CN102520252A - 一种测试模具及其制作方法及薄膜电阻基板单位阻值检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种测试模具及其制作方法,及利用所述测试模具实现薄膜电阻基板单位阻值的检测方法。薄膜电阻基板单位阻值的检测方法是通过测试模具和用万用表检测测量点实现的,所得到的单位阻值比现有的公式计算方法更加精准,可实现高精度的阻值控制,而且可快速、简单检测出薄膜电阻基板的实际单位阻值。
Description
技术领域
本发明涉及一种测试模具及其制作方法,及利用所述测试模具实现薄膜电阻基板单位阻值的检测方法。
背景技术
薄膜电阻器是用类电镀的方法将具有一定电阻率的金属合金材料溅射于绝缘材料表面制成,在微电子产品例如集成电路微电子产品或者混合电路微电子产品的制造技术中,通常使用薄膜电阻器作为被动电子电路元件。而薄膜电阻基板是由带薄膜电阻层的铜箔及基材介质组成的,需要经过涂覆介质胶、高温高压条件的压合等复杂的制造过程;但是现有的技术只能得出薄膜电阻基板制作之前的阻值,无法检测出制作成基板后的实际单位阻值。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种测试模具及其制作方法,及利用所述测试模具实现薄膜电阻基板单位阻值的检测方法。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种测试模具,其中,测试模具由多个纵横排列的测量点组成。所述的测量点的长度L与宽度W相等。测试模具由多个纵横排列的测量点组成;测试模具长度为24英寸,宽度为12英寸;测量点的长度L与宽度W相等。
一种测试模具的制作方法,其中,包括以下步骤:
步骤一:通过软件设计测试电阻图形,然后通过光绘的方式制作出图形转移时使用的菲林,最后通过图形转移工艺将测试图形转移到一块薄膜电阻基板上,在薄膜电阻基板上形成了测试电阻图形;
步骤二:从薄膜电阻基板上裁剪出所需要的尺寸、再经过内层图形转移、酸性蚀刻、蚀刻多余电阻薄膜;制作出半成品的测试模具。
步骤三:半成品的测试模具再经过内层图形转移、碱性蚀刻工序,在薄膜电阻基板上制作出最终的测试模具。
首先是通过软件(印制线路板常用软件,如cam350、Ucam等)设计好测试电阻图形,然后通过光绘的方式制作出图形转移时使用的菲林,最后通过常规的图形转移工艺将测试图形转移到一块薄膜电阻基板上(在同批次的薄膜电阻基板中取一块即可),此时在薄膜电阻基板上形成了测试电阻图形。
一种测试模具的薄膜电阻基板单位阻值的检测方法,包括以下步骤:使用万用表,通过探针检测测量点上的电阻阻值,得出薄膜电阻基板单位阻值。
由于测试模具实际就是从薄膜电阻基板大料上裁剪下来的,因此测试模具上的单位阻值实际就是薄膜电阻基板的单位阻值。
薄膜电阻基板是含有薄膜电阻层的基板,用于生产带电阻的印制线路板。薄膜电阻基板的生产方式是将含有电阻薄膜的铜箔与基板压合在一起,制作成薄膜电阻基板。
薄膜电阻基板的单位阻值指在均匀的薄膜电阻层中,不同面积的电阻,当其长度L与宽度W比值相同的,其阻值相等;当此比值为1时(即长度L=宽度W),阻值为该种材料的薄膜电阻基板的单位阻值。
单位电阻的理论计算公式:R = ρ*L / d*W
ρ=电阻率;d=电阻材料厚度;L=电阻长度;W=电阻宽度;当组成电阻的材料及厚度固定时,电阻阻值只由L、W决定;当L=W时,即是单位电阻的含义。
首先要准备薄膜电阻基板,区分带电阻薄膜层的铜箔面;薄膜电阻铜箔是通过溅射技术控制电镀到铜箔毛面的金属合金层。
在薄膜电阻基板上粘贴干膜时,温度为105-115℃;压力为4.5-5.5Kg/cm2;速度为0.9-1.1m/min。曝光条件:控制光密度尺为6-7级。显影条件:Na2CO3 0.9-1.2%;PH值>10.5;温度28-32℃;压力1.3-1.6Kg/cm2;显影速度2.5-3.0 m/min。
酸性蚀刻时,Cu2+浓度为140-175g/L;HCL为 1.5-2.5mol/L;NaClO315-60 mol/L;温度为 42-58℃。
蚀刻多余电阻膜时,CuSO4 浓度为245-255g/L;H2SO43-5 ml/L;温度85-95℃。
第二次图形转移的粘贴干膜,曝光、显影条件与第一次图形转移相同。
碱性蚀刻时,Cu2+浓度为120-140g/L;CL- 4.5-5.5mol/L;NaClO3 15-60 mol/L;温度 42-58℃。
使用万用表测量制作好的测试模具:将万用表的档位调整为测量电阻的欧姆档,使用万用表的两根探针分别点击测量点图形,即可从万用表读数读取电阻阻值,该阻值为薄膜电阻基板的单位阻值。
与现有技术相比,有益效果是:本发明的一种测试模具及其制作方法,及利用所述测试模具的薄膜电阻基板单位阻值的检测方法。所得到的单位阻值比现有的公式计算方法更加精准,可实现高精度的阻值控制,而且可快速、简单检测出薄膜电阻基板的实际单位阻值。
附图说明
图1是本发明的测试模具示意图;
图2是本发明的测量点示意图。
具体实施方式
如图1、图2所示,一种测试模具,其中,测试模具由多个纵横排列的测量点2组成。测量点2的长度L与宽度W相等。测试模具长度为24英寸,宽度为12英寸;测量点2的长度L与宽度W相等。通过测试模具和用万用表检测测量点2实现检测,所得到的单位阻值比现有的公式计算方法更加精准而且快速。
一种测试模具的制作方法,其中,包括以下步骤:
步骤一:通过软件设计测试电阻图形,然后通过光绘的方式制作出图形转移时使用的菲林,最后通过图形转移工艺将测试图形转移到一块薄膜电阻基板上,在薄膜电阻基板上形成了测试电阻图形;
步骤二:从薄膜电阻基板上裁剪出所需要的尺寸、再经过内层图形转移、酸性蚀刻、蚀刻多余电阻薄膜;制作出半成品的测试模具。
步骤三:半成品的测试模具再经过内层图形转移、碱性蚀刻工序,在薄膜电阻基板上制作出最终的测试模具。
一种测试模具的薄膜电阻基板单位阻值的检测方法,其中,包括以下步骤:使用万用表,通过探针检测测量点2上的电阻阻值,得出薄膜电阻基板单位阻值。由于测试模具实际就是从薄膜电阻基板大料上裁剪下来的,因此测试模具上的单位阻值实际就是薄膜电阻基板的单位阻值。测试模具经过酸性蚀刻及蚀刻多余电阻膜、第二次图形转移及碱性蚀刻后裸露出测试电阻薄膜层,使用万用表,通过探针检测测试模具中的测量点2的电阻阻值,能得出薄膜电阻基板单位阻值。
薄膜电阻基板是含有薄膜电阻层的基板,用于生产带电阻的印制线路板。薄膜电阻基板的生产方式是将含有电阻薄膜的铜箔与基板压合在一起,制作成薄膜电阻基板。薄膜电阻基板通常有三层结构,位于底层的基板,基板上覆盖薄膜电阻层,薄膜电阻层是通过溅射技术电镀在铜箔的毛面的,顶层为铜箔层。
薄膜电阻基板的单位阻值指在均匀的薄膜电阻层中,不同面积的电阻,当其长度L与宽度W比值相同的,其阻值相等;当此比值为1时(即长度L=宽度W),阻值为该种材料的薄膜电阻基板的单位阻值。
单位电阻的理论计算公式:R = ρ*L / d*W
ρ=电阻率;d=电阻材料厚度;L=电阻长度;W=电阻宽度;当组成电阻的材料及厚度固定时,电阻阻值只由L、W决定;当L=W时,即是单位电阻的含义。
具体的制作过程如下:
首先要准备薄膜电阻基板,区分带电阻薄膜层的铜箔面;薄膜电阻铜箔是通过溅射技术控制电镀到铜箔毛面的金属合金层。
在薄膜电阻基板上粘贴干膜时,温度为105-115℃;压力为4.5-5.5Kg/cm2;速度为0.9-1.1m/min。曝光条件:控制光密度尺为6-7级。显影条件:Na2CO3 0.9-1.2%;PH值>10.5;温度28-32℃;压力1.3-1.6Kg/cm2;显影速度2.5-3.0 m/min。
酸性蚀刻时,Cu2+浓度为140-175g/L;HCL为 1.5-2.5mol/L;NaClO315-60 mol/L;温度为 42-58℃。
蚀刻电阻膜时,CuSO4 浓度为245-255g/L;H2SO43-5 ml/L;温度85-95℃。
第二次图形转移的粘贴干膜,曝光、显影条件与第一次图形转移相同。
碱性蚀刻时,Cu2+浓度为120-140g/L;CL- 4.5-5.5mol/L;NaClO3 15-60 mol/L;温度 42-58℃。
使用万用表测量制作好的测试模具:将万用表的档位调整为测量电阻的欧姆档,使用万用表的两根探针分别点击测量点2图形,即可从万用表读数读取电阻阻值,该阻值为薄膜电阻基板的单位阻值。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,对发明的技术方案可以做若干适合实际情况的改进。因此,本发明的保护范围不限于此,本领域中的技术人员任何基于本发明技术方案上非实质性变更均包括在本发明保护范围之内。
Claims (4)
1.一种测试模具,其特征在于:测试模具由多个纵横排列的测量点(2)组成。
2.根据权利要求1所述的一种测试模具,其特征在于:所述的测量点(2)的长度L与宽度W相等。
3.一种测试模具的制作方法,包括权利要求1或2所述的测量点(2),其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:通过软件设计测试电阻图形,然后通过光绘的方式制作出图形转移时使用的菲林,最后通过图形转移工艺将测试图形转移到一块薄膜电阻基板上,在薄膜电阻基板上形成了测试电阻图形;
步骤二:从薄膜电阻基板上裁剪出所需要的尺寸、再经过内层图形转移、酸性蚀刻、蚀刻多余电阻薄膜;制作出半成品的测试模具;
步骤三:半成品的测试模具再经过内层图形转移、碱性蚀刻工序,在薄膜电阻基板上制作出最终的测试模具。
4.一种利用权利要求1所述测试模具的薄膜电阻基板单位阻值的检测方法,其特征在于包括以下步骤:使用万用表,通过探针检测测量点(2)上的电阻阻值,得出薄膜电阻基板单位阻值。
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2011
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