CN102054911B

CN102054911B - 发光二极管芯片及其制作方法和具有该芯片的发光二极管

Info

Publication number: CN102054911B
Application number: CN2009101099475A
Authority: CN
Inventors: 苏喜林; 谢春林; 胡红坡; 张旺
Original assignee: BYD Co Ltd
Current assignee: BYD Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2009-10-29
Filing date: 2009-10-29
Publication date: 2013-03-13
Anticipated expiration: 2029-10-29
Also published as: US20120261702A1; WO2011050640A1; CN102054911A

Abstract

本发明提供了一种发光二极管芯片、一种发光二极管芯片的制作方法、及具有该芯片的发光二极管。本发明发光二极管芯片的制作方法包括：首先，提供一衬底并在衬底正面形成有凸起微结构的粗糙表面；其次，抛光处理，使粗糙表面形成单一晶面；再次，在抛光后的衬底正面，利用侧向外延生长技术或者横向外延技术依次生长外延层并形成电极。本发明的发光二极管芯片的衬底具有单一晶面的凸起微结构，能降低外延层的晶格缺陷，提高内量子效率，同时，又能减少光在发光二极管芯片内部发生全反射的几率，提高了外量子效率，因此，本发明的发光二极管芯片具有高光取出效率。

Description

发光二极管芯片及其制作方法和具有该芯片的发光二极管

技术领域

本发明属于半导体照明技术领域，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制作方法和具有该芯片的发光二极管。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting diode，LED)芯片是半导体电致发光器件，是通过电子和空穴在PN界面区域结合而发光。最早出现的发光二极管芯片存在发光效率低、寿命较短的缺点，该发光二极管芯片的衬底是采用光滑的平面，通过外延和芯片制程在衬底上生长出n型层、发光层、p型层、n型电极层以及p型电极层，上述所述在衬底上生长的n型层、发光层、p型层几乎都是较为光滑的平面。上述所述在衬底上生长的n型层、发光层、p型层存在缺陷，电子和空穴的非辐射复合几率增加，发光效率降低。非辐射复合的能量最终以热量的形式释放，致使发光二极管温度升高，对发光二极管的使用寿命和稳定性也有较严重的影响。根据光的折射原理，光从光密(光在其中传播速度较小的)介质射到光疏(即光在其中传播速度较大的)介质的界面时，光要离开法线折射，当入射角增加到某种情形时，折射线将沿表面进行，即折射角为90°，该入射角称为临界角。若入射角大于临界角时，这就出现了光的全反射。由于目前缺少高折射率的封装材料，发光二极管芯片的主体材料氮化镓折射率远高于封装树脂和空气的折射率，根据发光二极管芯片的结构和全反射原理，对于普通发光二极管，大部分光线由于全反射，最终在发光二极管内部转化为热能。不仅降低了发光二极管的光取出效率，同时，较高的温度会降低电子和空穴的辐射复合几率，进一步降低了发光二极管的发光效率。高温升高，对发光二极管的寿命稳定性等都有致命的影响。所以，常规发光二极管芯片存在光取出效率低、稳定性差等缺陷。

发明内容

本发明主要为解决现有技术中发光二极管芯片光取出效率低的技术问题，提供一种发光二极管芯片的制作方法、一种高光取出效率的发光二极管芯片及具有该芯片的发光二极管。

本发明发光二极管芯片及其制作方法和具有该芯片的发光二极管的具体技术方案如下：

一种发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：

(a)提供一衬底，并在衬底正面形成有凸起微结构的粗糙表面；

(b)抛光处理，使粗糙表面形成单一晶面；

(c)在抛光后的衬底正面，利用侧向外延生长技术或者横向外延技术依次生长第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层；

(d)通过刻蚀工艺在第一类型半导体层之上形成第三电极焊区；

(e)在第三电极焊区上制作第三电极金属层，在第二类型半导体层上制作第四电极金属层。

一种发光二极管芯片，包括衬底、形成于衬底正面的第一类型半导体层且所述第一类型半导体层上形成有第三电极焊线区、形成于第一类型半导体层上的发光层、形成于发光层上的第二电类型半导体层、形成于第二类型半导体层之上的第四电极金属层以及形成于第三电极焊线区之上的第三电极金属层，其中，所述衬底正面具有凸起微结构，所述凸起微结构的顶部位于单一晶面上。

一种发光二极管，包括基座、与基座配合的封装体、第一电极、与第一电极极性相反的第二电极，其中，还包括上述的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片位于基座与封装体之间，所述发光二极管芯片由第一电极与第二电极供电。

本发明通过对衬底进行粗糙化，在衬底正面形成有凸起微型结构，并对凸起微型结构的顶部进行抛光，使凸起微型结构的顶部位于同一单晶面上，然后在同一单晶面上使用侧向外延生长技术或者横向外延技术生长外延层，降低了本发明的外延层晶体结构缺陷，提高了本发明发光二极管芯片的内量子效率；同时由于凸起微结构的存在，减少光线在发光二极管芯片内部进行全发射的几率，提高了本发明发光二极管芯片的外量子效率，所以本发明的技术方案提高了发光二极管芯片的发光效率，实现了本发明的发明目的。

附图说明

图1是本发明第一实施例的发光二极管芯片的制作流程图；

图2是本发明第二实施例的发光二极管芯片的制作流程图；

图3是本发明第四实施例的衬底结构示意图；

图4是本发明第四实施例的发光二极管芯片结构示意图；

图5是本发明第五实施例的发光二极管倒装芯片结构示意图；

图6是本发明第六实施例的发光二极管结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1是本发明第一实施例的发光二极管芯片的制作流程图，参照图一，提出本发明第一实施例。

本实施例的发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：

步骤S100：提供一衬底，并在衬底正面形成有凸起微结构的粗糙表面。所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝和氮化镓衬底其中之一。利用研磨技术通过研磨砂纸对衬底正面进行研磨，达到衬底正面粗糙化，形成凸起微结构。当然也可以采用其他机械研磨的方法对衬底进行研磨。这些凸起微结构可以改变光线的传播角度，进而改善发光二极管芯片的全反射环境，降低发生全发射的几率。

步骤S200：对衬底正面进行抛光处理，使步骤S100中研磨而成的粗糙表面形成单一晶面，也就是说，通过抛光处理使凸起微结构的顶端处于同一单晶面；所述同一单晶面是指晶面指数一致。在同一单晶面上生长外延层的晶格缺陷较不在同一单晶面生长的外延层的要少，即减少了外延层中无效复合发生，提高了外延层的内量子效率。所述无效复合为电子和空穴的复合，能量以热能的形式散发而不是以光能的形式散发。

步骤S300：在抛光后的衬底正面，利用侧向外延生长技术或者横向外延技术依次生长第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层；所述侧向外延生长技术(Epitaxial Lateral Overgrowth；ELOG)主要是在图案化的衬底上(此时即具有凸起微结构的衬底)利用侧向外延生长半导体晶体层，减少穿透位错缺陷，改善外延晶体质量，进而提升内部量子效率。而所述横向外延技术(Lateral Epitaxial Pattern Substrate；LEPS)，可以有效地降低外延层中的穿透位错，能有效提升发光二极管的发光效率。通过使用侧向外延生长技术或者横向外延技术，本实施例的外延层的晶格缺陷进一步减少，进一步提高了外延层的内量子效率。所述侧向外延生长技术或者横向外延技术为现有技术，在此不再赘述。

步骤S400：通过刻蚀工艺，竖直依次刻蚀部分第二类型半导体层、发光层直至露出第一类型半导体层为止，露出的第一类型半导体层为第三电极焊区。

步骤S500：通过蒸镀或者磁控溅射等现有工艺在第三电极焊区形成第三电极金属层和在第二类型半导体层上部分区域形成第四电极金属层。

这样就完成了发光二极管芯片一般的制程。本实施例中，第一类型半导体为N型或者P型中的一种，第二类型半导体则为另一种。本实施例的半导体材料为氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟铝镓(AlGaInN)为主的III-V族氮化物材料中的一种。所述第三电极金属层和第四电极金属层的材料可以一致也可以不同，本实施例优选第三电极金属层和第四电极金属层的材料一致，都为金属金。当然作为电极材料的还可以有钛、铝、铂、铬等金属。第三电极金属层和第四电极金属层的结构可以为一层金属层，也可以为多层金属的组合结构。

本实施例，通过对衬底进行粗糙化，在衬底正面形成有凸起微型结构，并对凸起微型结构的顶部进行抛光，使凸起微型结构的顶部位于同一单晶面上，然后在同一单晶面上使用侧向外延生长技术或者横向外延技术生长外延层，使本发明的外延层晶体结构缺陷较少，提高了本发明发光二极管芯片的内量子效率；同时由于凸起微结构的存在，减少光线在发光二极管芯片内部进行全发射的几率，提高了本发明发光二极管芯片的外量子效率，所以本发明的技术方案的优点是提高了发光二极管芯片的发光效率，同时也进一步增加了发光二极管芯片的稳定性。为了进一步提高发光二极管芯片的外力量子效率，本实施例优选粗糙表面的轮廓算术平均偏差为0.05～5um。

图2是本发明第二实施例的发光二极管芯片的制作流程图，在第一实施例的基础上，参照图2，分别提出本发明的第二实施例和第三实施例。

第二实施例

本实施例优选衬底为蓝宝石；半导体材料为氮化镓；第一类型半导体为N型氮化镓；第二类型半导体为P型氮化镓；第三电极金属层和第四电极金属层的材料一致，都为钛、铝、钛、金多层金属膜层结构，各金属膜层的厚度依次为5nm、200nm、15nm、100nm。

在步骤S100中，通过使用现有的机械研磨工艺对蓝宝石衬底的正面进行处理以形成粗糙表面。该粗糙表面的轮廓算术平均偏差为0.2～2um，更有利于降低光线在发光二极管芯片中发生全反射的几率。并且优选研磨形成的凸起微结构为锥状结构，根据光的反射和折射原理，锥状结构更能降低全反射的几率，提高发光二极管芯片的外量子效率。当然，所述锥状结构也可以通过刻蚀工艺形成。

在步骤S200中，对衬底的粗糙表面进行机械抛光处理，根据不同的粗糙程度，调整抛光机的转速和压力，控制抛光速度和精度，使凸起微结构的顶部形成单一晶面，以利于横向外延技术横向生长外延晶体。

本实施例中优选在步骤S200和S300之间还包括步骤S210，所述步骤S210为：选取98wt％的H2SO4和63wt％的H3PO4比例为1∶1～5∶1的混合液作为腐蚀液，在温度为20-400摄氏度条件下，对衬底正面进行腐蚀处理5～60分钟。本实施例优选：98wt％的H2SO4和63wt％的H3PO4比例为3∶1，处理温度为50摄氏度，处理时间长度为30分钟。通过腐蚀处理，一方面，可以将缺陷区域腐蚀掉，可以大幅度提高外延晶体质量，减少缺陷密度，进一步提高内量子效率。所述缺陷区包括衬底本身存在的缺陷区和在机械粗化过程中引入的损伤层。另一方面，缺陷区的减少可以减少光线在衬底与外延层界面的散射损失，进一步提高外量子效率。

在步骤S300中，利用横向外延技术依次生长N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层，所述发光层为多量子阱氮化镓层。

本实施例中优选：

在步骤S400与S500之间还包括步骤S410，所述步骤S410为：在P型半导体层之上还形成一电流扩散层，所述电流扩散层为透明的，优选ITO层。由于发光二极管芯片P型半导体层的横向电流流通能力较差，增加一ITO层，有利于改善芯片中电流分布的均匀性，增加发光二极管芯片内部的电流的流通面积，提高发光二极管芯片的发光效率。

在步骤S400与S410之间还包括步骤S420，所述步骤S420为：在P型半导体层之上形成一二维电子气扩散层。步骤S420为进一步增加电流在发光二极管芯片内的均匀流通，提高发光二极管芯片的利用率。在一些实际生产工艺中也可以不具有该步骤。

步骤S500，通过蒸镀或者磁控溅射等现有工艺在第三电极焊区形成第三电极金属层和在电流扩散层部分区域形成第四电极金属层。

第三实施例

本实施例是在第二实施例的基础上，继续对第二实施例制作的发光二极管芯片进行处理，提出一种发光二极管倒装芯片的制作方法。参照图2，本实施例的发光二极管芯片制作方法除了步骤S100至步骤S500，还包括步骤S600、步骤S700、步骤S800，具体如下：

步骤S600：对蓝宝石衬底的背面减薄，本实施例的减薄是通过机械研磨的方法实现。减薄的厚度随蓝宝石衬底厚度决定，为本领技术人员很容易可以确定的。减薄后的蓝宝石衬底的背面也形成了粗糙表面，有利于增加出光。

步骤S700：提供一基材，所述基材上具有与第三电极金属层、第四电极金属层相对应的第三电极和第四电极；所述基材可以是长方体硅基板。所述硅基板有第三电极和第四电极的一面优选镀有衬底反射层，以增加倒装芯片的出光。当然为了减少制作成本，作为本实施例的变形也可以不加衬底反射层。

步骤S800：将第三电极金属层、第四电极金属层分别于第三电极、第四电极电连接，衬底背面朝上，形成发光二极管倒装芯片。所述第三电极与所述第四电极绝缘。第三电极金属层、第四电极金属层通过导电胶与第三电极、第四电极电连接。第三电极金属层、第四电极金属层也可以通过焊接与第三电极、第四电极电连接。

为了进一步增加倒装芯片的出光效率，本实施例优选还包括步骤S610，具体如下：

步骤S610：在第二类型半导体层上的电流扩散层中没有第三电极金属层覆盖的地方形成一反射层。所述反射层可以只有一金属层，也可以为包括一低折射率的透明介质层和一金属层组成的高反的反射层。该反射层的金属优选金属银。

本发明的第三实施例制成的倒装芯片，不仅可以提高产品光取出效率，还可以增加热传导。

本发明还提供了发光二极管芯片和发光二极管的实施例，具体如下描述。

第四实施例

图3是本发明第四实施例的衬底结构示意图。图4是本发明第四实施例的发光二极管芯片结构示意图。

参照图3、图4，提出本发明第四实施例。本实施例的发光二极管芯片包括衬底1、形成于衬底正面的第一类型半导体层2且所述第一类型半导体层2上还形成有第三电极焊线区、形成于第一类型半导体层2上的发光层3、形成于发光层3上的第二电类型半导体层4、形成于第二类型半导体层4之上的第四电极金属层7以及形成于第三电极焊线区之上的第三电极金属层8，其中，所述衬底正面具有凸起微结构12，所述凸起微结构12的顶部位于单一晶面上。

第一类型半导体为N型或者P型中的一种，则第二类型半导体为N型或者P型中的另一种。本实施例优选第一类型半导体为N型半导体，第二类型半导体为P型半导体。另外一种情况，本领域技术人员可以根据本技术领域基础知识很容易得到，在此不再赘述。

发光二极管芯片的半导体材料可以为氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)和氮化铟铝镓(AlGaInN)为主的III-V族氮化物材料中的一种。本实施例优选发光二极管芯片的半导体材料为氮化镓。因此，本实施例的第一类型半导体层2为N型氮化镓层2，第二类型半导体层4为P型氮化镓层4。

所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝和氮化镓衬底其中之一。本实施例优选所述衬底1为蓝宝石。本实施例的蓝宝石衬底1的正面经过粗糙化处理，蓝宝石衬底1正面形成有凸起微结构12，并且所述凸起微结构12的顶部位于单一晶面上。形成这种凸起微结构12具有降低光线在发光二极管芯片内部进行全反射的几率的功能。此时，具有粗糙表面的蓝宝石衬底1相当于图像化衬底。

本实施例优选N型氮化镓层2与蓝宝石衬底1之间还具有为了缓冲晶格失配一层缓冲层。所述缓冲层为本征半导体层，优选本征氮化镓层或氮铝镓层。在缓冲层上还依次形成有N型氮化镓层2、发光层3、P型氮化镓层4构成外延层。所述外延层是通过MOCVD(金属有机物化学气相沉积)设备采用横向外延技术生长而成，晶格缺陷少。

本实施例优选所述凸起微结构12为锥状结构，根据光的反射和折射原理，锥状结构更能降低光线全反射的几率，提高发光二极管芯片的外量子效率。进一步优选所述表面轮廓算术平均偏差为0.05～5um，轮廓单峰平均间距为0.02～5um，以更好的提高发光二极管芯片的外量子效率。两相邻轮廓单峰的最高点在中线上的投影长度，在取样长度内，轮廓单峰间距的平均值，就是轮廓单峰平均间距。

进一步，在所述P型氮化镓层4和第四电极金属层7之间还形成有电流扩散层6。由于发光二极管芯片P型氮化镓层4横向电流流通能力较差，增加一ITO层，有利于改善芯片中电流分布的均匀性，增加发光二极管芯片内部的电流的流通面积，提高发光二极管芯片的发光效率。

进一步，在P型氮化镓层4和电流扩散层6之间还形成有二维电子气扩散层5。进一步增加电流在发光二极管芯片内的均匀流通，提高发光二极管芯片的利用率。在一些实际生产发光二极管芯片中也可以不具有该二维电子气扩散层5。

所述第三电极金属层8和第四电极金属层7的材料可以一致也可以不同，可以是单层结构也可以是多层金属薄膜结构。本实施例优选第三电极金属层和第四电极金属层的材料一致，都为金属金。当然作为电极材料的还可以有金属钛、铝、铂、铬、金等金属。所述第三电极金属层8和第四电极金属层7厚度为0.2～3um。

进一步，第三电极金属层8的图形线条至第四电极金属层7形成的图形线条距离相等，以提供均匀电场和电流。

本发明通过对衬底进行粗糙化，在衬底正面形成有凸起微型结构，并对凸起微型结构的顶部进行抛光，使凸起微型结构的顶部位于同一单晶面上，然后在同一单晶面上使用侧向外延生长技术或者横向外延技术生长外延层，降低了本发明的外延层晶体结构缺陷，提高了本发明发光二极管芯片的内量子效率；同时由于凸起微结构的存在，减少光线在发光二极管芯片内部进行全发射的几率，提高了本发明发光二极管芯片的外量子效率，所以本发明的技术方案的优点是提高了发光二极管芯片的发光效率。为了进一步提高发光二极管芯片的外力量子效率，本实施例优选粗糙表面的轮廓算术平均偏差为0.05～5um。

第五实施例

图5是本发明第五实施例的发光二极管倒装芯片结构示意图。参照图5，在第四实施例的基础上，提出本发明的第五实施例。本实施例的发光二极管倒装芯片是在对第四实施例的发光二极管芯片进行一步处理而得到新的发光二极管芯片的基础上得的发光二极管倒装芯片。所述进一步处理结果如下：所述新的发光二极管芯片的蓝宝石衬底1的背面经过机械研磨减薄处理，并形成背面粗糙结构13，使发光二极管倒装芯片可以更好的出光。进一步，优选所述新的发光二极管芯片的P型氮化镓层4上电流扩散层6没有被第四电极金属层7覆盖的区域形成一反射层9。所述反射层9可以只有一金属层，也可以为包括一低折射率的透明介质层和一金属层组成的高反的反射层9。该反射层9的金属优选金属银。通过这反射层可以增加本实施例的发光二极管倒装芯片的光取出效率。

本实施例的发光二极管倒装芯片包括一基材10和新的发光二极管芯片。所述基材至少具有一长方体硅基板101。所述基材10上还具有与第三电极金属层8、第四电极金属层7相对应的第三电极103和第四电极104；所述新的发光二极管芯片的第三电极金属层8、第四电极金属层7分别于第三电极103、第四电极104电连接，且所述新的发光二极管芯片的衬底背面朝上。所述硅基板101有第三电极和第四电极的一面优选镀有基材反光层102，以增加倒装芯片的出光。当然为了减少制作成本，作为本实施例的变形也可以不加基材反光层。本实施例的发光二极管倒装芯片，不仅可以提高产品光取出效率，还可以增加热传导。因为发光二极管芯片产生的热量通过金属很快就能传导到基材上，所以能增加热传导的速度，增加发光二极管倒装芯片的稳定性。

第六实施例

图6是本发明第六实施例的发光二极管结构示意图。参照图6，提出本发明第六实施例。本实施例的发光二极管包括基座200、与基座200配合的封装体600、第一电极300、与第一电极300极性相反的第二电极400，还包括上述发光二极管芯片或者上述发光二极管倒装芯片，在本实施例中，上述发光二极管芯片或者上述发光二极管倒装芯片统称为发光二极管芯片500，所述发光二极管芯片500位于基座200与封装体600之间，所述发光二极管芯片500由第一电极300与第二电极400供电。所述基座200具有固晶区201，所述第一电极300和第二电极400分别位于固晶区201的两边。所述发光二极管芯片500固定位于固晶区201中，并通过金线700将第三电极或第三电极金属层、第四电极或第四电极金属层分别与第一电极300、第二电极400连接。金线700还用于将第一电极300、第二电极400从封装体600中引出。所述封装体600包括具有荧光粉的封装树脂。本实施例的发光二极管通过第一电极300、第二电极400通电后，电流经过发光层，使发光层发光，光线通过折射从发光二极管芯片射出，由于衬底具有凸起微结构且所述凸起微结构的顶部位于单一晶面上，所以能同时提高发光二极管芯片的内量子效率和外量子效率，进而增加了发光二极管的光的射出亮度。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(b)抛光处理，使凸起微结构的顶端均处于同一单晶面；

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述粗糙表面的轮廓算术平均偏差为0.05～5μm。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在步骤(b)、(c)之间还包括步骤(b1)：

(b1)选取98wt％H₂SO₄和63wt％H₃PO₄比例为1∶1～5∶1的混合液作为腐蚀液，在温度为20～400摄氏度下，对衬底进行腐蚀处理，处理时间为5～60分钟。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在步骤(d)之后，步骤(e)之前，还包括步骤(d1)：

(d1)在第二类型半导体层上形成电流扩散层。

5.如权利要求4所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在步骤(d)之后，步骤(d1)之前，还包括步骤(d2)：

(d2)在第二类型半导体层上形成二维电子气扩散层。

6.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：

(f)对衬底背面研磨减薄；

(g)提供一基材，所述基材上具有与第三电极金属层、第四电极金属层相对应的第三电极和第四电极；

(h)将第三电极金属层、第四电极金属层分别于第三电极、第四电极电连接，衬底背面朝上。

7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤(e)之后、步骤(f)之前，还包括步骤(e1)：

(e1)在第二类型半导体层上没有被第四电极金属层覆盖的区域形成一反射层。

8.一种发光二极管芯片，包括衬底、形成于衬底正面的第一类型半导体层且所述第一类型半导体层上形成有第三电极焊线区、形成于第一类型半导体层上的发光层、形成于发光层上的第二类型半导体层、形成于第二类型半导体层之上的第四电极金属层以及形成于第三电极焊线区之上的第三电极金属层，其特征在于，所述衬底正面具有凸起微结构，所述凸起微结构的顶部位于单一晶面上，所述凸起微结构为锥状结构。

9.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起微结构形成的表面的轮廓算术平均偏差为0.05～5μm，轮廓单峰平均间距为0.02～5μm。

10.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，在第二类型半导体层和第四电极金属层之间还形成有电流扩散层。

11.如权利要求10所述的发光二极管芯片，其特征在于，在第二类型半导体层和电流扩散层之间还形成有二维电子气扩散层。

12.如权利要求8至11任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括基材，所述基材具有与第三电极金属层、第四电极金属层相对应的第三电极和第四电极；所述第三电极金属层、第四电极金属层分别与第三电极、第四电极电连接，衬底背面朝上。

13.如权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于，在第二类型半导体层上没有被第四电极金属层覆盖的区域形成有一反射层。

14.一种发光二极管，包括基座、与基座配合的封装体、第一电极、与第一电极极性相反的第二电极，其特征在于，还包括如权利要求8至13任一项所述的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片位于基座与封装体之间，所述发光二极管芯片由第一电极与第二电极供电。