CN102330142B - 一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 - Google Patents
一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102330142B CN102330142B CN 201110261035 CN201110261035A CN102330142B CN 102330142 B CN102330142 B CN 102330142B CN 201110261035 CN201110261035 CN 201110261035 CN 201110261035 A CN201110261035 A CN 201110261035A CN 102330142 B CN102330142 B CN 102330142B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- silicon
- silicon wafer
- preparation
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 71
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 53
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 16
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 claims description 8
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，涉及在太阳能电池结构中的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。具体涉及硅表面减反射陷光结构制备工艺的单步溶液法制备技术。
背景技术
降低成本和提高转换效率是太阳电池研究的重点方向。硅太阳能电池由于原料来源广泛，成本较低，占据着太阳能电池市场的主导地位。减少电池受光面上入射阳光的反射是提高太阳能电池的光电转换效率的手段之一。通过贵金属辅助刻蚀的方法在硅表面制备减反射结构能够有效减少入射光的反射损失。通常情况下贵金属辅助刻蚀一般分为两步，首先利用电镀、化学镀、蒸镀或自组装等手段在硅片表面沉积一层纳米级或亚微米级厚度的均匀分布、非连续的贵金属粒子层，接着在含HF的溶液中刻蚀硅。这种技术虽然可重复性好，但由于贵金属粒子层的沉积较为复杂，实际应用中还存在一些问题，因此，开发更为简单、高效的贵金属纳米粒子催化刻蚀硅制备表面减反射陷光结构的技术具有现实的应用价值。
发明内容
本发明的目的是提出一种硅表面减反射结构的简易制备方法，利用贵金属纳米粒子催化刻蚀的特性，采用单步溶液法(不需要提前在硅表面沉积贵金属纳米粒子)实现了硅表面纳米多孔减反射结构的制备。
一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法，该方法包括如下步骤：
a.清洗硅片：
b.单步溶液法刻蚀：将清洗后的硅片直接浸入酸性刻蚀液中，刻蚀出硅表面纳米多孔减反射结构，所述酸性刻蚀液为AgNO3、HF、H2O2和水组成的混合溶液，其中AgNO3的浓度为10-4～5×10-4mol/L，HF的浓度为1～2mol/L，H2O2的浓度为2.5～3mol/L，以保证腐蚀均匀性及减反射结构的减反射性能；
c.硅片后处理：将硅片用硝酸浸泡，去除残留在硅表面的银，然后用去离子水或超纯水冲洗干净，可观察到表面有发黑现象，真空干燥。
步骤a所述清洗的方法通常为：在丙酮中超声清洗，用去离子水或超纯水冲洗；然后用CP-4A溶液清洗；再用氢氟酸溶液清洗，用去离子水或超纯水冲洗，最后得到清洁的硅表面。所述氢氟酸溶液的浓度(质量分数)为7.3mol/L。
所述CP-4A溶液由HF溶液、HNO3溶液、无水乙醇、H2O按3∶5∶3∶22的体积比配制而成，其中，HNO3溶液的质量分数为65％～68％，HF溶液的质量分数为40％。
步骤b中所述刻蚀时间为2～10min，以保证刻蚀效果。所述酸性刻蚀液处于水浴处理中，水浴温度为20-30℃，优选25℃。
步骤c中所述硝酸的浓度为20wt％-40wt％，浸泡时间为25-35min，优选30min。
所述去离子水及超纯水的电阻率在16MΩ·cm以上。
所述硅片为(100)或者(111)取向单晶硅片，(100)取向单晶硅片的电阻率在7～13Ω·cm，(111)取向单晶硅片的电阻率在8～13Ω·cm。
所述贵金属纳米粒子为银粒子。
本发明的反应原理为：
贵金属辅助化学刻蚀一般认为是一个电化学过程，当硅表面存在金属纳米粒子时，由于其电极电势高于硅的电极电势，这样在金属粒子与硅之间就形成了微型原电池，在每个金属粒子附近会发生局部电化学反应，同时在银和硅之间形成电流。其反应过程如下：
阴极(金属表面)：H2O2+2H+→2H2O+2h+
2H+→H2↑+2h+
阳极(硅)：Si+2H2O+4h+→SiO2+4H+
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O
总反应：Si+H2O2+6HF→2H2O+H2SiF6+H2↑
由于硅的电极电势比贵金属粒子的标准电极电势要低，这样在硅与贵金属粒子的界面处就会存在一个电势差，形成一个从银指向硅的电场。在电场作用电子开始发生定向移动，硅中的电子流向银粒子，而银粒子周围存在双氧水分子，而双氧水的电极电势更高，能够从贵金属粒子中夺取电子，进而发生还原反应，因此银粒子周围的双氧水分子能够利用硅中得到的电子发生还原反应。而与贵金属纳米粒子接触的硅失去电子后，在原来的位置生成了空穴，因此该位置的硅被氧化生成二氧化硅，而二氧化硅与氢氟酸会发生反应，这样在银粒子下方就会形成浅孔。
本发明的有益效果是：采用本发明的方法制备出的硅表面纳米多孔减反射结构，在300～1000nm的可见光波段的发射率降低到5％，为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供了新的技术手段，为太阳能电池的稳定、高效应用提出了新思路。本发明在保持常温湿法刻蚀的特征的基础上，采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属纳米粒子辅助刻蚀硅的工艺过程，获得硅表面的更高减反射效果。
附图说明
图1是在(100)取向单晶硅片上采用单步溶液法酸刻蚀4分钟后得到的多孔结构(扫描电镜照片)。
图2是在(100)取向单晶硅片上采用单步溶液法酸刻蚀4分钟前后的减反射效果。
具体实施方式
本发明提出一种硅表面纳米多孔减反射结构的简易制备方法。下面结合附图和实施例对本发明予以进一步说明。
实施例1
1.采用电阻率为7-13Ω·cm的(100)取向单晶硅片，放于丙酮中，常温超声清洗10min，采用去离子水冲洗2min；然后在CP-4A溶液常温浸泡5min；再用浓度为7.3mol/L的氢氟酸溶液常温浸泡2min，去离子水冲洗2min；真空干燥。
所述CP-4A溶液由HF溶液、HNO3溶液、无水乙醇、H2O按3∶5∶3∶22的体积比配制而成，其中，HNO3溶液的质量分数为68％，HF溶液的质量分数为40％。
2.将清洗后的硅片直接浸入酸性刻蚀液中，酸性刻蚀液处于25℃的水浴处理中，会看到有气泡产生，并且硅表面逐渐变黑，刻蚀时间为4分钟；酸性刻蚀液为AgNO3、HF和H2O2的混合溶液，其中：溶剂为水，AgNO3的浓度为10-4mol/L，HF的浓度为1mol/L，H2O2的浓度为2.5mol/L。
3.将刻蚀后的硅片用40wt％硝酸浸泡30min，去除残留在硅表面的银，然后用去离子水冲洗干净，可观察到表面有发黑现象，获得硅表面的减反射结构，抽真空干燥，将硅片放置在干燥器中保存。
本实施例中所述去离子水的电阻率在16MΩ·cm以上。
获得的硅表面纳米多孔减反射结构的表面结构如图1所示。采用太阳能电池光谱响应度、反射比和量子效率测量系统测量，在300～1000nm的光谱范围内的发射率降到了5％的水平(如图2所示)。
实施例2
1.采用电阻率为8-13Ω·cm的(111)取向单晶硅片，放于丙酮中，常温超声清洗10min，采用去离子水冲洗2min；然后在CP-4A溶液常温浸泡5min；再用7.3mol/L氢氟酸溶液常温浸泡2min，去离子水冲洗2min；真空干燥。
所述CP-4A溶液由HF溶液、HNO3溶液、无水乙醇、H2O按3∶5∶3∶22的体积比配制而成，其中，HNO3溶液的质量分数为65％，HF溶液的质量分数为40％。
2.将清洗后的硅片直接浸入25℃水浴处理的酸性刻蚀液中，室温下反应，反应过程中会看到气泡生成，并且硅片逐渐变黑，刻蚀时间为6分钟；酸性刻蚀液为AgNO3、HF和H2O2和H2O组成的混合溶液，其中AgNO3的浓度为5×10-4mol/L，HF的浓度为2mol/L，H2O2的浓度为3mol/L。
3.用浓度为20wt％的硝酸浸泡30min，去除残留在硅表面的银，然后用去离子水冲洗干净，可观察到表面有发黑现象，获得硅表面的纳米多空减反射结构，抽真空干燥，将硅片放置在干燥器中保存。
本实施例中所述去离子水的电阻率在16MΩ·cm以上。
本发明所用硅片为(100)或(111)取向，采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，获得了硅太阳能电池表面的纳米多孔减反射结构。单步溶液法中，纳米银粒子的沉积与硅表面的微刻蚀是同时进行的，不需要提前在硅表面沉积银粒子。同时整个反应过程都是在溶液中进行，将硅片直接浸入酸性刻蚀溶液中，反应马上开始进行，反应过程中有气泡生成，随刻蚀时间的增加，气泡的大小的数量都不断增加，同时硅片表面的颜色也会发生明显变化。该方法成本低，可操作性强。
Claims (9)
1.一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
a.清洗硅片；
b.单步溶液法刻蚀：将清洗后的硅片直接浸入酸性刻蚀液中，刻蚀出硅表面纳米多孔减反射结构，所述酸性刻蚀液为AgNO3、HF、H2O2和水组成的混合溶液，其中AgNO3的浓度为10-4～5×10-4mol/L，HF的浓度为1～2mol/L，H2O2的浓度为2.5～3mol/L；
c.硅片后处理：将硅片用硝酸浸泡，去除残留在硅表面的银，然后用去离子水或超纯水冲洗干净，真空干燥。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤a所述的清洗的方法为：在丙酮中超声清洗，用去离子水或超纯水冲洗；然后用CP-4A溶液清洗；再用氢氟酸溶液清洗，用去离子水或超纯水冲洗；所述CP-4A溶液由HF溶液、HNO3溶液、无水乙醇、H2O按3:5:3:22的体积比配制而成，其中，HNO3溶液的质量分数为65%～68%，HF溶液的质量分数为40%。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤a中所述氢氟酸溶液的浓度为7.3mol/L。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述去离子水及超纯水的电阻率在16MΩ·cm以上。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤b中所述刻蚀的时间为2～10min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤b所述酸性刻蚀液处于水浴处理中，水浴温度为20-30℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤c中所述硝酸的浓度为20wt%-40wt%，浸泡时间为25-35min。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅片为（100）或者（111）取向单晶硅片。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述（100）取向单晶硅片的电阻率在7～13Ω·cm，（111）取向单晶硅片的电阻率在8～13Ω·cm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110261035 CN102330142B (zh) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110261035 CN102330142B (zh) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102330142A CN102330142A (zh) | 2012-01-25 |
| CN102330142B true CN102330142B (zh) | 2013-10-30 |
Family
ID=45482099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110261035 Active CN102330142B (zh) | 2011-09-05 | 2011-09-05 | 一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102330142B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI474392B (zh) * | 2012-03-03 | 2015-02-21 | Production method of silicon solar cell substrate | |
| CN102646758A (zh) * | 2012-05-05 | 2012-08-22 | 云南师范大学 | 一种太阳电池用单晶硅片表面改性方法 |
| CN102817084B (zh) * | 2012-08-03 | 2015-06-10 | 华北电力大学 | 一种硅纳米线双层阵列结构材料的制备方法 |
| WO2015030531A1 (ko) | 2013-09-02 | 2015-03-05 | 주식회사 엘지화학 | 다공성 실리콘계 입자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 음극 활물질 |
| KR101636143B1 (ko) * | 2013-09-02 | 2016-07-04 | 주식회사 엘지화학 | 다공성 실리콘계 입자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 음극 활물질 |
| CN104711678B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-07-04 | 杭州电子科技大学 | 一种在交变电场下制备硅纳米结构材料的方法 |
| RU2600076C1 (ru) * | 2015-07-08 | 2016-10-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры |
| CN105060239A (zh) * | 2015-08-24 | 2015-11-18 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 超疏水多孔硅的制备方法 |
| CN110528005A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-03 | 贵州大学 | 一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1805160A (zh) * | 2005-11-23 | 2006-07-19 | 天津大学 | 电致发光多孔硅材料及其制备方法 |
| CN102040192A (zh) * | 2009-10-20 | 2011-05-04 | 中国科学院理化技术研究所 | 有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法 |
| CN102126724A (zh) * | 2011-03-31 | 2011-07-20 | 上海交通大学 | 光滑表面硅纳米线阵列的制备方法 |
| CN102157608A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-08-17 | 中国科学院物理研究所 | 一种降低硅片表面光反射率的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI472049B (zh) * | 2009-12-14 | 2015-02-01 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池的製造方法 |
-
2011
- 2011-09-05 CN CN 201110261035 patent/CN102330142B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1805160A (zh) * | 2005-11-23 | 2006-07-19 | 天津大学 | 电致发光多孔硅材料及其制备方法 |
| CN102040192A (zh) * | 2009-10-20 | 2011-05-04 | 中国科学院理化技术研究所 | 有序排列的弯折硅纳米线阵列的制备方法 |
| CN102157608A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-08-17 | 中国科学院物理研究所 | 一种降低硅片表面光反射率的方法 |
| CN102126724A (zh) * | 2011-03-31 | 2011-07-20 | 上海交通大学 | 光滑表面硅纳米线阵列的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102330142A (zh) | 2012-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102330142B (zh) | 一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法 | |
| CN107658221B (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 | |
| CN104992990B (zh) | 一种降低硅片表面光反射率的方法 | |
| CN102299207B (zh) | 用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法 | |
| CN103456804B (zh) | 在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法 | |
| CN104195645B (zh) | 用于刻蚀太阳能电池硅片的酸性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法 | |
| JP6392866B2 (ja) | 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法 | |
| CN105070792B (zh) | 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法 | |
| TW201703277A (zh) | 一種局部背接觸太陽能電池的製備方法 | |
| CN106229386B (zh) | 一种银铜双金属mace法制备黑硅结构的方法 | |
| CN102290473A (zh) | 一种背面点接触晶体硅太阳电池及制备方法 | |
| KR20090077274A (ko) | 나노 텍스쳐링 구조를 갖는 반도체 웨이퍼 기판을 포함하는벌크형 태양전지의 제조방법 | |
| CN102102227A (zh) | 具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法 | |
| CN105405755B (zh) | 用于硅片金字塔制绒的酸性制绒液、制绒方法以及采用该制绒方法制绒而成的硅片 | |
| CN105470392B (zh) | 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105140343B (zh) | 一种多晶黑硅结构及其液相制备方法 | |
| Es et al. | An alternative metal-assisted etching route for texturing silicon wafers for solar cell applications | |
| CN107623056A (zh) | 一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法 | |
| CN104157724A (zh) | 选择性纳米发射极太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105161553A (zh) | 一种新型全背电极晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN104966762A (zh) | 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 | |
| CN103022266B (zh) | 一种基于lsp效应陷光增效减反射结构的制备方法 | |
| CN102304766A (zh) | 利用银镜反应制备硅表面陷光结构的方法 | |
| KR101212896B1 (ko) | 태양전지용 다결정실리콘 웨이퍼의 표면 처리용 텍스쳐링제 및 처리방법 | |
| CN103887367B (zh) | 一种银纳米颗粒辅助两次刻蚀硅微纳米洞减反射织构的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |