CN102414349B - 制造单晶的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度；在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触；将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)上；在所述晶种(11)上生长单晶(52)；其中在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)。

Description

制造单晶的方法

技术领域

本发明涉及制造单晶的方法，特别地，涉及使用固定在支持台上的晶种制造单晶的方法。

背景技术

近年来，已经采用碳化硅单晶衬底作为用于制造半导体装置中的半导体衬底。碳化硅的带隙比在半导体领域中更经常使用的硅的带隙大。因此，使用碳化硅的半导体器件有利地具有大的反向击穿电压、低的导通电阻，并具有在高温环境中不易下降的性能。

使用升华-重结晶法来制造碳化硅单晶。具体地，在固定在支持台上的晶种表面上生长碳化硅单晶。如果晶种不均匀地固定在支持台上，则在晶种上生长的单晶的品质可能下降。因此，作为将晶种安装到支持台上的方法，例如已经提出了如下两种方法。

首先，根据日本特开2001-139394号公报(专利文献1)，当生长单晶时，在晶种与晶种支持台之间的界面中形成具有石墨微粒和不可石墨化的炭的碳复合结构。该公布描述了，因为使用均匀分散在附着面中的耐热微粒作为核而由此在全部附着面上均匀地形成碳且所述碳覆盖晶种的附着面，所以在单晶的生长期间可防止在待附着至支持台的晶种的附着面中发生重结晶，还可在生长的早期阶段防止可能在晶种的中心部分处发生的腐蚀。

第二，根据日本特开2003-226600号公报(专利文献2)，将具有在其背表面上形成的厚度为0.5～5μm的保护膜的碳化硅晶种机械安装在石墨坩埚盖上。该公布描述了，由于所述保护膜能够防止Si原子从晶种背表面的升华，所以抑制了在晶体中产生空隙。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本特开2001-139394号公报

专利文献2：日本特开2003-226600号公报

发明内容

技术问题

在日本特开2001-139394号公报(专利文献1)的技术中，存在如下可能性，根据用于晶种的材料，晶种与支持台之间的固定强度可能不足。特别地，如果将晶种与支持台之间的温度设定为如同在例如生长碳化硅单晶的情况中的高温，则上述固定强度易于下降。因此，存在如下可能性，晶种的一部分或全部可能与支持台分离。因此，存在得到的单晶的品质可能下降的可能性。

至于日本特开2003-226600号公报(专利文献2)的技术，作为检验的结果，本发明人发现，晶种背表面的保护不足。例如，如果使用碳化硅晶种，则防止晶种背表面的升华的效果不足，结果，存在得到的单晶的品质可能下降的可能性。

鉴于上述问题而完成了本发明，本发明的一个目的是提供一种能够使用固定在支持台上的晶种生长高品质单晶的单晶制造方法。

解决问题的手段

根据本发明一个方面的制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种的步骤；提高所述晶种的所述背表面的表面粗糙度的步骤；在提高所述表面粗糙度之后在所述晶种的所述背表面上形成含碳的涂膜的步骤；在所述涂膜与支持台之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台相互接触的步骤；将所述胶粘剂固化以将所述晶种固定到所述支持台上的步骤；以及在所述晶种上生长所述单晶的步骤。在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜。

根据本发明另一方面的制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种的步骤，所述背表面为通过利用线锯进行切片而形成的切割表面；在所述晶种的所述背表面上形成含碳的涂膜的步骤；在所述涂膜与支持台之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台相互接触的步骤；将所述胶粘剂固化以将所述晶种固定到所述支持台上的步骤；以及在固定到所述支持台的所述晶种上生长所述单晶的步骤。在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜。

优选地，通过使用磨粒对所述背表面进行处理来实施所述提高所述背表面的表面粗糙度的步骤。更优选地，所述磨粒的粒度分布具有不小于16μm的组分。

优选地，所述涂膜为有机膜，且通过对所述有机膜进行碳化来形成所述碳膜。更优选地，所述有机膜由有机树脂形成。还优选地，所述有机树脂为光敏树脂。

优选地，使用旋涂来实施所述形成涂膜的步骤。另外，优选地，在所述涂膜与所述支持台之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台相互接触的步骤之前，对所述支持台进行研磨。

优选地，所述胶粘剂包含树脂、耐热微粒和溶剂，所述树脂经加热会变为不可石墨化的炭。更优选地，所述胶粘剂包含碳水化合物。

优选地，所述单晶为碳化硅单晶。另外，优选地，面对所述晶种的所述支持台的表面包含由碳制成的表面。

发明效果

根据本发明制造单晶的方法，当生长单晶时，在晶种的背表面上设置碳膜，且由于所述碳膜由碳制成，所以其可与固化的胶粘剂牢固并均匀地结合。此外，由于在作为具有提高的表面粗糙度的表面的晶种背表面上形成碳膜，所以粘附性高。即，将碳膜牢固地结合至胶粘剂和晶种的每一种。因此，利用在晶种与支持台之间的胶粘剂将晶种牢固并均匀地固定到所述支持台上，由此在晶种上生长的单晶具有提高的品质。

附图说明

图1是示意性显示根据本发明一个实施方案制造单晶的方法的第一步骤的横截面图。

图2是示意性显示根据本发明一个实施方案制造单晶的方法的第二步骤的横截面图。

图3是示意性显示根据本发明一个实施方案制造单晶的方法的第三步骤的横截面图。

图4是示意性显示根据本发明一个实施方案制造单晶的方法的第四步骤的横截面图。

图5是显示根据第一比较例制造单晶的方法的一个步骤的横截面图。

图6是显示根据第二比较例制造单晶的方法的一个步骤的横截面图。

具体实施方式

下文中，将参考附图对本发明的实施方案进行说明。

参考图1，准备晶种11。晶种11具有作为将在其上生长单晶的表面的前表面(图中的下表面)和作为待安装至支持台的表面的背表面(图中的上表面)。例如，晶种11由碳化硅(SiC)形成。晶种11具有例如不小于0.5mm且不大于10mm的厚度(在图中在垂直方向上的尺寸)。另外，晶种11的平面形状为例如圆形，且其直径优选不小于25mm，更优选不小于100mm。此外，晶种的平面取向相对于(0001)面的倾斜即偏离角优选不超过15°，更优选不超过5°。

接下来，进行处理以进一步提高晶种11背表面的表面粗糙度。可以通过使用具有足够大粒度的磨粒对背表面进行研磨来实施这种处理。优选地，所述磨粒的粒度分布具有不小于16μm的组分。所述磨粒的平均粒度优选不小于5μm且不大于50μm，更优选不小于10μm且不大于30μm，进一步优选12～25μm。

优选地，上述磨粒为金刚石粒子。另外，优选地，以分散在浆体中的状态使用上述磨粒。由此，优选使用金刚石浆体实施上述研磨。通常，易于获得含有如下金刚石粒子的金刚石浆体，所述金刚石粒子具有不小于5μm且不大于50μm的平均粒度且其粒度分布具有不小于16μm的组分。

应注意，作为如上所述为了进一步提高晶种11背表面的表面粗糙度而进行处理的替代，还可以形成最初具有足够大表面粗糙度的背表面并在不对其进行研磨的条件下使用所述背表面。具体地，可在不进行研磨的条件下使用通过利用线锯进行切片而形成的晶种11的背表面。即，可以将作为通过切片形成且其后不对其进行研磨的表面的切割表面用作背表面。优选地，将上述磨粒用于利用线锯进行的切片。

然后，在晶种11的背表面上形成含碳的涂膜21。优选地，涂膜21的表面粗糙度小于其上形成涂膜21的晶种11的背表面的表面粗糙度。

优选地，通过涂布液体材料来实施这种形成，更优选地，所述液体材料不含固体如微粒。由此，能够容易且均匀地形成薄涂膜21。

在本实施方案中，涂膜21为有机膜。优选地，所述有机膜由有机树脂形成。作为有机树脂，例如能够使用各种树脂如丙烯酸类树脂、酚醛树脂、脲树脂和环氧树脂，还能够使用由通过光的作用而交联或分解的光敏树脂构成的树脂。作为光敏树脂，能够使用用于制造半导体装置的正性或负性光致抗蚀剂。由于已经建立了通过旋涂来涂布这些材料的技术，所以能够容易地控制涂膜21的厚度。例如按如下所述来实施旋涂。

首先，将晶种11吸入到保持器上。通过以指定旋转速度旋转所述保持器，使得晶种11旋转。将光致抗蚀剂滴在旋转的晶种11上，其后，继续旋转并持续指定的时间周期以薄且均匀地涂布光致抗蚀剂。为了确保均匀覆盖晶种11的整个表面，例如，将旋转速度设定为1000～10000转/分钟，将时间周期设定为10～100秒，并将涂布厚度设定为不小于0.1μm。

然后，对涂布的光致抗蚀剂进行干燥并由此固化。根据用于光致抗蚀剂的材料及其涂布厚度，能够适当地选择干燥温度和干燥时间周期。优选地，干燥温度为不小于100℃且不大于400℃，且干燥时间周期为不小于5分钟且不大于60分钟。例如，当干燥温度为120℃时，挥发所需要的时间周期，例如对于5μm的厚度为15分钟，对于2μm的厚度为8分钟，且对于1μm的厚度为3分钟。

应注意，尽管如果将上述对光致抗蚀剂进行涂布和干燥的步骤实施一次也能够形成涂膜21，但是通过重复这种步骤可以形成更厚的涂膜21。由于将这种步骤重复太多次是不优选的，因为其花费的时间比这种步骤所需要的更多，所以通常优选将重复次数限制为约两次或三次。

参考图2，准备具有其上将安装晶种11的安装表面的支持台41。所述安装表面包含优选由碳制成的表面。例如，支持台41由石墨形成。优选地，对安装表面进行研磨以提高安装表面的平坦性。

然后，在涂膜21与支持台41之间具有胶粘剂31的情况下，使得所述涂膜21与支持台41相互接触。优选地，以在不低于50℃且不高于120℃的温度下且在不低于0.01Pa且不高于1MPa的压力下使两者相互压靠在一起的方式实施所述接触。此外，如果以不扩展出夹在晶种11与支持台41之间的区域的方式涂布胶粘剂31，则在后述的使用晶种11生长单晶的步骤中能够抑制胶粘剂31的不利效果。

优选地，胶粘剂31包含树脂、耐热微粒和溶剂，所述树脂经加热并由此碳化会变为不可石墨化的炭。更优选地，胶粘剂31还包含碳水化合物。

所述会变为不可石墨化的炭的树脂为例如酚醛清漆树脂、酚醛树脂或糠醇树脂。

所述耐热微粒具有将上述不可石墨化的炭均匀分布在通过将胶粘剂31加热至高温而形成的固定层中，并由此提高固定层的填充率的功能。作为耐热微粒用材料，能够使用耐热材料如包括石墨的碳(C)、碳化硅(SiC)、氮化硼(BN)和氮化铝(AlN)。另外，还能够将高熔点金属或者其化合物如碳化物或氮化物用作上述材料之外的材料。作为高熔点金属，能够使用例如钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)或铪(Hf)。所述耐热微粒具有例如0.1～10μm的粒度。

作为碳水化合物，能够使用糖类或其衍生物。所述糖类可以为单糖如葡萄糖或多糖如纤维素。

作为溶剂，适当选择能够溶解并分散上述树脂和碳水化合物的溶剂。此外，所述溶剂不限于由单种液体构成的溶剂，且可以为含有多种液体的混合液体。例如，可使用包含用于溶解碳水化合物的醇和用于溶解树脂的乙酸溶纤剂的溶剂。

适当选择胶粘剂31中树脂、碳水化合物、耐热微粒和溶剂之间的比率，以获得合适的晶种11的粘合和固定强度。另外，胶粘剂31的组分可包含除了上述组分之外的组分，且可包含例如添加剂如表面活性剂、稳定剂等。此外，胶粘剂31的涂布量优选为不小于10mg/cm²且不大于100mg/cm²。此外，胶粘剂31的厚度优选不大于100μm，更优选不大于50μm。

然后，优选地，对胶粘剂31进行预焙烧。优选地，在不低于150℃的温度下实施预焙烧。

此外，参考图3，对涂膜21和胶粘剂31(图2)进行加热。作为加热的结果，涂膜21发生碳化并变为碳膜22。即，在晶种11上形成碳膜22。此外，作为加热的结果，胶粘剂31在碳膜22与支持台41之间发生固化，并变为固定层32。由此，将晶种11固定到支持台41上。

优选地，在不低于0.13kPa且不高于大气压的压力下并在惰性气氛中，在不低于800℃且不高于1800℃温度下实施上述加热并持续不低于1小时且不超过10小时的时间周期。作为惰性气体，可使用例如氦、氩或氮气。

参考图4，将原料51放入坩埚42内部。如果所生长的单晶由SiC形成，则例如将SiC粉末放入石墨坩埚中。然后，以使得晶种11面对坩埚42内部的方式安装支持台41。应注意，支持台41可用作坩埚42用盖子，如图4中所示。

随后，在晶种11上生长单晶52。在使用SiC晶种11制造SiC单晶52的情况中，可以将升华-重结晶法用作其形成方法。具体地，可以通过按图中箭头所示对原料51进行升华来生长单晶52，并将升华物沉积在晶种11上。将升华-重结晶法中的温度设定为例如不低于2100℃且不高于2500℃。此外，优选将升华-重结晶法中的压力设定为例如不低于1.3kPa且不高于大气压，且为了提高生长速率，更优选设定为不高于13kPa。

应注意，当实施这种生长时，涂膜21(图2)已经变为碳膜22(图3)，如已经使用图2和3所描述的。

参考图5，在第一比较例中，在晶种11与支持台41之间不具有碳膜22(图3)的情况下，使用固定层32将晶种11结合到支持台41上。在本比较例中，根据用于晶种11的材料，晶种11与支持台41之间的固定强度可能不足。特别地，如果将晶种11与支持台41之间的温度设定为如同例如在通过升华-重结晶法生长SiC单晶的情况中的高温，则上述固定强度可能下降。例如，在通常用于生长SiC的约2000℃的温度下，利用通过对碳类胶粘剂进行固化而形成的固定层所获得的粘合强度可能下降。结果，晶种11的一部分或全部可能与支持台分离，由此可能降低得到的单晶的品质。此外，在这种情况下，尽管晶种11通常由SiC形成且支持台41通常由石墨形成，但是由于两者的材料性质而导致使用固定层32难以牢固地对所述两者进行固定。例如，尽管通过对碳类胶粘剂进行固化而形成的固定层能够以高强度结合碳材料(石墨)，但是所述固定层不能以相当的强度结合碳材料和SiC。

相反，根据本实施方案，在晶种11上设置碳膜22，且固定层32将碳膜22固定到支持台41上。即，将固定层32接合到碳膜22上而不是晶种11上。由此，不是直接根据晶种11用材料来实施结合，并由此能够更牢固地固定晶种11和支持台41。特别地，当支持台41由碳如石墨形成时，使用碳类胶粘剂能够将碳膜22牢固地结合到支持台41上，因为它们两者均由碳形成。

此外，在晶种11的背表面上形成涂膜21之前，提高晶种11背表面的表面粗糙度。这能够提高通过对涂膜21进行碳化而形成的碳膜22与晶种11的背表面之间的粘附性。

另外，优选地，涂膜21的表面粗糙度小于其上形成涂膜21的晶种11背表面的表面粗糙度。由于这能够在待结合至支持台41的表面中减少凹凸不平，所以这能够防止其中对支持台的结合局部不充分的部分的产生。

参考图6，在第二比较例中，使用机械固定设备33将具有厚度为0.5～5μm的碳膜22的晶种11固定到支持台41上。在本比较例中，由于晶种11用材料与支持台41用材料之间的热膨胀系数之差而可能在晶种11与支持台41之间、具体地在碳膜22与支持台41之间的界面中产生间隙。如果根据间隙的分布而在晶种11的生长表面内发生温度分布，则不能得到均匀的单晶。另外，如果由于升华等将材料从晶种11转移入间隙中，则在晶种11的生长表面内发生组成分布，结果，可能发生不能得到均匀单晶的情况。特别地，如果晶种11由SiC形成，则Si可能转移入间隙中，且利用厚度为约0.5～5μm的碳膜22不能完全抑制所述转移。因此，晶种11具有Si缺乏的区域，且在位于该区域上的晶种11上形成的单晶部分中可能发生微管缺陷。

相反，根据本实施方案，不是利用机械夹具而是利用碳膜22与固定层32之间的牢固且均匀的接合来固定晶种11。因此，由于如上所述的间隙不易产生，所以抑制了组成分布和温度分布在晶种11中的发生，由此能够更均匀地制造单晶52。应注意，通过对支持台41的安装表面进行研磨能够进一步抑制所述温度分布。

尽管作为晶种11，上面已经对由SiC形成的晶体进行了描述，但是还可使用由另一种材料形成的晶体。作为为此的材料，能够使用例如GaN、ZnSe、ZnS、CdS、CdTe、AlN或BN。

此外，尽管在本实施方案中在胶粘剂31发生固化时对涂膜21进行碳化，但是可以在形成胶粘剂31之前对涂膜21进行碳化。

另外，可将单晶52用于制造衬底如SiC衬底。例如，通过对单晶52进行切片而得到这种衬底。

实施例

实施例1

参考图1，准备具有约3mm厚度、60mm直径、4H多型和(000-1)面取向的SiC衬底以作为晶种11。使用具有约15μm粒度的金刚石浆体对晶种11的背表面进行机械研磨。

然后，以使得晶种11的背表面露出的方式将晶种11安装在保持器上。然后，在通过以1450转/分钟旋转保持器来使得晶种11旋转的同时，使用滴管在背表面上滴加约20mmg含有乳酸乙酯和乙酸丁酯的抗蚀剂液体，其后，继续旋转20秒。由此，以约1μm的厚度涂布抗蚀剂液体。随后，在350℃下干燥20分钟，由此形成涂膜21。

参考图2，准备具有其上将安装晶种11的安装表面的石墨支持台41。然后，使用金刚石浆体对安装表面进行研磨。

然后，准备包含酚醛树脂、苯酚、乙醇、甲醛、水和固体碳组分的胶粘剂31。在涂膜21与支持台41之间具有胶粘剂31的情况下，使得所述涂膜21与支持台41相互接触。以约25mg/cm²的量涂布胶粘剂31，使得厚度为约40μm。在100℃温度和0.1MPa压力的条件下实施所述接触。

随后，对胶粘剂31进行预焙烧。具体地，依次在80℃下热处理4小时，在120℃下热处理4小时，以及在200℃下热处理1小时。

然后，对涂膜21和胶粘剂31进行加热。在80kPa下的氦气氛中在1150℃下实施这种加热并持续1小时。通过这种加热对涂膜21和胶粘剂31进行碳化，由此形成两者都由碳制成的碳膜22和固定层32(图3)。

参考图4，将作为原料51的SiC粉末放入石墨坩埚42内。然后，以使得晶种11面对坩埚42的内部且支持台41充当坩埚42用盖子的方式安装支持台41。

随后，通过升华-重结晶法在晶种11上生长SiC单晶52。在2400℃的温度和1.7kPa的压力下生长SiC单晶52并持续300小时。

然后，对得到的SiC单晶52进行切片以得到SiC衬底。作为对SiC衬底的表面进行评价的结果，其具有0/cm²的空隙密度和1/cm²的微管密度。

实施例2

尽管在上述实施例中使用具有15μm粒度的金刚石浆体对晶种的背表面进行研磨，但是在本实施例中使用其中粒度分布具有不小于16μm的粒度的组分的金刚石浆体。根据本实施例，进一步提高了晶种11的背表面与碳膜22之间的粘附性。

比较例

在第一比较例的情况中(图5)，在升高温度以实施升华-重结晶法的同时或者在生长单晶的同时，晶种11以三分之一的概率从支持台41上落下。当对在未发生落下的情况中得到的SiC衬底的表面进行评价时，其具有10/cm²的空隙密度和50/cm²的微管密度。

在第二比较例的情况中(图6)，当对得到的SiC衬底的表面进行评价时，其具有120/cm²的空隙密度和300/cm²的微管密度。

应理解，本文中公开的实施方案和实施例在各个方面都是例示性的和非限制性的。本发明的范围由权利要求书的范围限定而不是由上述说明限定，且本发明的范围旨在包含在与权利要求书的范围等价的范围和含义内的所有变化。

附图标记

11：晶种；21：涂膜：22：碳膜；31：胶粘剂；32：固定层；33：固定设备；41：支持台；42：坩埚；51：原料；52：单晶。

Claims (22)

1.一种制造单晶的方法，所述方法包括：

准备具有前表面和背表面的晶种(11)的步骤；

提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度的步骤；

在所述提高所述背表面的表面粗糙度的步骤之后在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜的步骤；

在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触的步骤；

将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)的步骤；以及

在固定到所述支持台(41)的所述晶种(11)上生长所述单晶的步骤，

其中在所述生长步骤之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)，

所述涂膜的表面粗糙度小于其上形成所述涂膜的所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度。

2.如权利要求1所述的制造单晶的方法，其中通过使用磨粒对所述背表面进行处理来实施所述提高所述背表面的表面粗糙度的步骤。

3.如权利要求2所述的制造单晶的方法，其中所述磨粒的粒度分布具有不小于16μm的组分。

4.如权利要求1所述的制造单晶的方法，其中所述涂膜为有机膜，且通过对所述有机膜进行碳化来形成所述碳膜(22)。

5.如权利要求4所述的制造单晶的方法，其中所述有机膜由有机树脂形成。

6.如权利要求5所述的制造单晶的方法，其中所述有机树脂为光敏树脂。

7.如权利要求1所述的制造单晶的方法，其中使用旋涂来实施所述形成涂膜的步骤。

8.如权利要求1所述的制造单晶的方法，在所述使所述涂膜与支持台相互接触的步骤之前还包括对所述支持台(41)进行研磨的步骤。

9.如权利要求1所述的制造单晶的方法，其中所述胶粘剂包含树脂、耐热微粒和溶剂，所述树脂经加热会变为不可石墨化的炭。

10.如权利要求9所述的制造单晶的方法，其中所述胶粘剂包含碳水化合物。

11.如权利要求1所述的制造单晶的方法，其中所述晶种(11)由碳化硅形成。

12.如权利要求1所述的制造单晶的方法，其中面对所述晶种(11)的所述支持台(41)的表面包含由碳制成的表面。

13.一种制造单晶的方法，包括：

准备具有前表面和背表面的晶种(11)的步骤，所述背表面为通过利用线锯进行切片而形成的切割表面；

在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜的步骤；

在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触的步骤；

将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)的步骤；以及

在固定到所述支持台(41)的所述晶种(11)上生长所述单晶的步骤，

其中在所述生长步骤之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)，

所述涂膜的表面粗糙度小于其上形成所述涂膜的所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度。

14.如权利要求13所述的制造单晶的方法，其中所述涂膜为有机膜，且通过对所述有机膜进行碳化来形成所述碳膜(22)。

15.如权利要求14所述的制造单晶的方法，其中所述有机膜由有机树脂形成。

16.如权利要求15所述的制造单晶的方法，其中所述有机树脂为光敏树脂。

17.如权利要求13所述的制造单晶的方法，其中使用旋涂来实施所述形成涂膜的步骤。

18.如权利要求13所述的制造单晶的方法，在所述使所述涂膜与支持台相互接触的步骤之前还包括对所述支持台(41)进行研磨的步骤。

19.如权利要求13所述的制造单晶的方法，其中所述胶粘剂包含树脂、耐热微粒和溶剂，所述树脂经加热会变为不可石墨化的炭。

20.如权利要求19所述的制造单晶的方法，其中所述胶粘剂包含碳水化合物。

21.如权利要求13所述的制造单晶的方法，其中所述晶种(11)由碳化硅形成。

22.如权利要求13所述的制造单晶的方法，其中面对所述晶种(11)的所述支持台(41)的表面包含由碳制成的表面。