CN102234489A

CN102234489A - 晶片加工用带

Info

Publication number: CN102234489A
Application number: CN2010101681204A
Authority: CN
Inventors: 石黑邦彦; 石渡伸一; 盛岛泰正
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2010-04-26
Filing date: 2010-04-26
Publication date: 2011-11-09

Abstract

本发明提供一种可以降低切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑的晶片加工用带。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和形成于其上的粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)和层压在该粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合膜(12)的80℃的损耗角正切tanδfilm和粘接剂层(13)的80℃的损耗角正切tanδad的比tanδad/tanδfilm设定为5.0以下。可以将切割片(21)的旋转振动通过粘合膜(12)充分吸收。在切割时，粘接剂层(13)的切割片(21)的旋转振动引起的振动通过粘合剂层(12b)而降低，难以传递到半导体芯片(2)。

Description

晶片加工用带

技术领域

本发明涉及一种使用将半导体晶片切断为半导体元件(芯片)的切割工序和将切断的芯片与引线框及其他芯片粘接的小片接合(die bonding)工序两个工序的晶片加工用带。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，实施将将半导体晶片切断为芯片单位(切割)的工序、拾取切断的半导体元件(芯片)的工序、进一步将拾取的芯片粘接于引线框及包装基板等的小片接合(密封)工序。

作为用于上述半导体装置的制造工序的晶片加工用带，公知的是在基材膜上，粘合剂(粘着剤)层和粘接剂(接着剤)层依次形成的晶片粘贴用粘合膜(例如参照专利文献1)。

但是，通过作为最通常的切割方法的高速旋转的薄型砥石(切割片)切断芯片时，伴随芯片的薄型化，在切割时，由于切割片的旋转振动，相邻的芯片彼此之间接触，存在产生芯片破裂或芯片缺损等碎屑这样的问题。

另外，为了减少这种切割时的碎屑(chipping)，已知有一种晶片加工用带，将半导体元件的厚度设定为W(μm)、胶粘剂层的厚度设定为A(μm)、胶粘剂层的固化后的25℃时的储存弹性模量设定为E(GPa)时，W×E/A＝Q表示的Q的值为0.5～80(例如参照专利文献2)。

[专利文献1]日本特开2002-226796号公报

[专利文献2]日本特开2005-026547号公报

在记载于上述专利文献2的晶片加工用带中，存在不考虑粘接剂层和粘合剂层的关系，而通过粘接剂层和粘合剂层的组合，不能防止芯片破裂及芯片缺损等碎屑这样的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种可以降低切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑(chipping)的晶片加工用带。

本发明者等使用具有基材膜、设置在该基材膜上的粘合剂层、设置在粘合剂层上的粘接剂层的晶片加工用带制造半导体装置的情况下，由于切割时的芯片之间的接触由切割片的旋转振动而产生，发现为了降低切割时的芯片破裂及芯片缺损，在粘合膜上具有吸收振动的功能(应力吸收性能)有效。

该发明根据上述的发现研制而成。

本发明的第一方式的晶片加工用带，具有由基材膜和设置在该基材膜上的粘合剂层构成的粘合膜和设置在所述粘合剂层上的粘接剂层，其特征在于，所述粘合剂膜具有吸收振动的功能。

根据该构成，由于粘合膜具有吸收振动的功能，因此，在切割时，由于粘接剂层的切割片的旋转振动引起的振动通过粘合膜被吸收，难以传递到芯片，降低了邻接的芯片之间的接触。由此，降低切割时的芯片破裂及芯片缺损等碎屑。

本发明的第二方式的晶片加工用带，其特征在于，将所述粘合膜的80℃的损耗角正切设定为tanδfilm，将所述粘接剂层的80℃的损耗角正切设定为tanδad时，tanδad/tanδfilm为5.0以下。

根据该构成，通过将tanδad/tanδfilm设定为5.0以下，粘合膜软化为可以充分吸收振动的程度。因此，由于粘接剂层的切割片的旋转振动引起的振动通过粘合膜被吸收，难以传递到芯片(单片化的带粘接剂的芯片)，降低了邻接的芯片之间的接触。由此，降低了切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑。优选tanδad/tanδfilm在3.4以下。

根据本发明，可以实现可以降低切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑的晶片加工用带。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的晶片加工用带的剖面图；

图2是在晶片加工用带上贴合有半导体晶片的图；

图3是用于说明切割工序的图；

图4是用于说明扩展工序的图；

图5是用于说明拾取工序的图。

符号的说明

1：半导体晶片

2：半导体芯片(半导体元件)

10：晶片加工用带

12：粘合膜

12a：基材膜

12b：粘合剂层

13：粘接剂层

具体实施方式

下面，根据附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是表示一实施方式的晶片加工用带10的剖面图。该晶片加工用带10具有由基材膜12a和形成于其上的粘合剂层12b构成的粘合膜12和层压于该粘合膜12上的粘接剂层13。这样，在晶片加工用带10上，按顺序形成有基材膜12a、粘合剂层12b、和粘接剂层13。

另外，粘合剂层12b可以通过一层的粘合剂层构成，也可以由层压有两层以上的粘合剂层的粘合剂层构成。另外，在图1中，为了保护粘接剂层13，显示了在晶片加工用带10上设置有剥离衬里11的状态。

粘接膜12及粘接剂层13可以根据使用工序或装置预先切割成规定形状(预切割)。本发明的晶片加工用带包含按半导体晶片的每一片切割的方式和将形成有多个其的长的片材卷绕在辊上的方式。

本实施方式的晶片加工用带10，其特征在于，具有以下的构成。将粘合膜12的80℃的损耗角正切设定为tanδfilm，将粘接剂层13的80℃的损耗角正切设定为tanδad时，tanδad/tanδfilm设定为5.0以下。优选tanδad/tanδfilm在3.4以下。

通常，对样品周期性赋予变形ε时，如果样品为完全的弹性体，则与其对应的应力σ不会发生时间上的迟缓，而以同相位表现。但是，在样品上存在粘性要素时，响应产生迟缓(变形的输入和响应的相位差δ)。具有该时间的迟缓的变形ε和应力σ通过下述的式(1)作为复合弹性模量(complex elastic modulus)(E^*)表示。

E^*＝σ/ε

E^*＝E’+iE”...式(1)

另外，在本发明中使用的损耗角正切tanδ通过下述式(2)表示。

tanδ＝E”/E’...式(2)

在此，E’为储存弹性模量，E”为损失弹性模量。

储存弹性模量E’显示弹性的性质，损失弹性模量E”及损耗角正切tanδ显示粘性的、即能量损失的性质。

这样，以相当于粘性的损失弹性模量E”和相当于弹性的储存弹性模量E’的比(E”/E’)表示的损耗角正切tanδ反映了振动吸收性，其值越大粘性越高(变软)，振动吸收性越高。相反，其值越小，粘性越低(变硬)，振动吸收性越低。

当tanδad/tanδfilm超过5.0时，相对于粘接剂13，粘合膜12过硬，因此，在切割时，切割片21(图3)的旋转振动不能通过粘合膜12充分吸收，该旋转振动引起的粘接剂层13的振动传递到半导体芯片2。由此，邻接的半导体芯片2(单片化的带粘接剂层的半导体芯片2)彼此接触，产生芯片破裂及芯片缺损。如果tanδad/tanδfilm在5.0以下，优选在3.4以下，则粘合膜12也变软，因此，粘接剂层13因切割片21的旋转振动而引起的振动通过粘合膜12充分吸收而降低，难以传递到半导体芯片2。由此，邻接的半导体芯片2彼此间的接触降低。由此，切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑降低。

下面，对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素进行详细说明。

(粘接剂层)

粘接剂层13在贴合并切割半导体晶片1等后，在拾取半导体芯片2时，从粘合膜12剥离，附着在半导体芯片2上，用作将半导体芯片2固定在基板或引线架上时的粘接剂。因此，粘接剂层13在拾取工序中，具有可以以附着在单片化的半导体芯片2上的状态从粘合膜12剥离的剥离性，而且，在小片接合工序中，为将半导体芯片2粘接固定于基板或引线架，具有充分的粘接可靠性。

粘接剂层13为将粘接剂预先进行膜化而得的粘接剂层，可以使用例如用于粘接剂的公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂等或其混合物。

从固化后的耐热性良好方面看，特别优选使用环氧树脂。环氧树脂只要为固化并呈现粘接作用即可。作为环氧树脂，以高Tg(玻璃化转变温度)化为目的，可以添加多官能环氧树脂，作为多官能环氧树脂，示例有苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等。环氧树脂的固化剂可以使用通常用作环氧树脂固化剂的材料，可列举例如：胺类、聚酰胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、及1分子中具有2个以上酚性羟基的化合物即双酚A、双酚F、双酚S等。特别是由于吸湿时的耐电蚀性优良，所以优选使用作为酚醛树脂的苯酚酚醛清漆树脂及双酚酚醛清漆树脂。另外，与固化剂一起使用固化促进剂，从可以缩短用于固化的热处理的时间方面而优选。作为固化促进剂，可以使用2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯这样的各种咪唑类等的盐基。

另外，为了强化对半导体芯片2或引线架20的粘接力，优选将硅烷偶联剂或钛偶联剂作为添加剂添加于上述树脂材料或其混合物中。另外，以耐热性的提高或流动性的调节为目的，可以添加填料。作为这种填料，有二氧化硅、氧化铝、锑氧化物等。这些填料只要最大粒径比粘接剂层13的厚度小，就可以以任意的比例配合不同粒径的填料。

为了提高tanδad，可以使聚酯树脂及酚醛树脂等低分子量成分多，使丙烯酸树脂等高分子量成分少。另外，在配合填料的情况下，填料配合量可以较少，为了降低tanδ，可以与上述相反地进行。

粘接剂层13的厚度没有特别限制，通常优选为5～100μm程度。另外，粘接剂层13可以层压在粘合膜12的粘合剂层12b的整个面上，也可以将预先切割成对应于粘合的半导体晶片1的形状(预切割)的粘接剂层层压在粘合剂层12b的一部分上。层压有切割成对应于半导体晶片1的形状的粘接剂层13时，如图2所示，在粘合半导体晶片1的部分具有粘接剂层13，在贴合切割用的环形架20的部分没有粘接剂层13，仅存在粘合膜12的粘合剂层12b。一般而言，粘接剂层13难以与被粘体剥离，因此，通过使用预切割成的粘接剂层13，可得到如下效果：可以使环形架20贴合于粘合膜12上，且在使用后的片材剥离时在环形架上不易产生残浆。

(粘合膜)

在切割半导体晶片1时，粘合膜12具有半导体晶片1不会剥离这样的充分的粘合力，在切割后，在拾取半导体芯片2时，具有可以容易地从粘接剂层13剥离的这样低的粘接力。在本实施方式中，如图1所示，粘合膜12使用在基材膜12a上设有粘合剂层12b的粘合膜。

作为粘合膜12的基材膜12a，只要是现有公知的基材膜，就可以不特别限制地使用，如后述，在本实施方式中，作为粘合剂层12b，使用能量固化性的材料中的放射线固化性的材料，因此，使用具有放射线透射性的基材膜。

例如，作为基材膜12a的材料，可以列举：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或者他们的混合物；聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯类共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体及他们的混合物。另外，基材膜12a可以为将选自这些组中的2种以上的材料混合成的基材膜，也可以为将他们进行单层或多层化而得的基材膜。基材膜12a的厚度没有特别限定，可以适当设定，优选50～200μm。

tanδfilm是用于基材膜12a的树脂的构造而引起的。更详细来说，分子量越高且缠绕点间分子量越小，tanδfilm越高。

在本实施方式中，通过对粘合膜12照射紫外线等放射线，使粘合剂层12b固化，容易从粘接剂层13上剥离粘合剂层12b，因此，优选在粘合剂层12b的树脂中适当配合粘合剂所使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、加成反应型有机聚硅氧烷系树脂、硅丙烯酸酯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚异戊二烯或苯乙烯-丁二烯共聚物或其加氢物等各种弹性体等或在其混合物中适当配合放射线聚合性化合物而制备粘合剂。另外，还可以添加各种表面活性剂或表面平滑剂。粘合剂层的厚度没有特别限定，可以适当设定，优选为5～30μm。

该放射线聚合性化合物使用例如通过光照射可以三维网状化的分子内具有至少2个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物或取代基中具有光聚合性碳-碳双键基团的聚合物或低聚物。具体而言，可以使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等、硅丙烯酸酯等、丙烯酸或各种丙烯酸酯类的共聚物等。

另外，除如上所述的丙烯酸酯类化合物之外，还可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物是使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物反应而得到的，该末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物是使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应而得到的。需要说明的是，粘合剂层12b中也可以混合选自上述树脂中的2种以上树脂。

需要说明的是，对于粘合剂层12b的树脂，除对粘合膜12照射放射线而使粘合剂层12b固化的放射线聚合性化合物之外，也可以适当配合丙烯酸类粘合剂、光聚合引发剂、固化剂等而制备粘合剂层12b。

使用光聚合引发剂时，可以使用例如苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量优选相对丙烯酸类共聚物100质量份为0.01～5质量份。

(晶片加工用带的使用方法)

在半导体装置的制造工序中，晶片加工用带10如下使用。在图2中，表示在晶片加工用带10贴合有半导体晶片1和环形架20的情形。首先，如图2所示，将粘合膜12的粘合剂层12b粘贴在环形架20上，使半导体晶片1与粘接剂层13粘合。其粘贴顺序没有限制，可以在使半导体晶片1与粘接剂层13粘合后将粘合膜12的粘合剂层12b粘贴在环形架20上。另外，也可以同时进行粘合膜12向环形架20上的粘贴和半导体晶片1向粘接剂层13上的粘合。

而且，实施半导体晶片1的切割工序(图3)，接着，实施对粘合膜12照射能量射线、例如紫外线的工序。具体而言，为了利用切割刀21切割半导体晶片1和粘接剂层13，利用吸附台22从粘合膜12面侧吸附支撑晶片加工用带10。而且，利用切割刀21将半导体晶片1和粘接剂层13切割成2单元半导体芯片并进行单片化，其后，从粘合膜12的下表面侧照射能量射线。通过该能量射线照射，使粘合剂层12b固化，使其粘合力降低。需要说明的是，可以取代能量射线的照射，利用加热等外部刺激而使粘合膜12的粘合剂层12b的粘合力降低。粘合剂层12b由两层以上的粘合剂层层压而构成的情况下，可以通过能量照射使各粘合剂层中的一层或所有层固化，使各粘合剂层中的一层或所有层的粘合力降低。

其后，如图4所示，实施将保持有切割成的半导体芯片2及粘接剂层13的粘合膜12沿环形架20的圆周方向拉伸的扩展工序。具体而言，相对保持有切割成的多个半导体芯片2及粘接剂层13的状态的粘合膜12，使中空圆柱形状的顶出构件30从粘合膜12的下表面侧上升，使粘合膜12沿环形架20的圆周方向拉伸。通过扩展工序，加宽半导体芯片2之间的间隔，提高CCD摄像机等的半导体芯片2的识别性，同时，可以防止在拾取时由于邻接的半导体芯片之间2的接触而产生的半导体芯片之间的再粘接。

实施扩展工序后，如图5所示，在将粘合膜12扩展了的状态下，实施拾取半导体芯片2的拾取工序。具体而言，从粘合膜12的下表面侧利用针31将半导体芯片2顶出，同时，从粘合膜12的上表面侧用吸附夹具32吸附半导体芯片2，由此，将单片化的半导体芯片2与粘接剂层13一同拾取。

而且，实施拾取工序后，实施小片接合工序。具体而言，利用在拾取工序中与半导体芯片2一同拾取的粘接剂层13，将半导体芯片2与引线架或封装基板等粘接。

接着，对本发明的实施例进行说明，但本发明的实施例不限于此。

将具有表1所示的粘接剂层(A)～(C)的粘接膜及粘合膜(1)～(3)分别切割为直径370mm、320mm的圆形，且将粘合膜(1)～(3)的任一个的粘合剂层和具有粘接剂层(A)～(C)的任一个的粘接剂膜的粘接贴合粘合。最后，将粘接膜的PET膜从粘接剂层剥离，得到表1所示的实施例1～4及比较例1～5的各晶片加工用带。

(粘接剂层的制作)

<粘接剂层(A)>

将作为环氧树脂的YDCN-703(东都化成株式会社制商品名、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、环氧当量210g/eq、分子量1200、软化点80℃)50重量份、作为酚醛树脂的ミレツクスXLC-LL(三井化学株式会社制商品名、羟基当量175g/eq、吸水率1.8％、350℃时的加热重量减少率4％)50重量份、作为硅烷偶联剂的Z-6044(东丽·道康宁株式会社制商品名、3-环氧丙氧基丙基甲基甲氧基硅烷)0.35重量份、作为二氧化硅填料的S0-C2(admatechs株式会社制商品名、比重2.2g/cm³、莫氏硬度7、平均粒径0.5μm、比表面积6.0m²/g)35重量份、作为固化促进剂的Curesol 2PZ(四国化成株式会社制商品名、2-苯基咪唑)3重量份、作为丙烯酸树脂的SG-P3(NagasechemteX(株)制商品名、重量平均分子量85万、玻璃化转变温度10℃)250重量份在有机溶剂中进行搅拌，得到粘接剂层组合物。将该粘接剂层组合物涂敷在脱模处理过的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，干燥并制作具有膜厚20μm的粘接剂层(A)的粘接膜。该粘接剂层(A)的动态粘弹性测定的固化前80℃的损耗角正切tanδad为0.162。该损耗角正切tanδad的测定方法如后所述。

<粘接剂层(B)>

将作为环氧树脂的YDCN-703(东都化成株式会社制商品名、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、环氧当量210g/eq、分子量1200、软化点80℃)55重量份、作为酚醛树脂的ミレツクスXLC-LL(三井化学株式会社制商品名、羟基当量175g/eq、吸水率1.8％、350℃时的加热重量减少率4％)45重量份、作为硅烷偶联剂的Z-6044(东丽·道康宁株式会社制商品名、3-环氧丙氧基丙基甲基甲氧基硅烷)0.3重量份、作为二氧化硅填料的S0-C2(admatechs株式会社制商品名、比重2.2g/cm³、莫氏硬度7、平均粒径0.5μm、比表面积6.0m²/g)30重量份、作为固化促进剂的Curesol 2PZ(四国化成株式会社制商品名、2-苯基咪唑)0.4重量份、作为丙烯酸树脂的SG-P3(NagasechemteX(株)制商品名、重量平均分子量85万、玻璃化转变温度10℃)275重量份在有机溶剂中进行搅拌，得到粘接剂层组合物。将该粘接剂层组合物涂敷在脱模处理过的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，干燥并制作具有膜厚20μm的粘接剂层(B)的粘接膜。该粘接剂层(B)的动态粘弹性测定的固化前80℃的损耗角正切tanδad为0.232。

<粘接剂层(C)>

将作为环氧树脂的YDCN-703(东都化成株式会社制商品名、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、环氧当量210g/eq、分子量1200、软化点80℃)55重量份、作为酚醛树脂的ミレツクスXLC-LL(三井化学株式会社制商品名、羟基当量175g/eq、吸水率1.8％、350℃时的加热重量减少率4％)45重量份、作为硅烷偶联剂的Z-6044(东丽·道康宁株式会社制商品名、3-环氧丙氧基丙基甲基甲氧基硅烷)1.5重量份、作为二氧化硅填料的S0-C2(admatechs株式会社制商品名、比重2.2g/cm³、莫氏硬度7、平均粒径0.5μm、比表面积6.0m²/g)150重量份、作为固化促进剂的Curesol 2PZ(四国化成株式会社制商品名、2-苯基咪唑)0.5重量份、作为丙烯酸树脂的SG-P3(NagasechemteX(株)制商品名、重量平均分子量85万、玻璃化转变温度10℃)100重量份在有机溶剂中进行搅拌，得到粘接剂层组合物。将该粘接剂层组合物涂敷在脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，干燥并制作具有膜厚20μm的粘接剂层(C)的粘接膜。该粘接剂层(C)的动态粘弹性测定的固化前80℃的损耗角正切tanδad为0.619。

(粘合膜的制作)

<粘合膜(1)>

使丙烯酸丁酯65重量份、丙烯酸2-羟基乙酯25重量份、丙烯酸10重量份进行自由基聚合，在滴加2-异氰酸酯甲基丙烯酸乙酯进行反应而合成的重均分子量80万的丙烯酸共聚物中加入作为固化剂的聚异氰酸酯3重量份、作为光聚合引发剂的1-羟基-环己基-苯基-酮1重量份并混合，做成粘合剂层组合物。

将制得的粘合剂层组合物以干燥膜厚为10μm的方式涂敷在涂覆用膜膜(基材膜12a以外的涂敷用膜)上，在120℃下干燥3分钟。其后，将涂敷在该膜上的粘合剂层组合物作为基材膜12a，使其转印在100μm的聚丙烯-弹性体(PP∶HSBR＝80∶20的弹性体)树脂膜上，由此制作粘合膜(1)。该粘合膜(1)的动态粘弹性测定的80℃的损耗角正切tanδfilm为0.098。

需要说明的是，聚丙烯(PP)使用日本pochem株式会社制的novatecFG4，加氢苯乙烯丁二烯(HSBR)使用JSR株式会社制的DYNARON 1320P。另外，涂敷用膜使用进行了硅酮脱模处理的PET膜(帝人：ヒユ一ピレツクスS-314、厚度25μm)。

<粘合膜(2)>

作为基材膜12a，除使用MFR1.2、熔点71℃的乙烯-异丁烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙基)三元共聚合物-Zn++-离聚物树脂(三井·DU PONTPOLYCHEMICALS社制、ハイミランAM-7316)以外，与粘合膜(1)同样进行制作。该粘合膜(2)的动态粘弹性测定的80℃的损耗角正切tanδfilm为0.068。

<粘合膜(3)>

作为基材膜12a，除使用MFR2.2、熔点97℃的乙烯-异丁烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙基)三元共聚合物-Zn++-离聚物树脂(三井·DU PONTPOLYCHEMICALS社制、ニユクレルAN4217-3C)以外，与粘合膜(1)同样进行制作。该粘合膜(3)的动态粘弹性测定的80℃的损耗角正切tanδfilm为0.016。

(粘接剂层(A)～(C)的损耗角正切)

准备两个在隔膜(PET)上涂敷粘接剂层(A)20μm的材料，通过粘接层(A)之间的贴合使其贴合，并剥离隔膜后，进而，重复通过粘接剂层(A)之间的贴合贴合在隔膜上涂敷粘接剂层(A)20μm的层的工序，从而层压到1mm的厚度，作为穿孔为8mmΦ的粘接剂层(A)的模板。

相对于使用动态粘弹性测定装置ARES(REOLOGICA制)的固化前的粘接剂层(A)的样品，在样品厚度1mm、片径8mmΦ、频率1Hz的剪切条件下，测定从室温以升温速度10℃/分钟的条件升温到200℃时的80℃的粘接剂层(A)的损耗角正切tanδad。

粘接剂层(B)及粘接剂层(C)的各损耗角正切tanδad也与粘接剂层(A)的损耗角正切tanδad相同进行测定。

(粘合膜(1)～(3)的损耗角正切)

将上述粘合膜(1)～(3)分别切断为宽度5mm作为样品。使用动态粘弹性测定装置RSAIII(TA Instrument制)在卡盘间距20mm、频率10Hz的拉伸条件下，测定从-10℃以升温速度10℃/分钟的条件升温到150℃时的80℃的粘合膜(1)的损耗角正切tanδfilm。粘合膜(2)及粘合膜(3)的各损耗角正切tanδfilm也与粘合膜(1)的损耗角正切tanδfilm相同进行测定。

(碎屑性能)

在厚度200μm的硅片的背面粘贴实施例1～4及比较例1～5的各晶片加工用带，切割成7.5mm×7.5mm后，用光学显微镜观察模具的剖面，评价芯片缺损的有无。如表1所示，将具有将芯片破裂的情况设定为××，将芯片缺损多发的情况设定为×，将发现芯片缺损的情况设定为△，将几乎没有观察到芯片缺损的情况设定为○，进行碎屑性能评价。

实施例1

实施例2

实施例3

实施例4

比较例1

比较例2

比较例3

比较例4

比较例5

粘接剂层

(A)

(B)

(A)

(B)

(C)

粘合膜

(1)

(2)

(1)

(2)

(3)

(1)

(2)

(3)

tanδad/tanδfilm

1.651

2.403

2.359

3.433

9.879

14.140

6.297

9.163

37.740

碎屑性能

○

×

△

×

××

从表1可知，在实施例1～4中，切割时的芯片破裂及芯片缺损等碎屑(切割时的碎屑)充分降低。

与此相对，在比较例1～5中，产生有切割时的芯片破裂及芯片缺损等碎屑。

根据本实施方式的晶片加工用带10，由于通过将粘合膜12的80℃的损耗角正切tanδfilm和粘接剂层13的80℃的损耗角正切tanδad的比tanδad/tanδfilm设定为5.0以下，因此，切割片21(图3)的旋转振动引起的振动通过粘合膜12可以被充分吸收。在切割时，粘接剂层13的切割片21的旋转振动引起的振动通过粘合膜12被充分吸收而降低，难以传递到芯片2。由此，降低了邻接的半导体芯片2之间的接触，降低了切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑。

通过将上述tanδad/tanδfilm设定为3.4以下，如表1所示，几乎不会产生切割时的芯片破裂及芯片缺损。因此，可以充分降低切割时的芯片破裂及芯片缺损等的碎屑。

Claims

1.一种半导体加工带，其特征在于，其是具有由基材膜和设置在该基材膜上的粘合剂层构成的粘合膜及设置在所述粘合剂层上的粘接剂层的晶片加工用带，所述粘合膜具有吸收振动的功能。

2.如权利要求1所述的半导体加工带，其特征在于，将所述粘合膜在80℃的损耗角正切设定为tanδfilm，将所述粘接剂层在80℃的损耗角正切设定为tanδad时，tanδad/tanδfilm为5.0以下。

3.如权利要求2所述的半导体加工带，其特征在于，所述tanδad/tanδfilm为3.4以下。