CN102237457B

CN102237457B - 发光器件、发光器件封装以及照明系统

Info

Publication number: CN102237457B
Application number: CN201110041682.7A
Authority: CN
Inventors: 金鲜京
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
Priority date: 2010-04-28
Filing date: 2011-02-18
Publication date: 2016-07-06
Anticipated expiration: 2031-02-18
Also published as: US8969893B2; EP2383806A1; TWI470830B; KR101039880B1; CN102237457A; US20110266518A1; TW201138151A; EP2383806B1

Abstract

本发明提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：发光结构、非周期光提取图案、以及荧光体层。发光结构包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上方的第二导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。非周期光提取图案被布置在发光结构上方。荧光体层被布置在非周期光提取图案上方。荧光体层填充非周期光提取图案的至少一部分。

Description

发光器件、发光器件封装以及照明系统

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。

背景技术

在发光器件中，通过组合周期表上的III和V族元素可以形成具有将电能转换为光能的性质的P-N结二极管。发光器件可以通过控制化合物半导体的组成比率实现各种颜色。

在发光器件中，当施加正向电压时，n层的电子与p层的空穴复合以发射与导带和价带之间的能隙对应的能量。该能量通常以热或者光的形式发射。在发光器件中，以光的形式发射能量。

例如，因为它们的高的热稳定性和宽的带隙能使得氮化物半导体受到很多关注以用于光学器件和高功率电子器件的领域。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、以及UV发光器件已经被商业化并且被广泛地使用。

例如，为了形成白色发光器件封装，可以组合是光的三原色的红、绿以及蓝色的发光器件，或者可以将诸如钇铝石榴石(YAG)和钇铝石榴石(TAG)的黄色荧光体添加到蓝色发光器件，或者可以在UV发光器件中使用(红/绿/蓝)三色荧光体。

然而，在包括荧光体的现有技术的白色发光器件封装中，荧光体可能不均匀地分布在发光器件的芯片周围，并且因此，可以形成宽的色温分布。

此外，由于荧光体的分布面积大于发光器件的面积，因此荧光体可能不均匀地分布在发光器件的芯片的周围，并且因此也会形成宽的色温分布。

发明内容

实施例提供发光器件、发光器件封装以及照明系统，其能够保持光提取效率并且减少根据辐射角的色温偏差。

在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上方的第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；在发光结构上方的非周期光提取图案；以及在非周期光提取图案上方的荧光体层，其中所述荧光体层填充非周期光提取图案的至少一部分。

在另一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上方的第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；在发光结构上方的非周期光提取图案；以及在非周期光提取图案上方的荧光体层，其中该荧光体层具有面向发光结构的第一表面和面向第一表面的反侧的第二表面，并且荧光体层的第一表面包括对应于被布置在发光结构上的非周期光提取图案的图案。

在又一实施例中，发光器件封装包括：封装主体；在封装主体上方的上述实施例中的任何一项的发光器件；以及电极，所述电极将封装主体电气地连接到发光器件。

在又一实施例中，照明系统包括发光模块，该发光模块包括基板和在基板上方的上面所述的发光器件封装。

在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的详情。从描述和附图，以及从权利要求中，其它的特征将变得显而易见。

附图说明

图1是示出根据实施例的发光器件的横截面图。

图2和图3是示出根据实施例的发光器件的平面图。

图4是示出现有技术的发光器件的发光图案的示意图。

图5是示出根据实施例的发光器件的发光图案的示意图。

图6是示出根据实施例的发光器件的光提取效率的图。

图7至图9是示出根据实施例的发光器件的制造方法的横截面图。

图10是示出根据实施例的发光器件封装的横截面图。

图11是示出根据实施例的照明单元的透视图。

图12是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

在下面的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，其能够直接在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或者多个中间层。

<实施例>

图1是示出根据实施例的发光器件100的横截面图，并且图2和图3是示出根据实施例的发光器件的平面图。

伪随机图案P1被示例为图2中的非周期光提取图案P，并且圆形图案P1被示例为图3中的非周期光提取图案P。

非周期光提取图案P可以包括不具有平移对称性的光提取图案。

发光器件100可以包括：发光结构110，该发光结构110包括第一导电类型半导体层112、有源层114、以及第二导电类型半导体层116；非周期光提取图案P，该非周期光提取图案P被布置在发光结构110上；和荧光体层130，该荧光体层130被布置在非周期光提取图案P上。

荧光体层130可以填充非周期光提取图案P的至少一部分。

非周期光提取图案P可以包括如图2中所示的伪随机图案P1，但是本公开不限于此。

非周期光提取图案P可以包括具有随机形状或者粗糙表面以及预定形状的凹凸结构，并且因此，本公开不限于此。

伪随机图案P1可以包括被随机地布置在有限空间内的柱形图案或者孔图案。

伪随机图案P1可以具有大约200nm至大约3000nm范围内的最近平均距离。

非周期光提取图案P可以包括如图3中所示的圆形图案P2。

圆形图案P2可以包括同心圆的圆周上的柱形图案或者孔图案。

荧光体层130可以具有均匀的厚度。

通过组合例如蓝色LED和荧光体的母光源形成白色发光二极管(LED)。在这样的情况下，需要减少根据辐射角的色温偏差。为此，可以使用在发光结构的上层上形成具有均匀的厚度的荧光体薄层的(共形涂覆)方法，并且因此，荧光体形成为具有与蓝色LED相同的位置和相同的面积的光源以减少除了色差之外的根据光路径的封装中的色温偏差。

因此，因为在荧光体中转换的长波长光的行进路径与没有被吸收到荧光体的蓝光的行进路径基本上相同，因此能够忽略根据路径的色温偏差。

图4是示出现有技术的发光器件的发光图案的示意图。

尽管使用用于具有均匀厚度的荧光体层的涂覆(共形涂覆)工艺，但是仍然可能存在如图4中所示的根据辐射角的色温偏差。

这是因为蓝光的径向分布A基本上不同于通过荧光体转换的光的径向分布B。

即，通过GaN和背景材料(空气或者硅胶)与发光结构之间的界面来确定蓝光的径向分布A，并且该径向分布A稍微地集中在垂直方向上。

相反地，因为通过自发发射工艺来产生通过荧光体转换的长波长光，所以长波长光具有关于径向分布B的相同的概率。因此，当通过组合蓝光和长波长光来形成白色LED时，随着辐射角靠近垂直方向，蓝光的强度增加，从而表现出相对高的色温。

具体地，因为垂直GaN基LED具有比侧面型结构更加集中在垂直方向上的径向分布，所以需要设计和开发具有与来自于荧光体的光的径向分布相类似的径向分布的发光器件。

图5是示出根据实施例的发光器件的光提取图案的示意图。

在当前实施例中，非周期光提取图案P可以被布置在垂直GaN基LED的未掺杂的半导体层或者n型半导体层中以减少根据辐射角的白色LED的色温偏差。未掺杂的半导体层是没有掺杂有n型或者p型离子的层。

例如，非周期光提取图案P可以包括伪随机图案P1或者圆形图案P2。

图6是示出根据实施例的发光器件的光提取效率的图。

非周期光提取图案P具有与具有周期性的现有技术的光提取图案(方点阵图案)的提取效率相同的提取效率，并且在水平方向上扩展光，而不是在垂直方向上扩展光。

因为由于图案格的周期性导致的衍射使得通过光提取图案垂直地集中光。因此，不具有周期性的伪随机图案P1或者圆形图案P2具有与平坦的表面的发光分布相类似的发光分布。因此，具有均匀的厚度(通过共形涂覆)的荧光体层形成在包括伪随机图案P1或者圆形图案P2的发光结构上，以减少色温偏差。

在根据实施例的发光器件中，具有均匀的厚度的荧光体层形成在非周期光提取图案上，从而保持光提取效率并且减少根据辐射角的色温偏差。

在下文中，将会参考图7至图9描述根据实施例的制造发光器件的方法。

首先，如图7中所示，制备第一衬底105。第一衬底105包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，第一衬底105可以包括蓝宝石(Al₂O₃)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、以及Ga₂O₃中的至少一个。凹凸结构可以被布置在第一衬底105的上部上，但是本公开不限于此。

可以对第一衬底105执行湿清洁操作以从第一衬底105的表面移除杂质。

然后，包括第一导电类型半导体层112、有源层114、以及第二导电类型半导体层116的发光结构110可以形成在第一衬底105上。

使用诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、以及氢化物气相外延(HVPE)的方法可以形成发光结构110，但是本公开不限于此。

缓冲层(未示出)可以形成在第一衬底105上。缓冲层能够减少发光结构110和第一衬底105的材料之间的晶格错配，并且可以由III-V族化合物半导体形成，例如，可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN中的至少一个形成。未掺杂的半导体层可以形成在缓冲层(未示出)上，但是本公开不限于此。

第一导电类型半导体层112可以由被掺杂有第一导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体形成。当第一导电类型半导体层112是N型半导体层时，第一导电类型掺杂物可以包括Si、Ge、Sn、Se、或者Te作为N型掺杂物，但是本公开不限于此。

第一导电类型半导体层112可以包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。

第一导电类型半导体层112可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、以及InP中的至少一个。

通过使用诸如化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射、或者氢化物气相外延(HVPE)的方法，第一导电类型半导体层112可以形成为N型GaN层。通过将硅烷(SiH₄)气体和诸如三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH₃)、以及氮气(N₂)以及硅(Si)的n型杂质注入室可以形成第一导电类型半导体层112。

在有源层114中，通过第一导电类型半导体层112注入的电子与通过之后形成的第二导电类型半导体层116注入的空穴相遇以发射具有通过有源层114(发光层)的自然能带确定的能量的光。

有源层114可以具有单量子阱结构或者多量子阱(MQW)结构、量子线结构、以及量子点结构中的至少一个。例如，有源层114可以具有通过注入三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH₃)、氮气(N₂)、以及三甲基铟(TMIn)气体形成的多量子阱(MQW)结构，但是本公开不限于此。

有源层114的阱层/势垒层可以具有包括InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、以及GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一个的对结构，但是本公开不限于此。阱层可以由具有比势垒层的带隙低的带隙的材料形成。

导电类型包覆层可以形成在有源层114的上侧和下侧中的至少一个上。导电类型包覆层可以由AlGaN基半导体形成，并且可以具有比有源层114的带隙高的带隙。

第二导电类型半导体层116可以包括被掺杂有第二导电类型掺杂物的III-V族化合物半导体，例如，包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，第二导电类型半导体层116可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的材料。当第二导电类型半导体层116是P型半导体层时，第二导电类型掺杂物可以包括Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba作为P型掺杂物。第二导电类型半导体层116可以形成为单层或者多层，但是本公开不限于此。

通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH₃)、氮气(N₂)、以及三甲基铟(TMIn)气体、以及包括诸如镁(Mg)的p型杂质的双(乙基环戊二烯基)镁(EtCp₂Mg){Mg(C₂H₅C₅H₄)₂}注入室可以形成第二导电类型半导体层116作为p型GaN层，但是本公开不限于此。

在实施例中，第一导电类型半导体层112可以是N型半导体层，并且第二导电类型半导体层116可以是P型半导体层，但是本公开不限于此。与第二导电类型半导体相反导电类型半导体的层，例如N型半导体层(未示出)可以形成在第二导电类型半导体层116上。因此，发光结构110可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的一个。

其后，第二电极层120形成在第二导电类型半导体层116上。

第二电极层120可以包括欧姆层(未示出)、反射层122、耦合层(未示出)、以及导电支撑基板124。

例如，第二电极层120可以包括可以欧姆接触发光结构110的欧姆层(未示出)以有效地提供电力并且可以通过以多层堆叠单金属或者金属合金、和金属氧化物形成。

例如，欧姆层(未示出)可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZON(IZO氮化物)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、以及Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf中的至少一个，但是本公开不限于此。

第二电极层120包括反射层122以反射从发光结构110入射的光以提高光提取效率。

例如，反射层122可以由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf中的至少一个的合金或者金属形成。反射层122可以形成为包括金属或者合金以及诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、以及ATO的光透射导电材料的多层。例如，可以以诸如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、以及AZO/Ag/Ni的堆叠结构形成反射层122。

当第二电极层120包括耦合层时，反射层122可以用作耦合层，或者可以包括阻挡金属或者结合金属。例如，耦合层(未示出)可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一个。

第二电极层120可以包括导电支撑基板124。导电支撑基板124能够支撑发光结构110并且能够将电力提供到发光结构110。导电支撑基板124可以由具有高导电性的金属、金属合金、或者导电半导体材料形成。

例如，导电支撑基板124可以包括铜(Cu)、铜合金、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜钨(Cu-W)、以及载具晶圆(例如，Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、或者SiC)中的至少一个。

导电支撑基板124的厚度可以根据用于发光器件的设计而变化。例如，导电支撑基板124可以具有大约30μm至大约500μm范围内的厚度。

形成导电支撑基板124的方法可以包括电化学金属沉积方法和使用共熔金属的结合方法。

其后，如图8中所示，第一衬底105被移除以暴露第一导电类型半导体层112。可以使用激光剥离方法或者化学剥离方法移除第一衬底105。另外，使用物理磨削方法可以移除第一衬底105。

接下来，参考图9，非周期光提取图案P形成在发光结构110上。

例如，非周期光提取图案P形成在第一导电类型半导体层112或者未掺杂的半导体层(未示出)上，但是本公开不限于此。

伪随机图案P1可以包括随机地布置在有限空间内的柱形图案或者孔图案。孔图案或者柱形图案可以具有相同的尺寸，但是本公开不限于此。

孔图案或者柱形图案可以不相互重叠。

使用预定的掩模图案(未示出)通过湿法或者干法蚀刻工艺可以形成伪随机图案P1，但是本公开不限于此。

考虑光提取效率，伪随机图案P1可以具有大约200nm至大约3000nm范围内的最近平均距离。

在这里，伪随机图案P1的最近平均距离是形成图案的结构之间的距离的平均值。

非周期光提取图案P可以包括如图3中所示的圆形图案P2。

圆形图案P2可以包括在同心圆的圆周上的孔图案或者柱形图案。

以与伪随机图案P1相同的方式，孔图案或者柱形图案可以不相互重叠，并且圆形图案P2可以具有大约200nm至大约3000nm范围内的最近平均距离，但是本公开不限于此。

根据实施例，非周期光提取图案P包括诸如伪随机图案P1或者圆形图案P2的非周期图案以具有与具有周期性的现有技术的光提取图案(方格图案)的提取效率相同的提取效率，并且在水平方向上而不是垂直方向上扩散光。

接下来，荧光体层130形成在非周期光提取图案P上。荧光体层130可以具有均匀的厚度。

荧光体层130可以接触非周期光提取图案P，但是本公开不限于此，并且因此，钝化层(未示出)可以被布置在其间。钝化层可以包括诸如SiO₂和Si₃N₄的电介质。

通过将黄色荧光体(诸如钇铝石榴石(YAG)和钇铝石榴石(TAG)添加到蓝色LED，或者通过将(红/绿/蓝)三色荧光体添加到UVLED可以形成荧光体层130，但是本公开不限于此。

荧光体可以包括主体材料和活性材料。例如，可以使用钇铝石榴石(YAG)作为主体材料和铈(Ce)活性材料、或者硅酸盐基主体材料和铕(Eu)活性材料，但是本公开不限于此。

荧光体层130可以具有平坦的上表面，但是本公开不限于此。因为具有平坦的上表面的荧光体层130均匀地形成在发光结构110上，所以荧光体能够均匀地分布在发光器件的芯片周围，并且通过表面光发射能够有效地执行光学设计。

在实施例中，荧光体层130具有面向发光结构110的第一表面，和面向第一表面的相反侧的第二表面，并且荧光体层130的第一表面可以包括与形成在发光结构110上的非周期光提取图案P相对应的图案。

例如，面向发光结构110的第一表面可以包括朝着发光结构110突出的图案，并且第二表面可以面向与第一表面相反的侧面并且具有平坦的上表面。

在根据实施例的发光器件和发光器件的制造方法中，具有均匀的厚度的荧光体层形成在非周期光提取图案上，从而保持光提取效率并且减少根据辐射角的色温偏差。

图10是示出根据实施例的设置有发光器件的发光器件封装的横截面图。

参考图10，根据当前实施例的发光器件封装包括封装主体205、布置在封装主体205中的第三电极层213和第四电极层214、布置在封装主体205中并且电连接到第三电极层213和第四电极层214的发光器件100、以及围绕发光器件100的成型构件240。

封装主体205可以由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。倾斜表面可以被布置在发光器件100的周围。

第三电极层213和第四电极层214相互电气地分离，并且将电力提供给发光器件100。而且，第三电极层213和第四电极层214可以反射在发光器件100中产生的光，以提高光效率，并且可以将在发光器件100中产生的热释放到外部。

发光器件100可以是图1中示例的垂直型发光器件，但是本公开不限于此，并且因此，发光器件100可以是水平型发光器件。

发光器件100可以被布置在封装主体205上或者在第三电极层213或第四电极层214上。

通过布线方法、倒装芯片安装方法、以及贴片方法中的一个可以将发光器件100电气地连接到第三电极层213和/或第四电极层214。在实施例中，发光器件100通过布线230电气地连接到第三电极层213，并且直接接触第四电极层214。

成型构件240可以围绕发光器件100，以保护发光器件100。成型构件240可以包括荧光体以改变从发光器件100发射的光的波长。

可以在基板上设置多个根据实施例的发光器件封装，并且导光面板、棱镜片、扩展片以及荧光片可以作为光学构件被布置在从发光器件封装发射的光的路径中。发光器件封装、基板以及光学构件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可以包括照明单元、背光单元、指示装置、灯、以及街灯。

图11是根据实施例的照明单元1100的透视图。然而，照明单元1100仅是照明系统的示例，并且因此，本公开不限于此。

参考图11，照明单元1100可以包括壳体1110、布置在壳体1110中的发光模块1130、以及连接端子1120，该连接端子1120被布置在壳体1110中以接收来自外部电源的电力。

壳体1110可以由具有改进的散热特性的材料形成。例如，壳体1110可以由金属材料或者树脂材料形成。

发光模块1130可以包括基板1132和安装在基板1132上的至少一个发光器件封装200。

电路图案可以被印制在绝缘材料上以形成基板1132。例如，基板1132可以包括印制电路板(PCB)、金属核PCB、柔性PCB或陶瓷PCB。

而且，基板1132可以由能够有效地反射光的材料形成。基板1132的表面可以被涂覆有有色材料，例如，通过其有效地反射光的白色或者银色材料。

发光器件封装200可以被安装在基板1132上。发光器件封装200可以包括至少一个发光器件100。发光器件100可以包括发射红色、绿色、蓝色或者白色的光的彩色发光二极管，和发射紫外(UV)光的UV发光二极管。

发光模块1130可以包括多个发光器件封装200以获得各种颜色和亮度。例如，可以相互组合地布置白色发光器件、红色发光器件、以及绿色发光器件以确保高显色指数(CRI)。

连接端子1120可以电气地连接到发光模块1130以提供电力。尽管连接端子1120被螺纹插入到插座方式的外部电源，但是本公开不限于此。例如，连接端子1120可以具有插头形状。因此，连接端子1120可以被插入到外部电源中或者使用互连连接到外部电源。

图12是根据实施例的背光单元1200的分解透视图。然而，背光单元1200仅是照明系统的示例，并且因此，本公开不限于此。

根据实施例的背光单元1200可以包括导光板1210、发光模块1240、反射构件1220、以及底盖1230，但是不限于此。发光模块1240可以将光提供给导光板1210。反射构件1220可以被布置在导光板1210下面。底盖1230可以容纳导光板1210、发光模块1240、以及反射构件1220。

导光板1210扩散光以产生平面光。导光板1210可以由透明材料形成。例如，导光板1210可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。

发光模块1240将光提供到导光板1210的至少一个表面。因此，发光模块1240可以被用作包括背光单元的显示装置的光源。

发光模块1240可以接触导光板1210，但是不限于此。特别地，发光模块1240可以包括基板1242，和安装在基板1242上的多个发光器件封装200。基板1242可以接触导光板1210，但是不限于此。

基板1242可以是包括电路图案(未示出)的PCB。然而，基板1242可以包括金属核PCB、或者柔性PCB以及PCB，但是不限于此。

发光器件封装200可以具有在基板1242上发射光的发光表面并且与导光板1210隔开预定距离。

反射构件1220可以被布置在导光板1210的下方。反射构件1220反射入射到导光板1210的底表面的光以在向上方向上前进，从而提高背光单元的亮度。例如，反射构件可以由PET、PC、以及PVC中的一个形成，但是不限于此。

底盖1230可以容纳导光板1210、发光模块1240、以及反射构件1220。为此，底盖1230可以具有盒形状，其具有开口的上侧，但是不限于此。

底盖1230可以由金属材料或者树脂材料形成。而且，可以使用按压形成工艺或者挤出成型工艺制造底盖1230。

如上所述，根据实施例的照明系统包括发光器件封装，从而提高可靠性。

在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。

虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上方的第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；

在所述发光结构上的非周期光提取图案；

在所述非周期光提取图案上方的具有均匀厚度的荧光体层；以及

在所述第一导电类型半导体层上的未掺杂半导体层，

其中所述荧光体层填充所述非周期光提取图案的至少一部分，并且

其中通过所述非周期光提取图案，所述发光结构的光在水平方向上被扩展，

其中，所述荧光体层具有面向所述发光结构的第一表面和面向所述第一表面的相反侧的第二表面，以及所述荧光体层的第一表面包括与被布置在所述未掺杂半导体层中的所述非周期光提取图案相对应的图案，并且其中所述荧光体层的第二表面是平坦的。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非周期光提取图案包括伪随机图案。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述伪随机图案包括随机地布置在有限空间内的孔或者柱。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述伪随机图案具有200nm至3000nm范围内的最近平均距离。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非周期光提取图案包括非周期圆形图案。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述圆形图案包括同心圆的圆周上的孔或者柱。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述非周期光提取图案包括不具有平移对称性的光提取图案。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述荧光体层具有与所述发光结构相同的面积。

9.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括钝化层，所述钝化层设置在所述荧光体层和所述非周期光提取图案之间。

10.一种发光器件封装，包括：

封装主体；

在所述封装主体上方的根据权利要求1至9中的任何一项所述的发光器件；以及

电极，所述电极将所述封装主体电气地连接到所述发光器件。

11.一种照明系统，包括：

发光模块，所述发光模块包括基板和在所述基板上方的根据权利要求10所述的发光器件封装。