CN102017407A - 弹性边界波装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有三介质结构且能够抑制不希望的横模式脉动的弹性边界波装置。一种弹性边界波装置具备：由LiTaO3单结晶形成的压电基板；层叠在所述压电基板上，且由电介质形成的第一介质层；层叠在所述第一介质层上，且由音速与形成第一介质层的所述电介质不同的电介质形成的第二介质层；配置在所述压电基板和所述第一介质层的边界的至少一个交叉指型电极，其中，所述第一介质层的膜厚为H，所述交叉指型电极的膜厚为h，交叉指型电极中的电极指的周期为λ，形成交叉指型电极的金属的密度的相对于Au的密度的比为a时，第一介质层的音速比LiTaO3的音速慢，第二介质层的音速比LiTaO3的音速快，(h/λ)×a≤0.05。
Description
技术领域
本发明涉及例如共振子或滤波器等中使用的弹性边界波装置，更详细来说，涉及在由LiTaO3形成的压电基板上层叠有第一、第二介质层的三介质结构的弹性边界波装置。
背景技术
近年来，取代弹性表面波装置，弹性边界波装置引人注目。在弹性边界波装置中，无需具有空洞的封装。因此，通过使用弹性边界波装置，能够实现共振子或滤波器的小型化。
在下述的专利文献1中，作为弹性边界波装置的一例，公开有在压电基板上层叠有第一、第二介质层的三介质结构的弹性边界波装置。如图31所示，在此，在压电基板1001上形成有交叉指型电极(未图示)，在该压电基板1001上层叠有多结晶氧化硅膜作为第一介质层1002，并层叠有多结晶硅膜作为第二介质层1003。IDT电极配置在上述压电基板和多结晶氧化硅膜的界面上。
由于多结晶硅膜的形成，如图31所示，能够将由IDT电极激励的弹性边界波的能量封闭在由多结晶氧化硅膜形成的第一介质层1002中。
另外，即使在多结晶硅膜的膜质发生劣化的情况下，也难以产生电特性的劣化，而且通过多结晶氧化硅膜及多结晶硅膜保护IDT电极，因此能提高可靠性。此外，通过利用三介质结构，能够提升高频化
专利文献1：WO98/52279
在专利文献1中，关于IDT电极的膜厚引起的特性的变化等并未特别言及。然而，在专利文献1所记载的以往的弹性边界波装置中可知，将IDT电极的膜厚形成为较厚时或形成有由密度大的金属构成的IDT电极时，未希望的横模式脉动被激励。而且，在专利文献1所记载的使用有LiTaO3的三介质结构中，能得到良好特性的结构未作具体说明。
发明内容
本发明鉴于上述现有技术的现状，目的在于提供一种在使用有由LiTaO3单结晶形成的压电基板的三介质结构的弹性边界波装置中，能够抑制频率特性上出现的横模式脉动的弹性边界波装置。而且，减小传播常数α。此外，增大机电耦合系数K2而进行宽带化。
根据本发明，提供一种弹性边界波装置，其特征在于，具备：由LiTaO3单结晶形成的压电基板；层叠在所述压电基板上，且由电介质形成的第一介质层；层叠在所述第一介质层上，且由音速与形成第一介质层的所述电介质不同的电介质形成的第二介质层；配置在所述压电基板和所述第一介质层的边界的至少一个交叉指型电极，其中，所述第一介质层的膜厚为H，所述交叉指型电极的膜厚为h，交叉指型电极中的电极指的周期为λ，形成交叉指型电极的金属的密度的相对于Au的密度的比为a时，第一介质层的音速比LiTaO3的音速慢，第二介质层的音速比LiTaO3的音速快，(h/λ)×a≤0.05。
在本发明的弹性边界波装置中，作为形成上述第一介质层的电介质，并末特别限定，但优选使用SiO2。这种情况下，LiTaO3具有负的频率温度系数，相对于此，SiO2具有正的频率温度系数，因此能够减小弹性边界波装置的频率温度系数的绝对值。由此，能够减小温度变化引起的特性的变化。
在本发明的弹性边界波装置中，用于形成上述第二介质层的电介质并未特别限定，但优选使用从由SiN、SiON、AlN、AlO、Si、SiC、类金刚石及多晶硅形成的组中选择的一种材料。这种情况下，能够利用波导效果将弹性边界波封闭在SiO2层中。
在本发明的弹性边界波装置中，优选，所述LiTaO3的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±25°)时，相对于H/λ及θ的值，交叉指型电极的标准化膜厚(h/λ)×a在下述的表1～表10的范围。
[表1]
[0.05≤H/λ＜0.15]时
| 0≤θ＜75.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.05 |
| 75.5≤θ＜76.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.014或0.021～0.05 |
| 76.5≤θ＜77.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.014或0.022～0.05 |
| 77.5≤θ＜78.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0135或0.023～0.05 |
| 78.5≤θ＜79.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.024～0.05 |
| 79.5≤θ＜80.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.025～0.05 |
| 80.5≤θ＜81.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.0255～0.05 |
| 81.5≤θ＜82.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.026～0.05 |
| 82.5≤θ＜83.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.0265～0105 |
| 83.5≤θ＜84.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.027～0.05 |
| 84.5≤θ＜85.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.0275～0.05 |
| 85.5≤θ＜86.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.028～0.05 |
| 86.5≤θ＜87.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.013或0.0285～0.05 |
| 87.5≤θ＜88.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0135或0.029～0.05 |
| 88.5≤θ＜90.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0135或0.0295～0.05 |
| 90.5≤θ＜91.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.014或0.03～0.05 |
| 91.5≤θ＜92.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.014或0.0305～0.05 |
| 92.5≤θ＜93.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0145或0.0305～0.05 |
| 93.5≤θ＜94.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0145或0.031～0.05 |
| 94.5≤θ＜95.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.015或0.031～0.05 |
| 95.5≤θ＜96.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0155或0.0315～0.05 |
| 96.5≤θ＜97.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.016或0.0315～0.05 |
| 97.5≤θ＜98.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0165或0.032～0.05 |
| 98.5≤θ＜99.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.017或0.032～0.05 |
| 99.5≤θ＜100.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0175或0.032～0.05 |
| 100.5≤θ＜101.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.018或0.0325～0.05 |
| 101.5≤θ＜102.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0185或0.0325～0.05 |
| 102.5≤θ＜103.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.019或0.0325～0.05 |
| 103.5≤θ＜104.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0195或0.0325～0.05 |
| 104.5≤θ＜105.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0205或0.033～0.05 |
| 105.5≤θ＜106.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0215或0.033～0.05 |
| 106.5≤θ＜107.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0225或0.033～0.05 |
| 107.5≤θ＜108.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0235或0.033～0.05 |
| 108.5≤θ＜109.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.024或0.0325～0.05 |
| 109.5≤θ＜110.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.026或0.0325～0.05 |
| 110.5≤θ＜111.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.028或0.032～0.05 |
| 111.5≤θ＜12.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0295或0.0305～0.05 |
| 112.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.05 |
[表2]
[0.15≤H/λ＜0.25]时
[表3]
[0.25≤H/λ＜0.35]时
[表4]
[0.35≤H/λ＜0.45]时
[表5]
[0.45≤H/λ＜0.55]时
[表6]
[0.55≤H/λ＜0.65]时
[表7]
[0.65≤H/λ＜0.75]时
[表8]
[0.75≤H/λ＜0.85]时
[表9]
[0.85≤H/λ＜0.95]
[表10]
[0.95＜H/λ＜1.00]时
由此，能够使衰减常数α减小到0.06dB/λ以下。
在本发明的弹性边界波装置中，优选，所述LiTaO3的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±25°)时，相对于H/λ及0的值，交叉指型电极的标准化膜厚(h/λ)×a在下述的表11～表20的范围。
[表11]
[0.05≤H/λ＜0.15]时
| 0≤θ＜48.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 48.5≤θ＜49.5时 | (h/λ)×a＝0.04～0.0415 |
| 49.5≤θ＜50.5时 | (h/λ)×a＝0.0255～0.05 |
| 50.5≤θ＜51.5时 | (h/λ)×a＝0.02～0.05 |
| 51.5≤θ＜52.5时 | (h/λ)×a＝0.016～0.05 |
| 52.5≤θ＜53.5时 | (h/λ)×a＝0.0135～0.05 |
| 53.5≤θ＜54.5时 | (h/λ)×a＝0.011～0.05 |
| 54.5≤θ＜55.5时 | (h/λ)×a＝0.0095～0.05 |
| 55.5≤θ＜56.5时 | (h/λ)×a＝0.008～0.05 |
| 56.5≤θ＜57.5时 | (h/λ)×a＝0.0065～0.05 |
| 57.5≤θ＜58.5时 | (h/λ)×a＝0.0055～0.05 |
| 58.5≤θ＜122.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.05 |
| 122.5≤θ＜123.5时 | (h/λ)×a＝0.0055～0.05 |
| 123.5≤θ＜124.5时 | (h/λ)×a＝0.007～0.05 |
| 124.5≤θ＜125.5时 | (h/λ)×a＝0.0055～0.05 |
| 125.5≤θ＜129.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.05 |
| 129.5≤θ＜130.5时 | (h/λ)×a＝0.0105～0.05 |
| 130.5≤θ＜132.5时 | (h/λ)×a＝0.012～0.05 |
| 132.5≤θ＜142.5时 | (h/λ)×a＝0.0115～0.05 |
| 142.5≤θ＜143.5时 | (h/λ)×a＝0.012～0.05 |
| 143.5≤θ＜144.5时 | (h/λ)×a＝0.0125～0.05 |
| 144.5≤θ＜146.5时 | (h/λ)×a＝0.013～0.05 |
| 146.5≤θ＜150.5时 | (h/λ)×a＝0.0135～0.05 |
| 150.5≤θ＜152.5时 | (h/λ)×a＝0.013～0.05 |
| 152.5≤θ＜154.5时 | (h/λ)×a＝0.005或0.013～0.05 |
| 154.5≤θ＜155.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0055或0.013～0.05 |
| 155.5≤θ＜156.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 156.5≤θ＜157.5时 | (h/λ)×a＝0.005或0.0125～0.05 |
| 157.5≤θ＜158.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 158.5≤θ＜159.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.006或0.0125～0.05 |
| 159.5≤θ＜160.5时 | (h/λ)×a＝0.005或0.0125～0.05 |
| 160.5≤θ＜161.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 161.5≤θ＜162.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0065或0.0125～0.05 |
| 162.5≤θ＜163.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 163.5≤θ＜171.5时 | (h/λ)×a＝0.0125～0.05 |
| 171.5≤θ＜172.5时 | (h/λ)×a＝0.0125～0.0485 |
| 172.5≤θ＜173.5时 | (h/λ)×a＝0.0125～0.0455 |
| 173.5≤θ＜174.5时 | (h/λ)×a＝0.0125～0.042 |
| 174.5≤θ＜175.5时 | (h/λ)×a＝0.0125～0.038 |
| 175.5≤θ＜176.5时 | (h/λ)×a＝0.0125～0.032 |
| 176.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.013～0.0145 |
[表12]
[0.15≤H/λ＜0.25]时
| 0≤θ＜0.5时 | (h/λ)×a＝0.01～0.0345 |
| 0.5≤θ＜1.5时 | (h/λ)×a＝0.014～0.0285 |
| 1.5≤θ＜45.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 45.5≤θ＜46.5时 | (h/λ)×a＝0.0235～0.05 |
| 46.5≤θ＜47.5时 | (h/λ)×a＝0.0165～0.05 |
| 47.5≤θ＜48.5时 | (h/λ)×a＝0.0115～0.05 |
| 48.5≤θ＜49.5时 | (h/λ)×a＝0.008～0.05 |
| 49.5≤θ＜130.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.05 |
| 130.5≤θ＜131.5时 | (h/λ)×a＝0.006～0.05 |
| 131.5≤θ＜132.5时 | (h/λ)×a＝0.007～0.05 |
| 132.5≤θ＜142.5时 | (h/λ)×a＝0.0075～0.05 |
| 142.5≤θ＜144.5时 | (h/λ)×a＝0.008～0.05 |
| 144.5≤θ＜148.5时 | (h/λ)×a＝0.0085～0.05 |
| 148.5≤θ＜157.5时 | (h/λ)×a＝0.008～0.05 |
| 157.5≤θ＜166.5时 | (h/λ)×a＝0.0075～0.05 |
| 166.5≤θ＜169.5时 | (h/λ)×a＝0.007～0.05 |
| 169.5≤θ＜170.5时 | (h/λ)×a＝0.0065～0.05 |
| 170.5≤θ＜171.5时 | (h/λ)×a＝0.007～0.05 |
| 171.5≤θ＜172.5时 | (h/λ)×a＝0.0075～0.05 |
| 172.5≤θ＜175.5时 | (h/λ)×a＝0.008～0.05 |
| 175.5≤θ＜176.5时 | (h/λ)×a＝0.008～0.0485 |
| 1765≤θ＜177.5时 | (h/λ)×a＝0.0085～0.0455 |
| 177.5≤θ＜178.5时 | (h/λ)×a＝0.0085～0.0425 |
| 178.5≤θ＜179.5时 | (h/λ)×a＝0.0085～0.0385 |
| 178.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.009～0.0345 |
[表13]
[0.25≤H/λ＜0.35]时
| 0≤θ＜0.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0455 |
| 0.5≤θ＜1.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0445 |
| 1.5≤θ＜2.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.041 |
| 2.5≤θ＜3.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.037 |
| 3.5≤θ＜4.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.032 |
| 4.5≤θ＜5.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.025 |
| 5.5≤θ＜42.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 42.5≤θ＜43.5时 | (h/λ)×a＝0.023～0.05 |
| 43.5≤θ＜44.5时 | (h/λ)×a＝0.015～0.05 |
| 44.5≤θ＜45.5时 | (h/λ)×a＝0.01～0.05 |
| 45.5≤θ＜465时 | (h/λ)×a＝0.006～0.05 |
| 46.5≤θ＜179.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.05 |
| 179.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.048 |
[表14]
[0.35≤H/λ＜0.45]时
| 0≤θ＜2.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
| 2.5≤θ＜3.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0475 |
| 3.5≤θ＜4.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.044 |
| 4.5≤θ＜5.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.04 |
| 5.5≤θ＜6.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0355 |
| 6.5≤θ＜7.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.029 |
| 7.5≤θ＜39.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | (h/λ)×a＝0.0355～0.05 |
| 405≤θ＜41.5时 | (h/λ)×a＝0.021～0.05 |
| 41.5≤θ＜42.5时 | (h/λ)×a＝0.0135～0.05 |
| 42.5≤θ＜43.5时 | (h/λ)×a＝0.008～0.05 |
| 43.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.05 |
[表15]
[0.45≤H/λ＜0.55]时
| 0≤θ＜7.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
| 7.5≤θ＜8.5时 | (h/λ)×a＝0.006～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | (h/λ)×a＝0.0105～0.045 |
| 9.5≤θ＜38.5时 | (h/λ)×a＝0.0455～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | (h/λ)×a＝0.0265～0.045 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | (h/λ)×a＝0.016～0.045 |
| 41.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
[表16]
[0.55≤H/λ＜0.65]时
| 0≤θ＜8.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | (h/λ)×a＝0.006～0.045 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | (h/λ)×a＝0.0115～0.045 |
| 10.5≤θ＜36.5时 | (h/λ)×a＝0.0455～0.045 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | (h/λ)×a＝0.044～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | (h/λ)×a＝0.026～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | (h/λ)×a＝0.0155～0.045 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | (h/λ)×a＝0.009～0.045 |
| 40.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
[表17]
[0.65≤H/λ＜0.75]时
| 0≤θ＜7.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
| 7.5≤θ＜8.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0435 |
| 7.5≤θ＜9.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0385 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | (h/λ)×a＝0.009～0.032 |
| 10.5≤θ＜36.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | (h/λ)×a＝0.0305～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | (h/λ)×a＝0.0185～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | (h/λ)×a＝0.0105～0.045 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | (h/λ)×a＝0.0055～0.045 |
| 40.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
[表18]
[0.75≤H/λ＜0.85]时
| 0≤θ＜8.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.0405 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | (h/λ)×a＝0.009～0.035 |
| 10.5≤θ＜11.5时 | (h/λ)×a＝0.017～0.023 |
| 11.5≤θ＜35.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 35.5≤θ＜36.5时 | (h/λ)×a＝0.042～0.045 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | (h/λ)×a＝0.0245～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | (h/λ)×a＝0.014～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | (h/λ)×a＝0.0075～0.045 |
| 39.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
[表19]
[0.85≤H/λ＜0.95]时
| 0≤θ＜8.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | (h/λ)×a＝0.007～0.0415 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | (h/λ)×a＝0.01～0.036 |
| 10.5≤θ＜11.5时 | (h/λ)×a＝0.018～0.0255 |
| 11.5≤θ＜35.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 35.5≤θ＜36.5时 | (h/λ)×a＝0.037～0.045 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | (h/λ)×a＝0.0215～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | (h/λ)×a＝0.012～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | (h/λ)×a＝0.006～0.045 |
| 39.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.045 |
[表20]
[0.95＜H/λ＜1.00]时
| 0≤θ＜7.5时 | (h/λ)×a＝0.005～0.04 |
| 7.5≤θ＜8.5时 | (h/λ)×a＝0.007～0.04 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | h/λ)×a＝0.009～0.04 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | (h/λ)×a＝0.012～0.04 |
| 10.5≤θ＜11.5时 | (h/λ)×a＝0.02～0.04 |
| 11.5≤θ＜35.5时 | (h/λ)×a＝无 |
| 35.5≤θ＜36.5时 | (h/λ)×a＝0.034～0.04 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | (h/λ)×a＝0.0195～0.04 |
| 37.5＜θ＜38.5时 | (h/λ)×a＝0.0105～0.04 |
| 38.5≤θ＜180时 | (h/λ)×a＝0.005～0.04 |
这种情况下，能够使机电耦合系数K2为0.02以上，从而能够实现宽带化。
在本发明中，关于上述欧拉角(φ，θ，ψ)，也可以是在上述优选的欧拉角范围中根据下述式(A)使用边界波特性实质上等价的欧拉角。
式(A)
F(φ，θ，ψ)＝F(60°+φ，-θ，ψ)
＝F(60°-φ，-θ，180°-ψ)
＝F(φ，180°+θ，180°-ψ)
＝F(φ，θ，180°+ψ)
本发明的弹性边界波装置中的电极材料并未特别限定，但优选IDT电极以Pt膜为主体，由此，能够提高可靠性。
另外，上述IDT电极也可以以设置在第一介质层侧的Al膜和设置在压电基板侧的Pt膜为主体，这种情况下，能够减小插入损失。
另外，上述IDT电极也可以以设置在第一介质层侧的Pt膜和设置在压电体层侧的Al膜为主体，这种情况下，能够减小频率温度系数TCF的绝对值，而且与仅使用Pt膜的情况相比，能够减小插入损失。
另外，优选，上述IDT电极由层叠有多个金属膜的层叠金属膜形成，该层叠金属膜内的与所述压电基板相接的层、与所述第一介质层相接的层及金属膜间的至少一个部位上具有从由Ti、Ni及NiCr组成的组中选择的至少一种金属形成的金属膜。这种情况下，能够有效地提高IDT电极的相对于压电基板的紧贴(密着)性、相对于第一介质的紧贴性以及由金属膜形成的紧贴性。因此，能够提高弹性边界波装置的可靠性。
(发明效果)
根据本发明的弹性边界波装置，由于具有将第一、第二介质层叠在压电基板上的三介质结构，因此能够对应于高频化，且不仅能够提高可靠性，而且由于第一介质层的音速比LiTaO3的音速慢，第二介质层的音速比LiTaO3的音速快，(h/λ)×a为0.05以下，因此能够有效地抑制横模式脉动。而且，LiTaO3的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±25°)时，相对于H/λ及θ的值，交叉指型电极的标准化膜厚(h/λ)×a在上述表1～表10的范围内，因此能够将衰减常数α减小到0.06dB/λ以下。而且，相对于H/λ及θ的值，由于交叉指型电极的标准化膜厚(h/λ)×a在上述表11～表20的范围内，因此能够使机电耦合系数K2为0.02以上，从而能够实现宽带化。因此，能够提供具有良好的共振特性或滤波器特性的弹性边界波装置。
附图说明
图1(a)、(b)是本发明的一实施方式的弹性边界波装置的示意正面剖面图及示意平面剖面图。
图2是用于说明本发明的一实施方式的第一介质层的膜厚H、IDT电极的膜厚h及电极指的周期λ的局部剖切正面剖面图。
图3是表示在实施例1中使IDT的电极膜厚变化时的传播损失α的变化的图。
图4是表示由Au形成的IDT电极的标准化膜厚(％)为4.0％及2.5％时的频率特性的变化的图。
图5是表示IDT电极的标准化膜厚h/λ(％)与机电耦合系数K2的关系的图。
图6是表示作为IDT电极的标准化膜厚而使Au膜的标准化膜厚为2.5％及3.0％时的阻抗特性的各阻抗特性的图。
图7是表示由欧拉角(0°，132°，0°)SiO2形成的第一介质层的标准化膜厚H/λ＝40％，由Pt形成的IDT电极的标准化膜厚(h/λ)×a为3.0％时的单口型弹性边界波共振子的阻抗史密斯图的图。
图8是表示由欧拉角(0°，132°，0°)SiO2形成的第一介质层的标准化膜厚H/λ＝40％，由Pt形成的IDT电极的标准化膜厚(h/λ)×a为5.0％时的单口型弹性边界波共振子的阻抗史密斯图的图。
图9是表示由欧拉角(0°，132°，0°)SiO2形成的第一介质层的标准化膜厚H/λ＝40％，由Pt形成的IDT电极的标准化膜厚(h/λ)×a为6.0％时的单口型弹性边界波共振子的阻抗史密斯图的图。
图10是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为10％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图11是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为20％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图12是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为30％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图13是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为40％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图14是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为50％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图15是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为60％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图16是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为70％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图17是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为80％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图18是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为90％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图19是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为100％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的传播损失α的分布的图。
图20是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为20％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图21是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为30％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图22是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为40％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图23是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为50％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图24是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为60％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图25是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为70％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图26是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为80％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图27是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为90％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图28是表示作为第一介质层的SiO2膜的标准化膜厚H/λ为100％，LiTaO3的欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化时的机电耦合系数K2的分布的图。
图29是表示在欧拉角(0°，132°，ψ)的LiTaO3上形成有由Au构成的IDT电极的弹性边界波装置中的ψ和IDT电极的标准化膜厚(％)与机电耦合系数K2的关系的图。
图30是在图29的结果的内仅取出IDT电极的标准化膜厚为3.0％的情况进行表示的图。
图31是表示现有的弹性边界波装置中的能量分布的示意图。
图中：
1…弹性边界波装置
2…压电基板
3…第一介质层
4…第二介质层
5…IDT电极
6、7…反射器
具体实施方式
以下，通过参照附图说明本发明的具体实施方式来明确本发明。
图1(a)及(b)是表示用于说明本发明的一实施方式的弹性边界波装置的示意性正面剖面图及电极结构的示意性平面剖面图。
弹性边界波装置1具有由LiTaO3单结晶形成的压电基板2。第一介质层3及第二介质层4以该顺序层叠在压电基板2上。即，实施方式的弹性边界波装置1具有三介质结构。
第一介质层3在本实施方式中由SiO2形成。SiO2的音速约为3750〔m/s〕。此外，作为第一介质层3中使用的电介质，并未特别限定，但优选使用SiO2。由于SiO2具有正的频率温度系数，LiTaO3具有负的频率温度系数，因此能够减小频率温度系数的绝对值。从而能够减小温度变化引起的特性的变化。
另一方面，第二介质层4在本实施方式中由SiN形成。SiN的音速约为6000〔m/s〕。作为构成第二介质层4的材料，能够使用音速与形成第一介质层3的电介质不同的适当的材料。作为此种电介质，优选使用从由SiN、SiON、AlN、AlO、Si、SiC、类金刚石及多晶硅形成的组中选择的一种材料。通过使用从上述组中选择的一种材料，能够通过高的波导效果将波封闭在内。
在压电基板2和第一介质层3的界面上形成有IDT电极5及反射器6、7。即，弹性边界波装置1具有IDT电极5及反射器6、7作为电极结构。
如图1(b)所示，在IDT电极5的边界波传播方向两侧配置反射器6、7，由此，构成单口型的弹性边界波共振子。
可是，本发明的弹性边界波装置并不局限于上述的弹性边界波共振子，还能够适用于弹性边界波滤波器等的各种弹性边界波装置。因此，电极结构可以根据实现的弹性边界波装置的功能进行适当变形。
如上所述，在专利文献1所记载的具有三介质结构的现有的弹性边界波装置中，在IDT电极的膜厚增大或由密度大的金属形成IDT电极时，存在会产生横模式脉动的问题。因此，本申请发明者们仔细地研究了抑制三介质结构的弹性边界波装置中的横模式脉动的结构。其结果是，如对图2局部剖切正面剖面图所示，设第一介质层3的膜厚为H，IDT电极的膜厚为h，IDT电极中的电极指的周期为λ，Au的密度相对于IDT电极的密度的比为a时，第一介质层3的音速比LiTaO3的音速慢，第二介质层4的音速比LiTaO3的音速快，(h/λ)×a为0.05以下，即以％表示为5％以下，如此，发现了能有效地抑制横模式脉动的情况，从而得出了本发明。以下，基于具体的实验例，更详细地说明本发明。
(实验例1)
作为由LiTaO3形成的压电基板，使用欧拉角为(0°，132°，0°)的LiTaO3。作为第一介质层3，使用标准化膜厚H/λ为0.4的SiO2膜。并且，关于IDT电极5，使用标准化膜厚h/λ为0.005～0.05的Au膜。第二介质层4是3000nm，即标准化膜厚为1.58(波长的1.58倍，以％表示为158％)的SiN膜。
从而求出如此得到的弹性边界波装置的IDT电极的电极膜厚(h/λ)(％)与传播损失α的关系。h/λ(％)表示(h/λ)×100所表达的比例。结果如图3所示。
从图3可知，h/λ从4.0％到2.5％，即从0.04到0.025减小时，传播损失α从0.024到0.011，改善了0.013(dB/λ)。
因此，使用Au膜作为IDT电极，测定其标准化膜厚h/λ(％)为2.5％及4.0％时的纵耦合共振子型滤波器的频率特性。结果如图4所示。从图4可知，得到的纵耦合共振子型弹性边界波滤波器的最小插入损失在形成IDT电极的Au膜的标准化膜厚为4.0％时为2.55dB，相对于此，标准化膜厚减小到2.5％时，改善为2.35dB。
即，从本实施方式可知，通过由比较重的金属即Au形成IDT电极时，其标准化膜厚h/λ为4.0％以下，其标准化膜厚h/λ越小，传播损失α越被改善。
(实验例2)
关于实验例1中准备的介质结构的弹性边界波装置1，与实验例1同样地求出使由Au形成的IDT电极的标准化膜厚h/λ(％)为0.5～5％的范围内变化时的机电耦合系数K2的变化。结果如图5所示。从图5可知，IDT电极的标准化膜厚h/λ(％)从3.0％向2.5％减薄时，机电耦合系数K2从6.45％向6.3％减小。即，可知通过调整IDT电极5的标准化膜厚h/λ(％)，能控制机电耦合系数K2。图6是表示形成由Au构成的IDT电极5，除了其标准化膜厚h/λ(％)为2.5％及3.0％的情况之外，与上述同样地形成的弹性边界波装置的阻抗特性的图。
从图6可知，通过使IDT电极的标准化膜厚h/λ(％)从3.0％变更为2.5％，比带宽改善0.2％。此外可知，在比带宽与机电耦合系数之间，机电耦合系数＝(比带宽)×2的关系大致成立。因此可知，通过增大机电耦合系数K2能得到宽的比带宽。
(实验例3)
根据上述实验例1、2的结果，在实验例3中，使用的LiTaO3的欧拉角(0°，0，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ发生变化，求出传播损失α及机电耦合系数K2的IDT电极的相对于标准化膜厚比h/λ的依赖性。结果如图10～图28所示。
图10～图19是表示作为第一介质层的SiO2的标准化膜厚H/λ(％)分别为10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％及100％时的θ、和IDT电极的标准化膜厚比h/λ与传播损失α的关系的图。
图10～图19中的表示由等高线包围的区域的记号表示该区域的传播损失的范围。例如，图10的A区域A13～A20中的传播损失α对应于下述的表21所示的A13～A20。即，在区域A13中，传播损失α为0.07～0.08(dB/λ)。从图10可知，在区域A13中，传播损失最大为0.07～0.08，随着从A13到区域A14、区域A15、区域A16、区域A17、区域A18、区域A19、区域A20，传播损失α减小。
另外，在图10中可知，传播损失α为0.06dB/λ以下时，使用区域A15～区域A20即可。即，以成为区域A15～区域A20的方式选择欧拉角的θ和IDT电极的标准化膜厚比h/λ即可。
同样地，在图11～图19中可知，分别对应于作为上述第一介质层3的SiO2的标准化膜厚H/λ(％)，通过选择欧拉角的θ和IDT电极的标准化膜厚比h/λ，能得到传播损失α为0.06(dB/λ)以下。
此外，在图12及13中，h/λ大于0.05时，弹性边界波成为非泄漏，因此传播损失α成为0。同样地，在图14～图18中，在h/λ大于0.045时及在图19中h/λ大于0.04时成为非泄漏型弹性边界波，因此传播损失α成为0。即，在图3中在电极膜厚6％以上成为非泄漏，但随着SiO2层的标准化膜厚变大，在小电极膜厚下成为非泄漏。
[表21]
传播损失α
因此，从图10～图19可知，根据能将传播损失α减小为0.06dB/λ以下的SiO2膜的标准化膜厚H/λ，在表23～表32的范围中选择上述欧拉角的θ和IDT电极的标准化膜厚比h/λ即可。
图20～图28是表示将SiO2膜的标准化膜厚H/λ(％)分别形成为20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％及100％时，机电耦合系数K2根据欧拉角(0°，θ，0°)的θ和IDT电极的标准化膜厚比h/λ如何变化的图。图20～图28中的各区域B21～B100及C11～C30表示下述的表22所示的机电耦合系数K2的范围。例如，表22的区域B21相当于图20中的区域B21，这种情况下，机电耦合系数K2表示处于0.09～0.1的范围。
因此，从图20～图28可知，根据SiO2膜的标准化膜厚比H/λ选择机电耦合系数K2能够为2％以上所需的欧拉角的θ和IDT电极的标准化膜厚比h/λ即可。
[表22]
机电耦合系数K2
接下来，设LiTaO3的欧拉角为(0°，132°，ψ)，求出使该欧拉角的ψ和IDT电极的标准化膜厚h/λ变化时的机电耦合系数K2的变化。
图29是将欧拉角的ψ与机电耦合系数K2与IDT电极的标准化膜厚(h/λ)(％)的关系归纳成图形的图。根据图29可知，机电耦合系数K2为2％以上时，ψ和IDT电极的标准化膜厚h/λ为图29的K2＝0.02以上的区域即可。
此外，图30是从图29的多条曲线中仅取出IDT电极的标准化膜厚为3.0％的曲线而进行表示的图。即，在图29中，表示IDT电极的标准化膜厚为0.5％至5.0％的范围的结果，不明确，因此仅取出IDT电极的标准化膜厚为3％的情况如图30所示。
根据图30可知，只要欧拉角的ψ在0°±25°的范围内就能够使K2＝0.02以上。
根据上述图10～图19的结果，SiO2的标准化膜厚H/λ的值为0.05以上且小于0.15时，如下述的表23所示，若选择欧拉角的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ，则能够使传播损失α为0.06以下。
[表23]
[0.05≤H/λ＜0.15]时
| 0≤θ＜75.5时 | h/λ＝0.005～0.05 |
| 75.5≤θ＜76.5时 | h/λ＝0.005～0.014或0.021～0.05 |
| 76.5≤θ＜77.5时 | h/λ＝0.005～0.014或0.022～0.05 |
| 77.5≤θ＜78.5时 | h/λ＝0.005～0.0135或0.023～0.05 |
| 78.5≤θ＜79.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.024～0.05 |
| 79.5≤θ＜80.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.025～0.05 |
| 80.5≤θ＜81.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.0255～0.05 |
| 81.5≤θ＜82.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.026～0.05 |
| 82.5≤θ＜83.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.0265～0.05 |
| 83.5≤θ＜84.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.027～0.05 |
| 84.5≤θ＜85.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.0275～0.05 |
| 85.5≤θ＜86.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.028～0.05 |
| 86.5≤θ＜87.5时 | h/λ＝0.005～0.013或0.0285～0.05 |
| 87.5≤θ＜88.5时 | h/λ＝0.005～0.0135或0.029～0.05 |
| 88.5≤θ＜90.5时 | h/λ＝0.005～0.0135或0.0295～0.05 |
| 90.5≤θ＜91.5时 | h/λ＝0.005～0.014或0.03～0.05 |
| 91.5≤θ＜92.5时 | h/λ＝0.005～0.014或0.0305～0.05 |
| 92.5≤θ＜93.5时 | h/λ＝0.005～0.0145或0.0305～0.05 |
| 93.5≤θ＜94.5时 | h/λ＝0.005～0.0145或0.031～0.05 |
| 94.5≤θ＜95.5时 | h/λ＝0.005～0.015或0.031～0.05 |
| 95.5≤θ＜96.5时 | h/λ＝0.005～0.0155或0.0315～0.05 |
| 96.5≤θ＜97.5时 | h/λ＝0.005～0.016或0.0315～0.05 |
| 97.5≤θ＜98.5时 | h/λ＝0.005～0.0165或0.032～0.05 |
| 98.5≤θ＜99.5时 | h/λ＝0.005～0.017或0.032～0.05 |
| 99.5≤θ＜100.5时 | h/λ＝0.005～0.0175或0.032～0.05 |
| 100.5≤θ＜101.5时 | h/λ＝0.005～0.018或0.0325～0.05 |
| 101.5≤θ＜102.5时 | h/λ＝0.005～0.0185或0.0325～0.05 |
| 102.5≤θ＜103.5时 | h/λ＝0.005～0.019或0.0325～0.05 |
| 103.5≤θ＜104.5时 | h/λ＝0.005～0.0195或0.0325～0.05 |
| 104.5≤θ＜105.5时 | h/λ＝0.005～0.0205或0.033～0.05 |
| 105.5≤θ＜106.5时 | h/λ＝0.005～0.0215或0.033～0.05 |
| 106.5≤θ＜107.5时 | h/λ＝0.005～0.0225或0.033～0.05 |
| 107.5≤θ＜108.5时 | h/λ＝0.005～0.0235或0.033～0.05 |
| 108.5≤θ＜109.5时 | h/λ＝0.005～0.024或0.0325～0.05 |
| 109.5≤θ＜110.5时 | h/λ＝0.005～0.026或0.0325～0.05 |
| 110.5≤θ＜111.5时 | h/λ＝0.005～0.028或0.032～0.05 |
| 111.5≤θ＜112.5时 | h/λ＝0.005～0.0295或0.0305～0.05 |
| 112.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.05 |
同样地，SiO2膜的标准化膜厚H/λ为0.15以上且小于0.25时，为0.25以上且小于0.35时，为0.35以上且小于0.45时，为0.45以上且小于0.55时，为0.55以上且小于0.65时，为0.65以上且小于0.75时，为0.75以上且小于0.85时，为0.85以上且小于0.95时，为0.95以上且小于1.00时，如下述的表24～表32所示，若选择欧拉角的θ和IDT电极的标准化膜厚h/λ，则能够使传播损失α为0.06以下。
[表24]
[0.15≤H/λ＜0.25]时
[表25]
[0.25≤H/λ＜0.35]时
[表26]
[0.35≤H/λ＜0.45]时
[表27]
[0.45≤H/λ＜0.55]时
[表28]
[0.55≤H/λ＜0.65]时
[表29]
[0.65≤H/λ＜0.75]时
[表30]
[0.75≤H/λ＜0.85]时
[表31]
[0.85≤H/λ＜0.95]时
[表32]
[0.95≤H/λ＜1.00]时
另外，根据上述图20～图28的结果可知，机电耦合系数K2为2％以上时，根据SiO2膜的标准化膜厚H/λ的值，使欧拉角的θ及IDT电极的标准化膜厚h/λ为表33～表42所示的组合即可。
[表33]
[0.05≤H/λ＜0.15]时
| 0≤θ＜48.5时 | h/λ＝无 |
| 48.5≤θ＜49.5时 | h/λ＝0.04～0.0415 |
| 49.5≤θ＜50.5时 | h/λ＝0.0255～0.05 |
| 50.5≤θ＜51.5时 | h/λ＝0.02～0.05 |
| 51.5≤θ＜52.5时 | h/λ＝0.016～0.05 |
| 52.5≤θ＜53.5时 | h/λ＝0.0135～0.05 |
| 53.5≤θ＜54.5时 | h/λ＝0.011～0.05 |
| 54.5≤θ＜55.5时 | h/λ＝0.0095～0.05 |
| 55.5≤θ＜56.5时 | h/λ＝0.008～0.05 |
| 56.5≤θ＜57.5时 | h/λ＝0.0065～0.05 |
| 57.5≤θ＜58.5时 | h/λ＝0.0055～0.05 |
| 58.5≤θ＜122.5时 | h/λ＝0.005～0.05 |
| 122.5≤θ＜123.5时 | h/λ＝0.0055～0.05 |
| 123.5≤θ＜124.5时 | h/λ＝0.007～0.05 |
| 124.5≤θ＜125.5时 | h/λ＝0.0055～0.05 |
| 125.5≤θ＜129.5时 | h/λ＝0.005～0.05 |
| 129.5≤θ＜130.5时 | h/λ＝0.0105～0.05 |
| 130.5≤θ＜132.5时 | h/λ＝0.012～0.05 |
| 132.5≤θ＜142.5时 | h/λ＝0.0115～0.05 |
| 142.5≤θ＜143.5时 | h/λ＝0.012～0.05 |
| 143.5≤θ＜144.5时 | h/λ＝0.0125～0.05 |
| 144.5≤θ＜146.5时 | h/λ＝0.013～0.05 |
| 146.5≤θ＜150.5时 | h/λ＝0.0135～0.05 |
| 150.5≤θ＜152.5时 | h/λ＝0.013～0.05 |
| 152.5≤θ＜154.5时 | h/λ＝0.005或0.013～0.05 |
| 154.5≤θ＜155.5时 | h/λ＝0.005～0.0055或0.013～0.05 |
| 155.5≤θ＜156.5时 | h/λ＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 156.5≤θ＜157.5时 | h/λ＝0.005或0.0125～0.05 |
| 157.5≤θ＜158.5时 | h/λ＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 158.5≤θ＜159.5时 | h/λ＝0.005～0.006或0.0125～0.05 |
| 159.5≤θ＜160.5时 | h/λ＝0.005或0.0125～0.05 |
| 160.5≤θ＜161.5时 | h/λ＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 161.5≤θ＜162.5时 | h/λ＝0.005～0.0065或0.0125～0.05 |
| 162.5≤θ＜163.5时 | h/λ＝0.005～0.0055或0.0125～0.05 |
| 163.5≤θ＜171.5时 | h/λ＝0.0125～0.05 |
| 171.5≤θ＜172.5时 | h/λ＝0.0125～0.0485 |
| 172.5≤θ＜173.5时 | h/λ＝0.0125～0.0455 |
| 173.5≤θ＜174.5时 | h/λ＝0.0125～0.042 |
| 174.5≤θ＜175.5时 | h/λ＝0.0125～0.038 |
| 175.5≤θ＜176.5时 | h/λ＝0.0125～0.032 |
| 176.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.013～0.0145 |
[表34]
[0.15≤H/λ＜0.25]时
| 0≤θ＜0.5时 | h/λ＝0.01～0.0345 |
| 0.5≤θ＜1.5时 | h/λ＝0.014～0.0285 |
| 1.5≤θ＜45.5时 | h/λ＝无 |
| 45.5≤θ＜46.5时 | h/λ＝0.0235～0.05 |
| 46.5≤θ＜47.5时 | h/λ＝0.0165～0.05 |
| 47.5≤θ＜48.5时 | h/λ＝0.0115～0.05 |
| 48.5≤θ＜49.5时 | h/λ＝0.008～0.05 |
| 49.5≤θ＜130.5时 | h/λ＝0.005～0.05 |
| 130.5≤θ＜131.5时 | h/λ＝0.006～0.05 |
| 131.5≤θ＜132.5时 | h/λ＝0.007～0.05 |
| 132.5≤θ＜142.5时 | h/λ＝0.0075～0.05 |
| 142.5≤θ＜144.5时 | h/λ＝0.008～0.05 |
| 144.5≤θ＜148.5时 | h/λ＝0.0085～0.05 |
| 148.5≤θ＜157.5时 | h/λ＝0.008～0.05 |
| 157.5≤θ＜166.5时 | h/λ＝0.0075～0.05 |
| 166.5≤θ＜169.5时 | h/λ＝0.007～0.05 |
| 189.5≤θ＜170.5时 | h/λ＝0.0065～0.05 |
| 170.5≤θ＜171.5时 | h/λ＝0.007～0.05 |
| 171.5≤θ＜172.5时 | h/λ＝0.0075～0.05 |
| 172.5≤θ＜175.5时 | h/λ＝0.008～0.05 |
| 175.5≤θ＜176.5时 | h/λ＝0.008～0.0485 |
| 176.5≤θ＜177.5时 | h/λ＝0.0085～0.0455 |
| 177.5≤θ＜178.5时 | h/λ＝0.0085～0.0425 |
| 178.5≤θ＜179.5时 | h/λ＝0.0085～0.0385 |
| 178.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.009～0.0345 |
[表35]
[0.25≤H/λ＜0.35]时
| 0≤θ＜0.5时 | h/λ＝0.005～0.0455 |
| 0.5≤θ＜1.5时 | h/λ＝0.005～0.0445 |
| 1.5≤θ＜2.5时 | h/λ＝0.005～0.041 |
| 2.5≤θ＜3.5时 | h/λ＝0.005～0.037 |
| 3.5≤θ＜4.5时 | h/λ＝0.005～0.032 |
| 4.5≤θ＜5.5时 | h/λ＝0.005～0.025 |
| 5.5≤θ＜42.5时 | h/λ＝无 |
| 42.5≤θ＜43.5时 | h/λ＝0.023～0.05 |
| 43.5≤θ＜44.5时 | h/λ＝0.015～0.05 |
| 44.5≤θ＜45.5时 | h/λ＝0.01～0.05 |
| 45.5≤θ＜46.5时 | h/λ＝0.006～0.05 |
| 46.5≤θ＜179.5时 | h/λ＝0.005～0.05 |
| 179.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.048 |
[表36]
[0.35≤H/λ＜0.45]时
| 0≤θ＜2.5时 | h/λ＝0.005～0.045 |
| 2.5≤θ＜3.5时 | h/λ＝0.005～0.0475 |
| 3.5≤θ＜4.5时 | h/λ＝0.005～0.044 |
| 4.5≤θ＜5.5时 | h/λ＝0.005～0.04 |
| 5.5≤θ＜6.5时 | h/λ＝0.005～0.0355 |
| 6.5≤θ＜7.5时 | h/λ＝0.005～0.029 |
| 7.5≤θ＜39.5时 | h/λ＝无 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | h/λ＝0.0355～0.05 |
| 40.5≤θ＜41.5时 | h/λ＝0.021～0.05 |
| 41.5≤θ＜42.5时 | h/λ＝0.0135～0.05 |
| 42.5≤θ＜43.5时 | h/λ＝0.008～0.05 |
| 43.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.05 |
[表37]
[0.45≤H/λ＜0.55]时
| 0≤θ＜7.5时 | h/λ＝0.005～0.045 |
| 7.5≤θ＜8.5时 | h/λ＝0.006～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | h/λ＝0.0105～0.045 |
| 9.5≤θ＜38.5时 | h/λ＝0.0455～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | h/λ＝0.0265～0.045 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | h/λ＝0.016～0.045 |
| 41.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.045 |
[表38]
[0.55≤H/λ＜0.65]时
| 0≤θ＜8.5时 | h/λ＝0.005～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | h/λ＝0.006～0.045 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | h/λ＝0.0115～0.045 |
| 10.5≤θ＜36.5时 | h/λ＝0.0455～0.045 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | h/λ＝0.044～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | h/λ＝0.026～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | h/λ＝0.0155～0.045 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | h/λ＝0.009～0.045 |
| 40.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.045 |
[表39]
[0.65≤H/λ＜0.75]时
| 0≤θ＜7.5时 | h/λ＝0.005～0.045 |
| 7.5≤θ＜8.5时 | h/λ＝0.005～0.0435 |
| 7.5≤θ＜9.5时 | h/λ＝0.005～0.0385 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | h/λ＝0.009～0.032 |
| 10.5≤θ＜36.5时 | h/λ＝无 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | h/λ＝0.0305～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | h/λ＝0.0185～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | h/λ＝0.0105～0045 |
| 39.5≤θ＜40.5时 | h/λ＝0.0055～0.045 |
| 40.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.045 |
[表40]
[0.75≤H/λ＜0.85]时
| 0≤θ＜8.5时 | h/λ＝0.005～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | h/λ＝0.005～0.0405 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | h/λ＝0.009～0.035 |
| 10.5≤θ＜11.5时 | h/λ＝0.017～0.023 |
| 11.5≤θ＜35.5时 | h/λ＝无 |
| 35.5≤θ＜36.5时 | h/λ＝0.042～0.045 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | h/λ＝0.0245～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | h/λ＝0.014～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | h/λ＝0.0075～0.045 |
| 39.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.045 |
[表41]
[0.85≤H/λ＜0.95]时
| 0≤θ＜8.5时 | h/λ＝0.005～0.045 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | h/λ＝0.007～0.0415 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | h/λ＝0.01～0.036 |
| 10.5≤θ＜11.5时 | h/λ＝0.018～0.0255 |
| 11.5≤θ＜35.5时 | h/λ＝无 |
| 35.5≤θ＜36.5时 | h/λ＝0.037～0.045 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | h/λ＝0.0215～0.045 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | h/λ＝0.012～0.045 |
| 38.5≤θ＜39.5时 | h/λ＝0.006～0.045 |
| 39.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.045 |
[表42]
[0.95≤H/λ＜1.00]时
| 0≤θ＜7.5时 | h/λ＝0.005～0.04 |
| 7.5≤θ＜8.5时 | h/λ＝0.007～0.04 |
| 8.5≤θ＜9.5时 | h/λ＝0.009～0.04 |
| 9.5≤θ＜10.5时 | h/λ＝0.012～0.04 |
| 10.5≤θ＜11.5时 | h/λ＝0.02～004 |
| 11.5≤θ＜35.5时 | h/λ＝无 |
| 35.5≤θ＜36.5时 | h/λ＝0.034～0.04 |
| 36.5≤θ＜37.5时 | h/λ＝0.0195～0.04 |
| 37.5≤θ＜38.5时 | h/λ＝0.0105～0.04 |
| 38.5≤θ＜180时 | h/λ＝0.005～0.04 |
此外，在上述实验例1～3中，也可以是IDT电极由Au形成，而使用其它金属形成IDT电极。可是，IDT电极由Au以外的金属形成时，相对于IDT电极的标准化膜厚h/λ，选择(h/λ)×a的范围作为由上述Au形成的IDT电极时的h/λ的范围即可。即，如所述表1～表20所示，选择(h/λ)×a的范围即可。在此，a表示形成IDT电极的金属的密度相对于Au的密度的比。
如上所述，通过Au以外的金属形成IDT电极时，取代Au中的h/λ的范围而使(h/λ)×a为相同范围即可是因为，通过形成为与金属的密度相对应的标准化膜厚，能得到与由Au形成的IDT电极时的边界波音速大致相同的边界波音速。
因此，通过Au以外的金属形成IDT电极时，取代Au中的h/λ，使用(h/λ)×a即可。而且，包含IDT电极在内的电极也可以通过层叠有多个金属膜的层叠金属膜形成，这种情况下，优选以Pt及Al为主体。优选，在层叠金属膜的情况下，优选包含Pt膜和Al膜作为主要的电极层，这种情况下，能够使电极指阻抗下降而使特性良好。Pt膜可以设置在压电基板侧，Pt膜也可以设置在第一介质侧。而且，也可以在两个Al膜之间设置Pt膜。
另外，在由层叠有多层金属膜的层叠金属膜形成时，与压电基板相接的层、与第一介质相接的层及金属膜间的至少一个部位上具有从由Ti、Ni及NiCr构成的组中选择的至少1种金属形成的金属膜。此种金属膜的紧贴(密着)性优良，因此能够提高相对于压电基板的紧贴性、相对于第一介质层的紧贴性或金属膜彼此的紧贴性。
此外，根据本发明者们的实验，确认了如下情况，即，即使相对于(0°，θ，0°)的欧拉角而欧拉角的φ及ψ从0°偏离一些，也能得到同样的结果。即，只要φ在0°±5°的范围内且ψ在0°±25°的范围内，就能得到同样的结果。
另外，根据下述式(A)，LiTaO3的欧拉角也可以是弹性边界波特性实质上等价的欧拉角。
式(A)
F(φ，θ，ψ)＝F(60°+φ，-θ，ψ)
＝F(60°-φ，-θ，180°-ψ)
＝F(φ，180°+θ，180°-ψ)
＝F(φ，θ，180°+ψ)
(实验例4)
与实验例1相同地，其中，由Pt形成IDT电极，以使(h/λ)×a成为3.0％、5.0％及6.0％的方式形成由Pt膜构成的IDT电极的标准化膜厚h/λ，从而制作弹性边界波共振子。此外，SiO2的标准化膜厚H/λ(％)与实施例1同样地为40％，LiTaO3的欧拉角为(0°，132°，0°)。如此得到的Pt膜的标准化膜厚为3.0、5.0或6.0％的各弹性边界波装置的阻抗史密斯图(スミスチヤ一ト)如图7～图9所示。
从图7～图9可知，通过使(h/λ)×a为从6.0％到5.0％以下而有效地抑制横模式脉动。
因此，在LiTaO3上，在层叠有第一、第二介质层的结构中，IDT电极的标准化膜厚(h/λ)×a为5％以下，即为0.05以下时，能有效地抑制横模式脉动。
此外，在上述实验例1～4中，通过SiO2形成第一介质层3，通过SiN形成第二介质层4，但取代SiN而使用SiON、AlN时，也能得到同样的结果。
因此，关于第二介质层4，能够使用从SiN、SiON、AlN、AlO、Si、SiC、类金刚石及多晶硅形成的组中选择1种材料而形成。
Claims (10)
1.一种弹性边界波装置，其特征在于，
具备：
由LiTaO3单晶形成的压电基板；
层叠在所述压电基板上，且由电介质形成的第一介质层；
层叠在所述第一介质层上，且由音速与形成第一介质层的所述电介质不同的电介质形成的第二介质层；
配置在所述压电基板和所述第一介质层的边界的至少一个交叉指型电极，
所述第一介质层的膜厚为H，所述交叉指型电极的膜厚为h，交叉指型电极中的电极指的周期为λ，形成交叉指型电极的金属的密度的相对于Au的密度的比为a时，第一介质层的音速比LiTaO3的音速慢，第二介质层的音速比LiTaO3的音速快，(h/λ)×a≤0.05。
2.根据权利要求1所述的弹性边界波装置，其特征在于，
形成所述第一介质层的所述电介质以SiO2为主体。
3.根据权利要求1或2所述的弹性边界波装置，其特征在于，
形成所述第二介质层的所述电介质以从由SiN、SiON、AlN、AlO、Si、SiC、类金刚石及多晶硅形成的组中选择的一种材料为主体。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，
设所述LiTaO3的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±25°)时，相对于H/λ及θ的值，交叉指型电极的标准化膜厚(h/λ)×a处于下述的表1～表10的范围，
[表1]
[0.05≤H/λ＜0.15]时
[表2]
[0.15≤H/λ＜0.25]时
[表3]
[0.25≤H/λ＜0.35]时
[表4]
[0.35≤H/λ＜0.45]时
[表5]
[0.45≤H/λ＜0.55]时
[表6]
[0.55≤H/λ＜0.65]时
[表7]
[0.65≤H/λ＜0.75]时
[表8]
[0.75≤H/λ＜0.85]时
[表9]
[0.85≤H/λ＜0.95]
[表10]
[0.95≤H/λ＜1.00]时
5.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，
设所述LiTaO3的欧拉角为(0°±5°，θ，0°±25°)时，相对于H/λ及θ的值，交叉指型电极的标准化膜厚(h/λ)×a处于下述的表11～表20的范围，
[表11]
[0.05≤H/λ＜0.15]时
[表12]
[0.15≤H/λ＜0.25]时
[表13]
[0.25≤H/λ＜0.35]时
[表14]
[0.35≤H/λ＜0.45]时
[表15]
[0.45≤H/λ＜0.55]时
[表16]
[0.55≤H/λ＜0.65]时
[表17]
[0.65≤H/λ＜0.75]时
[表18]
[0.75≤H/λ＜0.85]时
[表19]
[0.85≤H/λ＜0.95]时
[表20]
[0.95≤H/λ＜1.00]时
6.根据权利要求4或5所述的弹性边界波装置，其特征在于，
所述LiTaO3的欧拉角(φ，θ，ψ)，通过下述式(A)而被设成弹性边界波特性实质上等价的欧拉角：
式(A)
F(φ，θ，ψ)＝F(60°+φ，-θ，ψ)
＝F(60°-φ，-θ，180°-ψ)
＝F(φ，180°+θ，180°-ψ)
＝F(φ，θ，180°+ψ)。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，所述交叉指型电极以Pt为主体。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，
所述交叉指型电极具备设置在第一介质层侧的Al膜和设置在所述压电基板侧的Pt膜，并以Pt膜及Al膜为主体。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，
所述交叉指型电极具有设置在所述第一介质层侧的Pt膜和设置在所述压电基板层侧的Al膜，并以Pt膜及Al膜为主体。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的弹性边界波装置，其特征在于，
所述交叉指型电极由层叠有多个金属膜的层叠金属膜形成，在该层叠金属膜内的与所述压电基板相接的层、与所述第一介质层相接的层及金属膜间的层的至少一个部位上，具有从由Ti、Ni及NiCr组成的组中选择的至少一种金属构成的金属膜。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109560788A (zh) * | 2017-09-27 | 2019-04-02 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011158445A1 (ja) * | 2010-06-17 | 2013-08-19 | パナソニック株式会社 | 弾性波素子 |
| JP5601377B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-10-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| CN103765769B (zh) * | 2011-09-01 | 2016-12-28 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
| WO2013047433A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| DE102011119660B4 (de) * | 2011-11-29 | 2014-12-11 | Epcos Ag | Mikroakustisches Bauelement mit Wellenleiterschicht |
| US9322809B2 (en) | 2012-01-20 | 2016-04-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Elastic wave sensor |
| JP6288760B2 (ja) * | 2013-11-20 | 2018-03-07 | 日本電波工業株式会社 | 弾性表面波デバイス、共振子及び発振回路 |
| FR3022831B1 (fr) * | 2014-06-30 | 2017-03-03 | Michelin & Cie | Insert de moule pour pneumatique comportant une texture a fort contraste |
| FR3022830B1 (fr) | 2014-06-30 | 2017-05-19 | Michelin & Cie | Element de moule pour pneumatique comportant une texture a fort contraste |
| JP6360847B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-07-18 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| US10924085B2 (en) * | 2016-10-17 | 2021-02-16 | Qorvo Us, Inc. | Guided acoustic wave device |
| WO2018097201A1 (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
| CN110402539B (zh) * | 2017-03-09 | 2023-02-28 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
| GB2596956B (en) * | 2019-04-03 | 2023-08-23 | Univ Tohoku | High-order mode surface acoustic wave devices |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1269610A (zh) * | 1999-04-07 | 2000-10-11 | 株式会社村田制作所 | 边缘反射型声表面波器件 |
| CN1926763A (zh) * | 2004-03-05 | 2007-03-07 | 株式会社村田制作所 | 边界声波器件 |
| EP1879291A1 (en) * | 2005-04-25 | 2008-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998052279A1 (fr) * | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a onde elastique |
| JP3841053B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2006-11-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP3815424B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2006-08-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| CN1902817B (zh) * | 2004-01-13 | 2010-12-15 | 株式会社村田制作所 | 边界声波装置 |
| WO2006000020A1 (en) | 2004-06-29 | 2006-01-05 | European Nickel Plc | Improved leaching of base metals |
| DE102004058016B4 (de) * | 2004-12-01 | 2014-10-09 | Epcos Ag | Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement mit hoher Bandbreite |
| EP1871006B1 (en) * | 2005-04-08 | 2017-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave element |
| JP2008235950A (ja) * | 2005-05-26 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置 |
| TW200801513A (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-01 | Fermiscan Australia Pty Ltd | Improved process |
| CN101523720B (zh) * | 2006-10-12 | 2012-07-04 | 株式会社村田制作所 | 弹性边界波装置 |
| JP5154285B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2013-02-27 | 和彦 山之内 | 弾性境界波機能素子 |
-
2009
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-
2013
- 2013-03-18 US US13/845,205 patent/US9196818B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1269610A (zh) * | 1999-04-07 | 2000-10-11 | 株式会社村田制作所 | 边缘反射型声表面波器件 |
| CN1926763A (zh) * | 2004-03-05 | 2007-03-07 | 株式会社村田制作所 | 边界声波器件 |
| EP1879291A1 (en) * | 2005-04-25 | 2008-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109560788A (zh) * | 2017-09-27 | 2019-04-02 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 |
| CN109560788B (zh) * | 2017-09-27 | 2023-03-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US8436510B2 (en) | 2013-05-07 |
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