结的两端面上，同时设置两个荧光激发/转换层，采用透明电极直接与LED芯片P-N结的两个端面分别进行面接触式的电连接方式，由于不再需要在芯片表面制造金电极。简化了LED芯片的封装制造工艺；可显著提高LED芯片的出光效率，有效地解决了具有球形光源特征的白光LED器件封装问题，大大拓展了其应用领域。
本发明的技术方案是：提供一种大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法，包括用LED蓝光外延片制得LED芯片，在芯片与外引支架电极之间设置电连接通道以及在芯片上设置荧光激发/转换层，其所述的封装工艺步骤至少包括下列步骤：
A、采用单晶荧光材料，制得第一和第二荧光激发/转换层；所述第一、第二荧光激发/转换层的横截面尺寸大于或等于所述LED蓝光外延片的横截面尺寸；
B、在LED蓝光外延片重掺杂P型端的表面，制备一层第一透明导电薄膜，并将载有第一透明导电薄膜的LED蓝光外延片分割成单个的LED芯片；
C、在第一荧光激发/转换层的表面，同样制备一层第二透明导电薄膜；
D、所述的第一和第二透明导电薄膜，通过实施“共晶”工艺，将所述LED芯片P型端的表面，与第一荧光激发/转换层焊接为一体，其所述LED芯片P型端的横截面积，小于第一荧光激发/转换层的横截面积和第二透明导电薄膜的横截面积；
E、采用“掩膜光刻”工艺，在第一荧光激发/转换层表面的第二透明导电薄膜上未被LED芯片P型端表面遮盖的区域，制备用于连接LED芯片P端面电极和第一外引支架电极的第一导电金属焊接层；
F、采用“激光剥离”工艺，将LED芯片的外延衬底剥离，露出LED芯片重掺杂N型端的表面；
G、采用“掩膜光刻”工艺，在LED芯片N型端的表面，制备一层第三透明导电薄膜；
F、在第二荧光激发/转换层的表面，同样制备一层第四透明导电薄膜；
H、采用“掩膜光刻”工艺，在第二荧光激发/转换层表面的第四型透明导电薄膜上未被LED芯片N型端表面遮盖的区域，制备用于连接芯片N端面电极与第二外引支架电极的第二导电金属焊接层；
I、所述的第三和第四透明导电薄膜，通过实施“共晶”工艺，将所述LED芯片N型端表面，与第二荧光激发/转换层连接为一体，其所述LED芯片N型端的横截面积，小于第二荧光激发/转换层的横截面积和第四透明导电薄膜的横截面积；
J、采用上述方法和步骤，在垂直结构LED芯片的P型端面和N型端面，分别对应形成第一和第三透明导电薄膜，在第一和第二荧光激发/转换层的表面，分别对应形成第二和第四透明导电薄膜，在第二和第四透明导电薄膜上分别载有第一、第二导电金属焊接层；所述LED芯片的P型端面，经过所述的第一和第二透明导电薄膜，与第一荧光激发/转换层固接；所述LED芯片的N型端面，经过所述的第三和第四透明导电薄膜，与第二荧光激发/转换层对应固接；所述的第一、第二荧光激发/转换层分别位于LED芯片P-N结的两侧端面，构成具有双面出光结构的LED芯片；
K、通过“回流焊”工艺，将所述LED芯片的第一、第二导电金属焊接层，分别在芯片的P端面或N端面，与第一外引支架电极或第二外引支架电极间，建立对应的电连接通道；所述的透明导电层及导电金属焊接层，通过面接触的形式，在所述LED芯片的P端面和N端面电极与外引支架电极之间分别建立对应的电连接通道，构成具有双面出光结构的LED器件。
采用上述方法制成的具有双面出光结构的LED器件，在消除金电极线对出光阻挡的同时，允许LED芯片可以两面出光，有效增加LED芯片的出光面积，提高LED芯片的出光效率。
采用上述方法制成的LED器件，具有球形光源的出光特征。
进一步的，在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；当所述的LED芯片数量为n颗且n大于2时，通过实施“共晶”工艺，将所有n个LED芯片的P型端与所述的第一荧光激发/转换层焊接为一体，将所有n个LED芯片的N型端与所述的第二荧光激发/转换层焊接为一体；使各个LED芯片之间构成并联的电路结构。
或者，在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；当所述的LED芯片数量为n颗且n大于2时，通过实施“共晶”工艺，将第m个LED芯片的P型端和第m+1个LED芯片的N型端与所述的第一荧光激发/转换层焊接为一体，将第m个LED芯片的N型端和第m+1个LED芯片的P型端与所述的第二荧光激发/转换层焊接为一体，使各个LED芯片之间构成依次串联的电路结构；其中的m为奇数且m≤n-1。
具体的，所述的第一或第二荧光激发/转换层，为石榴石类荧光材料单晶体或含有石榴石类荧光材料的陶瓷或玻璃。
所述的透明导电薄膜包括金属膜系列、透明导电氧化物膜系列、复合膜系列和化合物膜系列导电薄膜。
其所述的透明导电薄膜为铟锡氧化物半导体透明导电膜或Ni/Au导电膜。
其所述的化合物膜系列导电薄膜为高分子膜系列导电薄膜。
所述的透明导电薄膜和第一、第二导电金属焊接层的制备采用光刻蚀法、掩模法或丝网印刷法。
其所述的光刻蚀法包括激光干式刻蚀法。
所述的掩模法包括萌罩透过沉积法。
本发明还提供了一种采用上述方法制得的大功率白光LED器件无金线双面出光封装结构，其特征是：
在垂直结构LED芯片的P型端面和N型端面，分别对应设置第一和第三透明导电薄膜；
在LED芯片P-N结的两个端面上，分别对应设置第一、第二荧光激发/转换层；所述第一、第二荧光激发/转换层分别位于LED芯片P-N结的两侧端面；
在第一和第二荧光激发/转换层的相对面上，设置第二和第四透明导电薄膜；
通过第一、第二透明导电薄膜，所述LED芯片的P型端面与第一荧光激发/转换层固接；
通过第三、第四透明导电薄膜，所述LED芯片的N型端面与第二荧光激发/转换层固接；
在所述的第二、第四透明导电薄膜上，分别设置有第一和第二导电金属焊接层；
所述的透明导电层及导电金属焊接层，通过面接触的结构形式，在LED芯片的P端面和N端面电极与外引支架电极之间，分别建立对应的电连接通道，构成具有双面出光结构的LED器件。
进一步的，在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；所有LED芯片的P型端与所述第一荧光激发/转换层固接为一体，所有LED芯片的N型端与所述的第二荧光激发/转换层固接为一体；各个LED芯片之间构成并联的电路结构。
进一步的，在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；其中，第奇数个LED芯片的P型端和第偶数个LED芯片的N型端，与所述第一荧光激发/转换层固接为一体，第奇数个LED芯片的N型端和第偶数个LED芯片的P型端，与所述第二荧光激发/转换层固接为一体；使各个LED芯片之间构成依次串联的电路结构。
与现有技术比较，本发明的优点是：
1.采用本技术方案进行白光LED芯片的封装，不再需要在芯片表面制造金电极。简化了芯片制程工艺，消除了金电极对LED芯片的发光阻挡，可以有效增加蓝光芯片的出光面积，提高LED出光效率；
2.其在LED芯片P-N结的两端面上，同时设置两个荧光激发/转换层，采用透明电极直接与LED芯片P-N结的两个端面分别进行面接触式的电连接方式，可显著提高LED芯片的出光效率；
3.所制成的LED器件具有球形光源的出光特征，大大拓展了LED发光器件的应用领域。
附图说明
图1是本发明封装方法步骤的方框图；
图2是采用本封装方法得到的具有双面出光结构的LED芯片结构示意图；
图3为具有双面出光结构的LED器件的结构示意图；
图4为具有并联结构的LED产品结构示意图；
图5为具有串联结构的LED产品结构示意图。
图中1为第一荧光激发/转换层，2为第二透明导电薄膜，3为第一透明导电薄膜，4、4-1为LED蓝光外延片重掺杂P型端，5为第一导电金属焊接层，6为第二荧光激发/转换层，7为第四透明导电薄膜，8为第三透明导电薄膜，9、9-1为芯片重掺杂N型端，10为第二导电金属焊接层，13为第一外引支架电极，14为外引支架电极引脚固定块，15为第二外引支架电极，A为荧光激发/转换层，B为LED芯片。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
图1中，本技术方案的封装方法包括芯片电极制程和在芯片与外引支架电极之间设置电连接通道以及在芯片的两侧设置荧光材料层，其所述的封装方法至少包括下列步骤：
A、用单晶荧光材料，构成第一和第二荧光激发/转换层；
B、在LED蓝光外延片重掺杂P型端表面，制备第一透明导电薄膜；
C、将载有第一透明导电薄膜的LED蓝光外延片分割成LED芯片；
D、在第一荧光激发/转换层的表面，制备第二透明导电薄膜；
E、通过“共晶”工艺，将LED芯片P型端面，与第一荧光激发/转换层固接为一体；
F、用“激光剥离”工艺，将LED芯片的外延衬底剥离，露出LED芯片重掺杂N型端面；
G、在第二透明导电薄膜上，用“掩膜光刻”工艺，制备用于连接LED芯片P端面电极和第一外引支架电极的第一导电金属焊接层；
H、用“掩膜光刻”工艺，在LED芯片N型端的表面，制备第三透明导电薄膜；
I、用“掩膜光刻”工艺，在第四型透明导电薄膜上制备用于连接LED芯片N端面电极和第二外引支架电极的第二导电金属焊接层；
J、通过“共晶”工艺，将LED芯片N型端面，与第二荧光激发/转换层固接为一体；
K、采用上述方法和步骤，将垂直结构的LED芯片的P型端面，经过第一和第二透明导电薄膜，与第一荧光激发/转换层固接；将LED芯片的N型端面，经过第三和第四透明导电薄膜，与第二荧光激发/转换层对应固接；在第二和第四透明导电薄膜上分别载有第一、第二导电金属焊接层；构成具有双面出光结构的LED芯片；
L、用“回流焊”工艺，将LED芯片的第一、第二导电金属焊接层，与第一外引支架电极或第二外引支架电极间，建立对应的电连接通道；
M、其所述的第一至第四透明导电层及第一、第二导电金属焊接层，通过面接触的形式，在芯片的P端面和N端面电极与外引支架电极之间分别建立对应的电连接通道，构成具有双面出光结构和球形光源出光特征的LED器件。
采用上述方法制成的具有双面出光结构的LED器件，在消除金电极线对出光阻挡的同时，允许LED芯片可以两面出光，可有效增加LED芯片的出光面积，提高了LED芯片/器件的出光效率。
采用上述方法制成的LED器件，具有球形光源的出光特征。
具体的，所述的第一或第二荧光激发/转换层，为石榴石类荧光材料单晶体或含有石榴石类荧光材料的陶瓷或玻璃。
所述的透明导电薄膜包括金属膜系列、透明导电氧化物膜系列、复合膜系列和化合物膜系列导电薄膜。
其所述的透明导电薄膜为铟锡氧化物半导体透明导电膜或Ni/Au导电膜。
其所述的化合物膜系列导电薄膜为高分子膜系列导电薄膜。
所述的透明导电薄膜和第一、第二导电金属焊接层的制备采用光刻蚀法、掩模法或丝网印刷法。
其所述的光刻蚀法包括激光干式刻蚀法。
所述的掩模法包括萌罩透过沉积法。
在实际生产过程中，现有采用飞线法/打线法生产LED芯片的生产线能力已经接近饱和，但是还远远不能满足实际市场需求；相反的，各大集成电路生产厂商所拥有的集成电路IC芯片封装生产线面临着严重的生产能力过剩，面临着开工不足的局面。
由于封装生产工艺的不同，集成电路IC芯片封装生产线的生产效率/生产能力，要远远高于现有LED芯片封装生产线。
如果能利用现有的集成电路IC芯片封装生产线来对LED芯片进行封装，则可大幅度地提高LED发光器件的生产能力和降低生产成本，对集成电路生产厂商和LED发光器件的生产/供应商来讲，均是一件双赢的事。
本技术方案之出发点之一，是解决LED芯片的双面出光问题，其另一个主要的出发点就是，利用已经具有成熟产能的集成电路IC芯片封装生产线及其生产工艺，来对LED芯片进行封装，大幅度地提高LED发光器件的生产能力和降低生产成本。
故在本技术方案中，大量地采用了现有集成电路IC芯片封装生产线的生产工艺，例如，上述描述中所涉及到的外延衬底剥离，透明导电薄膜和导电金属电极及其制备方式，包括“共晶”工艺、“激光剥离”工艺、“掩膜光刻”工艺或“回流焊”工艺，均为集成电路IC芯片封装生产线中工艺成熟的现有技术，故其具体实现方法和实施过程在此不再叙述。
图2中，本技术方案提供了一种采用上述封装方法制得的大功率白光LED器件无金线双面出光封装结构，其结构特点是：
在垂直结构LED芯片的P型端面4和N型端面9，分别对应设置第一和第三透明导电薄膜3和8；
在LED芯片P-N结的两个端面上，分别对应设置第一、第二荧光激发/转换层1和6；所述第一、第二荧光激发/转换层分别位于LED芯片P-N结的两侧端面；
在第一和第二荧光激发/转换层的相对面上，分别对应设置第二透明导电薄膜2和第四透明导电薄膜7；
通过第一、第二透明导电薄膜2和3，所述LED芯片的P型端面4与第一荧光激发/转换层1固接；
通过第三、第四透明导电薄膜7和8，所述LED芯片的N型端面与第二荧光激发/转换层6固接；
在所述的第二透明导电薄膜3和第四透明导电薄膜7上，分别设置有第一导电金属焊接层5和第二导电金属焊接层10；
所述的透明导电层及导电金属焊接层，通过面接触的结构形式，在LED芯片的P端面和N端面电极与外引支架电极（图中未示出）之间，分别建立对应的电连接通道，构成具有双面出光结构的LED器件。
由图可见，导电金属焊接层5和10上部预留的空间允许外引支架电极与之相连接。
其所采用的LED芯片为垂直结构。
上述的荧光材料包括石榴石类荧光材料单晶体或含有石榴石类荧光材料的陶瓷或玻璃。
上述的透明导电薄膜包括金属膜系列、透明导电氧化物膜系列、高分子膜系列、复合膜系列和化合物膜系列导电薄膜。
优选地，所述的透明导电薄膜为铟锡氧化物半导体透明导电膜或Ni-Au导电膜。
上述透明导电薄膜和导电金属电极的制备采用光刻蚀法、掩模法、激光干式刻蚀法、丝网印刷法或萌罩透过沉积法。
图3中，由图可知，LED芯片B经过设置在荧光激发/转换层A上的导电金属焊接层，分别与外引支架正、负电极13、15对应连接。
外引支架由外引支架电极引脚固定块14，外引支架正电极13，外引支架电负极15共同构成。
外引支架正电极及负电极分别与第一、第二导电金属焊接层5和10对应连接。
外引支架电极引脚固定块13用于支撑外引支架电极。
其外引支架电极可以是用于接插焊接的长脚，也可以是用于贴片焊接的焊盘。
图4中，给出了多颗LED芯片采用并联结构的实施例示意图，其特别适合用于生产大功率的LED发光器件。
其LED芯片为垂直结构，在第一荧光激发/转换层1和第二荧光激发/转换层6之间，设置有多个LED芯片。
所有LED芯片的P型端4，与第一荧光激发/转换层1固接为一体，所有LED芯片的N型端9，与所述的第二荧光激发/转换层6固接为一体；如此形成的电连接为并联结构。
换句话说，本实施例中，当所述的LED芯片数量为n颗且n大于2时，通过实施“共晶”工艺，将所有n个LED芯片的P型端与所述的第一荧光激发/转换层焊接为一体，将所有n个LED芯片的N型端与所述的第二荧光激发/转换层焊接为一体；使各个LED芯片之间构成并联的电路结构。
在图5中，给出了多颗LED芯片采用串联结构的实施例示意图，同样地，其亦特别适合用于生产大功率的LED发光器件。
其LED芯片为垂直结构，在第一荧光激发/转换层1和第二荧光激发/转换层6之间，设置有多个LED芯片。
由图可知，首个LED芯片的P面电极4-1与第一荧光激发/转换层1连接；第一荧光激发/转换层1同时还与第二个LED芯片的N面电极9-2连接，第二个LED芯片的P面电极4-2则与第二荧光激发/转换层6连接，如此形成的电连接为串联结构。
换句话说，当所述的LED芯片数量为n颗且n大于2时，通过实施“共晶”工艺，将第m个LED芯片的P型端和第m+1个LED芯片的N型端与所述的第一荧光激发/转换层焊接为一体，将第m个LED芯片的N型端和第m+1个LED芯片的P型端与所述的第二荧光激发/转换层焊接为一体，其中的m为奇数且m≤n-1；使各个LED芯片之间构成依次串联的电路结构。
或者说，本实施例在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；其中，第奇数个LED芯片的P型端和第偶数个LED芯片的N型端，与所述第一荧光激发/转换层固接为一体，第奇数个LED芯片的N型端和第偶数个LED芯片的P型端，与所述第二荧光激发/转换层固接为一体；使各个LED芯片之间构成依次串联的电路结构。
本实施例中，透明导电薄膜21和3以及透明导电薄膜7和8的涂覆将会有复杂的图形设计。
采用本发明技术方案对白光LED芯片进行封装，不再需要在芯片表面制造金电极，其简化了芯片制成工艺；其采用透明电极直接与LED芯片的P-N结进行面接触式的电连接，设置的双荧光激发/转换层，可显著提高LED的出光效率，有效地解决了具有球形光源特征的白光LED器件封装问题。
本技术方案的实施，在消除金电极对发光阻挡的同时，允许LED芯片可以两面出光，可有效增加蓝光LED芯片的出光面积，提高了LED的出光效率；所制成的LED器件具有球形光源特征，大大拓展了LED器件应用领域。
本发明可广泛用于白光LED发光器件的生产制造领域。
Claims (6)
1.一种大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法，包括用LED蓝光外延片制得LED芯片，在芯片与外引支架电极之间设置电连接通道以及在芯片上设置荧光激发/转换层，其所述的封装工艺步骤至少包括下列步骤：
A、采用单晶荧光材料，制得第一和第二荧光激发/转换层；所述第一、第二荧光激发/转换层的横截面尺寸大于或等于所述LED蓝光外延片的横截面尺寸；
B、在LED蓝光外延片重掺杂P型端的表面，制备一层第一透明导电薄膜，并将载有第一透明导电薄膜的LED蓝光外延片分割成单个的LED芯片；
C、在第一荧光激发/转换层的表面，同样制备一层第二透明导电薄膜；
D、所述的第一和第二透明导电薄膜，通过实施“共晶”工艺，将所述LED芯片P型端的表面，与第一荧光激发/转换层焊接为一体，其所述LED芯片P型端的横截面积，小于第一荧光激发/转换层的横截面积和第二透明导电薄膜的横截面积；
E、采用“掩膜光刻”工艺，在第一荧光激发/转换层表面的第二透明导电薄膜上未被LED芯片P型端表面遮盖的区域，制备用于连接LED芯片P端面电极和第一外引支架电极的第一导电金属焊接层；
F、采用“激光剥离”工艺，将LED芯片的外延衬底剥离，露出LED芯片重掺杂N型端的表面；
G、采用“掩膜光刻”工艺，在LED芯片N型端的表面，制备一层第三透明导电薄膜；
H、在第二荧光激发/转换层的表面，同样制备一层第四透明导电薄膜；
I、采用“掩膜光刻”工艺，在第二荧光激发/转换层表面的第四透明导电薄膜上未被LED芯片N型端表面遮盖的区域，制备用于连接芯片N端面电极和第二外引支架电极的第二导电金属焊接层；
J、所述的第三和第四透明导电薄膜，通过实施“共晶”工艺，将所述LED芯片N型端表面，与第二荧光激发/转换层连接为一体，其所述LED芯片N型端的横截面积，小于第二荧光激发/转换层的横截面积和第四透明导电薄膜的横截面积；
K、采用上述方法和步骤，在垂直结构LED芯片的P型端面和N型端面，分别对应形成第一和第三透明导电薄膜，在第一和第二荧光激发/转换层的表面，分别对应形成第二和第四透明导电薄膜，在第二和第四透明导电薄膜上分别载有第一、第二导电金属焊接层；所述LED芯片的P型端面，经过所述的第一和第二透明导电薄膜，与 第一荧光激发/转换层固接；所述LED芯片的N型端面，经过所述的第三和第四透明导电薄膜，与第二荧光激发/转换层对应固接；所述的第一、第二荧光激发/转换层分别位于LED芯片P-N结的两侧端面，构成具有双面出光结构的LED芯片；
L、通过“回流焊”工艺，将所述LED芯片的第一、第二导电金属焊接层，分别在所述LED芯片的p端面或n端面，与第一外引支架电极或第二外引支架电极间，建立对应的电连接通道；所述的透明导电层及导电金属焊接层，通过面接触的形式，在芯片的P端面和N端面电极与外引支架电极之间分别建立对应的电连接通道，构成具有双面出光结构的LED器件；
其采用所述方法制成的具有双面出光结构的LED器件，在消除金电极线对出光阻挡的同时，允许LED芯片可以两面出光，有效增加LED芯片的出光面积，提高LED芯片的出光效率；
其采用所述方法制成的LED器件，具有球形光源的出光特征；
其在LED芯片P-N结的两端面上，同时设置两个荧光激发/转换层，采用透明电极直接与LED芯片P-N结的两个端面分别进行面接触式的电连接方式，可显著提高LED芯片的出光效率；
其所采用的LED芯片为垂直结构。
2.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法，其特征是在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；当所述的LED芯片数量为n颗且n大于2时，通过实施“共晶”工艺，将所有n个LED芯片的P型端与所述的第一荧光激发/转换层焊接为一体，将所有n个LED芯片的N型端与所述的第二荧光激发/转换层焊接为一体；使各个LED芯片之间构成并联的电路结构。
3.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法，其特征是在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；当所述的LED芯片数量为n颗且n大于2时，通过实施“共晶”工艺，将第m个LED芯片的P型端和第m+1个LED芯片的N型端与所述的第一荧光激发/转换层焊接为一体，将第m个LED芯片的N型端和第m+1个LED芯片的P型端与所述的第二荧光激发/转换层焊接为一体，使各个LED芯片之间构成依次串联的电路结构；其中的m为奇数且m≤n-1。
4.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法，其特征是所述的第一或第二荧光激发/转换层，为石榴石类荧光材料单晶体或含有石榴石 类荧光材料的陶瓷或玻璃；所述的透明导电薄膜包括金属膜系列、透明导电氧化物膜系列、复合膜系列和化合物膜系列导电薄膜；其所述的透明导电薄膜为铟锡氧化物半导体透明导电膜或Ni/Au导电膜；其所述的化合物膜系列导电薄膜为高分子膜系列导电薄膜。
5.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件无金线双面出光的封装方法，其特征是所述的透明导电薄膜和第一、第二导电金属焊接层的制备采用光刻蚀法、掩模法或丝网印刷法；其所述的光刻蚀法包括激光干式刻蚀法；所述的掩模法包括萌罩透过沉积法。
6.一种采用权利要求1所述方法制得的大功率白光LED器件无金线双面出光封装结构，其特征是：
在垂直结构LED芯片的P型端面和N型端面，分别对应设置第一和第三透明导电薄膜；
在LED芯片P-N结的两个端面上，分别对应设置第一、第二荧光激发/转换层；所述第一、第二荧光激发/转换层分别位于LED芯片P-N结的两侧端面；
在第一和第二荧光激发/转换层的相对面上，设置第二和第四透明导电薄膜；
通过第一、第二透明导电薄膜，所述LED芯片的P型端面与第一荧光激发/转换层固接；
通过第三、第四透明导电薄膜，所述LED芯片的N型端面与第二荧光激发/转换层固接；
在所述的第二、第四透明导电薄膜上，分别设置有第一和第二导电金属焊接层；
所述的透明导电层及导电金属焊接层，通过面接触的结构形式，在LED芯片的P端面和N端面电极与外引支架电极之间，分别建立对应的电连接通道，构成具有双面出光结构的LED器件；
在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；所有LED芯片的P型端与所述第一荧光激发/转换层固接为一体，所有LED芯片的N型端与所述的第二荧光激发/转换层固接为一体；各个LED芯片之间构成并联的电路结构；
或者，在所述的第一、第二荧光激发/转换层之间，设置有多个LED芯片；其中，第奇数个LED芯片的P型端和第偶数个LED芯片的N型端，与所述第一荧光激发/转换层固接为一体，第奇数个LED芯片的N型端和第偶数个LED芯片的P型端，与所述第二荧光激发/转换层固接为一体；使各个LED芯片之间构成依次串联的电路结构。
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