CN102683540A - 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 - Google Patents
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 claims 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- -1 surface coarsening Substances 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种具有金属反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作方法，其特征在于包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，其中外延层由P型层、发光区、N型层组成；金属反射层，形成于外延层上；电流阻挡层，完全包覆在金属反射层上；电流扩展层，完全包覆在电流阻挡层上；P电极，形成于电流扩展层上；N电极，形成于N型层上。本发明通过在金属反射层外包覆电流阻挡层，形成新型反射电极结构，有效保护了金属反射层，避免金属反射层与空气接触，防止被氧化，提高抗高温高湿能力；同时这种结构又兼具电流阻挡的作用，进一步提高了芯片的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，尤其是涉及一种具有金属反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作方法。
背景技术
发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。自20世纪90年代氮化镓（GaN）基LED开发成功以来，随着研究的不断进展，其发光亮度也不断提高，应用领域也越来越广。
目前，适合商用的蓝绿光LED都是基于GaN的III-V族化合物半导体材料。由于GaN基LED外延片的P-GaN层空穴浓度小，且P型层厚度要小于0.3μm，绝大部分发光时从P型层透出。而P型层不可避免地对光有吸收作用，导致LED芯片外量子效率不高，大大降低了LED的发光效率。为此，改善LED发光效率的研究较为活跃，主要技术有采用图形衬底技术、分布电流阻隔层（也称电流阻挡层）、分布布拉格反射层（英文为Distributed Bragg Reflector，简称DBR）结构、透明衬底、表面粗化、光子晶体技术等。
参见图1，在常规正装发光二极管结构中，包括衬底100，由下往上堆叠的N型层101、发光区102、P型层103、电流扩展层104、P电极105以及设置在N型层101裸露表面上的N电极106。由于P电极106（通常为Cr/Pt/Au材料）对光有吸收作用，使得发光层发出的部分光线未能发射出来，造成光损失，影响芯片的发光效率，目前已有相关技术通过在金属电极下方加入反射膜（如金属膜或DBR）使得光线被反射重新进入芯片内部，然后通过一次或多次折射发射出芯片表面，从而增加发光效率，其中通过增设金属银或铝反射膜的形成的具有反射电极的芯片，往往在芯片的封装老化中出现光衰异常的问题，尤其是在高温高湿的环境下，Al、Ag等反射金属更容易被氧化，造成光效下降，甚至失效。
专利申请号为201010000448.5的发明专利申请公开了一种发光二极管及其制造方法,所述发光二极管包括：一基板单元、一发光单元、一反射单元、一第一电极及一第二电极。该反射单元将射向该第一电极的光线反射，且该反射单元包括一第一主体，该第一电极包括一个对应地位于该第一主体的上方的第一电极主体，所述第一主体的几何半径大于该第一电极主体的几何半径。通过该反射单元的设计，其电流阻障效果良好而可使电流均匀扩散，且该反射单元阻挡下方及外侧光线直接射向该第一电极，并将光线反射，减少该第一电极的吸光现象，提高发光效率。但是本发明存在的不足有：反射金属会跟电流扩展层（如ITO导电层）接触，ITO导电层中的氧成分可能会与反射金属作用导致金属被氧化。而且在芯片制程中，电流扩展层（如ITO导电层）一般需要经过高温熔合处理，如反射金属与ITO导电层有接触部分，导致被氧化失效几率更大，不利于芯片制程的稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种具有金属反射层的GaN基高亮度LED及其制作方法。本发明通过在金属反射层外包覆电流阻挡层，形成新型反射电极结构，有效保护了金属反射层，避免金属反射层与空气接触，防止被氧化，提高抗高温高湿能力；同时这种结构又兼具电流阻挡的作用，减少芯片电极下方的电流积聚，进一步提高了芯片的发光效率。
根据本发明的第一个方面，一种氮化镓基发光二极管，包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，由P型层、发光区、N型层组成；金属反射层，形成于外延层之上；电流阻挡层，形成于外延层之上，并完全包覆所述金属反射层；电流扩展层，形成于所述电流阻挡层之上，且至少部分区域与所述p型层接触；P电极，形成于所述电流扩展层之上；N电极，形成于N型层之上。
在本发明的第一个优选实施例中，所述电流阻挡层完全包裹所述金属反射层。
在本发明的第二个优选实施例中，所述电流阻挡层完全覆盖所述金属反射层。
进一步地，上述金属反射层位于P电极正下方且金属反射层横向截面积大于或者等于P电极横向截面积且小于电流阻挡层横向截面积。
进一步地，上述金属反射层材料可选用铝（Al）或者是银（Ag）或者是镍（Ni）等。
进一步地，上述衬底材料可选用蓝宝石（Al2O3）或者是碳化硅（SiC）等。
进一步地，上述电流阻挡层材料可选用二氧化硅（SiO2）、氮化硅（SiNx）或氧化铝（Al2O3）中的一种或其组合。
进一步地，上述电流扩展层材料可选用镍/金合金（Ni/Au）或镍/氧化铟锡合金（Ni/ITO）或氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或In掺杂ZnO或Al掺杂ZnO或Ga掺杂ZnO中的一种或其组合。
根据本发明的第二个方面，一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其步骤如下：
1）提供一衬底，在其上外延生长外延层，其至上而下包括p型层、发光区和n型层；
2）在所述外延层的部分区域上形成金属反射层和电流阻挡层光；
3）在所述外延层上形成电流阻挡层，其完全包覆所述金属反射层；
4）在所述电流阻挡层上形成电流扩展层，其至少部分区域与所述p型层接触；
5）分别在所述电流扩展层上和所述N型层上制作P电极和N电极。
其中，步骤3）所述电流阻挡层完全包覆所述金属反射层，即使得金属反射层位于P电极正下方，金属反射层横向截面积大于或者等于P电极横向截面积且小于电流阻挡层横向截面积。
根据本发明的第三个方面，一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其步骤如下：
1）提供一衬底，在其上外延生长外延层，其至上而下包括p型层、发光区和n型层；
2）在所述外延层的形成电流阻挡层，其内部包裹一金属反射层；
3）在所述电流阻挡层上形成电流扩展层，其至少部分区域与所述p型层接触；
4）分别在所述电流扩展层上和所述N型层上制作P电极和N电极。
其中，步骤2）所述电流阻挡层完全包覆所述金属反射层，即使得金属反射层位于P电极正下方，金属反射层横向截面积大于或者等于P电极横向截面积且小于电流阻挡层横向截面积。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
（1）通过在常规LED芯片电极结构中，增设金属反射层，减少金属电极对光的吸收作用，从而提高芯片发光效率。
（2）增设的金属反射膜外完全披覆电流阻挡层结构，即金属反射层横向截面积小于电流阻挡层横向截面积，从而避免反射金属与空气接触，有效地保护其反射性能，提高发光效率。
（3）电流阻挡层结构又兼具电流阻挡的作用，可以减少芯片电极下方的电流积聚，进一步提高了芯片的发光效率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1是常规正装发光二极管的结构示意图。
图2是本发明第一个实施例制作氮化镓基高亮度发光二极管的剖面示意图。
图3是本发明第二个实施例制作氮化镓基高亮度发光二极管的剖面示意图。
图中部件符号说明：
100：蓝宝石衬底
101：N型层
102：发光区
103：P型层
104：电流扩展层
105：P电极
106：N电极
200：蓝宝石衬底
201：N型层
202：发光区
203：P型层
204：金属反射层
205：电流阻挡层
206：电流扩展层
207：P电极
208：N电极
300：蓝宝石衬底
301：N型层
302：发光区
303：P型层
304：金属反射层
305：电流阻挡层
306：电流扩展层
307：P电极
308：N电极。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
实施例一
请参看附图2，一种氮化镓基发光二极管，包括：蓝宝石衬底200、N型层201、发光区202、P型层203、金属反射层204、电流阻挡层205、电流扩展层206、P电极207 和N电极208。
其中，最底层为蓝宝石衬底200；N型层201，形成于蓝宝石衬底200上；发光区202，形成于N型层201上；P型层203，形成于发光区202上；金属反射层204，形成于P型层201上，其材料一般选择高反射率的材料，如铝（Al）或者是银（Ag）或者是镍（Ni），在本发明的一个优选实施例中，选用银作为金属反射层；电流阻挡层205，完全覆盖在金属反射层204上，其材料可选用二氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）或氧化铝（Al2O3），在本发明的一个优选实施例， 选用SiO2作为电流阻挡层；电流扩展层206，完全包覆在电流阻挡层205上，其材料可选用镍/金合金（Ni/Au）或镍/氧化铟锡合金（Ni/ITO）或氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或In掺杂ZnO或Al掺杂ZnO或Ga掺杂ZnO中的一种或其组合，在本发明的一个优选实施例， 选用ITO作为电流扩展层；P电极207，形成于电流扩展层206上；N电极208，形成于裸露的N型层201上；其中金属反射层204位于P电极207正下方，其横向截面积大于P电极207横向截面积且小于电流阻挡层205横向截面积。
上述具有金属反射层结构的氮化镓基发光二极管，其制作方法包括步骤：
第一步：在蓝宝石衬底200上外延生长氮化镓基发光外延层，包括；N型层201、发光区202、P型层203；
第二步：在P型层203上，通过溅镀方式，形成金属反射层204，其材料可选用铝（Al）或者是银（Ag）或者是镍（Ni）；
第三步：在金属反射层204上，通过化学气相沉积方式，形成电流阻挡层205，并且完全包覆在金属反射层204之上，其材料可选用二氧化硅（SiO2）、氮化硅（SiNx）或氧化铝（Al2O3）；
第四步：在电流阻挡层205上，通过蒸镀方式，形成ITO电流扩展层206，并且完
全包覆在电流阻挡层205之上；
第五步：通过光罩、蚀刻工艺，分别在ITO电流扩展层206上和裸露的N型层201上制
作P电极207和N电极208。
实施例二
请参看附图3，本发明发光二极管的第二较佳实施例与该第一较佳实施例大致相同，不同的地方在于：金属反射层304被电流阻挡层305完全包裹，金属反射层材料选用Ag，电流阻挡层材料选用氧化铝（Al2O3）。
上述具有金属反射层结构的氮化镓基发光二极管，其制作方法包括步骤：
第一步：在蓝宝石衬底300上外延生长氮化镓基发光外延层，包括；N型层301、发光区302、P型层303；
第二步：在P型层303上，通过化学气相沉积方式，形成电流阻挡层底部；
第三步，通过溅镀方式，在电流阻挡层底部上形成金属反射层304，其材料可选用铝（Al）或者是银（Ag）或者是镍（Ni）；
第四步：继续通过化学气相沉积方式，在金属反射层304上形成电流阻挡层顶部，至此电流阻挡层305完全包裹金属反射层304；
第五步：在电流阻挡层305上，通过蒸镀方式，形成ITO电流扩展层306，并且完全包覆在电流阻挡层305之上；
第六步：通过光罩、剥离工艺，分别在ITO电流扩展层306上和裸露的N型层301上制作P电极307和N电极308。
上述发光二极管采用氧化铝（Al2O3）阻挡层包裹Ag金属反射层，可以克服Ag与P-GaN层直接接触附着性不好的问题，再加上氧化铝（Al2O3）阻挡层具有透明且不导电的特性，可以使得从发光层发出的光线避免被P电极307吸收，进而减少光损失，提高发光二极管的光取出效率。
Claims (10)
1.一种氮化镓基发光二极管，包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，由P型层、发光区、N型层组成；金属反射层，形成于外延层之上；电流阻挡层，形成于外延层之上，并完全包覆所述金属反射层；电流扩展层，形成于所述电流阻挡层之上，且至少部分区域与所述p型层接触；P电极，形成于所述电流扩展层之上；N电极，形成于N型层之上。
2.根据权利1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述金属反射层位于所述P电极正下方且所述金属反射层横向截面积大于或者等于所述P电极横向截面积且小于所述电流阻挡层横向截面积。
3.根据权利1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层完全包裹所述金属反射层。
4.根据权利1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层完全覆盖所述金属反射层。
5.根据权利1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电流阻挡层的材料选用二氧化硅、氮化硅或氧化铝中的一种或其组合。
6.根据权利1所述的一种氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述电流扩展层的材料选用镍/金合金、镍/氧化铟锡合金、氧化铟锡、氧化锌、In掺杂氧化锌、Al掺杂氧化锌、Ga掺杂氧化锌中的一种或其组合。
7.一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其步骤如下：
1）提供一衬底，在其上外延生长外延层，其至上而下包括p型层、发光区和n型层；
2）在所述外延层的部分区域上形成金属反射层和电流阻挡层光；
3）在所述外延层上形成电流阻挡层，其完全包覆所述金属反射层；
4）在所述电流阻挡层上形成电流扩展层，其至少部分区域与所述p型层接触；
5）分别在所述电流扩展层上和所述N型层上制作P电极和N电极。
8.根据权利7所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤3）所述金属反射层位于所述P电极正下方且所述金属反射层横向截面积大于或者等于所述P电极横向截面积但小于所述电流阻挡层横向截面积。
9.一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其步骤如下：
1）提供一衬底，在其上外延生长外延层，其至上而下包括p型层、发光区和n型层；
2）在所述外延层的形成电流阻挡层，其内部包裹一金属反射层；
3）在所述电流阻挡层上形成电流扩展层，其至少部分区域与所述p型层接触；
4）分别在所述电流扩展层上和所述N型层上制作P电极和N电极。
10.根据权利9所述的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤3）所述金属反射层位于所述P电极正下方且所述金属反射层横向截面积大于或者等于所述P电极横向截面积但小于所述电流阻挡层横向截面积。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210183838XA CN102683540A (zh) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210183838XA CN102683540A (zh) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102683540A true CN102683540A (zh) | 2012-09-19 |
Family
ID=46815176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210183838XA Pending CN102683540A (zh) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102683540A (zh) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903817A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-01-30 | 安徽三安光电有限公司 | 具有反射电极的发光装置 |
| CN103094449A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-08 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| CN104064633A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管的制造方法 |
| CN104134735A (zh) * | 2013-05-03 | 2014-11-05 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片结构 |
| CN104576841A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 璨圆光电股份有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| WO2015078916A1 (de) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlung emittierender halbleiterchip |
| CN106057998A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-10-26 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN106653986A (zh) * | 2016-12-18 | 2017-05-10 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种具有反射电流阻挡层的led芯片及其制作方法 |
| CN108963039A (zh) * | 2018-07-30 | 2018-12-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延结构及其制作方法 |
| CN109378372A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-02-22 | 圆融光电科技股份有限公司 | Led芯片结构及其制作方法 |
| CN110931619A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-03-27 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 倒装led芯片及其制造方法 |
| CN108063154B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-04-10 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 硅基彩色oled微显示器件及其制作方法 |
| CN111304614A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-19 | 宁波瑞凌新能源科技有限公司 | 反射膜、其制备方法及应用 |
| CN114530537A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-24 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种具有高反射电极结构的led芯片及制备方法 |
| CN114883459A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-08-09 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种具有高反射电流阻挡层的led芯片及其制备方法 |
| CN115172558A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-10-11 | 圆融光电科技股份有限公司 | 一种具有反射电极结构的led芯片及其制备方法 |
| CN117525233A (zh) * | 2024-01-05 | 2024-02-06 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种小尺寸红光led芯片及其制造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1960092A (zh) * | 2005-11-03 | 2007-05-09 | 三星电子株式会社 | 氮化物半导体激光器装置及其制造方法 |
| CN101064330A (zh) * | 2006-04-26 | 2007-10-31 | 日本冲信息株式会社 | 复合半导体装置、led打印头及图像形成设备 |
| JP2008300719A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Nichia Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| CN101859843A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 璨扬投资有限公司 | 氮化镓系发光二极管及其制造方法 |
| CN201773863U (zh) * | 2010-07-19 | 2011-03-23 | 亚威朗光电(中国)有限公司 | 横向结构led芯片 |
| CN102074629A (zh) * | 2010-12-16 | 2011-05-25 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有夹心式电流阻挡结构的发光二极管 |
-
2012
- 2012-06-06 CN CN201210183838XA patent/CN102683540A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1960092A (zh) * | 2005-11-03 | 2007-05-09 | 三星电子株式会社 | 氮化物半导体激光器装置及其制造方法 |
| CN101064330A (zh) * | 2006-04-26 | 2007-10-31 | 日本冲信息株式会社 | 复合半导体装置、led打印头及图像形成设备 |
| JP2008300719A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Nichia Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| CN101859843A (zh) * | 2009-04-07 | 2010-10-13 | 璨扬投资有限公司 | 氮化镓系发光二极管及其制造方法 |
| CN201773863U (zh) * | 2010-07-19 | 2011-03-23 | 亚威朗光电(中国)有限公司 | 横向结构led芯片 |
| CN102074629A (zh) * | 2010-12-16 | 2011-05-25 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有夹心式电流阻挡结构的发光二极管 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903817B (zh) * | 2012-10-31 | 2015-04-22 | 安徽三安光电有限公司 | 具有反射电极的发光装置 |
| CN102903817A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-01-30 | 安徽三安光电有限公司 | 具有反射电极的发光装置 |
| CN103094449B (zh) * | 2013-01-23 | 2015-09-09 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| CN103094449A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-08 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| CN104064633A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管的制造方法 |
| CN104134735A (zh) * | 2013-05-03 | 2014-11-05 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片结构 |
| CN104576841B (zh) * | 2013-10-22 | 2017-08-08 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| CN104576841A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 璨圆光电股份有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| WO2015078916A1 (de) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlung emittierender halbleiterchip |
| CN106057998A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-10-26 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN106653986A (zh) * | 2016-12-18 | 2017-05-10 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种具有反射电流阻挡层的led芯片及其制作方法 |
| CN108063154B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-04-10 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 硅基彩色oled微显示器件及其制作方法 |
| CN108963039A (zh) * | 2018-07-30 | 2018-12-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延结构及其制作方法 |
| CN109378372A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-02-22 | 圆融光电科技股份有限公司 | Led芯片结构及其制作方法 |
| CN110931619A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-03-27 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 倒装led芯片及其制造方法 |
| CN111304614A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-06-19 | 宁波瑞凌新能源科技有限公司 | 反射膜、其制备方法及应用 |
| CN114530537A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-24 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种具有高反射电极结构的led芯片及制备方法 |
| CN114883459A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-08-09 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种具有高反射电流阻挡层的led芯片及其制备方法 |
| CN115172558A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-10-11 | 圆融光电科技股份有限公司 | 一种具有反射电极结构的led芯片及其制备方法 |
| CN117525233A (zh) * | 2024-01-05 | 2024-02-06 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种小尺寸红光led芯片及其制造方法 |
| CN117525233B (zh) * | 2024-01-05 | 2024-04-12 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种小尺寸红光led芯片及其制造方法 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120919 |