CN102063382B - 数据储存装置、控制器及于次等级存储器存取数据的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种数据储存装置，耦接至一主机，包括一次等级存储器以及一控制器。该次等级存储器包括多个区块，每一该等区块包括多个页，每一该等页包括多个扇区，其中部分该等区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元。该控制器产生一缺陷状态表以纪录该次等级存储器的该等区块的所有该等缺陷扇区的位置，接收欲写入该次等级存储器的多个扇区数据，依据该缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址，以及依据该等实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个写入命令以将该等扇区数据写入该次等级存储器的该等实体扇区地址。本发明还涉及一种控制器以及于次等级存储器的数据存取的方法。本发明能更有效地运用次等级存储器的数据储存空间。

Description

数据储存装置、控制器及于次等级存储器存取数据的方法

技术领域

本发明涉及存储器的数据存取技术领域，更具体地说，涉及一种数据储存装置、控制器以及于有关于次等级(downgrade)存储器的数据存取的方法。

背景技术

存储器可分为正常存储器与次等级存储器。存储器包括多个记忆单元以供储存数据。当生产制造商要将存储器出货前，必须先经过生产测试以验证存储器的记忆单元是否可正确地储存数据。若存储器经过测试而无法正确地储存数据，则生产制造商会将无法通过测试的存储器归类为次等级存储器，并以低价出售次等级存储器。亦即，由于半导体生产过程上的误差，导致次等级存储器包括有缺陷的记忆单元，而该等有缺陷的记忆单元无法正常的储存数据。

图1A为次等级存储器一区块150的示意图。次等级存储器包括多个区块(block)，其中区块150包括多个页(page)，每一页又区分为多个扇区(sector)，每一扇区包括多个记忆单元以储存数据。于图1A中可见，第0页的第1扇区包括一有缺陷的记忆单元161，第1页的第2扇区包括一有缺陷的记忆单元162，第2页的第0扇区包括一有缺陷的记忆单元163。由于区块150包括多个有缺陷的记忆单元，因此次等级存储器的习知控制器会将区块150标记为一缺陷区块，进而不使用该缺陷区块150供储存数据。这样便可避免使用区块150时发生无法正确地储存数据的结果。

然而，由于区块150包含多个记忆单元均可正常运作，仅记忆单元161、162、163无法正常储存数据，若采用习知控制器的做法直接不使用整个区块150，将造成存储器储存空间的浪费。因此，需要一种于次等级存储器存取数据的方法，可以利用区块中其它正常运作的记忆单元供数据储存，以增加存储器可运用的储存空间。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种数据储存装置、控制器以及于有关于次等级存储器的数据存取的方法数据储存装置，以解决习知技术存在的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：构造一种数据储存装置，耦接至一主机，其包括一次等级(downgrade)存储器以及一控制器。该次等级存储器包括多个区块(block)，每一该等区块包括多个页(page)，每一该等页包括多个扇区(sector)，其中部分该等区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元。该控制器产生一缺陷状态表以纪录该次等级存储器的该等区块的所有该等缺陷扇区的位置，自该主机接收欲写入该次等级存储器的多个扇区数据，依据该缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址，以及依据该等实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个写入命令以将该等扇区数据写入该次等级存储器的该等实体扇区地址。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该控制器自该次等级存储器取得尚未储存数据的多个空实体扇区地址，依据该缺陷状态表检查该等空实体扇区地址是否与该等缺陷扇区的位置相符合，以及若该等空实体扇区地址与该等缺陷扇区的位置不相符合，决定该等实体扇区地址为该等实体扇区地址，以决定该等实体扇区地址。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该控制器自该次等级存储器的该等区块选取一待测区块，将一预定数据写入该待测区块，读取该待测区块以得到一读出数据，若该预定数据与该读出数据不相符时比对该预定数据与该读出数据的不相符部分以决定该待测区块的该等缺陷扇区的位置，于该缺陷状态表中纪录该待测区块的该等缺陷扇区的位置，并重复待测区块的选取步骤至缺陷扇区的位置的纪录步骤直至所有该等区块均已被选取为待测区块为止，以产生该缺陷状态表。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该控制器自该主机接收对应于该等扇区数据的起始地址的一写入逻辑地址，依据该写入逻辑地址决定分别对应于该等扇区数据的多个逻辑扇区地址，于该等扇区数据写入该等实体扇区地址后于一地址链结表中纪录该等逻辑扇区地址与该等实体扇区地址的对应关系。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中当该控制器自该主机接收到欲读取的一读取逻辑地址时，该控制器依据该地址链结表找出对应于该读取逻辑地址的一至多个读取实体扇区地址，并依据该等读取实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个读取命令以将自该次等级存储器读出对应于该读取逻辑地址的数据。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该等写入命令为序号为0x80的随机写入命令。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该次等级存储器为闪存。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之二是：构造一种于次等级存储器存取数据的方法，该次等级存储器包括多个区块(block)，每一该等区块包括多个页(page)，每一该等页包括多个扇区(sector)，其中部分该等区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元。首先，产生一缺陷状态表以纪录该次等级存储器的该等区块的所有该等缺陷扇区的位置；接着，自一主机接收欲写入该次等级存储器的多个扇区数据；接着，依据该缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址；最后，依据该等实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个写入命令以将该等扇区数据写入该次等级存储器的该等实体扇区地址。

进一步地，上述本发明所述的于次等级存储器存取数据的方法，其中该等实体扇区地址的决定包括：

自该次等级存储器取得尚未储存数据的多个空实体扇区地址；

依据该缺陷状态表检查该等空实体扇区地址是否与该等缺陷扇区的位置相符合；以及

若该等空实体扇区地址与该等缺陷扇区的位置不相符合，决定该等实体扇区地址为该等实体扇区地址。

进一步地，上述本发明所述的于次等级存储器存取数据的方法，其中该缺陷状态表的产生包括：

自该次等级存储器的该等区块选取一待测区块；

将一预定数据写入该待测区块；

读取该待测区块以得到一读出数据；

若该预定数据与该读出数据不相符时，比对该预定数据与该读出数据的不相符部分，以决定该待测区块的该等缺陷扇区的位置；

于该缺陷状态表中纪录该待测区块的该等缺陷扇区的位置；以及

重复待测区块的选取步骤至缺陷扇区的位置的纪录步骤，直至所有该等区块均已被选取为待测区块为止。

进一步地，上述本发明所述的于次等级存储器存取数据的方法，其中该方法更包括：

自该主机接收对应于该等扇区数据的起始地址的一写入逻辑地址；

依据该写入逻辑地址决定分别对应于该等扇区数据的多个逻辑扇区地址；以及

于该等扇区数据写入该等实体扇区地址后，于一地址链结表中纪录该等逻辑扇区地址与该等实体扇区地址的对应关系。

进一步地，上述本发明所述的于次等级存储器存取数据的方法，其中该方法更包括：

当自该主机接收到欲读取的一读取逻辑地址时，依据该地址链结表找出对应于该读取逻辑地址的一至多个读取实体扇区地址；以及

依据该等读取实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个读取命令，以将自该次等级存储器读出对应于该读取逻辑地址的数据。

进一步地，上述本发明所述的于次等级存储器存取数据的方法，其中该等写入命令为序号为0x80的随机写入命令。

进一步地，上述本发明所述的于次等级存储器存取数据的方法，其中该次等级存储器为闪存。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之三是：构造一种控制器，耦接至一次等级(downgrade)存储器，其中该次等级存储器包括多个区块(block)，每一该等区块包括多个页(page)，每一该等页包括多个扇区(sector)，其中部分该等区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元。该控制器包括一控制电路以及一存储器。该控制电路产生一缺陷状态表以纪录该次等级存储器的该等区块的所有该等缺陷扇区的位置，自一主机接收欲写入该次等级存储器的多个扇区数据，依据该缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址，以及依据该等实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个写入命令以将该等扇区数据写入该次等级存储器的该等实体扇区地址。该存储器储存该缺陷状态表。

进一步地，上述本发明所述的控制器，其中该控制电路自该次等级存储器取得尚未储存数据的多个空实体扇区地址，依据该缺陷状态表检查该等空实体扇区地址是否与该等缺陷扇区的位置相符合，以及若该等空实体扇区地址与该等缺陷扇区的位置不相符合，决定该等实体扇区地址为该等实体扇区地址，以决定该等实体扇区地址。

进一步地，上述本发明所述的控制器，其中该控制电路自该次等级存储器的该等区块选取一待测区块，将一预定数据写入该待测区块，读取该待测区块以得到一读出数据，若该预定数据与该读出数据不相符时比对该预定数据与该读出数据的不相符部分以决定该待测区块的该等缺陷扇区的位置，于该缺陷状态表中纪录该待测区块的该等缺陷扇区的位置，并重复待测区块的选取步骤至缺陷扇区的位置的纪录步骤直至所有该等区块均已被选取为待测区块为止，以产生该缺陷状态表。

进一步地，上述本发明所述的控制器，其中该控制电路自该主机接收对应于该等扇区数据的起始地址的一写入逻辑地址，依据该写入逻辑地址决定分别对应于该等扇区数据的多个逻辑扇区地址，于该等扇区数据写入该等实体扇区地址后于一地址链结表中纪录该等逻辑扇区地址与该等实体扇区地址的对应关系。

进一步地，上述本发明所述的控制器，其中当该控制电路自该主机接收到欲读取的一读取逻辑地址时，该控制电路依据该地址链结表找出对应于该读取逻辑地址的一至多个读取实体扇区地址，并依据该等读取实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个读取命令以将自该次等级存储器读出对应于该读取逻辑地址的数据。

进一步地，上述本发明所述的控制器，其中该等写入命令为序号为0x80的随机写入命令。

实施本发明的技术方案，具有以下有益效果：本发明更加有效地运用次等级存储器的数据储存空间。

另外，本发明的于次等级存储器存取数据的方法，利用区块中的其它正常运作的记忆单元供数据储存，以增加次等级存储器可运用的储存空间。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1A为次等级存储器一区块的示意图；

图1B为本发明的数据储存系统的区块图；

图2为本发明的产生一缺陷状态表的方法的流程图；

图3为对应于图1A的次等级存储器的区块的缺陷状态表的一实施例；

图4为本发明的将数据写入次等级存储器的方法的流程图；

图5A为本发明的随机写入命令的格式的范例；

图5B为一般写入命令的格式的范例；

图6为次等级存储器的一区块的一实施例；

图7为本发明的地址链结表的一实施例。

在图中，150为次等级存储器的区块；161、162、163为有缺陷的记忆单元；100为数据储存系统；102为主机；108为数据储存装置；104为控制器；106为次等级存储器；122为控制电路；124为存储器；111-11N为区块；700为地址链结表。

具体实施方式

图1B为本发明的数据储存系统100的区块图。数据储存系统100包括主机102及数据储存装置108。数据储存装置108为主机102储存数据。于一实施例中，数据储存装置108包括控制器104及次等级(downgrade)存储器106。次等级存储器106包括多个区块(block)111～11N，每一区块包括多个页(page)，每一页包括多个扇区(sector)，每一扇区包括多个记忆单元。次等级存储器106的部分区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元，该等有缺陷的记忆单元无法正常地储存数据。于一实施例中，该次等级存储器为一闪存(flash memory)。控制器104耦接至主机102，依据主机102的指令存取次等级存储器106的数据。于一实施例中，控制器104包括一控制电路112以及一存储器114。控制电路112为控制器104的主体电路，而存储器114为控制电路112储存数据。

于一实施例中，控制器104对次等级存储器106的所有区块111～11N进行一测试程序，以辨别区块111～11N的哪些扇区包括有缺陷的记忆单元，并于一缺陷状态表中纪录包括有缺陷的记忆单元的该等缺陷扇区的位置。于一实施例中，该缺陷状态表储存于存储器114中。接着，当主机102要求控制器104将数据写入次等级存储器106时，控制器104便自次等级存储器106取得尚未储存数据的多个扇区的实体扇区地址，再依据缺陷状态表决定是否该等实体扇区地址与缺陷扇区的位置相符合。若该等实体扇区地址与缺陷扇区的位置不相符合，控制器104便可将数据写入次等级存储器106的该等实体扇区地址，以避开缺陷扇区。即使次等级存储器106的一区块包含数个缺陷扇区，控制器104仍可依据缺陷状态表有效地利用该区块的其它正常扇区以供储存数据。因此，相较于习知控制器，本发明的控制器104更加有效地运用次等级存储器106的数据储存空间。

图2为本发明的产生一缺陷状态表的方法200的流程图。控制器104依据方法200对次等级存储器106的区块111～11N实施一测试程序，以产生缺陷状态表。首先，控制器104自次等级存储器106的区块111～11N中选取一待测区块(步骤202)。接着，控制器104将一预定数据写入待测区块所包含的所有页(步骤204)。接着，控制器104自待测区块所包含的多个页选取一待测页(步骤206)。接着，控制器104读取该待测页以得到一读出数据(步骤208)。接着，控制器104比较该读出数据是否与预定数据相符合(步骤210)。

若该读出数据与预定数据相符合，表示待测页并未包含无法正常储存数据的缺陷扇区。若该读出数据与预定数据不相符合，表示待测页包含无法正常储存数据的缺陷扇区，则控制器104依据读出数据与预定数据的不符部份决定该待测页的一至数个缺陷扇区(步骤212)，并于一缺陷状态表中纪录该等缺陷扇区的位置(步骤214)。此时，若待测区块的所有页尚未均被选取为待测页(步骤216)，则控制器104重新选取一待测页(步骤206)，并重新执行步骤208～216。若待测区块的所有页已均被选取为待测页(步骤216)，则控制器104自次等级存储器106的区块111～11N重新选取一待测区块(步骤202)，并重复执行步骤204～216，直到次等级存储器106的区块111～11N均已被选取为待测区块进行测试为止(步骤218)。

图3为对应于图1A的次等级存储器的区块150的缺陷状态表的一实施例。如图1A所示，区块150的第0页的第1扇区包括一有缺陷的记忆单元161，第1页的第2扇区包括一有缺陷的记忆单元162，第2页的第0扇区包括一有缺陷的记忆单元163。因此，于控制器104实行方法200时，区块150的第0页的第1扇区、第1页的第2扇区、第2页的第0扇区的读出数据会与预定数据不相符合。控制器104便于区块150的第0页的第1扇区、第1页的第2扇区、第2页的第0扇区所对应的缺陷状态表字段标示该等扇区为缺陷扇区。当控制器104对区块150写入数据时，控制器104便可依据缺陷状态表避免缺陷扇区被写入数据。

图4为本发明的将数据写入次等级存储器106的方法400的流程图。控制器104依据方法400将数据写入次等级存储器106。首先，控制器104自主机102接收一写入逻辑地址及欲写入次等级存储器106的多个扇区数据(步骤402)。接着，控制器104依据该写入逻辑地址决定分别对应于该等扇区数据的多个逻辑扇区地址(步骤404)。接着，控制器104依据一缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址(步骤406)。于一实施例中，控制器104自次等级存储器106取得尚未储存数据的多个实体扇区地址，接着依据缺陷状态表检查该等实体扇区地址是否与缺陷扇区的位置相符合。若该等实体扇区地址与缺陷扇区的位置不相符合，则控制器104决定该等实体扇区地址可用以储存自主机102接收的该等扇区数据。

接着，控制器104发送多个写入命令至次等级存储器106，以将该等扇区数据依序写入该等实体扇区地址(步骤408)。于一实施例中，控制器104依据该等实体扇区地址向次等级存储器106发送多个序号为0x80的随机写入(random write)命令，以将该等扇区数据依序写入该等实体扇区地址。接着，控制器104于一地址链结表中纪录该等扇区数据的该等逻辑扇区地址与该等实体扇区地址的对应关系(步骤410)。地址链结表将以图7的后续段落进行说明。最后，若主机102继续向控制器104发送新写入命令，则控制器104重新自主机102接收写入逻辑地址及欲写入次等级存储器106的多个扇区数据(步骤402)，并执行步骤404～410，直到主机102不再发送写入命令为止。

图5A为本发明的随机写入命令的格式的范例。假设控制器104欲将三个(512+16)字节的扇区数据写入一目标页的三个目标扇区SX、SY、SZ，而该目标页的列地址为CA1与CA2，该目标页的行地址为RA1、RA2、与RA3。该三个目标扇区的行地址分别为CA1SX与CA2SX、CA1SY与CA2SY、CA1SZ与CA2SZ。首先，控制器104向次等级存储器106发送0x80写入命令以及目标页的列地址CA1、CA2与行地址RA1、RA2、RA3。接着，控制器104依序向次等级存储器106发送0x85随机写入命令、目标扇区SX的地址CA1SX与CA2SX、以及扇区数据DSX，以使次等级存储器106将扇区数据DSX写入目标扇区SX。

接着，控制器104依序向次等级存储器106发送0x85随机写入命令、目标扇区SY的地址CA1SY与CA2SY、以及扇区数据DSY，以使次等级存储器106将扇区数据DSY写入目标扇区SY。接着，控制器104依序向次等级存储器106发送0x85随机写入命令、目标扇区SZ的地址CA1SZ与CA2SZ、以及扇区数据DSZ，以使次等级存储器106将扇区数据DSZ写入目标扇区SZ。最后，控制器104向次等级存储器106传送0x10指令，以表示写入命令传送完毕。图5B为一般写入命令的格式的范例。控制器依序发送0x80命令、目标页的列地址CA1、CA2、行地址RA1、RA2、RA3、数据D、以及0x10命令，以将数据D写入目标页。图5B为一般写入命令的格式明显地与图5A为随机写入命令的格式不相同。

图6为次等级存储器106的一区块X的一实施例。假使区块X的第0页的第2扇区、第1页的第1扇区及第2扇区、第2页的第3扇区、以及第3页的第0扇区为缺陷扇区。假使控制器104自主机102接收到逻辑扇区地址分别为K、K+1、K+2、K+3、K+4、K+5的六个扇区数据D1、D2、D3、D4、D5、D6以供写入次等级存储器106。控制器104于是依据一缺陷状态表以自区块X的开头选取第0页的第0扇区、第1扇区、第3扇区，第1页的第0扇区、第3扇区，以及第2页的第0扇区以分别储存其所收到的六个扇区数据。接着，控制器104首先向次等级存储器106依序发送0x80命令、区块X的第0页的实体地址、0x85命令、第0页的第0扇区的实体地址、扇区数据D1、0x85命令、第0页的第1扇区的实体地址、扇区数据D2、0x85命令、第0页的第3扇区的实体地址、扇区数据D3、0x10命令，以将扇区数据D1、D2、D3分别写入第0页的第0扇区、第1扇区、第3扇区。

接着，控制器104向次等级存储器106依序发送0x80命令、区块X的第1页的实体地址、0x85命令、第1页的第0扇区的实体地址、扇区数据D4、0x85命令、第1页的第3扇区的实体地址、扇区数据D5、0x10命令，以将扇区数据D4、D5分别写入第1页的第0扇区、第3扇区。接着，控制器104再向次等级存储器106依序发送0x80命令、区块X的第2页的实体地址、0x85命令、第2页的第0扇区的实体地址、扇区数据D6、0x10命令，以将扇区数据D6写入第2页的第0扇区。最后，控制器104再将扇区数据D1～D6的逻辑扇区地址与实体扇区地址的对应关系储存于一地址链结表中。

图7为本发明的地址链结表700的一实施例。如图7所示，扇区数据D1的逻辑扇区地址K对应于用以表示次等级存储器106的区块X的第0页的第0扇区的实体扇区地址，扇区数据D2的逻辑扇区地址(K+1)对应于用以表示次等级存储器106的区块X的第0页的第1扇区的实体扇区地址，而扇区数据D6的逻辑扇区地址(K+5)对应于用以表示次等级存储器106的区块X的第2页的第0扇区的实体扇区地址。因此，当控制器104完成地址链结表的纪录后，若主机102向控制器104发送欲读取的一读取逻辑地址时，控制器104可依据该地址链结表找出对应于该读取逻辑地址的一至多个读取实体扇区地址，再依据该等读取实体扇区地址向次等级存储器106发送一至多个读取命令，以将自次等级存储器106读出对应于该读取逻辑地址的数据。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此项技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (4)

1.一种数据储存装置，耦接至一主机，其特征在于，包括：

一次等级存储器，包括多个区块，每一该等区块包括多个页，每一该等页包括多个扇区，其中部分该等区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元；以及

一控制器，产生一缺陷状态表以纪录该次等级存储器的该等区块的所有该等缺陷扇区的位置，自该主机接收欲写入该次等级存储器的多个扇区数据，依据该缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址，以及依据该等实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个写入命令以将该等扇区数据写入该次等级存储器的该等实体扇区地址；

其中该控制器自该次等级存储器取得尚未储存数据的多个空实体扇区地址，依据该缺陷状态表检查该等空实体扇区地址是否与该等缺陷扇区的位置相符合，以及若该等空实体扇区地址与该等缺陷扇区的位置不相符合，决定该等空实体扇区地址为该等实体扇区地址；

进一步的，该控制器自该次等级存储器的该等区块选取一待测区块，将一预定数据写入该待测区块，读取该待测区块以得到一读出数据，若该预定数据与该读出数据不相符时比对该预定数据与该读出数据的不相符部分以决定该待测区块的该等缺陷扇区的位置，于该缺陷状态表中纪录该待测区块的该等缺陷扇区的位置，并重复待测区块的选取步骤至缺陷扇区的位置的纪录步骤直至所有该等区块均已被选取为待测区块为止，以产生该缺陷状态表；

其中该控制器自该主机接收对应于该等扇区数据的起始地址的一写入逻辑地址，依据该写入逻辑地址决定分别对应于该等扇区数据的多个逻辑扇区地址，于该等扇区数据写入该等实体扇区地址后于一地址链结表中纪录该等逻辑扇区地址与该等实体扇区地址的对应关系；

所述写入命令包括第一写入命令、第二写入命令、第三写入命令；其中，第一写入命令包括：0x80写入命令、目标页地址；第二写入命令包括：0x85随机写入命令、目标扇区地址和扇区数据；第三写入命令包括：0x10指令。

2.根据权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，其中当该控制器自该主机接收到欲读取的一读取逻辑地址时，该控制器依据该地址链结表找出对应于该读取逻辑地址的一至多个读取实体扇区地址，并依据该等读取实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个读取命令以将自该次等级存储器读出对应于该读取逻辑地址的数据。

3.一种于次等级存储器存取数据的方法，其中该次等级存储器包括多个区块，每一该等区块包括多个页，每一该等页包括多个扇区，其中部分该等区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元，其特征在于，该方法包括：

产生一缺陷状态表以纪录该次等级存储器的该等区块的所有该等缺陷扇区的位置；

自一主机接收欲写入该次等级存储器的多个扇区数据；

依据该缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址；以及

依据该等实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个写入命令以将该等扇区数据写入该次等级存储器的该等实体扇区地址；

其中该等实体扇区地址的决定包括：

自该次等级存储器取得尚未储存数据的多个空实体扇区地址；

依据该缺陷状态表检查该等空实体扇区地址是否与该等缺陷扇区的位置相符合；以及

若该等空实体扇区地址与该等缺陷扇区的位置不相符合，决定该等空实体扇区地址为该等实体扇区地址；

其中该缺陷状态表的产生包括：

自该次等级存储器的该等区块选取一待测区块；

将一预定数据写入该待测区块；

读取该待测区块以得到一读出数据；

若该预定数据与该读出数据不相符时，比对该预定数据与该读出数据的不相符部分，以决定该待测区块的该等缺陷扇区的位置；

于该缺陷状态表中纪录该待测区块的该等缺陷扇区的位置；以及

重复待测区块的选取步骤至缺陷扇区的位置的纪录步骤，直至所有该等区块均已被选取为待测区块为止；

其中该方法更包括：

自该主机接收对应于该等扇区数据的起始地址的一写入逻辑地址；

依据该写入逻辑地址决定分别对应于该等扇区数据的多个逻辑扇区地址；以及

于该等扇区数据写入该等实体扇区地址后，于一地址链结表中纪录该等逻辑扇区地址与该等实体扇区地址的对应关系；

所述写入命令包括第一写入命令、第二写入命令、第三写入命令；其中，第一写入命令包括：0x80写入命令、目标页地址；第二写入命令包括：0x85随机写入命令、目标扇区地址和扇区数据；第三写入命令包括：0x10指令。

4.根据权利要求3所述的于次等级存储器存取数据的方法，其特征在于，其中该方法更包括：

当自该主机接收到欲读取的一读取逻辑地址时，依据该地址链结表找出对应于该读取逻辑地址的一至多个读取实体扇区地址；以及

依据该等读取实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个读取命令，以将自该次等级存储器读出对应于该读取逻辑地址的数据。