CN102105020A - 一种印制电路板的制作方法和用于印制电路板的除钯方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种印制电路板的制作方法，包括：去除基板上的电路线路图形区域之外的铜层；其中，所述基板设有非导通孔，在所述非导通孔中附有钯；去除所述非导通孔中的钯。一种用于制作印制电路板的除钯方法，所述除钯时所用的除钯剂为盐酸溶液和硫脲溶液的混合溶液。本发明可用于制造印制电路板。

Description

一种印制电路板的制作方法和用于印制电路板的除钯方法

技术领域

本发明涉及电路板，尤其涉及一种印制电路板的制作方法和用于印制电路板的除钯方法。

背景技术

在高密度互联板(High density interconnection，简称HDI)制作领域，表面处理以化学沉镍金为主，由于在进行金属化孔(Plated through hole，简称PTH)孔化时，基材孔壁吸附了一层胶体钯，在一次全面镀铜后贴干膜时，相应的非导通孔(孔壁不镀覆金属而用于机械安装或机械固定组件的孔)也都一起被干膜覆盖，于是在第二次镀铜和第二次蚀刻后，虽然各非导通孔(None plated through hole，简称NPTH)内的铜已被全部蚀掉，但化铜前吸附在孔壁基材上的钯却不能被去除，在进行化学沉镍金时，导致非导通孔沉上镍金，从而影响HDI板的可靠性能。

发明内容

本发明要解决的一个技术问题是提供一种印制电路板的制作方法，用该方法制造印制电路板，可提高HDI板的性能。

为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种印制电路板的制作方法包括：

去除基板上的电路线路图形区域之外的铜层；其中，所述基板设有非导通孔，在所述非导通孔中附有钯；

去除所述非导通孔中的钯。

与传统的技术相比，本发明印制电路板的制作方法在去除基板上的电路线路图形之外的同层后增加了一道除钯工艺，用盐酸溶液和硫脲溶液的混合液去除了非导通孔内的钯，有效避免了在后续工艺中沉镍金时通过置换反应导致在非导通孔内沉上镍金的问题，从而提高了HDI板的性能。

本发明要解决的另一个技术问题是提供一种用于制造印制电路板的除钯方法，通过该方法对印制电路板进行除钯，可提高电路板的性能。

为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种用于制造印制电路板的除钯方法，所述除钯时所用的除钯剂为盐酸溶液和硫脲溶液的混合溶液。

硫脲分子中由于硫原子和氮原子上存在孤对电子，可以与多种金属离子形成配位化合物，尤其硫脲分子中的硫脲原子有空的3d轨道，容易接受钯的3d电子形成配位键，因此，硫脲分子中的硫原子对金属钯具有特殊的亲和力，能够形成稳定的配位化合物。因此，非导通孔中的钯能够和硫脲形成稳定的化合物并溶解。因此，所述混合溶液可有效去除印制电路板中非导通孔中干的钯，从而提高印制电路板的性能。

附图说明

图1为本发明印制电路板的制作方法的流程图。

具体实施方式

本发明的目的在于提供一种印制电路板的制作方法。该方法可提高印制电路板的性能。

以下结合实施例对印制电路板的制作方法作详细的说明。

实施例1

本实施例提供一种印制电路板的制作方法。如图1所示，一种印制电路板的制作方法包括：

S10：去除基板上的电路线路图形区域之外的铜层；其中，所述基板设有非导通孔，在所述非导通孔中附有钯；

S20：去除非导通孔中的钯。

其中，去除基板上的电路线路图形区域之外的铜层具体为：通过蚀刻工艺，去除电路线路图形区域之外的铜层。本实施例通过水平碱性蚀刻机，利用氯化铵蚀刻液进行蚀刻。其中，水平碱性蚀刻机的时蚀刻段上压力为2.0～3.0Kgf，蚀刻段下压力为1.1～1.5Kgf，氯离子浓度控制在4.6～5.2mol/L，PH值控制在8.0～8.8。

去除所述非导通孔中的钯具体为：利用盐酸溶液和硫脲溶液的混合溶液去除非导通孔中的钯。本实施例中，除钯通过除钯机进行，除钯机的传送速度为1.5～2.0m/min。其中，盐酸溶液的浓度为质量百分含量为37％的盐酸16～20g/L，硫脲溶液的浓度为60～80g/L，混合溶液的工作温度为20～40℃，且混合液中，盐酸溶液和所述硫脲溶液的质量比为1∶3.8。

在步骤S10之前还包括：

S00：在基板上镀铜，在该铜表面形成抗镀保护膜；以在后续蚀刻工艺中，保护电路线路所需的铜导线不被蚀刻液咬蚀。

S01：去掉基板上的电路线路图形区域的保护膜；

S02：在基板上的电路线路图形区域镀铜；以加厚电路线路图形区域的铜层，提供良好的导电基体；

S03：在铜表面镀锡；以保护铜表面，作后续蚀刻工艺中的抗蚀保护层。

S04：去除剩余的保护膜。

其中，在基板上镀铜，在该铜表面形成抗镀保护膜具体为：

通过沉积工艺，在基板表面沉积铜，再通过沉积工艺在铜表面沉积抗镀保护膜。

去掉基板上的电路线路图形区域的所述保护膜具体为：通过底片用紫外光对所述保护膜进行曝光；其中，电路线路图形区域不被感光，再通过显影工艺，去除未被感光的保护膜。

在基板上的电路线路图形区域镀铜具体为：通过沉积工艺，对基板上的电路线路图形区域沉积铜。

在铜表面镀锡具体为：通过沉积工艺，在铜表面沉积锡。

去除剩余的保护膜具体为：在去膜机下，利用NaOH溶液去除覆盖在电路线路图形区域之外的保护膜，其中，NaOH的质量浓度为8％～12％，去膜机的工作压力为23～36PSI，传送速度为2～3m/min。

本发明印制电路板的制作方法，在步骤S20后还包括：

S30：除锡工艺，去除基板上的电路线路图形区域之外的锡层。

该除锡工艺具体为：用硝酸溶液去除基板上的电路线路图形区域之外的锡层，除锡工艺通过除锡机进行。其中，硝酸溶液的浓度为3.7～5.0mol/L，温度为25～35℃，除锡机工作压力为20～30PSI，传送速度为2.5～3.0m/min。制造多层电路板时重复上述步骤。

本发明印制电路板的制作方法增加了一道除钯工艺，用盐酸溶液和硫脲溶液的混合液去除了非导通孔内的钯，有效避免了在后续工艺中沉镍金时通过置换反应导致在非导通孔内沉上镍金的问题，从而提高了HDI板的性能。

实施例2

本实施例提供一种用于制造印制电路板的除钯方法，该方法能够去除电路板非导通孔中的钯，能提高电路板的性能。

为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种用于制造印制电路板的除钯方法，除钯时所用的除钯剂为盐酸溶液和硫脲溶液的混合溶液。其中，混合溶液中的盐酸溶液为质量百分含量为37％的盐酸16～20g/L，硫脲溶液的浓度为60～80g/L。

进一步的，混合液中，盐酸溶液和硫脲溶液的质量比为1∶3.8。

更进一步的，混合溶液的工作温度为20～40℃。

本发明除钯方法中所用的除钯剂中，硫脲分子中由于硫原子和氮原子上存在孤对电子，可以与多种金属离子形成配位化合物，尤其硫脲分子中的硫脲原子有空的3d轨道，容易接受钯的3d电子形成配位键，因此，硫脲分子中的硫原子对金属钯具有特殊的亲和力，能够形成稳定的配位化合物。因此，非导通孔中的钯能够和硫脲形成稳定的化合物并溶解。因此，混合溶液可有效去除印制电路板中非导通孔中的钯，从而提高印制电路板的性能。

本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的宗旨和范围。若这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种印制电路板的制作方法，其特征在于：包括：

去除基板上的电路线路图形区域之外的铜层；其中，所述基板设有非导通孔，在所述非导通孔中附有钯；

去除所述非导通孔中的钯。

2.根据权利要求1所述的印制电路板的制作方法，其特征在于：所述去除所述非导通孔中的钯时所用的除钯剂为盐酸溶液和硫脲溶液的混合溶液。

3.根据权利要求2所述的印制电路板的制作方法，其特征在于：所述盐酸溶液的浓度为质量百分含量为37％的盐酸16～20g/L，所述硫脲溶液的浓度为60～80g/L。

4.根据权利要求3所述的印制电路板的制作方法，其特征在于：所述混合液中，所述盐酸溶液和所述硫脲溶液的质量比为1∶3.8。

5.根据权利要求2至4任一项所述的印制电路板的制作方法，其特征在于：所述混合溶液的工作温度为20～40℃。

6.根据权利要求1所述的印制电路板的制作方法，其特征在于：所述除钯通过除钯机进行，所述除钯机的传送速度为1.5～2.0m/min。

7.一种用于制作印制电路板的除钯方法，其特征在于：所述除钯时所用的除钯剂为盐酸溶液和硫脲溶液的混合溶液。

8.根据权利要求7所述的除钯方法，其特征在于：所述盐酸溶液的浓度为质量百分含量为37％的盐酸16～20g/L，所述硫脲溶液的浓度为60～80g/L。

9.根据权利要求8所述的除钯的方法，其特征在于：所述混合液中，所述盐酸溶液和所述硫脲溶液的质量比为1∶3.8。

10.根据权利要求7至9任一项所述的除钯方法，其特征在于：所述混合溶液的工作温度为20～40℃。

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