具体实施方式
请参阅图1(示意图,具体参数表1-3),本发明第一实施方式的成像镜头100从物侧到像侧依次包括一个光圈10、一个具有正光焦度的第一镜片20、一个具有负光焦度的第二镜片30、一个具有正光焦度的第三镜片40及一个具有负光焦度的第四镜片50。
成像镜头100成像时,光线自物侧入射成像镜头100,依次经光圈10、第一镜片20、第二镜片30、第三镜片40及第四镜片50后汇聚(成像)于成像面60。如此,将一个影像感测器(图未示)设置于成像面60便可与成像镜头100组成一个完整成像系统。当然,实际使用时影像感测器前一般设置有红外滤光片70。
为在得到较大的光圈及视场角的同时具有较高的分辨率,成像镜头100需满足条件式:
G2R2<G2R1<0;及
0<D1/D2<9.95。
其中,G2R1为第二镜片30的物侧表面S3的曲率半径,G2R2为第二镜片30的像侧表面S4的曲率半径,D1为光圈10的直径,D2为光圈10的中心到第一镜片20的物侧表面S1的中心的距离。
条件式G2R2<G2R1<0可使成像镜头100具有较大光圈及视场角,条件式0<D1/D2<9.95用于保证成像镜头100具有较高的分辨率,从而使得成像镜头100具有具有较大光圈及视场角的同时具有较高的分辨率。
为进一步提高分辨率,成像镜头100还需满足条件式:
G2R2/G3R1>1.26;
G3R2/G2R1>1.05;
0.42<G2R1/F2<0.45;
1.52<G2R2/F2<1.73;
G4R1>G4R2>0;及
0.53<G4R1/F<0.56。
其中,G3R1为第三镜片40的物侧表面S5的曲率半径,G3R2为第三镜片40的像侧表面S6的曲率半径,G4R1为第四镜片50的物侧表面S7的曲率半径,G4R2为第四镜片50的像侧表面S8的曲率半径,F2为第二镜片30的焦距,F为成像镜头100的焦距。
为了能更好的消除色差,成像镜头100还可满足以下条件式:
Vd1>53;及
Vd2<33。其中,Vd1为第一镜片20的阿贝数(Abbenumber),Vd2为第二镜片30的阿贝数。
具体地,第一镜片20的物侧表面S1向物侧凸出,第一镜片20的像侧表面S2向像侧凸出。第二镜片30的物侧表面S3向像侧凹陷,第二镜片30的像侧表面S4向像侧凸出。第三镜片40的物侧表面S5向像侧凹陷,第三镜片40的像侧表面S6朝向像侧凸出。第四镜片50的物侧表面S7向物侧凸出,第四镜片50的像侧表面S8向物侧凹陷。第一镜片20、第二镜片30、第三镜片40及第四镜片50均采用非球面镜片,即物侧表面及像侧表面S1~S8均为非球面。
以镜片表面中心为原点,光轴为x轴,镜片表面的非球面面型表达式为:
其中,c为镜面表面中心的曲率,k是二次曲面系数,为从光轴到镜片表面的高度,∑Aihi表示对Aihi累加,i为自然数,Ai为第i阶的非球面面型系数。
另外,约定F/No为成像镜头100的光圈数,2ω为成像镜头100的视场角,R为对应镜片(或光路上的其他光学元件,下同)的表面的曲率半径,D为对应镜片的表面到后一个表面的轴上距离(即两个表面截得的光轴的长度),Nd为对应镜片对d光(波长为587.6纳米)的折射率,Vd为d光在对应镜片的阿贝数。
光圈10为等效光圈,其厚度可以忽略不计,因此可采用一个表面表示。红外滤光片70的物侧表面为S9,像侧表面为S10。
第一实施方式的成像镜头100满足表1-3所列的条件。
表1
表面 |
R(mm) |
D(mm) |
Nd |
Vd |
k |
光圈10 |
无穷大 |
0.13 |
- |
- |
- |
S1 |
2.20 |
1.02 |
1.54 |
56.1 |
-10.6809 |
S2 |
-1.02 |
0.16 |
- |
- |
0 |
S3 |
-0.67 |
0.30 |
1.63 |
23.4 |
-0.5019 |
S4 |
-2.39 |
0.05 |
|
- |
3.6355 |
S5 |
-1.89 |
0.65 |
1.53 |
56.0 |
0 |
S6 |
-0.77 |
0.05 |
- |
- |
-0.8953 |
S7 |
1.13 |
0.48 |
1.53 |
56.0 |
-5.4234 |
S8 |
0.67 |
0.42 |
- |
- |
-3.2770 |
S9 |
无穷大 |
0.21 |
1.52 |
58.6 |
- |
S10 |
无穷大 |
0.36 |
- |
- |
- |
成像面60 |
- |
- |
- |
- |
- |
表2
表面 |
非球面参数 |
S1 |
A4=0.0634,A6=-0.0236,A8=-0.4712,A10=0.6335 |
S2 |
A4=0.0339,A6=0.4368,A8=-0.7526,A10=0.5575 |
S3 |
A4=0.0711,A6=1.1464,A8=-1.5466,A10=1.1668 |
S4 |
A4=-0.1297,A6=0.3096,A8=-0.2111,A10=0.0816, |
|
A12=-0.00045 |
S5 |
A4=0.0806,A6=-0.0413,A8=0.0898,A10=-0.0452 |
S6 |
A4=0.2024,A6=0.0368,A8=-0.0363,A10=0.0153 |
S7 |
A4=-0.0529,A6=-0.0591,A8=0.0553,A10=-0.0280 |
S8 |
A4=-0.1549,A6=0.1043,A8=-0.0478,A10=0.0068 |
表3
F(mm) |
F/No |
2ω |
2.10 |
2.05 |
74.85° |
第一实施方式的成像镜头100的球差特性曲线、场曲特性曲线、畸变及MTF的特性曲线分别如图2-5所示。图2中,曲线g,F,e,d及C分别为g光(波长为435.8纳米,下同)、F光(波长为486.1纳米,下同)、e光(波长为546.1纳米,下同)、d光及C光(波长为656.3纳米,下同)经成像镜头100产生的球差特性曲线(下同)。可见,第一实施方式的成像镜头100对可见光(400-700纳米)产生的球差被控制在-0.025mm~0.025mm间。图3中,曲线t及s为子午场曲(tangentialfieldcurvature)特性曲线及弧矢场曲(sagittalfieldcurvature)特性曲线(下同)。可见,子午场曲值及弧矢场曲值被控制在-0.1mm~0.1mm间。图4中,曲线为畸变特性曲线(下同)。可见,畸变量被控制在-2%~2%间。图5中,本实施方式的成像镜头100的全频为228lp/mm,中心视场的MTF>50%(如曲线mc所示),0.8视场的角落的MTF>35%(如曲线mp所示)。综前,可得到高成像质量的成像镜头100(2ω>74.85°)。
第二实施方式
请参阅图6(示意图,具体参数表4-6),第二实施方式的的成像镜头100与第一实施方式基本相同,但满足表4-6的条件。
表4
表面 |
R(mm) |
D(mm) |
Nd |
Vd |
k |
光圈10 |
无穷大 |
0.10 |
- |
- |
- |
S1 |
2.16 |
0.94 |
1.54 |
56.1 |
-4.9528 |
S2 |
-1.09 |
0.16 |
- |
- |
0 |
S3 |
-0.73 |
0.30 |
1.63 |
23.4 |
-0.4449 |
S4 |
-2.81 |
0.05 |
- |
- |
5.6025 |
S5 |
-2.09 |
0.65 |
1.53 |
56.0 |
0 |
S6 |
-0.77 |
0.05 |
- |
- |
-0.8711 |
S7 |
1.16 |
0.47 |
1.53 |
56.0 |
-4.5543 |
S8 |
0.67 |
0.42 |
- |
- |
-3.1010 |
S9 |
无穷大 |
0.21 |
1.52 |
58.6 |
- |
S10 |
无穷大 |
0.37 |
- |
- |
- |
成像面60 |
- |
- |
- |
- |
- |
表5
表面 |
非球面参数 |
S1 |
A4=0.0337,A6=-0.3378,A8=0.8674,A10=-1.1926 |
S2 |
A4=-0.0133,A6=0.2631,A8=-0.2321,A10=0.0166 |
S3 |
A4=0.0234,A6=1.0304,A8=-1.2914,A10=0.8898 |
S4 |
A4=-0.1240,A6=0.3135,A8=-0.2691,A10=0.1051 |
S5 |
A4=0.0308,A6=-0.1017,A8=0.2053,A10=-0.0960 |
S6 |
A4=0.2000,A6=-0.0737,A8=0.0745,A10=-0.0043 |
S7 |
A4=-0.1278,A6=-0.0222,A8=0.0558,A10=-0.0368 |
S8 |
A4=-0.1884,A6=0.1247,A8=-0.0558,A10=0.0081 |
表6
F(mm) |
F/No |
2ω |
2.10 |
2.04 |
75.01° |
第二实施方式的成像镜头100的球差特性曲线、场曲特性曲线、畸变及MTF的特性曲线分别如图7-10所示。图7中,可见光产生的球差被控制在-0.025mm~0.025mm间。图8中,子午场曲值及弧矢场曲值被控制在-0.1mm~0.1mm间。图9中,畸变量被控制在-2%~2%间。图10中,全频为2281p/mm,中心视场的MTF>50%,0.8视场的角落的MTF>35%。综前,可得到高成像质量的成像镜头100(2ω>75.01°)。
应该指出,上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式,本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化。这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。