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CN102254905A - 半导体发光装置 - Google Patents

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CN102254905A
CN102254905A CN2011101337606A CN201110133760A CN102254905A CN 102254905 A CN102254905 A CN 102254905A CN 2011101337606 A CN2011101337606 A CN 2011101337606A CN 201110133760 A CN201110133760 A CN 201110133760A CN 102254905 A CN102254905 A CN 102254905A
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Abstract

半导体发光装置，在成型树脂部的外壁面上，配置有与延伸并贯通成型树脂部的内引导部相连接的外引导部，和与延伸并贯通成型树脂部的另一内引导部相连接的另一外引导部，外引导部的面积比另一外引导部的面积大。

Description

半导体发光装置
技术领域
本发明涉及利用发光二极管的半导体发光装置。
背景技术
一般来说，利用发光二极管芯片的发光装置是通过将发光二极管芯片封装成使用用途不同的各种形态的封装包(package)来形成的。
专利文献1作为先行文献公开了能够提高半导体发光元件产生的热的散热效果，并能够抑制半导体发光元件亮度恶化的半导体发光装置用封装包。
图6对应于专利文献1中的图1。在图6中的半导体发光装置用封装包110中，在半导体发光元件的收纳部140的周边部(即封装包的主表面)上，第1引导部(lead portion)130从杯部的开口边缘起连续延伸，并从树脂部中露出。于是，整个第1引导部130和第2引导部120在树脂部外侧形成露出面。由此，来提高引导部对热的散热性，防止因温度上升导致的半导体发光元件亮度的恶化。
与专利文献1的发明一样，作为引导部在封装包的外部露出的技术，在专利文献2中的全色(full color)发光二极管发光装置中，用于使3种颜色的LED芯片发光的所必须的框端子从封装包的一个侧面向外部露出，且沿该侧面和封装包底面的一部分曲折。在专利文献3中，公开了一种为了使第1和第2引导端子51、53与外部电源进行电连接，而分别使上述第1和第2引导端子51、53贯通封装包自身55的侧壁，并向外部延伸的发光二极管封装包。
专利文献1：日本国专利申请公开公报，“特开2009-9956号公报”；2009年1月15日公开。
专利文献2：日本国专利申请公开公报，“特开2006-24794号公报”；2006年1月26日公开。
专利文献3：日本国专利申请公开公报，“特开2008-53726号公报”；2008年3月6日公开。
发明内容
对于专利文献1中记载的半导体发光装置用封装包110，如上所述，整个第1引导部130和第2引导部120在树脂部外侧形成露出面。由此，来提高引导部对热的散热性，防止因温度上升导致的半导体发光元件亮度的恶化。
然而，由于第1引导部130和第2引导部120在树脂部外侧的引导部面积或体积较小，因此会产生散热性不充分的问题。
由于第1引导部130具有从收纳部140的开口边缘起连续延伸的结构，因此，导致引导部的制造较复杂，从而导致半导体发光装置用封装包的制造成本增加。
本发明正是鉴于上述问题而进行的，其目的在于，提供能够抑制半导体发光元件的亮度下降，并能够提高散热性，且能够提高装置信赖性的廉价半导体发光装置。
为了解决上述问题，本发明的半导体发光装置为被封装在封装基板上，且向外部射出光的半导体发光装置；该半导体发光装置具有半导体发光元件；半导体元件；第1引导框，由第1内引导部和第1外引导部连接而成，上述第1内引导部具有用以装载上述半导体发光元件的装载面，上述第1外引导部与上述封装基板的相应电极连接；第2引导框，由第2内引导部和第2外引导部连接而成，上述第2内引导部具有用以装载上述半导体元件的装载面，上述第2外引导部与上述封装基板的相应电极连接；保持固定部件，用于固定上述第1引导框和上述第2引导框；该半导体发光装置的特征在于：在上述保持固定部件的外壁面，配置有上述第1外引导部和上述第2外引导部，上述第1外引导部与延伸并贯通上述保持固定部件的上述第1内引导部相连接，上述第2外引导部与延伸并贯通上述保持固定部件的上述第2内引导部相连接；上述第1外引导部的面积比上述第2外引导部的面积大。
根据上述发明，使与具有用以装载上述半导体发光元件的装载面的第1内引导部相连接的第1外引导部的面积，比第2外引导部等其他外引导部的面积大。
通过尽量扩大用以装载上述半导体发光元件的引导框的面积，可以在上述半导体发光元件发光时产生的热导致温度上升时，更有效地散热(能够使热通过第1外引导部向封装基板的焊锡等放出)，因此，对于整个装载有上述半导体发光元件的半导体发光装置来说，能够防止封装包的热导致的变色恶化等。
由于提高了半导体发光装置的散热性，因此能够提高半导体发光装置的信赖性。此时，由于不需要特别用来提高放热性的部件，因此能够廉价地提高信赖性。
由于能够抑制上述半导体发光元件的温度上升，因此能够加大上述半导体发光元件的驱动电流。
所形成的第1外引导部与用以装载半导体发光元件的区域(凹部)构成最短距离。因此，半导体发光元件在发光时产生的热能够通过上述最短距离，从第1外引导部中放出。由此，能够抑制半导体发光装置的温度上升。
在上述半导体发光装置中装载多个半导体发光元件时，使装载至上述凹部内的半导体发光元件中的至少1个与上述第1外引导部接近。由此，能够提高散热性。
上述半导体元件被装载在上述保持固定部件(模槽(cavity)；例如成型树脂部)的内侧的上述第2内引导部上，并装载成比上述凹部中所装载的半导体发光元件靠向顶部侧。
上述半导体发光元件被配置在上述凹部的内部，因此，上述半导体发光元件射出的光通过上述保持固定部件的外壁(侧壁)朝半导体发光装置的出射方向反射，从而，能够使光较难到达在上述第2内引导部上形成的上述半导体元件。由此，能够抑制上述半导体元件对光的吸收，并抑制半导体发光装置射出的光的亮度下降。
综上所述，本发明的半导体发光装置能够抑制半导体发光元件的亮度下降，并能够提高散热性，而且能够廉价地提高装置的信赖性。
如上所述，本发明的发光装置在保持固定部件的外壁面上配置有第1外引导部和第2外引导部，上述第1外引导部与延伸并贯通上述保持固定部件的上述第1内引导部相连接，上述第2外引导部与延伸并贯通上述保持固定部件的上述第2内引导部相连接；上述第1外引导部的面积比上述第2外引导部的面积大。
因此，本发明的效果在于，可提供一种能够抑制半导体发光元件的亮度下降，并提高散热性，并廉价地提高装置的信赖性的半导体发光装置。
附图说明
图1为表示本发明的实施方式1的半导体发光装置的概要的斜视图和主视图。
图2为本发明的实施方式1的半导体发光装置的俯视图和剖面图。
图3为本发明的实施方式2的半导体发光装置的俯视图。
图4为本发明的实施方式2的变形例的半导体发光装置的俯视图。
图5为本发明的实施方式3的半导体发光装置的俯视图和主视图。
图6为现有技术的半导体发光装置的模式图。
(附图标记说明)
10     第1引导框
20     第2引导框
10a    外引导部(第1外引导部)
10b    内引导部(第1内引导部)
15     凸部
20a    外引导部(第2外引导部)
20b    内引导部(第2内引导部)
30，30a～30f    LED(半导体发光元件)
50     齐纳二极管(半导体元件)
65     成型树脂部(保持固定部件)
具体实施方式
(实施方式1)
根据图1和图2对本发明的实施方式1进行说明。实施方式1是关于使用LED(Light Emitting Diode：发光二极管)作为发光元件的表面封装型半导体发光装置的实施方式。图1中(a)为本实施方式的半导体装置100的斜视图。图1中(b)为半导体发光装置100的正面外观图。图2中(a)为半导体发光装置100的俯视图。图2中(b)为半导体发光装置100的沿A-A线分割后的剖面图。图2中(c)为半导体发光装置100的沿B-B线分割后的剖面图。
在此，半导体发光装置100为通过被封装在封装基板上以使光向外部射出的半导体发光装置。第1引导框10是由外引导部10a(第1外引导部)和内引导部10b(第1内引导部)相接构成的。第2引导框20是由外引导部20a(第2外引导部)和内引导部20b(第2内引导部)相接构成的。
在此，半导体发光装置100的外观尺寸为横宽5.0mm(长边)、高2.0mm、宽2.0mm(短边)。且沿后述成型树脂部65(保持固定部件)外壁面的、第1引导框10的外引导部10a的尺寸为横宽2.65mm、高1.1mm。凸部15的宽为0.5mm。
具有外引导部10a的第1引导框10和具有外引导部20a的第2引导框20被嵌入(insert molding)在成型树脂部65内，从而得以保护，所述成型树脂部65可以用例如聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide；PPA)、聚碳酸酯(polycarbonate)树脂、环氧(epoxy)树脂等周知的半导体元件封装材料来制造。在内引导部10b的凹部40中，装载有1个LED30(半导体发光元件，横宽0.7mm，宽0.29mm)，所述LED30被用硅(silicone)树脂固定于内引导部10b。凹部40的尺寸为横宽1.5mm、宽0.9mm、深0.2mm。
在内引导部20b上，装载有齐纳二极管50(Zener diode；半导体元件)，所述齐纳二极管50通过银涂膏被电连接固定于内引导部20b。齐纳二极管50被装载在成型树脂部65(模槽)内侧的内引导部20b上，并装载成比凹部40中装载的LED30靠向顶部侧。
为了使内引导部10b和内引导部20b绝缘，形成由绝缘性树脂构成的成型树脂层60(绝缘层)。该成型树脂层60也可以与成型树脂部65(保持固定部件)一体形成。该成型树脂层60也可以不使用树脂，而通过嵌入陶瓷等绝缘性部件来形成。
为了使齐纳二极管50易于装载在内引导部20b上，由绝缘性树脂形成的成型树脂层60相对于半导体发光装置100的短边呈倾斜状。通过将齐纳二极管50装载在内引导部20b表面中的较宽广的部分上，使得装载工序较为容易。
为了保持并固定第1引导框10和第2引导框20，用白色树脂形成成型树脂部65。
凹部40中填充有含荧光体的透光性树脂，在充填有含荧光体的透光性树脂的凹部40上，形成有透光性树脂。此外，也可以为：凹部40中充填有含荧光体的透光性树脂，且在填充有含荧光体的透光性树脂的凹部40上设置含荧光体的透光性树脂。
上述透光性树脂为环氧树脂或硅树脂。
从图1的(a)中可以看出，与配置有LED30的内引导部10b相连接的外引导部10a的体积，与外引导部20a的体积相比较大(横宽较宽)。即，与外引导部10a的横宽相比，外引导部20a的横宽较窄。
此外，也可以从以下说明中看出外引导部10a的横宽比外引导部20a的横宽更宽。即，第1引导框10的沿成型树脂部65的外壁面的外引导部10a的尺寸为：横宽2.65mm，高1.1mm。而第2引导框20的外引导部20a的尺寸为：横宽0.7mm，高1.1mm。
上述各部分的尺寸只是一个例示。本实施方式的半导体发光装置100的特征在于，外引导部10a的横宽大于外引导部20a的横宽。
<被A-A线分割后的沿箭头方向所视的剖面图>
被图2中(a)所示的A-A线分割后的沿箭头方向所视的剖面图为图2中(b)。如图2中(b)所示，半导体发光装置100具有内引导部10b和内引导部20b，在内引导部20b上装载有齐纳二极管50，引线80被焊接在内引导部10b的除凹部40以外的部位。内引导部10b具有凹部40，在凹部40中装载有LED30。
LED30的一侧的端子通过引线70a与内引导部10b导电键合，从而与外引导部10a相连。LED30的另一侧的端子通过引线70b与内引导部20b导电键合，从而与外引导部20a导通。
<被B-B线分割后的沿箭头方向所视的剖面图>
被图2中(a)所示的B-B线分割后的沿箭头方向所视的剖面图为图2中(c)。如图2中(c)所示，半导体发光装置100具有内引导部10b和内引导部20b，在内引导部20b上装载有齐纳二极管50。内引导部20b与外引导部20a相连。贯通了成型树脂部65的第1引导框10的外引导部10a沿成型树脂部65的外壁曲折。贯通了成型树脂部65的第2引导框20的外引导部20a沿成型树脂部65的外壁曲折。
为了便于说明，在图2的(c)中省略了引线。在图2的(c)中虽无图示，但内引导部10b也与外引导部10a相连。
<散热>
如上所述，从图1的(a)中可以看出，与配置有LED30的内引导部10b相连的外引导部10a的体积比外引导部20a的体积大(横宽较宽)。即，与外引导部10a的横宽相比，外引导部20a的横宽较窄。
在本实施方式1中，使与装载有LED30的内引导部10b相连的外引导部10a的面积比没有装载LED30的其他外引导部的面积大。通过尽量扩大装载有LED30的引导框10的体积，可以在LED30发光时产生的热导致温度上升时，更有效地实现散热(能够使热通过外引导部10a向封装基板的焊锡等放出)。因此，对于整个装载有LED30的半导体发光装置100来说，能够防止封装包的热导致的变色恶化等。
通过在内引导部10b上设置凹部40，能够扩大内引导部10b的表面积，进一步提高散热性。该内引导部10b的特征在于，与外引导部10a相连。
由于提高了半导体发光装置100的散热性，因此能够提高半导体发光装置的信赖性。此时，由于不需要特别用来提高散热性的部件，因此能够廉价地提高信赖性。
由于能够抑制LED30的温度上升，因此能够加大LED的驱动电流。
相比与不装载LED30的内引导部20b相连的外引导部20a，外引导部10a为体积或面积被扩大了的外引导部。
所形成的外引导部10a与装载有LED30的区域(凹部40)构成最短距离。因此，LED30在发光时产生的热能够通过上述最短距离，从外引导部10a中放出。由此，能够抑制半导体发光装置100的温度上升。
<重心的稳定性>
由于外引导部10a的横宽大于外引导部20a的横宽，因此即使在将半导体发光装置100装载在封装基板上时，也能够使其不会产生倾斜等固定不稳的状态。因此，易于对导光板和本实施方式的半导体发光装置100进行光轴对位，并能够将光轴的错位抑制在较小的范围内。由于外引导部10a与封装基板的焊锡等进行连接时的粘着性稳定，因而可以实现无倾斜无缝隙等的连接，因此能够进一步提高散热性。
<防止短路>
将半导体发光装置100装载到封装基板上时，外引导部10a和外引导部20a分别通过焊锡等，与封装基板的相应端子进行固定以及电连接。
凸部15用于防止因焊锡凸球而导致外引导部10a与外引导部20a发生短路。
<防止焊锡溢出>
在半导体发光装置100中，内引导部10b的凹部40中装载有LED30。通过减少成型树脂部65顶部的高度(包围芯片LED30装载面的部位的高度)，来改善光的出射效率。然而，根据上述结构，将外引导部固定在封装基板的电极岸上时，可能造成焊锡等的溢出。特别是，由于外引导部10a的面积较大(横宽较宽)，使用的焊锡量会增多，所以导致溢出的可能性会更高。
对此，在本实施方式1的半导体发光装置100中，如图2中(b)所示，形成有悬垂部分(overhang)17，因而能够防止焊锡等的溢出。
综上所述，本实施方式1的半导体发光装置100具有上述结构。因此，第1引导框10具有：通过内引导部10b的凹部40来控制LED30的出射光的构造部分(即，阻止光照射到成型树脂部65，从而抑制成型树脂部65的树脂恶化的部分)；以及，通过外引导部10a的横宽的扩大(增大体积)来促进散热的构造部分。从而第1引导框10具有保障安装时的稳定性的这一主要效果。
LED30被配置在凹部40的内部，因此，LED30射出的光通过成型树脂部65的外壁(侧壁)，朝半导体发光装置100的出射方向反射，从而，能够使光较难到达在内引导部20b上形成的齐纳二极管50。由此，能够抑制齐纳二极管50对光的吸收，并抑制半导体发光装置100射出的光的亮度下降。
<陶瓷>
也可以不对成型树脂部65使用封装树脂，取而代之，可以用陶瓷来形成用以保持固定第1引导框10和第2引导框20的保持固定部件，并将该保持固定部件与各引导框一体形成。通过使用陶瓷，能够进一步提高半导体发光元件(LED30)的散热性。
若向各外引导部电镀比引导框主体具有更好的焊锡湿润性的金属，则更为有利。例如可以是，引导框主体为铜(Cu)，电镀金属为锡(Sn)、金(Au)或银(Ag)、或者锡铋合金(SnBi)。
在进行封装时，为了不与形成有配线图形的平坦印刷基板发生倾斜，使成型树脂部65的封装面即外壁上所配置的各端子的表面与上述外壁平行，且使各端子的厚度满足：各端子表面与上述外壁处于同一平面。
(实施方式2)
下面根据图3对本发明的实施方式2进行说明。在本实施方式中没有说明的结构均与上述实施方式1相同。为了便于说明，对于与在上述实施方式1的图中所示的部件具有相同功能的部件，赋予相同的标号，并省略其说明。
在图3所示的本实施方式2的半导体发光装置200中，在内引导部10b的凹部40中，装载LED30a和LED30b，并使LED30a的长边和LED30b的长边平行，并且，使LED30a和LED30b的长边相对于半导体发光装置200的长边稍有错位(即非平行)。LED30a和LED30b(至少有2个上述半导体发光元件，尺寸为：横宽0.7mm，宽0.29mm)被导电并联。齐纳二极管50被装载于比装载在凹部40中的LED30a和LED30b更高的位置。
LED30a的一侧的端子通过引线70a与内引导部10b导电键合，从而与外引导部10a相连。LED30a的另一侧的端子通过引线70b与内引导部20b导电键合，从而与外引导部20a导通。
LED30b的一侧的端子通过引线70c与内引导部10b导电键合，从而与外引导部10a相连。LED30b的另一侧的端子通过引线70d与内引导部20b导电键合，从而与外引导部20a导通。
根据本实施方式2的LED30a和LED30b的装载方法，LED30a和LED30b被配置在凹部40的内部，因此，LED30a和LED30b射出的光通过成型树脂部65的外壁(侧壁)，朝半导体发光装置200的出射方向反射，从而，能够抑制半导体发光装置200射出的光的亮度下降。
所形成的外引导部10a与装载有LED30a和LED30b的区域(凹部40)构成最短距离。因此，LED30a和LED30b在发光时产生的热能够通过上述最短距离，从外引导部10a中放出。由此，能够抑制半导体发光装置200的温度上升。
如半导体发光装置200那样装载多个LED时，使装载至凹部40内的半导体发光元件中的至少1个与第1外引导部10a接近。由此，能够提高散热性。
(实施方式2的变形例)
下面，根据图4对本发明的实施方式2的变形例进行说明。如图4所示，在本发明的变形例的半导体发光装置250中，在内引导部10b的凹部40中，装载LED30c和LED30d，并使LED30c的长边和LED30d的长边平行。
装载LED30c时，使LED30c的P型电极与LED30c的N型电极相比更接近外引导部10a。同样，装载LED30d时，使LED30d的P型电极与LED30d的N型电极相比更接近外引导部10a。LED30c和LED30d(横宽0.7mm、宽0.29mm)被导电并联。齐纳二极管50被装载在比在凹部40中装载的LED30c和LED30d更高的位置上。
LED30c的N型电极通过引线70e与内引导部10b导电键合，从而与外引导部10a导通。LED30d的N型电极通过引线70f与LED30c的N型电极导电键合，从而通过LED30c的N型电极和内引导部10b与外引导部10a导通。
LED30d的P型电极通过引线70g与内引导部20b导电键合，从而与外引导部20a导通。LED30c的P型电极通过引线70h与LED30d的P型电极导电键合，从而通过LED30d的P型电极和内引导部20b与外引导部20a导通。
根据本变形例的LED30c和LED30d的装载方法，LED30c和LED30d被配置在凹部40的内部，因此，LED30c和LED30d射出的光通过成型树脂部65的外壁(侧壁)，朝半导体发光装置250的出射方向反射，从而，能够抑制半导体发光装置250射出的光的亮度下降。
在本变形例的半导体发光装置中，装载LED30c和LED30d时，使LED30c和LED30d的P型电极比LED30c和LED30d的N型电极更接近外引导部10a。由此，能够使LED30c和LED30d在发光时产生的热有效地从外引导部10a中放出(由于在LED30c和LED30d中存在发光层，因而使LED的存在P层和发光层的一侧接近外引导部10a)。
在本变形例的半导体发光装置250中，所形成外引导部10a与装载有LED30c和LED30d的区域(凹部40)构成最短距离。因此，LED30c和LED30d在发光时产生的热能够通过上述最短距离，从外引导部10a中放出。由此，能够抑制半导体发光装置250的温度上升。
虽然在本实施例和实施方式2中，LED为2个，然而也可以为3个以上。
(实施方式3)
最后，根据图5中(a)和(b)对本发明的实施方式3进行说明。未在本实施方式中说明的结构均与上述实施方式1和2相同。为了便于说明，对于与上述实施方式1和2的图中所示的部件具有相同功能的部件，赋予相同的标号，并省略其说明。
如图5中(a)和(b)所示，在本实施方式3的半导体发光装置300中，外形为正方形的LED30e和LED30f被装载在内引导部10b的凹部40中，并使LED30e和LED30f的一边相互平行，且使LED30e和LED30f的一边相对于半导体发光装置300的长边方向稍有错位(即非平行)。LED30e和LED30f(0.45mm□：边长0.45mm)被导电串联。LED30e和LED30f通过导接引线71进行电连接。齐纳二极管50被装载在比在凹部40中装载的LED30e和LED30f更高的位置。
LED30e的一侧的端子通过引线70i与内引导部10b导电键合，从而与外引导部10a导通。LED30e的另一侧的端子通过导接引线71与LED30f的一侧的端子进行电连接。LED30f的另一侧的端子通过引线70j与在内引导部20b导电键合，从而与外引导部20a导通。
根据本实施方式3的LED30e和LED30f的装载方法，LED30e和LED30f被配置在凹部40的内部，因此，LED30e和LED30f射出的光通过成型树脂部65的外壁(侧壁)，朝半导体发光装置300的出射方向反射，从而，能够抑制半导体发光装置300射出的光的亮度下降。
所形成的外引导部10a与装载有LED30e和LED30f的区域(凹部40)构成最短距离。因此，LED30e和LED30f在发光时产生的热能够通过上述最短距离，从外引导部10a中放出。由此，能够抑制半导体发光装置300的温度上升。
如图5中(a)和(b)所示，半导体发光装置300的特征在于：外引导部10a’与配置有LED30e和LED30f的内引导部10b相连，沿成型树脂部65的外壁面的外引导部10a’的体积比外引导部10a更大(即，外引导部10a’的横宽比外引导部10a更宽，且外引导部10a’的高比外引导部10a更高)。从图5的(a)和(b)中可以看出，与外引导部10a’的横宽相比，外引导部20a的横宽较窄。
在图5的(b)中，半导体发光装置300的上述特征也可根据以下的事项得知。即，第1引导框10的沿成型树脂部65的外壁面的外引导部10a’的尺寸为：横宽3.45mm(包括突出部10aW)，高1.3mm；第2引导框20的外引导部20a的尺寸为：横宽0.7mm、高1.3mm。
在此列举的尺寸只是一个示例。半导体发光装置300的特征在于，外引导部10a’的横宽比外引导部10a、20a的横宽更宽。
也可以在成型树脂部65的外壁面的外侧形成第1引导框10的外引导部10a’(向外侧突出)。优选为，外引导部10a’向外侧突出的部分的长度在0.6mm以下。在将半导体发光装置300配置在封装基板上时，从与半导体发光装置300邻接的部件和半导体发光装置300之间的配置关系来看，优选向外侧突出的部分的长度在上述范围内。
上述邻接部件既可以为半导体发光装置300，也可以为与半导体发光装置300不同的其他半导体发光装置。上述邻接部件为半导体发光装置300时，2个半导体发光装置300以邻接状态被配置在封装基板上。
本实施方式3的外引导部10a’的宽和高比外引导部10a的宽和高更大，从而进一步提高了散热性。通过外引导部20a以及比外引导部10a的宽和高更大的外引导部10a’，能够进一步提高半导体发光装置固定的稳定性。
此次公开的实施方式均为示例，并不是对本发明的限制。本发明的范围不是上述说明所示的范围，而是包含权利要求书中所示的范围以及与权利要求的范围具有均等意义和范围内的所有变更。
本发明并不局限于上述各种实施方式，可以根据权利要求所示的范围进行各种变更。适当地组合不同实施方式中记述的技术手段而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围之内。
(工业上的利用可能性)
本发明的半导体发光装置能够抑制半导体发光元件的亮度下降，并能够提高散热性，而且能够廉价地提高装置的信赖性。因此，能够较好的适用于具有LED等半导体发光元件的半导体发光装置。

Claims (12)

1.一种半导体发光装置，被封装在封装基板上，且向外部射出光，
该半导体发光装置具有：
半导体发光元件；
半导体元件；
第1引导框，由第1内引导部和第1外引导部连接而成，上述第1内引导部具有用以装载上述半导体发光元件的装载面，上述第1外引导部与上述封装基板的相应电极连接；
第2引导框，由第2内引导部和第2外引导部连接而成，上述第2内引导部具有用以装载上述半导体元件的装载面，上述第2外引导部与上述封装基板的相应电极连接；
保持固定部件，用于固定上述第1引导框和上述第2引导框；
该半导体发光装置的特征在于：
在上述保持固定部件的外壁面，配置有上述第1外引导部和上述第2外引导部，上述第1外引导部与延伸并贯通上述保持固定部件的上述第1内引导部相连接，上述第2外引导部与延伸并贯通上述保持固定部件的上述第2内引导部相连接；
上述第1外引导部的面积比上述第2外引导部的面积大。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述保持固定部件由成型树脂形成。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述保持固定部件由陶瓷形成。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
还具有绝缘层，
上述绝缘层形成于上述第1内引导部和上述第2内引导部之间，且相对于该半导体发光装置的短边倾斜；
上述绝缘层由与上述保持固定部件相同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述保持固定部件的外壁面，上述第1外引导部和上述第2外引导部之间形成有凸部。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述第1内引导部具有凹部；
上述半导体发光元件被装载在上述凹部内。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述凹部中，至少有2个上述半导体发光元件并联电连接或串联电连接；
上述半导体元件被装载在比上述至少2个半导体发光元件高的位置。
8.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述凹部中充填有含荧光体的透光性树脂；
在充填有含荧光体的透光性树脂的上述凹部上，形成有透光性树脂。
9.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述凹部中充填有含荧光体的透光性树脂；
在充填有含荧光体的透光性树脂的上述凹部上，进一步设有含荧光体的透光性树脂。
10.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述透光性树脂为环氧树脂或硅树脂。
11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述第1外引导部和上述第2外引导部电镀有比该第1外引导部和该第2外引导部的主体具有良好焊锡湿润性的金属。
12.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述主体为铜；
上述金属为锡、金或银。
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