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CN102116978B - Tft-lcd阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备 - Google Patents

Tft-lcd阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备 Download PDF

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CN102116978B CN200910244615.8A CN200910244615A CN102116978B CN 102116978 B CN102116978 B CN 102116978B CN 200910244615 A CN200910244615 A CN 200910244615A CN 102116978 B CN102116978 B CN 102116978B
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Abstract

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备，涉及液晶显示装置制造领域，能够提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。一种TFT-LCD阵列基板，包括：基板以及形成在所述基板上的多层阵列图形，在所述基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层阵列图形中各阵列图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底。本发明应用于TFT-LCD阵列基板的制备。

Description

TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备
技术领域
本发明涉及液晶显示装置制造领域，尤其涉及一种TFT-LCID阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备。
背景技术
TFT-LCD因其体积小、功耗低和无辐射等特点，占据了当前平板显示器市场的主导地位。TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板对盒而成。其中，在阵列基板中相互交叉地配置有定义像素区域的栅线和数据线，在各像素区域中配置有像素电极和薄膜晶体管。通过将驱动信号施加到栅线上，图像数据通过数据线施加到像素电极，并通过像素电极施加电压以控制阵列基板和彩膜基板之间液晶的偏转来控制光线的强弱，配合彩膜基板的功能，在基板上显示出所要表达的图像。
目前，在TFT-LCD生产流程中，都需要对TFT-LCD阵列基板上所形成的各层图形的尺寸进行检测，以保证工艺参数的均匀性和产品参数的稳定性。其检测原理是：通过将显微镜移动到特定的检测区域，对该区域的指定图形进行拍摄，然后运用图像处理程序，对图片中匹配图形的线宽进行检测。总体来说，该检测流程包括：将玻璃搬运到检测基台，玻璃对位，定位检测坐标系，对特定点进行拍照，线宽的灰度判断和测量等等。经过上述这些步骤，才可以测定出阵列基板上图形的尺寸。
发明人在实现本发明的技术方案时发现，现有技术提供的TFT-LCD阵列基板的检测方法，由于检测过程繁琐，每张阵列基板的检测时间从二十分钟到三十分钟不等，在大规模量产中，会造成整个生产时间的延迟，影响生产效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备，能够提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
为解决上述技术问题，本发明TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备采用如下技术方案：
一种TFT-LCD阵列基板，包括：基板以及形成在所述基板上的多层阵列图形，在所述基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层阵列图形中各阵列图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底。
所述检测衬底包括：位于所述检测衬底中心区域的透光的检测窗口，以及遮光的窗口边框。
所述检测图案遮光，所述检测衬底反光。
所述检测衬底与除被检测阵列图形以外的阵列图形同层设置。
一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法，包括：
在基板上未设置所述多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；
采用直线光在所述基板下方照射所述检测标记；
接收透过所述检测标记的光线；
计算出所述光线的透射率，若所述光线的透射率与标准透射率不符，则判定所检测的图形不合格；若所述光线的透射率与标准透射率相符，则判定所检测的图形合格。
所述检测衬底包括：位于所述检测衬底中心区域的透光的检测窗口，以及遮光的窗口边框。
一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法，包括：
在基板上未设置所述多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；
采用直线光在所述基板上方照射所述检测标记；
接收经过所述检测标记反射回的光线；
计算出所述光线的反射率，若所述光线的反射率与标准反射率不符，则判定所检测的图形不合格；若所述光线的反射率与标准反射率相符，则判定所检测的图形合格。
所述检测衬底包括：透光的检测窗口，以及不反射光线的窗口边框；所述检测图案反射光线。
所述检测衬底反射光线，所述检测图案不反射光线。
一种采用上述方法的设备，包括：光发射器和光接收器，其中，在基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；所述光发射器用于向TFT-LCD阵列基板的检测标记发射光线，所述光接收器用于接收所述光发射器发射的，透过所述检测标记或经过所述检测标记反射回的光线。
还包括：与所述光接收器电性连接的数据处理模块。
所述光发射器为激光发射器。
本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备，通过在未设置多层图形的区域设置用于检测各层图形的尺寸大小的检测标记，在生产流程中，通过对该检测标记进行直射光线的照射，通过对与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案的光线透射率或反射率的变化的检测，实时地实现对各层图形线宽的监控，该阵列基板制备简单，易于实现，为阵列基板的检测提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一TFT-LCD阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例二检测标记的结构示意图之一；
图3为本发明实施例二检测标记的结构示意图之二；
图4为本发明实施例三检测标记的结构示意图之一；
图5为本发明实施例四的方法流程图；
图6为本发明实施例四中检测标记的结构示意图之一；
图7为采用本发明实施例四的方法的检测示意图；
图8为本发明实施例四检测标记的结构示意图之二；
图9为本发明实施例五的方法流程图；
图10为本发明实施例五中检测标记的结构示意图；
图11为采用本发明实施例五的方法的检测示意图之一；
图12为采用本发明实施例五的方法的检测示意图之二；
图13为本发明实施例七中检测标记的结构示意图。
附图标记说明：
1-基板；       2-图形；       3-检测标记；
31-检测图案；  32-检测衬底；  321-检测窗口；
322-窗口边框； 4-光发射器；   5-光接收器。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种TFT-LCD阵列基板、多层图形尺寸检测方法和设备，能够提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
实施例一
本发明实施例提供一种TFT-LCD阵列基板，如图1所示，该阵列基板包括：基板1以及形成在所述基板1上的多层阵列图形2，在所述基板1上未设置所述多层阵列图形2的区域设置有用于分别检测所述多层阵列图形2中各阵列图形的尺寸大小的检测标记3，所述检测标记3包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底。
为便于对TFT-LCD阵列基板的各层阵列图形的检测以及对位检测，本发明实施例提供上述结构的阵列基板。具体地，将采用上述结构的阵列基板进行直射光线的照射，通过对光线透射率或反射率的变化的检测，实时地实现对各层图形线宽的监控。
由于在TFT-LCD阵列基板与彩膜基板对盒后会分割成若干个液晶显示模块，将检测标记设置在未设置各层阵列图形的区域，即非图形区域，在实现TFT-LCD阵列基板检测功能的同时，亦不会影响到对盒后形成的液晶显示模块的正常显示功能。
其中，上述阵列图形包括：栅线、栅电极、数据线、公共电极线、源电极图形、漏电极图形、TFT沟道图形等。
本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板，通过在未设置多层阵列图形的区域设置用于检测各层阵列图形的尺寸大小的检测标记，在生产流程中，通过对该检测标记进行直射光线的照射，通过对与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案的光线透射率或反射率的变化的检测，实时地实现对各层阵列图形线宽的监控，该阵列基板制备简单，易于实现，为阵列基板的检测提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
实施例二
在阵列基板的生产流程中，针对不同层阵列图形的结构，可以形成多个用于检测不同层阵列图形的不同的检测标记。
在实施例一的基础上，进一步地，检测标记可以为透射式检测标记，如图2所示，检测衬底32包括：位于所述检测衬底32中心区域的透光的检测窗口321，以及遮光的窗口边框322。
下面以传统TFT-LCD阵列结构中，检测数据线的线宽为例，说明本发明实施例的技术方案。如图2所示，检测标记包括：与数据线同层设置且尺寸相同的检测图案31，以及与检测图案31非同层设置的检测衬底32。检测衬底32包括位于检测衬底32中心区域的透光的检测窗口321，以及遮光的窗口边框322。检测图案31与检测衬底32垂直叠放设置，使检测图案31位于所述检测窗口321的中心位置。
其中，检测衬底32可以与除数据线以外的阵列图形同层设置，也可以采用单独的制备工艺，与阵列图形非同层设置，在本实施例中，以检测衬底32与栅线同层设置为例，加以说明。则在形成该矩形的检测图案31之前，在形成第一层栅线图形的同时，在基板的非图形区域的特定位置形成衬于该矩形的检测图案31下方位置的检测衬底32，即该检测衬底32是与栅线同层设置的，检测衬底32包括与栅线相同材质的遮光的窗口边框322，以及由该窗口边框322围设出的透光的检测窗口321，并使检测图案31位于该检测窗口321上方位置，进一步地，要求检测图案31的尺寸略小于检测窗口321的尺寸。
检测时，采用直射光线从阵列基板的背面照射检测标记，检测窗口321的面积为S＝ab，其中a和b是矩形的检测窗口321的长和宽，由于检测窗口321是采用预先设定的标准窗口，因此S为定值。则光线的透射率可以由1-cd/S来表示，其中c和d是矩形的检测图案31的长和宽。进一步地，可以在检测窗口321上方设置n个检测图案31，如图3所示，n为检测窗口321中检测图案31的个数，则从该区域背面照射的光线的透射率为1-ncd/S，在TFT-LCID的曝光、显影和刻蚀工艺中，图形的边界缩小和放大的大小基本上是一致的。也就是说，当c变化1微米的时候，d也同样会变化1微米。那么当二者同时增加1微米的时候，检测标记的透射率为1-n(c+1)(d+1)/S，则透射率的变化为1-n(c+1)(d+1)/S-(1-ncd/S)＝-n(c+d+1)/S。以S＝400，n＝4，c＝d＝6微米为例，透射率会产生13％的变化。当线宽变化2微米时，透射率会发生78％的变化。
通过对透射率的监控，可以得到检测图案尺寸的变化，进而反映出图形区域阵列图形尺寸的变化。
本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板，通过在未设置多层阵列图形的区域设置用于检测各层阵列图形的尺寸大小的检测标记，在生产流程中，通过对该检测标记进行直射光线的照射，通过对与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案的光线透射率的变化的检测，实时地实现对各层阵列图形线宽的监控，该阵列基板制备简单，易于实现，为阵列基板的检测提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
实施例三
在实施例一的基础上，进一步地，该检测标记可以为反射型检测标记，如图4所示，即检测图案31遮光，检测衬底32反光。
其中，检测衬底32可以与被检测的阵列图形以外的阵列图形同层设置，也可以采用单独的制备工艺，与阵列图形非同层设置，在本实施例中，以检测衬底32与栅线同层设置为例，加以说明。形成与被检测的阵列图形同层设置且尺寸大小一致的遮光的检测图案31，则在形成该检测图案31之前，在形成第一层栅线图形的同时，在基板的非图形区域的特定位置形成衬于该检测图案31下方位置的检测衬底32，即该检测衬底32是与栅线同层设置的。
检测时，采用直射光线从阵列基板的正面垂直照射检测标记，通过对反射率的监控，可以得到检测图案尺寸的变化，进而反映出图形区域阵列图形尺寸的变化。
本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板，通过在未设置多层阵列图形的区域设置用于检测各层阵列图形的尺寸大小的检测标记，在生产流程中，通过对该检测标记进行直射光线的照射，通过对与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案的光线反射率的变化的检测，实时地实现对各层阵列图形线宽的监控，该阵列基板制备简单，易于实现，为阵列基板的检测提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
实施例四
本发明实施例提供一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法，如图5所示，该方法包括：
步骤S11、在基板上未设置所述多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；
步骤S12、采用直线光在所述基板上方照射所述检测标记；
步骤S13、接收透过所述检测标记的光线；
步骤S14、计算出所述光线的透射率，若所述光线的透射率与标准透射率不符，则判定所检测的图形不合格；若所述光线的透射率与标准透射率相符，则判定所检测的图形合格。
进一步地，如图6所示，该检测标记为透射型检测标记，所述检测衬底32包括：位于所述检测衬底32中心区域的透光的检测窗口321，以及遮光的窗口边框322。
下面以制备传统结构的TFT-LCD流程中，检测用于形成过孔的光刻胶图形的尺寸为例，说明本发明实施例的技术方案。
如图6所示，当需要检测形成过孔的光刻胶图形的尺寸时，首先需要在形成该过孔的曝光工艺中所使用的掩膜版上形成一系列圆形图案，该圆形图案完全不透光，与被检测的过孔大小一致。也就是说，在掩膜版的图形区域上，沉积有一层不透光的金属层，在其上分布有许多透光的圆形图形。而在掩膜版上的检测图形区域上，则是与上述圆形图形大小相同的不透光金属图形。则在阵列基板的制备过程中，玻璃基板的图形区域是形成过孔的光刻胶图形，该图形是透光的圆孔图形。在非图形区域中，则可以形成一系列的非透光的圆形的检测图案31，该检测图案31与图形区域的用于形成过孔图形的光刻胶圆孔图形的尺寸相同。
在形成该圆形的检测图案31之前，可以在形成第一层栅线图形的同时，在基板的特定位置形成衬于该圆形的检测图案31下方位置的检测衬底32，即该检测衬底32是与栅线同层设置的，检测衬底32包括与栅线相同材质的遮光的窗口边框322，以及由该窗口边框322围设出的透光的检测窗口321，并使检测图案31位于该检测窗口321上方位置，进一步地，要求检测图案31的尺寸略小于检测窗口321的尺寸。
在进行检测时，如图7所示，采用光发射器4在阵列基板的背面对该阵列基板上的检测标记3进行直线光照射，光发射器4发射的一部分光线被圆形的检测图案31遮挡，另一部分光线穿过检测窗口321被光接收器4接收，根据接收到的光线得出不透光的面积，从而得到圆形的检测图案31的尺寸，继而得到被检测的形成该过孔的光刻胶图形的尺寸，从而判断出在曝光和显影工艺步骤之后，该过孔的尺寸是否符合标准。
具体地，如图6所示，圆形的检测图案31半径为R，则从该区域背面照射的光线的透射率为1-πR2/S，其中S为检测窗口321的面积，S＝ab，由于检测窗口321是采用预先设定的标准窗口，因此S为定值。当检测图案31符合制作标准时，则R与所检测的过孔的半径相等，则透射率1-πR2/S不变。若检测图案31的半径R发生变化，则透射率1-πR2/S的值也随之改变，从而检测出该过孔的尺寸不合格。其中，也可以在检测窗口321上方设置n个检测图案31，如图8所示，n即为检测窗口321中检测图案31的个数，检测图案31的总面积为nπR2，，则从该区域背面照射的光线的透射率为1-nπR2/S，则当图形半径增加1微米的时候，检测标记的透射率为1-nπ(R+1)2/S，则光线透射率的变化为nπ(2R+1)/S。以R＝5微米，检测窗口的面积为：40微米×10微米，N＝4为例，当半径变化1微米的时候，透射率产生34.54％的变化。通过设置在基板正面的光接收器的观察，就可以从光线透射率的变化得出R的大小。
本发明实施例提供的在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测多层图形尺寸的方法，通过在未设置多层图形的区域设置用于检测各层图形的尺寸大小的检测标记，在生产流程中，通过对该检测标记进行直射光线的照射，通过对与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案的光线透射率的变化的检测，实时地实现对各层图形线宽的监控，该方法易于实现，为阵列基板制备过程中各层图形尺寸的实时检测提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
实施例五
本发明实施例一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法，如图9所示，该方法包括：
步骤S21、在基板上未设置所述多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；
步骤S22、采用直线光在所述基板上方照射所述检测标记；
步骤S23、接收经过所述检测标记反射回的光线；
步骤S24、计算出所述光线的反射率，若所述光线的反射率与标准反射率不符，则判定所检测的图形不合格；若所述光线的反射率与标准反射率相符，则判定所检测的图形合格。
在本实施例中，检测标记为反射型检测标记，进一步地，如图10所示，所述检测衬底32包括：位于检测衬底32中心区域的透光的检测窗口321，以及不反射光线的窗口边框322，检测窗口321暴露出位于所述检测衬底32下方的检测图案31，检测图案31反射光线。
以检测用于形成栅线的光刻胶图形的尺寸为例，说明本实施例的技术方案。由于栅线层通常由AlNd，Al，Cu等金属组成，该类型的金属具有较高的光线反射率。相比较而言，光刻胶的光线反射率就低得多。应用这一现象，就可以实现检测用于形成栅线的光刻胶图形的尺寸的检测。首先，在基板之上沉积一层栅极金属，栅极金属分布于整个基板之上。然后通过曝光和显影，与形成用于形成栅线的光刻胶图形同层的光刻胶形成检测衬底32，该检测衬底32中心区域开口，开口区域露出下面的金属层，即检测衬底32包括：位于检测衬底32中心区域的透光的检测窗口321，以及遮光的窗口边框322，检测窗口321暴露出位于检测衬底32下方的检测图案31。其中，开口的尺寸，即检测窗口321的尺寸，也即检测图案31的尺寸与用于形成栅线的光刻胶图形的尺寸大小一致。
在进行检测时，如图11所示，通过光发射器4发出的直线光光线从阵列基板的正面照射该检测标记，光接收器5接收检测图案31中心区域开口处暴露出检测图案31反射回的光线，反射光线的强度随着线宽的变化而变化。通过检测反射光的强度，就可以得到用于形成栅线的光刻胶图形的尺寸的变化趋势。
另外，本实施例还可以提供一种反射型检测标记，如图4所示，即检测衬底32反射光线，检测图案31不反射光线。以检测形成数据线的光刻胶图形的尺寸为例，其中，检测衬底32可以与被检测的图形以外的图形同层设置，也可以采用单独的制备工艺，与各层图形非同层设置。检测时，如图12所示，通过光发射器4发出的直线光光线从阵列基板的正面照射该检测标记，光接收器5接收检测衬底32反射的光线，通过对反射率的监控，可以得到检测图案尺寸的变化，进而反映出图形区域图形尺寸的变化。
本发明实施例提供的在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测多层图形尺寸的方法，通过在未设置多层图形的区域设置用于检测各层图形的尺寸大小的检测标记，在生产流程中，通过对该检测标记进行直射光线的照射，通过对与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案的光线反射率的变化的检测，实时地实现对各层图形线宽的监控，该方法易于实现，为阵列基板制备过程中各层图形尺寸的实时检测提供更为快速和准确的测试结果，提高测试的效率和精确度。
实施例六
本发明实施例还提供一种采用上述实施例在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测多层图形尺寸的方法的设备，包括：光发射器和光接收器，其中，在基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；所述光发射器用于向TFT-LCD阵列基板的检测标记发射光线，所述光接收器用于接收所述光发射器发射的，透过所述检测标记或经过所述检测标记反射回的光线。
进一步，还包括：与所述光接收器电性连接的数据处理模块。该数据处理模块用于计算光线的透射率和反射率。
进一步地，所述光发射器优选为激光发射器。
实施例七
上述实施例是针对各层图形尺寸进行检测。在TFT-LCD阵列基板的生产流程中，对于对位精度的要求是十分严格的。对位的偏差会引起像素区域各层结构之间的偏离，进而造成TFT像素特性的异常。因此，进一步地，还可以实现对于各层之间对位偏差的测量和监控。和上述实施例相同，需要形成检测标记的结构，首先在第一层先形成一个检测衬底，该检测衬底包括中心区域完全透光的检测窗口，后续层在成形的时候，在与窗口图形中心重合的位置上设计出相应的完全不透光的检测图案。因此，当第一层和其它层对位没有偏差的时候，透过检测标记的光线应该为一个定值。当图形的偏差处于控制范围之内时，即上下左右的偏差都小于控制基准，那么透射率不会产生变化。当两层之间的对位偏差超出控制基准的时候，透射率会有增加的趋势，如图13所示。通过对于光线透射率的监控，就可以实现不同层之间的对位偏差的监控。对于这类监控而言，检测图形和检测窗口的形状不仅仅局限于图中所示，也包括矩形，椭圆形等各类形状。
对于同一层，由于基板上的图形是由同一个掩膜版经过几次相同的曝光而得到的。对于TFT-LCD工艺而言，这几次曝光工艺之间的精度控制也十分的重要。因此，在前一个掩膜版曝光中，首先形成检测窗口的图形，然后在同一个基板上的随后的曝光中，在检测窗口上形成检测图案。这样，就可以实现同一张玻璃基板上不同曝光次数之间对位精度的监控。
另外，以上设计的图形，都是在窗口之上再形成相应的图形来进行监控。该设计可以实现对于曝光、显影和刻蚀，剥离等不同工艺流程的监控。同样的，也可以直接形成用来监控的透光的检测图形。图形变大时，透射率增加，反之则透射率减小，从而实现上述对于尺寸，偏移等的监控。为了避免周边杂散光对于检测结果的影响，可以将不透光的区域设计的尽可能大，然后利用方向性优秀的激光进行照射，光接收器也尽可能的靠近玻璃基板，以减少进入检测装置的背景光线。
本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板以及对位检测方法，通过在未设置多层图形的区域设置用于检测各层图形的尺寸大小的检测标记，在生产流程中，通过对该检测标记进行直射光线的照射，通过对光线透射率或反射率的变化的检测，实时的实现对各层对位的监控，该阵列基板制备简单，易于实现，提高了对位的效率和精确度。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括：基板以及形成在所述基板上的多层阵列图形，其特征在于，在所述基板上未设置所述多层阵列图形的区域设置有用于分别检测所述多层阵列图形中各阵列图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；
其中，所述检测衬底包括：位于所述检测衬底中心区域的透光的检测窗口，以及遮光的窗口边框；所述检测图案与所述检测衬底垂直叠放设置，使检测图案位于所述检测窗口的中心位置；所述检测图案的尺寸略小于所述检测窗口的尺寸；或者，
所述检测图案遮光，所述检测衬底反光；在基板的非图形区域的特定位置形成衬于该检测图案下方位置的检测衬底。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述检测衬底与除被检测阵列图形以外的阵列图形同层设置。
3.一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法，其特征在于，包括：
在基板上未设置多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；所述检测衬底包括：位于所述检测衬底中心区域的透光的检测窗口，以及遮光的窗口边框；所述检测图案与所述检测衬底垂直叠放设置，使检测图案位于所述检测窗口的中心位置；所述检测图案的尺寸略小于所述检测窗口的尺寸；
采用直线光在所述基板下方照射所述检测标记；
接收透过所述检测标记的光线；
计算出所述光线的透射率，若所述光线的透射率与标准透射率不符，则判定所检测的图形不合格；若所述光线的透射率与标准透射率相符，则判定所检测的图形合格。
4.一种在TFT-LCD阵列基板制备过程中检测阵列图形和光刻胶图形尺寸的方法，其特征在于，包括：
在基板上未设置多层图形的区域形成分别检测所述多层图形中各图形的尺寸大小的检测标记，所述检测标记包括：与被检测图形同层设置且尺寸相同的检测图案，以及与所述检测图案非同层设置的检测衬底；所述检测衬底包括：透光的检测窗口，以及不反射光线的窗口边框；所述检测图案反射光线；所述检测图案与所述检测衬底垂直叠放设置，使检测图案位于所述检测窗口的中心位置；所述检测图案的尺寸略小于所述检测窗口的尺寸；或者，所述检测衬底反射光线，所述检测图案不反射光线；在基板的非图形区域的特定位置形成衬于该检测图案下方位置的检测衬底；
采用直线光在所述基板上方照射所述检测标记；
接收经过所述检测标记反射回的光线；
计算出所述光线的反射率，若所述光线的反射率与标准反射率不符，则判定所检测的图形不合格；若所述光线的反射率与标准反射率相符，则判定所检测的图形合格。
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