[go: up one dir, main page]

CN102257885A - 针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备 - Google Patents

针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102257885A
CN102257885A CN2009801509904A CN200980150990A CN102257885A CN 102257885 A CN102257885 A CN 102257885A CN 2009801509904 A CN2009801509904 A CN 2009801509904A CN 200980150990 A CN200980150990 A CN 200980150990A CN 102257885 A CN102257885 A CN 102257885A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gap
top electrode
plasma
bottom electrode
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801509904A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102257885B (zh
Inventor
安德里亚斯·费舍尔
艾利克·哈德森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN102257885A publication Critical patent/CN102257885A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102257885B publication Critical patent/CN102257885B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/3299—Feedback systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供的是一种具有用于加工衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括用于加工所述衬底的至少上电极和下电极。在等离子体处理过程中，所述衬底被置于所述下电极上，其中，所述上电极和所述衬底形成第一间隙。所述等离子体处理系统还包括上电极外围扩展部(UE-PE)。所述UE-PE机械地联接至所述上电极的外围，其中，所述UE-PE被配置成与所述上电极不共面。所述等离子体处理系统还包括盖环。所述盖环被配置成同中心地环绕所述下电极，其中，所述UE-PE和所述盖环形成第二间隙。

Description

针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备
技术领域
等离子体处理中的进步促进了半导体工业的发展。半导体工业是一个竞争激烈的市场。对于制造公司来说，能够在不同的加工条件下加工衬底的能力可能是该制造公司优于竞争对手的优势。因此，制造公司将时间和资源都用于确定改善衬底加工的方法和/或装备。
背景技术
可被用来执行衬底加工的典型的处理系统可以是电容耦合等离子体(CCP)处理系统。等离子体处理系统可以制造成能根据一系列的工艺参数进行加工。但是，近几年，可被加工的器件的类型变得越来越复杂，并且可能需要更精确的过程控制。例如，被加工的器件变得更小，特征更细微，并且为了更好的产量可能需要对等离子体参数(例如衬底上的等离子体密度和均匀度)进行更精确的控制。在蚀刻室内对晶片区域的压力控制可能是工艺参数影响等离子体密度和均匀度的一个例子。
半导体器件的制造可能需要在等离子体处理室内利用等离子体进行的多步加工。在对半导体器件进行等离子体处理的过程中，等离子体处理室一般可以针对处理的每一个步骤被维持在预先限定的压力下。预先限定的压力可以通过使用机械真空泵、涡轮泵、限制环(confinement ring)定位和/或其组合来获取，就像本领域技术人员所熟知的那样。
按照惯例，阀组件可以被用于使排气涡轮泵节流，以便为了在等离子体处理室内维持预先确定的压力条件而实现压力控制。但是，由瓮阀(vat valve)控制的压力可能导致在整个室内都发生全局性变化，而无法在室的不同区域内提供有差别的压力控制。
现有技术中，在等离子体处理室的等离子体生成区(例如由两个电极包裹并且由限制环包围的区域)中的压力可以通过调节限制环组件的限制环之间的间隙来调整。间隙调整控制了来自等离子体生成区的废气的流速，压力可能因此受到影响。等离子体生成区之外的整体气流传导性(gas flow conductance)可能取决于几个因素(包括但不限于)：限制环的个数和限制环之间的间隙的大小。因此，针对压力范围的操作窗口可能受到室间隙和/或这些限制环的间隙的约束。此外，由于这些限制环的固定直径，等离子体横截面可以是针对上述工艺的固定直径。
现有技术中，配置成有能力维持多数个差别化等离子体容量的等离子体处理室可以被用来解决等离子体关于固定横截面的上述问题。在一个例子中，宽隙(wide-gap)结构可以被用来提供具有相对低压力的、扩大了的等离子体横截面。在另一个例子中，窄隙结构可以被用来提供传统的等离子体横截面，但获得的压力相对高。然而，没有提供针对所述系统的灵敏差别化压力控制。
鉴于需要以多个步骤来处理衬底，每一个步骤都可能涉及不同的压力，那么在等离子体处理系统中提升在很宽的压力范围上提供差别化压力控制的能力是非常合乎需要的。
发明内容
在实施方式中，本发明涉及一种等离子体处理系统，所述等离子体处理系统具有用于加工衬底的等离子体处理室。所述等离子体处理系统包括用于加工衬底的至少上电极和至少下电极。在等离子体处理过程中，衬底被置于下电极上，其中，上电极和衬底形成第一间隙。等离子体处理系统还包括上电极外围扩展部(UE-PE)。所述UE-PE机械地联接至上电极的外围，其中，所述UE-PE被配置成与上电极不共面。等离子体处理系统还包括盖环。所述盖环被配置成同中心地环绕下电极，其中，UE-PE和盖环形成第二间隙。
上述内容只涉及在此公开的本发明众多实施方式中的一种实施方式，并无意限制本发明在权利要求中阐明的范围。本发明的这些特征和其他特征将在下面对本发明的详细描述中结合附图更详细地加以说明。
附图说明
在附图中通过举例的方式而不是通过限制的方式来阐释本发明，并且在附图中，相同的参考标记代表相似的元件，其中：
图1根据本发明的实施方式示出等离子体处理系统的简化示意图，所述等离子体处理系统配置有在上电极组件与下电极组件之间可调整的间隙，以便提供带有针对超高压和/或低传导性体系(regime)的对称室的窄间隙结构。
图2根据本发明的实施方式示出等离子体处理系统的简化示意图，所述等离子体处理系统配置有在上电极组件与下电极组件之间可调整的间隙，以便提供带有针对低压和/或高传导性体系的非对称室的宽间隙结构。
具体实施方式
现在将参考本发明的一些在附图中说明的实施方式来对本发明进行详细描述。在下面的描述中，阐明了许多具体细节，以便彻底理解本发明。然而，对本领域技术人员来说将是显而易见的是，没有这些具体细节中的部分或全部，本发明也可以实施。在其他实例中，为了避免不必要地使本发明不清晰，熟知的处理步骤和/或结构不作详细描述。
根据本发明的实施方式，提供的是用于在相同的等离子体处理室中提供宽范围的压力的方法和设备。在一些等离子体处理系统中，室间隙(即上下电极之间的间隙)是方法参数(recipeparameter)并且可以根据不同的步骤变化。在这些等离子体处理系统中，可以提供有如下机构，所述机构被配置成移动下电极组件以调整所述室间隙。在其他等离子体处理系统中，可以移动上电极组件。在此公开文件中，假定所述室具有移动的下电极。但是，应该理解的是，本发明在此的实施方式同样很好地用于其中上电极能移动的室(可选地或附加地)。
在一种或多种实施方式中，上电极接地而下电极接电源。在一种实施方式中，上电极的外围设有环形的即圆环状的环，所述环环绕上电极。该环形的扩展部在这里被称为上电极外围扩展部(UE-PE)。
UE-PE下面至石英盖环的间隙能够以如下方式来配置，即，当上电极与下电极之间的间隙足够窄时，出现一个如下点，在那里，UE-PE下面的间隙不足以在UE-PE下面维持等离子体，而在UE-PE之内处于上电极下面的间隙仍然大得足以维持等离子体。在该窄间隙情况中，UE-PE下面的间隙可以是有非常高流量限制的区域。在一种实施方式中，UE-PE下面的间隙的高度可以被调整用于控制压力，以在UE-PE之内处于上电极下面的间隙的区域内获得超高压力和低传导性。
在一种实施方式中，当上电极与下电极之间的间隙逐渐增大时，鉴于UE-PE下面的间隙不足以维持等离子体而在UE-PE之内处于上电极下面的间隙仍然大得足以维持等离子体，可以针对窄间隙结构获取较低压力和较高传导性。
当上电极与下电极之间的间隙进一步逐渐增大时，出现一个如下点，在那里，UE-PE下面的间隙大得足以维持等离子体而在UE-PE之内处于上电极下面的间隙也大得足以维持等离子体。在该宽隙结构中，可以获取低压和高传导性。限制环可以被用来容纳等离子体和/或控制压力。
就像可以从上述内容理解的那样，接电源的下电极的有效射频耦合面积针对窄隙结构和宽隙结构都保持相同。但是，在宽隙结构中，接地的电极的有效射频耦合面积扩大了。因此，针对射频耦合的第一面积比提供窄隙结构，而针对射频耦合的第二面积比(即更大的，由于更大的有效射频接地耦合面积)提供宽隙结构。
在一种实施方式中，间隙差异(即在上电极的中心区域处上电极与下电极之间的间隙以及UE-PE下面的间隙)可以通过使UE-PE与上电极不共面来实现。例如，UE-PE可以在上电极下面伸出。在实施中，UE-PE与上电极一起移动，其中，上电极是可移动的。
在另一种实施方式中，可以使下电极外围扩展部(LE-PE)与下电极不共面。例如，LE-PE可以被提升到所述电极之上。在一个示例中，LE-PE可以是石英盖环。在实施中，LE-PE与下电极一起移动，其中，下电极是可移动的。
根据附图和后续讨论(将本发明的机制和实施方式与现有技术进行对比)可以更好地理解本发明的特征和优点。
图1根据本发明的实施方式示出等离子体处理系统的简化示意图，所述等离子体处理系统配置有在上电极组件与下电极组件之间可调整的间隙，以便提供带有针对超高压和/或低传导性体系的对称室的窄间隙结构。等离子体处理系统100可以是单频、双频或三频电容式放电系统或者可以是电感式耦合等离子体系统或采用不同的等离子体生成和/或维持技术的等离子体系统。在图1的例子中，无线电频率可以包括但不限于2.27至60MHz。
参看图1，在一种实施方式中，等离子体处理系统100可以配置有上电极组件102和下电极组件104。上电极组件102和下电极组件104可以由室间隙106彼此分离开。上电极组件102可以包括至少上电极，所述上电极可以接地或者由射频电源(未示出)供电。
在图1的例子中，在一种实施方式中，上电极组件102可以接地。此外，在一种实施方式中，上电极组件102可以配置有内上电极部件102a和外上电极部件102b。在一种实施方式中，外电极部件102b可以是内上电极102a的环形扩展部。在此，外电极部件102b可以是指上电极外围扩展部(UE-PE)。
如图1中所示，内上电极部件102a和UE-PE102b可以由如图1所示的不同部件形成。可供选择地，在一种实施方式中，内上电极102a和UE-PE102b可以形成为整体式单元。此外，在一种实施方式中，内上电极102a和/或UE-PE102b可以由多个部件形成。
在一种实施方式中，下电极组件104可以配置有静电夹头(ESC)110、边缘环112、绝缘体环114、聚焦环116、石英盖环118、限制环组件124和/或旁路环120。如图1中所示，旁路环120可以由铝形成。在一种实施方式中，旁路环120可以配置有旁路腔122，以便让气体穿过旁路腔122排出。如图1所示，将瓮阀134联接至涡轮分子泵(TMP)136可以被用来将处理过的气体从等离子体处理系统100中排出。上述部件的特征为本领域技术人员所熟知，为了简化将不对其作详细讨论。
在一种实施方式中，UE-PE102b可以配置有台阶，即阻塞点(choke point)126。作为所述台阶的结果，UE-PE102b的下表面可以在内上电极102a的下表面之下延伸或伸出。如图1所示，在一种实施方式中，UE-PE102b的下表面和石英盖环118的顶面可以通过第二间隙128分离开。在一种实施方式中，间隙128的大小可以通过移动上电极组件102和/或下电极组件来调整。
在一种实施方式中，阻塞点可以通过制造不共面的台阶而形成。例如，UE-PE可以在上电极表面之下延伸或伸出。可选地或附加地，可以使下电极外围扩展部(LE-PE)与下电极不共面。例如，LE-PE可以被提升到所述电极之上。在一个例子中，LE-PE可以是石英盖环118。
如图1中所示，等离子体处理系统100可以配置有两种可能的等离子体维持区域：区域130a或者区域130a加128加130b。在一种实施方式中，无论室间隙106是否大得足以维持等离子体，区域130a都可以有能力维持等离子体。而在一种实施方式中，无论阻塞区中的间隙128是否大得足以维持等离子体，区域130a加128加130b都可以有能力维持等离子体。这是图2中所描述的。
在等离子体处理过程中，处理过的气体(未示出)可以被供应给室间隙106。被供应给室间隙106的、处理过的气体可以通过供应给下电极组件104的射频电源而被激发成等离子体状态。考虑如下情况：其中，例如，下电极组件104可以被移动用于建立窄间隙结构，其中，间隙128的大小可能不足(相对于平均自由程)以维持等离子体。
在一种实施方式中，在图1的窄间隙结构中，等离子体可以被维持在室间隙106的区域130a内。阻塞区的间隙128可能不足以维持等离子体。因此，区域130b可能没有能力维持等离子体。在窄间隙结构中，限制环组件124被拉起用于限制额外的流动障碍。
在一种实施方式中，以如下方式来确定上电极和下电极的大小，即，使得在窄间隙结构中能够实现1∶1的面积比，使所述室成为窄间隙结构中的对称室。
在一种实施方式中，可以在窄间隙结构中获得和控制区域130a与等离子体处理系统的其他部分之间的差别压力。在一个例子中，室间隙106的压力可以通过有效反馈回路来控制。在一种实施方式中，可以测量区域130a内的压力，并且可以调整间隙128、瓮阀134和/或气流速度，以控制区域130a内的压力。
考虑如下情况：其中，例如，在对衬底108进行等离子体处理的过程中可能在区域130a内需要超高压，例如在托(Torr)范围内。下电极组件104可以被移动至降低的高度，以使间隙128形成为很窄的间隙。间隙128的阻塞区可以是具有很强节流作用的、显著阻塞气流的区域。在一种实施方式中，间隙128的高度不足以在间隙128和/或区域130b内维持等离子体。
通过上述有效压力反馈回路，区域130a内的压力可以通过调整间隙128的高度来控制。例如，区域130a内的压力可以通过进一步降低间隙128的高度来提高。在一种实施方式中，遍及通过调节间隙128来控制的整个压力范围，间隙128仍然不足以在区域130b内维持等离子体。
可供选择地和/或附加地，在一种实施方式中，区域130a内的压力可以通过调整穿过区域130a的、处理过的气体的流量来控制。在一个示例中，可以增加处理过的气体的流量，以增加区域130a内的压力，从而增加压力以在区域130a内获得超高压力。
可供选择地和/或附加地，在一种实施方式中，对区域130a的压力控制可以通过调整在TMP136上游的瓮阀134来实现。在一个示例中，瓮阀134可以是关闭以阻止等离子体腔区域压力的减少的节流阀，以增加压力，从而在区域130a内获得超高压力。
参考图1，限制环组124可以不被用在对超高压体系的压力控制中，因为与来自间隙128的流量限制相比，该流量限制微不足道。此外，限制环组124是旁路环120的平行环，该旁路环具有甚至高于限制环组124之间的间隙的传导性。例如，限制环组124可以被配置成处于在旁路环120的肩台132上的套缩(collapsed)状态，或者也可以被拉起到晶片运输位置中，如图1所示。穿过旁路环120的旁路腔122的气体传导性使来自限制环组124的压力控制无关紧要。
因此，由于高流速和/或高流量限制，区域130a可能能够获得超高压力，例如高达约5托。因此，在一种实施方式中，具有窄间隙结构的对称室可以不依赖于处理室的其他部分而获得超高压力和/或低传导性。
在现有技术中，间隙128可以被用来使区域130b内的等离子体熄灭，方法是：使间隙128的大小变窄而不足以维持等离子体。相比之下，间隙128不仅仅可以被用来区域130b内的等离子体熄灭，也可以调节间隙128，以控制区域130b内的压力。因此，可以为了压力控制而使间隙128变窄到超过使等离子体熄灭的点。
考虑另一种情况：其中，例如，在区域130a内，在等离子体加工过程中针对带有对称室和窄间隙的结构可以期望获得低压力和/或高传导性。图1被用来说明带有对称室的低压和/或高传导性体系的例子。例如，在一种实施方式中，可以使下电极组件104以如下方式移动，即，使得间隙128大到足以减弱流量限制，但仍然能够防止等离子体在区域130b内着火。
参考图1，在区域130a内维持等离子体。间隙128变窄得足以使等离子体熄灭，并且在区域130b内不维持等离子体。在一种实施方式中，间隙128可以大得足以提高气体传导性，并导致在区域130a内出现低压力。在一种实施方式中，对区域130a的压力控制可以通过调节间隙128来实现。在一种实施方式中，间隙128大小的上限可以被限制成用于维持等离子体的间隙128大小(相对于平均自由程)。
可供选择和/或附加地，在一种实施方式中，区域130a内的压力可以通过调整通过区域130a的处理过的气体流来控制。在一个示例中，可以减少处理过的气体流，以降低区域130a内的压力。
可供选择和/或附加地，在一种实施方式中，区域130a的压力控制可以通过调整在TMP136上游的瓮阀134来实现。在一个示例中，瓮阀134可以是打开以降低区域130a内的压力的节流阀。
在带有对称室的低压体系中，限制环组124可以被用来控制压力。参考图1，可以使限制环组124降低，并且区域130a内的压力可以通过调整限制环组124之间的间隙来控制。使用限制环组来控制压力的方法由本领域技术人员所熟知，为了简化不作详细讨论。
因此，通过调节间隙128能够获得带有对称室结构的低压体系，以在防止外部区域130b维持等离子体的同时提高传导性。区域130a内的压力可以通过调节间隙128、限制环组124、气体流速和/或瓮阀134来控制。
图2根据本发明的实施方式示出等离子体处理系统的简化示意图，所述等离子体处理系统配置有在上电极组件102与下电极组件104之间可调整的间隙，以便提供带有针对低压和/或高传导性体系的非对称室的宽间隙结构。为了便于理解，与图1有关地讨论图2。
考虑如下情况：其中，例如，如图2所示，在等离子处理系统200中为了处理衬底108可能期望获得低压(例如低至约5毫托)。在一种实施方式中，沿箭头240的方向移动低电极组件104以增加间隙128的高度，可以获得低压和/或高传导性。间隙128高度的增加可能会导致更高的传导性。在一种实施方式中，间隙128足够大，并且等离子体可以在区域230内得以维持。区域230可以从室的中心延伸出去至限制环组124的内边缘。如图2所示，限制环组124可以被用来在特定区域之内限制等离子体。
在图2的宽隙结构中，接地的上电极与接电源的下电极之间的面积比可以高，即比例可以大于1∶1，使室不对称。与对称结构相反地，针对非对称结构等离子体维持在区域230内(如图2所示)，而不是像图1中所示的那样等离子体仅被维持在区域130a内。例如，接地电极区域相对于接电源的射频电极区域的高比例可能导致在衬底108上针对宽隙结构的高偏置电压和高离子能量。
如图2所示，气体可以流出区域230穿过旁路环120的旁路腔122，有助于非对称结构获得低压。由于旁路腔122以及间隙128的增加的高度，在非对称结构中可以获得的高压可能受到限制。
在低压力非对称结构中，区域230内的压力可以通过调节限制环组124的间隙来控制，如图2所示。可以使限制环组124降低，并且压力可以通过调整限制环组124之间的间隙来控制。
可供选择地和/或附加地，在一种实施方式中，区域230内的压力可以通过调整穿过区域130的、处理过的气体的流量来控制。在一个示例中，可以减少处理过的气体的流量，从而减少区域230内的压力。
可供选择地和/或附加地，在一种实施方式中，对区域230的压力控制可以通过调整在TMP136上游的瓮阀134来实现。在一个示例中，可以将瓮阀134调节成打开的，以降低区域230内的压力。
因此，带有增加的传导性的低压体系可以在带有非对称室的间隙128宽隙结构中实现。区域230内的压力可以通过调节限制环组124之间的间隙、气体流速和/或瓮阀134来控制。
如从前述内容中可以理解的那样，本发明的实施方式允许差异压力控制，以便在等离子体处理系统中提供宽范围的压力和/或传导性。能获得的压力范围可以从约5毫托至约5托。在超高压力范围内，可以在伽玛模式(gamma mode)中实现等离子体处理。此外，不同间隙结构可以允许对接地的上电极与接电源的下电极的面积比的控制，允许对晶片偏差和离子能量以及离子能量分布的控制。因此，要求有宽范围的压力和/或偏置和离子能量或离子能量分布的不同制法的衬底可以使用相同的等离子体处理室来制备，从而降低因采用多个等离子体处理室而引起的成本和/或时延。
已根据几个实施方式对本发明进行了描述，但还有更改方案、置换方案和等同方案，这些方案都落入本发明的保护范围。还应指出的是，存在很多可供选择的方式来实现本发明的方法和设备。此外，本发明的实施方式可以用于其它申请。摘要部分在此供方便之用，并且由于字数限制，摘要部分因此是为了方便阅读而撰写的，不应被用来限制本发明的范围。因此，本发明目的被解释为包括所有落入本发明的实质精神和范围内的这些更改方案、置换方案和等同方案。

Claims (20)

1.具有用于加工衬底的等离子体处理室的等离子体处理系统，其包括：
用于加工所述衬底的至少上电极和下电极，在等离子体处理过程中，所述衬底被置于所述下电极上，其中，所述上电极和所述衬底形成第一间隙；
上电极外围扩展部(UE-PE)，所述UE-PE机械地联接至所述上电极的外围，其中，所述UE-PE被配置成与所述上电极不共面；以及
盖环，其被配置成同中心地环绕所述下电极，其中，所述UE-PE和所述盖环形成第二间隙。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述上电极和所述下电极中的一个能够在与所述下电极的平面表面垂直的方向上移动。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述第二间隙小于所述第一间隙。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述UE-PE和所述上电极形成为整体式单元。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述UE-PE和所述上电极由多个部件形成。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其还包括旁路环组件。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其还包括限制环组件。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述盖环至少部分地被石英覆盖。
9.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其还包括旁路环，所述旁路环具有旁路腔，用于排出至少一部分由所述处理产生的废气。
10.控制等离子体处理室内的压力的方法，所述方法包括：
提供用于加工衬底的至少上电极和下电极，在等离子体处理过程中，所述衬底被置于所述下电极上，其中，所述上电极和所述衬底形成第一间隙；
提供上电极外围扩展部(UE-PE)，所述UE-PE机械地联接至所述上电极的外围，其中，所述UE-PE被配置成与所述上电极不共面；
提供盖环，所述盖环被配置成同中心地环绕所述下电极，其中，所述UE-PE和所述盖环形成第二间隙；
在所述处理室内生成等离子体，以加工所述衬底；以及
同时调整所述第二间隙和所述第一间隙，以控制所述等离子体处理室内的压力。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述调整还包括：使所述上电极和所述下电极中的一个在与所述下电极的平面表面垂直的方向上移动，以改变所述第二间隙的高度。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二间隙小于所述第一间隙。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述UE-PE和所述上电极形成为整体式单元。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述UE-PE和所述上电极由多个部件形成。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述等离子体处理室还包括限制环组，所述方法包括：
当在所述上电极和所述下电极之间存在第一间隙时，调配所述限制环组，以调节处理压力；以及
当在所述上电极和所述下电极之间由于所述同时调整而存在第二间隙时，使所述限制环组完全堆装，其中，所述第一间隙大于所述第二间隙。
16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述盖环至少部分地被石英覆盖。
17.用于改变等离子体处理室内面积比的方法，所述方法包括：
提供用于加工衬底至少上电极和至少下电极，在等离子体处理过程中，所述衬底被置于所述下电极上，其中，所述上电极和所述衬底形成第一间隙；
提供上电极外围扩展部(UE-PE)，所述UE-PE机械地联接至所述上电极的外围，其中，所述UE-PE被配置成与所述上电极不共面；
提供盖环，所述盖环被配置成同中心地环绕所述下电极，其中，所述UE-PE和所述盖环形成第二间隙，其中，所述第二间隙小于所述第一间隙；
在所述处理室内生成等离子体，以加工所述衬底；以及
同时原位调整所述第二间隙和所述第一间隙，以改变所述等离子体处理室内的所述面积比，所述调整包括：使所述上电极和所述下电极中的一个在与所述下电极的平面表面垂直的方向上移动。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述上电极和所述下电极中仅仅所述上电极是可调整的。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述上电极和所述下电极中仅仅所述下电极是可调整的。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述调整产生至少第一面积比和第二面积比，所述第一面积比等于1∶1并因此模拟对称等离子体处理室，所述第二面积比不等于1∶1并因此模拟非对称等离子体处理室。
CN200980150990.4A 2008-12-19 2009-12-16 针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备 Active CN102257885B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13948108P 2008-12-19 2008-12-19
US61/139,481 2008-12-19
US12/368,843 2009-02-10
US12/368,843 US8869741B2 (en) 2008-12-19 2009-02-10 Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
PCT/US2009/068183 WO2010080420A2 (en) 2008-12-19 2009-12-16 Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102257885A true CN102257885A (zh) 2011-11-23
CN102257885B CN102257885B (zh) 2014-11-26

Family

ID=42266749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980150990.4A Active CN102257885B (zh) 2008-12-19 2009-12-16 针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8869741B2 (zh)
EP (1) EP2380412B1 (zh)
JP (1) JP5872291B2 (zh)
KR (1) KR101591128B1 (zh)
CN (1) CN102257885B (zh)
SG (1) SG10201705046SA (zh)
TW (2) TWI593317B (zh)
WO (1) WO2010080420A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107045969A (zh) * 2016-02-05 2017-08-15 朗姆研究公司 用于图案化非挥发性金属的室

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9224618B2 (en) * 2012-01-17 2015-12-29 Lam Research Corporation Method to increase mask selectivity in ultra-high aspect ratio etches
JP5970268B2 (ja) * 2012-07-06 2016-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置および処理方法
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10533251B2 (en) 2015-12-31 2020-01-14 Lam Research Corporation Actuator to dynamically adjust showerhead tilt in a semiconductor processing apparatus
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
KR102581226B1 (ko) * 2016-12-23 2023-09-20 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
TWI780093B (zh) * 2017-12-15 2022-10-11 美商蘭姆研究公司 用於電漿腔室的環結構及系統
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP7591962B2 (ja) 2021-03-30 2024-11-29 株式会社アルバック 真空処理方法及び真空処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919332A (en) * 1995-06-07 1999-07-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20030029567A1 (en) * 2001-08-08 2003-02-13 Rajinder Dhindsa Dual frequency plasma processor
CN1489778A (zh) * 2000-08-11 2004-04-14 兰姆研究有限公司 晶片区域的压力控制
JP2004311066A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
US20080149596A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber

Family Cites Families (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
JPH0214517A (ja) * 1988-07-01 1990-01-18 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
US5089442A (en) * 1990-09-20 1992-02-18 At&T Bell Laboratories Silicon dioxide deposition method using a magnetic field and both sputter deposition and plasma-enhanced cvd
US5252178A (en) * 1992-06-24 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Multi-zone plasma processing method and apparatus
KR100324792B1 (ko) * 1993-03-31 2002-06-20 히가시 데쓰로 플라즈마처리장치
TW357404B (en) * 1993-12-24 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for processing of plasma
JP3257741B2 (ja) * 1994-03-03 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及び方法
TW299559B (zh) * 1994-04-20 1997-03-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP3192370B2 (ja) * 1995-06-08 2001-07-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3319285B2 (ja) * 1996-06-05 2002-08-26 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP3310171B2 (ja) * 1996-07-17 2002-07-29 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
US6284093B1 (en) * 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
TW418461B (en) * 1997-03-07 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Plasma etching device
KR100258984B1 (ko) * 1997-12-24 2000-08-01 윤종용 건식 식각 장치
JP4165946B2 (ja) * 1998-11-30 2008-10-15 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP2001230237A (ja) 2000-02-14 2001-08-24 Rohm Co Ltd 半導体基板用プラズマ表面処理装置における下部電極盤の構造
KR100635975B1 (ko) * 2000-02-14 2006-10-20 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재
US6553932B2 (en) * 2000-05-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes
US6872281B1 (en) * 2000-09-28 2005-03-29 Lam Research Corporation Chamber configuration for confining a plasma
US6492774B1 (en) * 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP2002198355A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3924483B2 (ja) * 2001-03-19 2007-06-06 アイピーエス リミテッド 化学気相蒸着装置
JP2002305179A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法
US6818096B2 (en) * 2001-04-12 2004-11-16 Michael Barnes Plasma reactor electrode
US6974523B2 (en) * 2001-05-16 2005-12-13 Lam Research Corporation Hollow anode plasma reactor and method
US6527911B1 (en) * 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
TW200626020A (en) * 2001-12-13 2006-07-16 Tokyo Electron Ltd Ring mechanism, and plasma processor using the ring mechanism
US6744212B2 (en) * 2002-02-14 2004-06-01 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions
JP2003264169A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP4102873B2 (ja) * 2002-03-29 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置
TW558789B (en) * 2002-05-02 2003-10-21 Hitachi High Tech Corp Semiconductor processing device and diagnostic method of semiconductor processing device
KR101075046B1 (ko) * 2002-05-23 2011-10-19 램 리써치 코포레이션 반도체 공정용 플라즈마 반응기를 위한 다중부재 전극 및다중부재 전극의 일부를 교체하는 방법
US6841943B2 (en) * 2002-06-27 2005-01-11 Lam Research Corp. Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies
KR100465877B1 (ko) * 2002-08-23 2005-01-13 삼성전자주식회사 반도체 식각 장치
US6963043B2 (en) * 2002-08-28 2005-11-08 Tokyo Electron Limited Asymmetrical focus ring
JP2004119448A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Nec Kyushu Ltd プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
KR100657054B1 (ko) * 2003-01-07 2006-12-13 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
US7316761B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniformly etching a dielectric layer
JP4286025B2 (ja) * 2003-03-03 2009-06-24 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 石英治具の再生方法、再生使用方法および半導体装置の製造方法
US7009281B2 (en) * 2003-03-14 2006-03-07 Lam Corporation Small volume process chamber with hot inner surfaces
US7244336B2 (en) * 2003-12-17 2007-07-17 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7713380B2 (en) * 2004-01-27 2010-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for backside polymer reduction in dry-etch process
JP2005217240A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
JP2005303099A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7713431B2 (en) * 2004-06-10 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing method
US20060043067A1 (en) * 2004-08-26 2006-03-02 Lam Research Corporation Yttria insulator ring for use inside a plasma chamber
US7430986B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US20060225654A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Fink Steven T Disposable plasma reactor materials and methods
US7837825B2 (en) * 2005-06-13 2010-11-23 Lam Research Corporation Confined plasma with adjustable electrode area ratio
US7713379B2 (en) 2005-06-20 2010-05-11 Lam Research Corporation Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
KR101218114B1 (ko) * 2005-08-04 2013-01-18 주성엔지니어링(주) 플라즈마 식각 장치
US20070032081A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Jeremy Chang Edge ring assembly with dielectric spacer ring
US8038837B2 (en) * 2005-09-02 2011-10-18 Tokyo Electron Limited Ring-shaped component for use in a plasma processing, plasma processing apparatus and outer ring-shaped member
US7909960B2 (en) * 2005-09-27 2011-03-22 Lam Research Corporation Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer
US20070116872A1 (en) 2005-11-18 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating
US7743730B2 (en) * 2005-12-21 2010-06-29 Lam Research Corporation Apparatus for an optimized plasma chamber grounded electrode assembly
US8789493B2 (en) * 2006-02-13 2014-07-29 Lam Research Corporation Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch
US8012306B2 (en) * 2006-02-15 2011-09-06 Lam Research Corporation Plasma processing reactor with multiple capacitive and inductive power sources
US7578258B2 (en) * 2006-03-03 2009-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for selective pre-coating of a plasma processing chamber
US7670432B2 (en) * 2006-03-08 2010-03-02 Tokyo Electron Limited Exhaust system for a vacuum processing system
US7740705B2 (en) * 2006-03-08 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Exhaust apparatus configured to reduce particle contamination in a deposition system
US7794546B2 (en) * 2006-03-08 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Sealing device and method for a processing system
US20070227666A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8635971B2 (en) * 2006-03-31 2014-01-28 Lam Research Corporation Tunable uniformity in a plasma processing system
US7829468B2 (en) * 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
US7740736B2 (en) * 2006-06-08 2010-06-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber
US7879184B2 (en) * 2006-06-20 2011-02-01 Lam Research Corporation Apparatuses, systems and methods for rapid cleaning of plasma confinement rings with minimal erosion of other chamber parts
US7572737B1 (en) * 2006-06-30 2009-08-11 Lam Research Corporation Apparatus and methods for adjusting an edge ring potential substrate processing
US7837826B2 (en) 2006-07-18 2010-11-23 Lam Research Corporation Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof
US7854820B2 (en) * 2006-10-16 2010-12-21 Lam Research Corporation Upper electrode backing member with particle reducing features
US20080087641A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-17 Lam Research Corporation Components for a plasma processing apparatus
US7875824B2 (en) * 2006-10-16 2011-01-25 Lam Research Corporation Quartz guard ring centering features
US7482550B2 (en) * 2006-10-16 2009-01-27 Lam Research Corporation Quartz guard ring
US8702866B2 (en) * 2006-12-18 2014-04-22 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly with gas flow modification for extended electrode life
US7758718B1 (en) * 2006-12-29 2010-07-20 Lam Research Corporation Reduced electric field arrangement for managing plasma confinement
KR100849179B1 (ko) * 2007-01-10 2008-07-30 삼성전자주식회사 갭 발생방지구조 및 이를 갖는 플라즈마 처리설비
US7858898B2 (en) * 2007-01-26 2010-12-28 Lam Research Corporation Bevel etcher with gap control
US7943007B2 (en) * 2007-01-26 2011-05-17 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher
US9536711B2 (en) 2007-03-30 2017-01-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode
US7862682B2 (en) * 2007-06-13 2011-01-04 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US8563619B2 (en) * 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US7758764B2 (en) * 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
US7837827B2 (en) * 2007-06-28 2010-11-23 Lam Research Corporation Edge ring arrangements for substrate processing
WO2009042137A2 (en) * 2007-09-25 2009-04-02 Lam Research Corporation Temperature control modules for showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
CN101889329B (zh) * 2007-10-31 2012-07-04 朗姆研究公司 长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件
SG187386A1 (en) * 2007-12-19 2013-02-28 Lam Res Corp A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus
US8522715B2 (en) * 2008-01-08 2013-09-03 Lam Research Corporation Methods and apparatus for a wide conductance kit
SG188141A1 (en) * 2008-02-08 2013-03-28 Lam Res Corp A protective coating for a plasma processing chamber part and a method of use
TWI516175B (zh) * 2008-02-08 2016-01-01 蘭姆研究公司 在電漿處理腔室中穩定壓力的方法及其程式儲存媒體
TWI501704B (zh) * 2008-02-08 2015-09-21 Lam Res Corp 於電漿處理系統中用以改變面積比之方法與裝置
US8679288B2 (en) * 2008-06-09 2014-03-25 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
US8221582B2 (en) * 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8161906B2 (en) * 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
US8147648B2 (en) * 2008-08-15 2012-04-03 Lam Research Corporation Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus
US8449679B2 (en) * 2008-08-15 2013-05-28 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly
JP5391659B2 (ja) * 2008-11-18 2014-01-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
US8272346B2 (en) * 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
US20110011534A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Rajinder Dhindsa Apparatus for adjusting an edge ring potential during substrate processing
US8419959B2 (en) * 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
DE202010014805U1 (de) * 2009-11-02 2011-02-17 Lam Research Corporation (Delaware Corporation) Heissrandring mit geneigter oberer Oberfläche
US8485128B2 (en) * 2010-06-30 2013-07-16 Lam Research Corporation Movable ground ring for a plasma processing chamber
US9082593B2 (en) * 2011-03-31 2015-07-14 Tokyo Electron Limited Electrode having gas discharge function and plasma processing apparatus
US9263240B2 (en) * 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919332A (en) * 1995-06-07 1999-07-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN1489778A (zh) * 2000-08-11 2004-04-14 兰姆研究有限公司 晶片区域的压力控制
US20030029567A1 (en) * 2001-08-08 2003-02-13 Rajinder Dhindsa Dual frequency plasma processor
JP2004311066A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
US20080149596A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107045969A (zh) * 2016-02-05 2017-08-15 朗姆研究公司 用于图案化非挥发性金属的室
CN110112048A (zh) * 2016-02-05 2019-08-09 朗姆研究公司 用于图案化非挥发性金属的室
CN107045969B (zh) * 2016-02-05 2020-05-22 朗姆研究公司 用于图案化非挥发性金属的室

Also Published As

Publication number Publication date
TW201625075A (zh) 2016-07-01
JP2012513093A (ja) 2012-06-07
KR101591128B1 (ko) 2016-02-02
US9548186B2 (en) 2017-01-17
EP2380412A4 (en) 2015-03-18
TW201036494A (en) 2010-10-01
WO2010080420A2 (en) 2010-07-15
TWI538566B (zh) 2016-06-11
SG10201705046SA (en) 2017-07-28
KR20110114538A (ko) 2011-10-19
WO2010080420A3 (en) 2010-08-26
TWI593317B (zh) 2017-07-21
US20100159703A1 (en) 2010-06-24
US20150011097A1 (en) 2015-01-08
EP2380412B1 (en) 2017-09-27
JP5872291B2 (ja) 2016-03-01
EP2380412A2 (en) 2011-10-26
CN102257885B (zh) 2014-11-26
US8869741B2 (en) 2014-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102257885B (zh) 针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备
TWI386996B (zh) 具有可調整電極區域比例之局限電漿
KR101498322B1 (ko) 와이드 컨덕턴스 키트를 위한 방법 및 장치
JP5554705B2 (ja) 基材処理のための方法および装置
KR101283830B1 (ko) 전극 피스의 독립적 움직임을 이용한 에칭 레이트 균일성개선
US8956500B2 (en) Methods to eliminate “M-shape” etch rate profile in inductively coupled plasma reactor
JP2010532581A (ja) 不均一性を最小化する統合ステアアビリティアレイ配置
US20190189396A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2012049376A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6646223B2 (en) Method for improving ash rate uniformity in photoresist ashing process equipment
KR20200051505A (ko) 배치대 및 기판 처리 장치
JP6938746B1 (ja) エッチング装置及びエッチング方法
CN114360995B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR20230048543A (ko) 이동가능한 인서트를 갖는 플라즈마 스트립 툴
US20050026436A1 (en) Method for improving ash rate uniformity in photoresist ashing process equipment
JP7150946B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN118280799A (zh) 一种等离子体刻蚀设备
JP4246610B2 (ja) シャワープレート構造体
CN112447488A (zh) 一种反应腔装置及其工作方法
KR20200051494A (ko) 배치대, 엣지 링의 위치 결정 방법 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant